層疊陶瓷電容器的制造方法
【專利摘要】在層疊陶瓷電容器中，控制焙燒構(gòu)成電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒時(shí)的顆粒生長(zhǎng)以確保晶界，并且將每單位粒徑的介電常數(shù)設(shè)定成較高數(shù)值，由此，能夠兼顧實(shí)現(xiàn)高密度層疊和提高可靠性兩者。所述電介質(zhì)層包含燒結(jié)體，上述燒結(jié)體中相對(duì)于100摩爾的BaTiO3包含a摩爾的ReO3/2、b摩爾的SiO2、c摩爾的MOx、d摩爾的ZrO2、e摩爾的MgO，其中，Re是稀土類元素，M是金屬元素且不包括Ba、Ti、Re、Si、Zr、Mg和稀土類元素，x是價(jià)數(shù)，表示各成分的摩爾數(shù)的上述a、b、c、d、e分別滿足：0.1≤a≤1.0，0.1≤b≤1.5，0.1≤c≤0.4，0≤d≤1.0，0≤e≤0.03。
【專利說明】層疊陶瓷電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通過電介質(zhì)層的高密度層疊來實(shí)現(xiàn)小型大容量化的層疊陶瓷電容器(MLCC)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著移動(dòng)電話等數(shù)字電子儀器的小型化和薄型化，在安裝于電子電路基板的層疊陶瓷電容器(MLCC:Multi_Layer ceramic capacitor)中，對(duì)所要求的芯片尺寸的小型化和大容量化的需求逐年增大。一般來講，存在如果縮小電容器的尺寸，則與電介質(zhì)層相對(duì)的內(nèi)部電極的面積必然會(huì)變小，由此靜電電容減少的關(guān)系。因此，為了實(shí)現(xiàn)芯片尺寸的小型化并確保電容器的容量，必然需要將內(nèi)部電極間的電介質(zhì)層做薄，且多層地層疊電介質(zhì)層的高密度層疊化技術(shù)。
[0003]在層疊陶瓷電容器中，為了將內(nèi)部的電介質(zhì)層做薄實(shí)現(xiàn)高密度化，認(rèn)為要盡量使作為電介質(zhì)的主要成分的例如BaT13(鈦酸鋇)的粒徑減小。但是，如果在電介質(zhì)層薄層化的同時(shí)減小電介質(zhì)的粒徑，則根據(jù)其尺寸效果，介電常數(shù)就會(huì)下降，作為電容器整體無法獲得足夠的容量。因此，在陶瓷電容器的高密度層疊中采用以下這種技術(shù):通過焙燒電介質(zhì)的微粉末使粒徑生長(zhǎng)，防止介電常數(shù)下降以確保容量。
[0004]例如，根據(jù)專利文獻(xiàn)1，在將電介質(zhì)層形成為Iym左右的薄層時(shí)，作為原料粉末，將用Ca置換BaT13的一部分得到的Ba1JaxT13 (也稱作“BCT”)調(diào)制成0.1?0.2 μ m的粒徑，使其顆粒生長(zhǎng)直至電介質(zhì)顆粒的直徑(晶粒粒徑)變成0.35?0.65 μ m，由此得到6000以上的介電常數(shù)。一般情況下，為了抑制因焙燒所引起的電介質(zhì)的還原，添加Mg作為受主元素。在專利文獻(xiàn)I中，包含在電介質(zhì)中的MgO的量相對(duì)于100摩爾的BagCaxT13為0.05?3.0摩爾。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010 — 180124號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]為了實(shí)現(xiàn)層疊陶瓷電容器的更加小型化以及大容量化，在將電介質(zhì)的層厚設(shè)定在Iym以下的情況下，該電介質(zhì)層厚與顆粒的粒徑大體相等，變成接近所謂的一層一顆粒的構(gòu)造。越是一層一顆粒的構(gòu)造，顆粒間的晶界就越少，因此，容易導(dǎo)致電氣絕緣性的惡化和壽命劣化。其原因在于，與電介質(zhì)顆粒相比，晶界的絕緣性更高，另外，發(fā)揮晶界阻止靜電場(chǎng)中產(chǎn)生的氧缺陷的移動(dòng)(電場(chǎng)遷移)的作用。另一方面，如果為了確保晶界，抑制焙燒時(shí)的電介質(zhì)的顆粒生長(zhǎng)以保持小的粒徑，則根據(jù)上述的尺寸效果，就會(huì)產(chǎn)生介電常數(shù)下降這樣相反的問題。
[0010]本發(fā)明就是為了解決這種問題，其目的在于，提供一種層疊陶瓷電容器，抑制焙燒構(gòu)成電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒時(shí)的顆粒生長(zhǎng)以確保晶界，并且將每單位粒徑的介電常數(shù)設(shè)定成高數(shù)值，由此，能夠兼顧實(shí)現(xiàn)高密度層疊以及提高可靠性。
[0011 ] 用于解決課題的方法
[0012]本發(fā)明是一種層疊陶瓷電容器，該層疊陶瓷電容器包括:電介質(zhì)層與內(nèi)部電極層交替層疊而成的層疊體；和作為上述層疊體的層疊方向上下的最外層形成的覆蓋層，上述電介質(zhì)層包含燒結(jié)體，上述燒結(jié)體中相對(duì)于100摩爾的BaT13包含a摩爾的Re03/2、b摩爾的Si02、c摩爾的M0x、d摩爾的Zr02、e摩爾的MgO，其中，Re是稀土類元素，M是金屬元素且不包括Ba、T1、Re、Si> Zr>Mg和稀土類元素，x是價(jià)數(shù)，表示相對(duì)于100摩爾的BaT13的各成分的摩爾數(shù)的上述a、b、c、d、e分別滿足:0.1 ^ a ^ 1.0,0.1 ^ b ^ 1.5,0.1彡c彡0.4，O ^ d ^ 1.0,0 ^ e ^ 0.03。
[0013]另外，在層疊陶瓷電容器中，上述覆蓋層中，相對(duì)于100摩爾的BaT13包含2.0摩爾以下的Mg。
[0014]另外，上述Re是選自Y、Eu、Gd、Dy、Ho、Er和Yb中的至少一種稀土類元素,優(yōu)選上述Re是選自Y、Ho和Gd中的至少一種稀土類元素。
[0015]另外，上述M可以是選自Mn和/或V中的金屬元素。
[0016]另外，構(gòu)成上述電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒的每平均粒徑(相對(duì)于平均粒徑)的介電常數(shù)的值是ΙδηπΓ1以上。
[0017]另外，構(gòu)成上述電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒的平均粒徑可以是500nm以下。
[0018]發(fā)明效果
[0019]根據(jù)本發(fā)明，抑制焙燒電介質(zhì)層時(shí)的顆粒生長(zhǎng)以確保晶界，并且能夠?qū)⒚繂挝涣降慕殡姵?shù)設(shè)定成較高數(shù)值。由此，能夠兼顧實(shí)現(xiàn)層疊陶瓷電容器中的高密度層疊和提高可靠性兩者。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的概略縱截面圖。
[0021]圖2是為了說明“晶粒粒徑”所表示的電介質(zhì)層的截面圖。
[0022]圖3是表示Mg量與介電常數(shù)(相對(duì)介電常數(shù))的關(guān)系的圖。
[0023]圖4是將圖3的縱坐標(biāo)換算成相對(duì)于晶粒粒徑的介電常數(shù)而表示Mg量與介電常數(shù)的關(guān)系的圖。
[0024]圖5是為了比較表示將Mg量擴(kuò)大的范圍中，Mg與相對(duì)晶粒粒徑的介電常數(shù)的關(guān)系的圖。
[0025]圖6是詳細(xì)表示與圖5的虛線所示的范圍中的Mg與相對(duì)于晶粒粒徑的介電常數(shù)的關(guān)系的圖。
[0026]圖7是關(guān)于本實(shí)施例(Mg的摩爾數(shù)e為O彡e彡0.03)與比較例(Mg的摩爾數(shù)e為0.05 < e < 3.00)表示晶粒粒徑與介電常數(shù)的關(guān)系的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下面，說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器。圖1是層疊陶瓷電容器I的概略縱截面圖。層疊陶瓷電容器I大體由:具有按照規(guī)格確定的芯片尺寸以及形狀(例如1.0X0.5X0.5mm的長(zhǎng)方體)的陶瓷燒結(jié)體10 ;和形成于陶瓷燒結(jié)體10兩側(cè)的一對(duì)外部電極20構(gòu)成。陶瓷燒結(jié)體10包括:例如以BaT13(鈦酸鋇)為主成分，在內(nèi)部交替層疊電介質(zhì)層12與內(nèi)部電極13而成的層疊體11 ;和作為層疊方向上下的最外層形成的覆蓋層15。
[0028]層疊體11根據(jù)靜電容量和所要求的耐壓等的規(guī)格，具有被兩個(gè)內(nèi)部電極層13夾著的電介質(zhì)層12的一層厚度為I μ m以下(例如300nm左右)，且整體的層疊數(shù)為數(shù)百層的高密度多層構(gòu)造。形成于層疊體11的最外層部分的覆蓋層15保護(hù)電介質(zhì)層12和內(nèi)部電極層13不受來自外部的濕氣和污染物等的污染，防止它們的經(jīng)時(shí)劣化。
[0029]層疊陶瓷電容器I例如按照以下的方式制造。首先，將以BaT13為主成分的微顆粒的原料粉末與添加化合物一起進(jìn)行濕式混合，然后進(jìn)行干燥、粉碎，調(diào)制電介質(zhì)原料粉末。利用聚乙烯醇縮醛樹脂和有機(jī)溶劑對(duì)所調(diào)制的電介質(zhì)原料粉末進(jìn)行濕式混合，例如采用刀刮法涂敷I μ m以下的帶狀電介質(zhì)生片并將其干燥。接著，在電介質(zhì)生片的表面絲網(wǎng)印刷包含有機(jī)粘合劑的導(dǎo)電膏，從而配置內(nèi)部電極層13的圖案。此外，導(dǎo)電膏中作為金屬粉末例如優(yōu)選使用Ni。另外，作為共材(共用材料)，也可以均勻地分散粒徑為50nm以下的BaT13O
[0030]然后，例如將沖裁為15cmX 15cm大小并且一致的電介質(zhì)生片按照內(nèi)部電極層13互相錯(cuò)開的方式層疊規(guī)定層數(shù)。在所層疊的電介質(zhì)生片的上下壓接作為覆蓋層15的覆蓋片，切割成規(guī)定芯片尺寸(例如1.0X0.5_)，然后，將作為外部電極20的導(dǎo)電膏涂敷在層疊體的兩側(cè)并使其干燥。由此，得到層疊陶瓷電容器I的成型體。
[0031]在大約350°〇的凡氣體氣氛中對(duì)由此獲得的成型體進(jìn)行脫粘合劑，然后，在N2、H2、H2O的混合氣體(氧分壓約為1.0X I(T11MPa)中、在1220?1280°C下焙燒10分鐘?2小時(shí)。焙燒后，在大約1000°C的N2氣體氣氛中進(jìn)行大約I小時(shí)的電介質(zhì)的氧化處理，從而得到使構(gòu)成電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒生長(zhǎng)為所希望的晶粒粒徑(在本說明書中如后所述，是指焙燒后的電介質(zhì)顆粒的平均粒徑)的層疊陶瓷電容器I。
[0032]在層疊陶瓷電容器I中，電介質(zhì)層12包括相對(duì)于100摩爾的BaT13含有a摩爾的Re03/2、b摩爾的Si02、c摩爾的M0X、d摩爾的Zr02、e摩爾的MgO (此處，Re是稀土類元素，M是金屬元素(但是，Ba、T1、Re、S1、Zr、Mg以及稀土類元素除外),x是價(jià)數(shù))的燒結(jié)體。組成式中的系數(shù)a、b、c、d及e表示相對(duì)于100摩爾的BaT13的摩爾數(shù)，分別滿足0.1彡a彡1.0,0.1彡b彡1.5,0.1彡c彡0.4，0彡d彡1.0和O彡e彡0.03的關(guān)系。MgO的摩爾數(shù)優(yōu)選0.01< e < 0.03。
[0033]覆蓋層15中的Mg的含量與包含在該覆蓋層15中的100摩爾的BaT13相比，可以是2.0摩爾以下。
[0034]包含在電介質(zhì)層12中的Re (稀土類元素)可以選自Y (釔)、Eu (銪)、Gd (釓)、Dy (鏑)、Ho (欽)、Er (鉺)以及Yb (鐿)中的至少一種，優(yōu)選選自Y、Ho、Gd中的至少一種。
[0035]包含在電介質(zhì)層12中的M(金屬元素)可以選自Mn(錳)和/或者V(釩)。
[0036]根據(jù)按照以上條件所制作的本實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器1，能夠得到構(gòu)成電介質(zhì)層12的電介質(zhì)顆粒的每平均粒徑(晶粒粒徑)的介電常數(shù)值為ΙδηπΓ1以上。另外，此時(shí)的平均粒徑可以是500nm以下。
[0037]實(shí)施例
[0038]下面，說明本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(以下稱作“MLCC”)的實(shí)施例。
[0039]< MLCC 的制作 >
[0040](I)電介質(zhì)原料粉末的調(diào)制
[0041]首先，作為電介質(zhì)的原料粉末，將平均粒徑為IlOnm的高純度BaT13粉末、表I?7所示的Re03/2、S12、MOx (準(zhǔn)備用作MnCO3 ;通過焙燒CO2分離變成MnO)、ZrO2、MgO的各化合物準(zhǔn)備用作電介質(zhì)的原料粉末。原料粉末的平均粒徑是通過用SEM觀察鈦酸鋇的粉末樣品，樣品數(shù)為500，取其中值粒徑而求出的。接著，稱量并混合各個(gè)化合物使得MLCC的電介質(zhì)層、即變成燒結(jié)體時(shí)的組成比變成表I?7所示的組成比。用水濕式混合按照上述方式混合的各試樣的原料粉末，進(jìn)行干燥、干式粉碎，調(diào)制電介質(zhì)原料粉末。覆蓋層用的電介質(zhì)原料粉末也按照同樣的組成化合物進(jìn)行準(zhǔn)備。
[0042](2) MLCC成型體的制作
[0043]利用聚乙烯醇縮醛類樹脂以及有機(jī)溶劑將所調(diào)制的電介質(zhì)原料粉末進(jìn)行濕式混合，采用刀刮法涂敷1.0 μ m厚的陶瓷生片并將其干燥。對(duì)于覆蓋層用的陶瓷覆蓋片，厚度采用?ομπι。在作為電介質(zhì)層的生片上按照規(guī)定的圖案絲網(wǎng)印刷Ni導(dǎo)電膏，由此來配置內(nèi)部電極。層疊101個(gè)配置有電極圖案的生片，在電介質(zhì)層的層疊數(shù)η達(dá)到100后，在該層疊體的上下，在單側(cè)各壓接20個(gè)10 μ m厚的覆蓋片，然后，將其切割成1.0X0.5mm。然后，將作為外部電極的Ni導(dǎo)電膏涂敷在層疊體的兩側(cè)并使其干燥，從而得到MLCC成型體的試樣。
[0044](3) MLCC成型體的焙燒
[0045]在N2氣體氣氛中在350°C下對(duì)MLCC成型體的試樣進(jìn)行脫粘合劑。然后，在N2、H2、H2O的混合氣體(氧分壓約為1.0X I(T11MPa)中、在1220?1280°C下焙燒10分鐘?2小時(shí)。適當(dāng)調(diào)整焙燒的溫度以及時(shí)間以得到目標(biāo)晶粒粒徑(300nm)。焙燒后，在N2氣體氣氛中在1000°C下進(jìn)行I小時(shí)的電介質(zhì)的氧化處理。
[0046]對(duì)于由此得到的MLCC，按照后述的方式進(jìn)行各種評(píng)價(jià)。此外，從所得到的MLCC剝離覆蓋層，粉碎剝離了覆蓋層后的MLCC，利用ICP分析(Inductively Coupled Plasma:感應(yīng)耦合等離子體分析)進(jìn)行分析，檢測(cè)出關(guān)于構(gòu)成電介質(zhì)層的各個(gè)成分的定量數(shù)據(jù)，將相對(duì)BaT13的定量數(shù)據(jù)的各個(gè)成分的定量數(shù)據(jù)換算成摩爾數(shù)，計(jì)算出組成比，確認(rèn)變成表I?7所示的組成比。另外，對(duì)于包含在覆蓋層中的Mg，用ICP分析進(jìn)行對(duì)所剝離的覆蓋層的分析，將所得到的相對(duì)BaT13的定量數(shù)據(jù)的MgO的定量數(shù)據(jù)換算成摩爾數(shù)而計(jì)算出，由此確認(rèn)變成表I?表7所示的組成比。
[0047]< MLCC的評(píng)價(jià)方法>
[0048](I)晶粒粒徑的評(píng)價(jià)方法
[0049]通過研磨MLCC的一部分截面進(jìn)行抽取，根據(jù)用掃描式電子顯微鏡(SEM)拍攝電介質(zhì)層的截面的圖片，測(cè)定電介質(zhì)顆粒的晶粒粒徑。圖2是示意地表示電介質(zhì)層的截面的圖。在本說明書中將“晶粒粒徑”定義為:與內(nèi)部電極層平行的方向(即，與電場(chǎng)方向正交的方向)上的焙燒后的電介質(zhì)顆粒(晶粒)的最大長(zhǎng)度的平均值。即，參照?qǐng)D2，晶粒粒徑Dg是通過用取樣的電介質(zhì)顆粒的最大長(zhǎng)度Dgs的總和除以其取樣個(gè)數(shù)而求得的。此外，對(duì)于測(cè)定晶粒粒徑的電介質(zhì)顆粒的取樣，取樣數(shù)為500個(gè)以上，在一處的觀察部位(例如一張通過SEM放大2000倍時(shí)的圖片)有500個(gè)以上的情況下，對(duì)其中的所有電介質(zhì)顆粒取樣，在小于500個(gè)的情況下，在多處進(jìn)行觀察(拍攝)，使取樣數(shù)成為500個(gè)以上。此外，為了清晰地拍攝SEM圖片中的粒界的邊界線，預(yù)先在與焙燒工藝相同的氣體氣氛(N2、H2、H2O的混合氣體)中，在1180°C下進(jìn)行5分鐘的熱處理，實(shí)施顆粒界面的熱蝕刻。
[0050](2)介電常數(shù)的評(píng)價(jià)方法
[0051]將焙燒后進(jìn)行了氧化處理的MLCC在150°C的恒溫槽內(nèi)靜置I小時(shí)，然后在室溫25°C下靜置24小時(shí)，在條件齊備后，使用阻抗分析儀測(cè)定靜電容量Cm。用于測(cè)定的電壓施加條件為lkHz、l.0Vrms。根據(jù)所測(cè)定的靜電容量Cm，使用下述式(I)求出介電常數(shù)(相對(duì)介電常數(shù))ε。
[0052]Cm = ε X e0XnXS/t…式(I)
[0053]此處，ε C1是真空的介電常數(shù)，η、S、t分別是電介質(zhì)層的層疊數(shù)、內(nèi)部電極層的面積、電介質(zhì)層的一層的厚度。
[0054]另外，在本實(shí)施例中，如下面的表I?7所示，采用每單位晶粒粒徑的介電常數(shù)(ε /Dg)作為電容器的容量特性的評(píng)價(jià)值。
[0055]< MLCC的評(píng)價(jià)結(jié)果>
[0056]參照表I?7說明對(duì)于根據(jù)以上的條件所制作的MLCC的電介質(zhì)層的評(píng)價(jià)結(jié)果。
[0057](I)試樣 N0.1 ?12
[0058][表 I]
[0059]
系數(shù)記號(hào)a:Rebc;Mde 覆蓋層 Dgεε /Dg
Tt素稀上類 Si Mn V Zr Mg Mg 晶粒粒枰介電常數(shù)介電常數(shù)/晶粒教? 5(4:規(guī)定外(參考例>
試樣N0.兀素(n1t) (md) (mol) (moi) (mol) (mol) (mof)_(nm)_H_(1/nm)_
t Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 OO314 841327
2Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 OO315 716323
3Ho 0.50 0.5D 0.10 0.10 0.10 0.0?O311 684922
4Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 0.01O312 623420
5Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 OJO 0.02 O315 632t20
? Ho 0.50 0,50 0.10 0.10 0J 0 0.02 0 311 621t 20
7 Ho 0.50 0.50 0,10 0.10 0.10 0.03 0 312 5699 18
S Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 0.03 0 298 5680 19
9Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 OJO 0.03 0322 539617
10Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 0.04 D289 470316*Mg 過多
11Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 0.04 028 / 469716*Mg 過多
12Ho 0.50 D.5D 0.10 0.10 D.10 0.04.032D 4440_14過多
[0060]試樣N0.1?12是相對(duì)于100摩爾的BaT13,使所添加的Mg (鎂)元素的摩爾(mol)數(shù)e在O?0.04之間變化，包含在其他的添加物中的Re (稀土類，具體而言是Ho (欽))元素的摩爾數(shù)a固定為0.50, Si (娃)元素的摩爾數(shù)b固定為0.50, M(金屬，具體而言是Mn(錳)與V(釩))元素的摩爾數(shù)c固定為0.20(等比)，Zr(鋯)元素的摩爾數(shù)d固定為0.10時(shí)的樣品例子。
[0061]在試樣N0.1?9中，Mg的摩爾數(shù)e在O彡e<0.03的范圍，實(shí)現(xiàn)了介電常數(shù)(相對(duì)介電常數(shù))ε > 5000。同時(shí)，得到ε/Dg(介電常數(shù)與晶粒粒徑之比)SlSOinT1)。在Mg的摩爾數(shù)e為0.04彡e的試樣N0.10?12中，介電常數(shù)ε小于5000。
[0062](2)試樣 N0.13 ?16
[0063][表2]
[0064]
系數(shù)記號(hào) a: Re ^b^ c:M ~^d ; WMM DgiFToi
元素一稀土類 Si Mn V Zr Mg Mg 晶粒粒徑介電常數(shù)介電常數(shù)/晶粒粒徑*:規(guī)定外(參考例)
試樣N0.兀_ (mol) (mol) (mol) (mol) (mol) (moi) (mol)_(nm)_H_(t/nm)_
^13 Ho O 050 0J0 OJO 0J0 ΟΟ? O~*Re 過少
14 Ho 0,10 0.50 0.10 0.10 0J0 0,01 O318 860427
3 Ho 0.50 0.50 0.10 0.10 0.10 0.01 O311 684922
J5 Ho 1.00 0.50 0.10 0.10 0.10 0.01 O299 504217
16Ho 1.50 0.50 0.10 0.10 0.10 0.0 ? O312 456915*Rerl；^
[0065]試樣N0.13?16是相對(duì)于100摩爾(mol)的BaT13,使Re (Ho)元素的摩爾數(shù)a在O~1.50之間變化,Si元素的摩爾數(shù)b固定為0.50,M(Mn與V)元素的摩爾數(shù)c固定為0.20(等比)，Zr元素的摩爾數(shù)d固定為0.10, Mg元素的摩爾數(shù)e固定為0.01時(shí)的例子。
[0066]在試樣N0.14和15中，Re的摩爾數(shù)a在0.10 ^ a ^ 1.00的范圍，實(shí)現(xiàn)了介電常數(shù) ε > 5000，且得到 ε/Dg > ΙδΟιπ-1)。
[0067]在Re的摩爾數(shù)a為O的試樣N0.13中，因還原推進(jìn)半導(dǎo)體化，喪失電容特性。在Re的摩爾數(shù)a為1.50的試樣N0.16中，介電常數(shù)ε小于5000。
[0068](3)試樣 N0.17 ~23
[0069][表3]
[0070]

【權(quán)利要求】
1.一種層疊陶瓷電容器，其包括:電介質(zhì)層與內(nèi)部電極層交替層疊而成的層疊體；和作為所述層疊體的層疊方向上下的最外層形成的覆蓋層，該層疊陶瓷電容器的特征在于: 所述電介質(zhì)層包含燒結(jié)體，所述燒結(jié)體中相對(duì)于100摩爾的BaT13包含a摩爾的ReO372> b摩爾的Si02、c摩爾的M0X、d摩爾的Zr02、e摩爾的MgO，其中，Re是稀土類元素，M是金屬元素且不包括Ba、T1、Re、S1、Zr、Mg和稀土類元素，x是價(jià)數(shù)， 表示相對(duì)于100摩爾的BaT13的各成分的摩爾數(shù)的所述a、b、C、d、e分別滿足:
0.1 ^ a ^ 1.0,
0.1 ^ b ^ 1.5,
0.1 ^ c ^ 0.4,
O ^ d ^ 1.0,
O ^ e ^ 0.03。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于: 所述覆蓋層中，相對(duì)于100摩爾的BaT13包含2.0摩爾以下的Mg。
3.如權(quán)利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于: 所述Re是選自Y、Eu、Gd、Dy、Ho、Er和Yb中的至少一種稀土類元素。
4.如權(quán)利要求3所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于: 所述Re是選自Y、Ho和Gd中的至少一種稀土類元素。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于: 所述M是選自Mn和/或V中的金屬元素。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器,其特征在于: 構(gòu)成所述電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒的每平均粒徑的介電常數(shù)的值是ΙδηπΓ1以上。
7.如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于: 構(gòu)成所述電介質(zhì)層的電介質(zhì)顆粒的平均粒徑是500nm以下。
8.如權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于: 所述電介質(zhì)層中的MgO的所述摩爾數(shù)e為0.01< e < 0.03。
【文檔編號(hào)】H01G4/30GK104205267SQ201280072167
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】森田浩一郎, 志村哲生, 長(zhǎng)岡邦彥 申請(qǐng)人:太陽(yáng)誘電株式會(huì)社