本發(fā)明總體涉及晶體管。更具體地，本發(fā)明涉及增強晶體管性能。

背景技術(shù)：

晶體管是一種用來放大和開關(guān)電子信號和電功率的半導體器件。它由半導體材料組成，帶有至少三個用于連接到外部電路的端子。施加到一對晶體管端子的電壓或電流改變通過另一對端子的電流。由于受控的(輸出)功率可以高于控制(輸入)功率，所以晶體管可以放大信號。一些晶體管被單獨封裝，更多個晶體管被嵌入到集成電路中。

利用晶體管它們的能力來使用施加在它的一對端子之間的小的信號來控制另一對端子處的更大的信號。該特性被稱為增益。它可以產(chǎn)生與較弱的輸入信號成比例的較強輸出信號、電壓或電流；即，它可以充當放大器。可替換地，晶體管可以被用于作為電控開關(guān)來導通或切斷電路中的電流，這里電流的大小由其他電路元件確定。

存在兩種類型的晶體管，它們在如何在電路中被使用方面具有輕微差異。雙極型晶體管具有稱為基極、集電極和發(fā)射極的端子?；鶚O端子處(即，在基極和發(fā)射極之間流動)的小的電流可以控制或開關(guān)集電極端子和發(fā)射極端子之間的大得多的電流。對于場效應(yīng)晶體管，端子被稱為柵極、源極和漏極，并且柵極處的電壓可以控制源極和漏極之間的電流。

上面描述的涉及的晶體管的背景技術(shù)僅被用來提供對晶體管的背景概述，并且不意圖是窮盡的。通過查看下面的詳細描述，關(guān)于晶體管的其他背景可以變得更加顯而易見。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文提供簡化的發(fā)明內(nèi)容，以幫助能夠?qū)σ韵赂釉敿毜拿枋龊透綀D中的示例性、非限制性的實施例的各個方面進行基本的或一般的理解。然而， 該發(fā)明內(nèi)容不意圖來作為廣泛或窮盡的概述。相反，該發(fā)明內(nèi)容的目的是以簡化形式呈現(xiàn)與一些例示性、非限制性的實施例相關(guān)的概念，作為在本公開文本隨后的各個實施例的更詳細描述的前奏。

本發(fā)明的目的是發(fā)展一種手段，用于改進電路結(jié)構(gòu)中一些特殊連接方式的晶體管的結(jié)構(gòu)，有利于改進電路性能。對注入鎖定分頻器(ILFD)而言，它的鎖定范圍可以是鎖相環(huán)(PLL)中的輸出頻率范圍，對此，它能保持被鎖定，并且受限于壓控振蕩器(VCO)的輸出范圍。鎖相環(huán)是產(chǎn)生輸出信號的控制系統(tǒng)，輸出信號的相位與輸入信號的相位相關(guān)。該振蕩器產(chǎn)生周期性信號。相位檢測器可以將該信號的相位與穩(wěn)定的輸入信號的相位比較，通過調(diào)節(jié)該振蕩器來保持相位匹配。將輸出信號返回到輸入信號用于比較可以被定義為反饋環(huán)，這是因為輸出可以“反饋”到輸入而形成環(huán)。

在鎖定步驟保持輸入相位和輸出相位也可以保持輸入頻率和輸出頻率相同。結(jié)果，除了同步信號之外，鎖相環(huán)可以追蹤輸入頻率，或者它可以產(chǎn)生為輸入頻率數(shù)倍的頻率。這些特性可以被用于計算機時鐘同步、解調(diào)和頻率合成。

鎖相環(huán)在無線電、電通信、計算機和其他電子應(yīng)用中被廣泛采用。他們可以被用來解調(diào)信號、從噪聲信道恢復(fù)信號，產(chǎn)生數(shù)倍于輸入頻率的穩(wěn)定的頻率(頻率合成)，或在例如為微處理器的數(shù)字邏輯電路中分配精確計時的時鐘脈沖。由于單個的集成電路可以提供完整的鎖相環(huán)模塊，所以該技術(shù)被廣泛使用在現(xiàn)代計算機設(shè)備中，它們的輸出頻率從幾分之一赫茲到幾千兆赫茲(GHz)。

寄生電容是不可避免并且通常不希望有的電容，其僅簡單地因為電子組件或電路的零件彼此鄰近而存在于它們之間。低寄生和共質(zhì)心(common-centroid)晶體管結(jié)構(gòu)注入鎖定分頻器(IFLD)可以使得電路連線簡化，減小了互連的寄生電容和電阻，減小了源極和漏極與本體的寄生電容，并且提供了固有的共質(zhì)心特征，所有這些都有益于改進互補金屬氧化物半導體(CMOS)ILFD的高頻和寬鎖定范圍性能。本發(fā)明提出的晶體管結(jié)構(gòu)已經(jīng)被應(yīng)用于65nm的CMOS技術(shù)的60GHz的ILFD設(shè)計，電源電壓0.5V，電流消耗7.5mA。試驗結(jié)果可以驗證該ILFD具有16.9GHz的鎖定范圍，工作在53.8-70.7GHz而不需要變?nèi)莨苷{(diào)諧。

本發(fā)明可以被應(yīng)用到高頻PLL系統(tǒng)中的分頻器鏈的第一級聯(lián)。由于60GHz左右的頻率已經(jīng)被開放用于無需執(zhí)照的應(yīng)用，因此這樣的PLL可以被使用在千兆/點到點鏈路、無線局域網(wǎng)、高數(shù)據(jù)率無線個人局域網(wǎng)和雷達的前端系統(tǒng)中。在CMOS技術(shù)中，ILFD可以具有低功耗和高頻性能。然而，ILFD可能受制于較窄的鎖定范圍。變?nèi)莨?Varactor)可以被用在ILFD中來增大鎖定范圍，但是在VCO和分頻器中的變?nèi)莨苤g的控制電壓需要被同步，這顯著地增加了PLL系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性。本發(fā)明可以使用源極被連接到地的對稱注入晶體管，在一個標準射頻(RF)晶體管單元中放置所有的有源器件。對稱注入結(jié)構(gòu)可以增加每個周期中的注入電流和注入時間，這可以增大鎖定范圍。ILFD核心中的所有的有源器件可以被構(gòu)建在一個新型晶體管單元上，這可以減小電感器-電容器(LC)回路的寄生電容，增大ILFD的工作頻率和鎖定范圍。

提出的ILFD對于現(xiàn)有的ILFD具有若干優(yōu)點，其中鎖定范圍最大達到60Hz的頻帶需求而不需要變?nèi)莨苷{(diào)諧。所以，ILFD的寬工作頻率范圍可以覆蓋由集成的螺旋電感或寄生電容的制程變化導致的中心工作頻率的偏移。不需變?nèi)莨苷{(diào)諧則可以簡化VCO和ILFD之間的PLL的控制。

本文描述的系統(tǒng)、方法、制品以及其他實施例和實施方式可以促進增強晶體管性能并且可以與任何類型的無線電、電通信、計算機和其他電子應(yīng)用設(shè)備結(jié)合實施。

根據(jù)一個實施例，這里描述了一種晶體管機構(gòu)，用于注入鎖定分頻器中，通過減小寄生電容來增大ILFD的鎖定范圍。。該結(jié)構(gòu)包括了交叉耦合的注入晶體管、對稱注入晶體管以及互連節(jié)點，其中所述互連節(jié)點連接它們各自的注入晶體管的源極、漏極和柵極。

這里描述了一種方法，用于改進四端口晶體管。該方法可以包括將四個晶體管改進到標準射頻晶體管單元中，四個晶體管包括兩個交叉耦合晶體管和兩個對稱注入晶體管。該交叉耦合晶體管的源極及對稱注入晶體管的源極被連到地。

這里描述了一種晶體管結(jié)構(gòu)，用于減小寄生電容來促進的晶體管性能，增大注入鎖定分頻器的鎖定范圍。該結(jié)構(gòu)包括交叉耦合晶體管，對稱注入晶體管以及互連節(jié)點，其中所述互連節(jié)點包括三個源極、兩個漏極和四個柵極。

這些和其他實施例或?qū)嵤┓绞皆谙旅鎸⒖几綀D更詳細描述。

附圖說明

參照下面的附圖來描述本發(fā)明的非限制性和非窮盡實施例，其中除非特別指出，在所有各個視圖中，相同的附圖標記指代相同的組件。

圖1示出直接注入(direct injection)CMOS鎖定分頻器的例示示意圖。

圖2示出對稱注入(symmetry injection)鎖定分頻器裝置的例示示意圖。

圖3示出四端口晶體管的例示示意圖。

圖4示出用于注入鎖定分頻器電路的輸入靈敏度曲線的例示示意圖。

圖5示出注入鎖定分頻器電路的相位噪聲曲線的例示示意圖。

圖6示出用于將四個晶體管形成到晶體管單元上的例示方法。

圖7示出用于將四個晶體管形成到晶體管單元上的方法的系統(tǒng)框圖的例示示意圖，其包括將對稱注入晶體管源極連接到地。

圖8示出包括三個源極、兩個漏極和四個柵極的對稱注入鎖定分頻器的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。

圖9示出包括三個源極、兩個漏極和四個柵極且其中第三源極包括地的對稱注入鎖定分頻器的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。

圖10示出包括三個源極、兩個漏極和四個柵極且其中第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管為NMOS晶體管的對稱注入鎖定分頻器的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。

具體實施方式

在下面的描述中，多個特定的細節(jié)被提出以提供對各個實施例的全面了解。然而，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，這里描述的技術(shù)可以被實施而無需一個或多個特定細節(jié)，或者帶有其他方法、組件、材料等。在其它例子中，公知的結(jié)構(gòu)、材料或操作未被示出或詳細描述，以避免模糊某些方面。

參照本說明書全文，“一個實施例”或“一實施例”意指結(jié)合該實施例描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在至少一個實施例中。因此，出現(xiàn)在該說明書全文的各個地方的詞語“在一個實施例中”、“在一個方面”或“在一實施例中”不必然指代相同的實施例。此外，在一個或多個實施例中特定 的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式組合。

這里使用的術(shù)語“組件”、“系統(tǒng)”、“接口”等意圖指代計算機相關(guān)實體、硬件、軟件(例如，在執(zhí)行中)和/或固件。例如，組件可以為處理器、在處理器上運行的進程、對象、可執(zhí)行文件、程序、存儲器件和/或計算機。通過舉例說明的方式，在服務(wù)器上運行的應(yīng)用程序以及該服務(wù)器可以是組件。在一個進程中可以存在一個或多個組件，并且組件可以本地化在一個計算機上和/或分布于兩個或多個計算機之間。

此外，這些組件可以通過具有存儲其上的各種數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)的各種計算機可讀介質(zhì)來執(zhí)行。這些組件可以例如根據(jù)具有一個或多個數(shù)據(jù)包的信號經(jīng)由本地和/或遠程過程來進行通信，(例如，來自與本地系統(tǒng)、分布式系統(tǒng)和/或網(wǎng)絡(luò)(例如，因特網(wǎng)、局域網(wǎng)和廣域網(wǎng)等)中的另一組件進行交互的一個組件的數(shù)據(jù)經(jīng)由信號與其它系統(tǒng)進行通信)。

作為另一個例子，組件可以為具有特定功能的裝置，特定功能由通過電氣或電子電路操作的機械零件提供；電氣或電子電路可以被一個或多個處理器執(zhí)行的軟件應(yīng)用或固件應(yīng)用操作；一個或多個處理器可以在裝置的內(nèi)部或外部并且可以執(zhí)行軟件或固件應(yīng)用的至少一部分。作為又一個例子，組件可以為通過電子組件而不需要機械零件提供特定功能的裝置；電子組件可以在其中包括一個或多個處理器來執(zhí)行軟件和/或固件，軟件和/或固件至少部分地給予了電子組件的功能。在一方面，例如在云計算系統(tǒng)中，組件可以通過虛擬機來仿真電子組件。

詞語“例示性”和/或“說明性”被用在這里來意指充當例子、實例或示例。為了避免疑惑，這里公開的主題不限于這些例子。此外，這里描述為“例示性”和/或“說明性”的任何方面或設(shè)計不必然被解釋為超過其他方面或設(shè)計的優(yōu)選或優(yōu)點，也不意指排除為所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的等效例示性結(jié)構(gòu)和技術(shù)。此外，在一定程度上，術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和其他類似的詞語被使用在詳細描述或權(quán)利要求中，這樣的術(shù)語被意圖為包括性的(以類似于術(shù)語“包括”的方式作為開放性承接詞)而不排除任何附加的或其他的要素。

如本文所使用的，術(shù)語“推理”或“推斷”通常是指通過經(jīng)事件和/或數(shù)據(jù)捕獲的一組觀察結(jié)果，對系統(tǒng)、環(huán)境、用戶和/或意圖的狀態(tài)進行推理或 推斷的過程。捕獲的數(shù)據(jù)和事件可以包括用戶數(shù)據(jù)、設(shè)備數(shù)據(jù)、環(huán)境數(shù)據(jù)、來自傳感器的數(shù)據(jù)、傳感器數(shù)據(jù)、應(yīng)用數(shù)據(jù)、隱式數(shù)據(jù)、顯式數(shù)據(jù)等。例如，推斷能夠被用于識別特定背景或動作，或能夠基于對數(shù)據(jù)和事件的考慮對感興趣的狀態(tài)產(chǎn)生概率分布。

推斷也可是指用于通過一組事件和/或數(shù)據(jù)來構(gòu)成較高層次事件的技術(shù)。這種推斷結(jié)果使得可通過一組觀察的事件和/或存儲的事件數(shù)據(jù)構(gòu)建新的事件或動作，而無論這些事件在時間鄰近上是否密切相關(guān)，以及無論這些事件或數(shù)據(jù)是否來自一個或幾個事件和數(shù)據(jù)源。結(jié)合所公開的主題，能夠結(jié)合進行自動和/或推斷的動作來采用各種分類方案和/或系統(tǒng)(如支持向量機、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、專家系統(tǒng)、貝葉斯置信網(wǎng)絡(luò)、模糊邏輯以及數(shù)據(jù)融合引擎)。

另外，所公開的主題能夠被實施為方法、設(shè)備或者制品，該方法、裝置或者制品使用標準編程和/或工程技術(shù)來產(chǎn)生軟件、固件、硬件或者其組合，以控制計算機實施所公開的主題。本文使用的術(shù)語“制品”意圖涵蓋從任意計算機可讀裝置、計算機可讀載體或計算機可讀介質(zhì)等中可訪問的計算機程序。例如，計算機可讀介質(zhì)可以包括但不限于磁性存儲裝置(如硬盤、軟盤、磁帶)、光盤(如壓縮盤(CD)、多功能數(shù)碼盤(DVD)、藍光光盤(Blu-ray Disc^TMBD))、智能卡、閃存裝置(如卡、棒、密鑰驅(qū)動器(key drive))和/或仿真存儲裝置和/或任意上述的計算機可讀介質(zhì)的虛擬裝置。

作為本文呈現(xiàn)的各個實施例的概述，為了克服上面指出的傳統(tǒng)直接注入方案的不足和其他缺陷，在這里描述了各個實施例以促進增強晶體管性能。

圖1-12示出能通過改進晶體管結(jié)構(gòu)來增強注入鎖定分頻器的鎖定范圍的方法。為了解釋的簡便，該方法(或算法)被描繪和描述為系列動作。應(yīng)該理解，各個實施例不受限于示出的動作和/或動作的次序。例如，動作可以以各種次序和/或同時發(fā)生，并且?guī)в袥]有在本文呈現(xiàn)或描述的動作。此外，為了實施該方法，可以不要求所有示出的動作。此外，該方法可以替代性地經(jīng)由狀態(tài)圖或事件表示為系列相互關(guān)聯(lián)的狀態(tài)。此外，下文描述的方法能被存儲在制品(例如，計算機可讀存儲介質(zhì))上來便利于將這樣的方法傳輸和轉(zhuǎn)移到計算。如在這里使用的，術(shù)語制品意圖包括可以通過任何計算機可讀裝置、載體或媒介(包括非瞬時性計算機可讀存儲介質(zhì))存取的計算機程序。

現(xiàn)在參照圖1，示出直接注入金屬氧化物半導體(MOS)晶體管100的例示示意圖。傳統(tǒng)的基于MOS晶體管開關(guān)的直流注入的電路方案在圖1中示出。注入鎖定振蕩器可以包括交叉耦合n型MOS對102、中心抽頭電感(104)以及直接注入晶體管106。寄生電容吸收到LC諧振回路中。寄生電容包括交叉耦合NMOS對102的寄生電容、直接注入晶體管106的寄生電容、下一級聯(lián)的負載電容以及互連金屬路徑的寄生電容。通過測量，鎖定范圍Δω可以由下面的方程式1確定：

(方程式1)

其中V_i可以為輸入信號的振幅，α₂可以為注入晶體管的二階非線性系數(shù)，而C為諧振回路中的電容。因此，鎖定范圍可以通過減小寄生電容而得到改進。

在注入晶體管M3的源極端子和漏極端子的直流(DC)電壓為由電源電壓(VDD)產(chǎn)生的電壓。如果M 3的柵極端子處的電壓偏置(Vbias)也是VDD，那么M3“導通”的時間少于注入信號的周期的一半。同時，M3的源極處的寄生電容通常不同于漏極處的寄生電容。該非對稱性使得ILFD的性能變差。所以，為了改進ILFD的鎖定范圍，LC回路的寄生電容將被最小化且連接諧振回路兩端的寄生電容保持對稱性。鎖定范圍相關(guān)的第二個重要的參數(shù)在于注入功率，增大注入功率可以增大鎖定范圍。

現(xiàn)在參照圖2，示出對稱注入鎖定分頻器裝置的例示示意圖。圖2顯示提出的對稱ILFD的方案。對稱ILFD可以采用兩個注入晶體管206、208，它們的源極被連接到地218，使得注入晶體管206、208“導通”時間大于注入信號的周期的一半。注入電流還可以大于傳統(tǒng)的直接注入晶體管的注入電流。然而，對于相同的跨導放大器(gm)，在注入期間，對稱ILFD結(jié)構(gòu)的尺寸是圖1中的單個晶體管的尺寸的兩倍，這可以引發(fā)額外的寄生電容并減小鎖定范圍。

對于傳統(tǒng)的RF NMOS晶體管結(jié)構(gòu)，每個晶體管被襯底包圍放置在深N阱的單元中。由于晶體管一般彼此間隔開，因此摻雜到柵極區(qū)域的雜質(zhì)濃度從一個區(qū)域到另一個區(qū)域會有不同。所以在這些晶體管之間能發(fā)生閾值電壓差異，這也能導致電路的不對稱，使得電路不能像設(shè)計期望的那樣工作。

圖2的對稱ILFD可以包括交叉耦合NMOS晶體管202、204以及對稱注入晶體管206、208，它們共享公共節(jié)點源極端口被連接到地218。交叉耦 合NMOS晶體管202的漏極，交叉耦合NMOS晶體管204的柵極，對稱注入晶體管206的漏極，它們被連到節(jié)點210。此外，交叉耦合NMOS晶體管204的漏極，交叉耦合NMOS晶體管202的柵極，以及對稱注入晶體管208的漏極，它們被連到節(jié)點212。對稱注入晶體管206、208的柵極被連到節(jié)點214。所以，晶體管可以以下面的方式共享端口來減小寄生接合電容。

第一交叉晶體管202可以包括第一源極。第二交叉晶體管204可以包括第二源極，其中第一交叉晶體管202和第二交叉晶體管204被交叉耦合，并且其中第一源極和第二源極被連接到第一地216。第一交叉晶體管202和第二交叉晶體管204的交叉連接可以是僅有的交叉連接，這可以限制寄生電容。第一對稱注入晶體管206可以包括第三源極，并且第二對稱注入晶體管可以包括第四源極，其中第三源極和第四源極可以被連接到第二地218。第一對稱注入晶體管206和第二對稱注入晶體管208可以共享公共節(jié)點，并且所有的源極端口可以被連接到第二地218。第一節(jié)點210可以包括第一交叉晶體管202的第一漏極、第二交叉晶體管204的第一柵極以及第一對稱注入晶體管206的第二漏極。第二節(jié)點212可以包括第二交叉晶體管204的第三漏極、第一交叉晶體管202的第二柵極以及第二對稱注入晶體管208的第二漏極。第三節(jié)點214可以包括第一對稱注入晶體管206的第三柵極以及第二對稱注入晶體管208的第四柵極。

現(xiàn)在參照圖3，示出四端口晶體管的例示示意圖。圖3表示如圖2所示的例示重構(gòu)的4端口晶體管，此時晶體管202、204、206、208的寬度和柵極數(shù)量相同。CMOS工藝的主要層可以參照對圖3的說明，如下：NW是N型阱，PW是P型阱，OD是用于器件的薄氧化層，PO是用于晶體管的柵極的多晶硅，CO是將形成晶體管的OD或PO的接觸窗口，MM1是第一層金屬，VIA1是MM2和MM1之間的接觸孔，MM2是第二層金屬，VIA2是MM3和MM2之間的接觸孔，并且MM3是第三層金屬。

重構(gòu)的晶體管可以包括三個源極S1、S2和S3，兩個漏極D1和D2以及四個柵極G1、G2、G3和G4。晶體管202、206的漏極和晶體管204的柵極可以通過接觸VIA1和金屬層被直接連接到節(jié)點210，然后離開(引出)晶體管單元。晶體管204、208的漏極和晶體管202的柵極可以通過接觸VIA1和金屬層被直接連接到節(jié)點212，然后離開晶體管單元。晶體管204、208 的漏極和晶體管202的柵極可以通過接觸多晶硅層被直接連接到節(jié)點214，然后離開晶體管單元。

如果使用傳統(tǒng)的方法(單獨晶體管)來實現(xiàn)相同的布局，則需要四個單獨的源極和漏極需要被連接。采用重構(gòu)的晶體管，可以減少一半的晶體管206、208的漏極，反之傳統(tǒng)的方法需要被連接的四個單獨的源極和漏極。此外，晶體管202、204的柵漏交叉連接沒有包含額外的線路和互連線的重疊。所以，寄生電容可以從節(jié)點210、212、214中最小化。因此，重構(gòu)的晶體管的ILFD的布局可以被簡化來減小寄生電容，從而改進ILFD的鎖定范圍。

參照圖4，示出用于注入鎖定分頻器裝置的輸入靈敏度曲線的例示示意圖。圖4包括隨分頻器電路的頻率變化的最小輸入功率，這可由電路仿真得到。偏置電壓可以被設(shè)置為0.5V，這可以等于電源的電壓。當輸入信號為0dBm時，該ILFD電路可以鎖定的范圍從53.8GHz到70.7GHz范圍內(nèi)工作。因此，ILFD電路可以在62.25GHz的中心頻率并且以大約27.15％頻率鎖定范圍進行工作。

參照圖5，示出注入鎖定分頻器電路的相位噪聲曲線的例示示意圖。圖5示出在沒有接收輸入信號的狀態(tài)下，隨ILFD的偏移頻率變化的相位噪聲的曲線圖。如所示，當偏移頻率為1MHz時，相位噪聲為大約-99.9dBc/Hz。

參照圖6，示出用于將四個晶體管形成到晶體管單元上的例示方法。在要素600，包括第一交叉晶體管和第二交叉晶體管以及第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管的四端口晶體管可以被形成。在要素602，第一交叉晶體管的第一漏極、第一對稱注入晶體管的第二漏極以及第二交叉晶體管的第一柵極可以被連接到第一端口。晶體管可以共享漏極端寄生電容。在要素604，第一對稱注入晶體管的第二柵極和第二對稱注入晶體管的第三柵極可以被連接到第二端口。進一步地，在要素606，第二交叉晶體管的第三漏極、第二對稱注入晶體管的第四漏極以及第一交叉晶體管的第四柵極可以被連接到第三端口。在要素608，第一交叉晶體管的第一漏極可以與第二交叉晶體管的第一柵極可以被交叉連接；并且在要素610，第二交叉晶體管的第三漏極和第一交叉晶體管的第四柵極可以被交叉連接。

參照圖7，示出包括將對稱注入晶體管源極連接到地的用于將四個晶體管形成到晶體管單元上的方法的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。在要素700，包括 第一交叉晶體管和第二交叉晶體管以及第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管的四端口晶體管可以被形成。在要素702，第一交叉晶體管的第一漏極、第一對稱注入晶體管的第二漏極以及第二交叉晶體管的第一柵極可以被連接到第一端口。晶體管可以共享漏極端口寄生電容。在要素704，第一對稱注入晶體管的第二柵極和第二對稱注入晶體管的第三柵極可以被連接到第二端口。進一步地，在要素706，第二交叉晶體管的第三漏極、第二對稱注入晶體管的第四漏極以及第一交叉晶體管的第四柵極可以被連接到第三端口。在要素708，第一交叉晶體管的第一漏極可以與第二交叉晶體管的第一柵極被交叉連接；并且在要素710第二交叉晶體管的第三漏極和第一交叉晶體管的第四柵極被交叉連接。在要素712，第一對稱注入晶體管的第一源極和第二對稱注入晶體管的第二源極被連接到地。

參照圖8，示出包括三個源極、兩個漏極和四個柵極的對稱注入鎖定分頻器的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。在要素800，包括第一源極的第一交叉晶體管可以被形成。在要素802，包括第二源極的第二交叉晶體管可以被形成，其中第一交叉晶體管和第二交叉晶體管被交叉耦合，并且其中第一源極和第二源極可以被連接到第一地。第一交叉晶體管和第二交叉晶體管的交叉連接可以為僅有的交叉連接，這可以限制寄生電容。在要素804，第一對稱注入晶體管可以被形成，并且在要素806，第二對稱注入晶體管可以被形成，其中第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管共享第三源極。在要素808，第一節(jié)點可以被形成，在要素810，其可以包括第二交叉晶體管的第一柵極，并在要素812，可以包括第一漏極，其中第一交叉晶體管和第一對稱注入晶體管可以共享第一漏極。在要素814，第二節(jié)點可以被形成，在要素816，其可以包括第一交叉晶體管的第二柵極，并且在要素818，其可以包括第二漏極，其中第二交叉晶體管和第二對稱注入晶體管共享第二漏極。在要素820，第三節(jié)點可以被形成，在要素822，其可以包括第一對稱注入晶體管的第三柵極，并且在要素824，其可以包括第二對稱注入晶體管的第四柵極。

參照圖9，示出包括三個源極、兩個漏極和四個柵極且其中三個源極包括地的對稱注入鎖定分頻器的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。在要素900，包括第一源極的第一交叉晶體管可以被形成。在要素902，包括第二源極的第二交叉晶體管可以被形成，其中第一交叉晶體管和第二交叉晶體管被交叉耦合， 并且其中第一源極和第二源極可以被連接到第一地。第一交叉晶體管和第二交叉晶體管的交叉連接可以為僅有的交叉連接，這可以限制寄生電容。在要素904，第一對稱注入晶體管可以被形成，并且在要素906，第二對稱注入晶體管可以被形成，其中第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管共享第三源極。

在要素908，第一節(jié)點可以被形成，在要素910，其可以包括第二交叉晶體管的第一柵極，并且在要素912，可以包括第一漏極，其中第一交叉晶體管和第一對稱注入晶體管可以共享第一漏極。在要素914，第二節(jié)點可以被形成，在要素916，其可以包括第一交叉晶體管的第二柵極，并且在要素918，其可以包括第二漏極，其中第二交叉晶體管和第二對稱注入晶體管共享第二漏極。在要素920，第三節(jié)點可以被形成，在要素922，其可以包括第一對稱注入晶體管的第三柵極，并且在要素924，其可以包括第二對稱注入晶體管的第四柵極。進一步地，在要素926，第三源極可以包括地。

參照圖10，示出包括三個源極、兩個漏極和四個柵極且其中第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管可為N型金屬氧化物半導體場效應(yīng)(NMOS)晶體管的對稱注入鎖定分頻器的系統(tǒng)框圖的例示示意圖。在要素1000，包括第一源極的第一交叉晶體管可以被形成。在要素1002，包括第二源極的第二交叉晶體管可以被形成，其中第一交叉晶體管和第二交叉晶體管可以被交叉耦合，并且其中第一源極和第二源極可以被連接到第一地。第一交叉晶體管和第二交叉晶體管的交叉連接可以為僅有的交叉連接，這可以限制寄生電容。

在要素1004，第一對稱注入晶體管可以被形成，并且在要素1006，第二對稱注入晶體管可以被形成，其中第一對稱注入晶體管和第二對稱注入晶體管共享第三源極。在要素1008，第一節(jié)點可以被形成，在要素1010，其可以包括第二交叉晶體管的第一柵極，并且在要素1012，可以包括第一漏極，其中第一交叉晶體管和第一對稱注入晶體管可以共享第一漏極。在要素1014，第二節(jié)點可以被形成，在要素1016，其可以包括第一交叉晶體管的第二柵極，并且在要素918，其可以包括第二漏極，其中第二交叉晶體管和第二對稱注入晶體管共享第二漏極。在要素1020，第三節(jié)點可以被形成，在要素1022，其可以包括第一對稱注入晶體管的第三柵極，并且在要素1024，其可以包括第二對稱注入晶體管的第四柵極。進一步地，在要素1026，第一對稱注入晶 體管和第二對稱注入晶體管可以為NMOS晶體管。

本發(fā)明的所示實施例的以上描述(包括摘要中描述的內(nèi)容)不意圖窮盡的或?qū)⑺_的實施例限制為所公開的具體形式。雖然在這里處于示例性的目的描述了特定實施例和示例，然而相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認識到，在這些實施例和示例的范圍內(nèi)考慮的各種變型是可行的。

就這一點而言，雖然在這里結(jié)合各種實施例和相應(yīng)附圖描述了主題，在適用情況下，應(yīng)當理解在不偏離主題的情況下，能夠使用其它類似的實施例或能夠?qū)λ枋龅膶嵤├鞒鲎冃秃吞砑右赃M行與所公開的主題相同、相似、替代或可替換的功能。因此，所公開的主題不應(yīng)當局限于這里描述的任何單一實施例，而應(yīng)當根據(jù)下文所附權(quán)利要求書的廣度和范圍來理解。