技術(shù)總結(jié)
為了研究可印刷的納米浮柵晶體管，提出了尺寸小于30nm的Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu),其可作為UV固化的有機(jī)?無(wú)機(jī)雜化柵電介質(zhì)中的電荷俘獲點(diǎn)。本發(fā)明的新穎性來(lái)自于通過溶膠?凝膠法在低溫下制備高質(zhì)量的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化柵電介質(zhì)層，和還在此電介質(zhì)層中引入由高密度的硅納米顆粒形成的單層結(jié)構(gòu)。此納米結(jié)構(gòu)與電介質(zhì)材料無(wú)明顯界面缺陷，保持高品質(zhì)的電介質(zhì)層。通過對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行UV固化附加低溫?zé)峁袒奶幚?，從雜化電介質(zhì)中成功移除了固定電荷俘獲缺陷。僅與由Si/SiO2核/殼納米結(jié)構(gòu)形成的電荷俘獲層相關(guān)的移動(dòng)電荷清晰地展示了印制電子器件的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。每個(gè)硅納米顆粒表面均勻的二氧化硅薄殼充當(dāng)閃存器件的隧道層，簡(jiǎn)化了印制納米浮柵存儲(chǔ)器件的制備。

技術(shù)研發(fā)人員：孫彩明;趙春;王嘉俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：納米及先進(jìn)材料研發(fā)院有限公司
文檔號(hào)碼：201510618655
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.24
技術(shù)公布日：2017.02.15