技術(shù)編號(hào):11136564
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可印刷的非易失性存儲(chǔ)器,特別是涉及一種在低溫下通過(guò)溶液法制備用于閃存晶體管的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化電介質(zhì)層的方法,尤其是涉及一種制備以納米顆粒作為電荷俘獲層的非易失性存儲(chǔ)器的方法。背景技術(shù)在本說(shuō)明書(shū)中引用了下列參考文獻(xiàn)。通過(guò)引用的方式將這些參考文獻(xiàn)的公開(kāi)作為整體并入本文。參考文獻(xiàn)列表:[1].Y.J.Park等人,IEEETransonDielectricsandElectricalInsulation17(4),1135-1163(2010)[2].2003年4月,PROCEEDINGS...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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