本實(shí)用新型涉及陶瓷元器件植入/導(dǎo)入裝置領(lǐng)域，尤其涉及一種陶瓷芯片植入裝置。

背景技術(shù)：

MLCC（Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，片式多層陶瓷電容器）等陶瓷元器件在經(jīng)過(guò)沾銀或涂覆導(dǎo)電外漿之前，必須對(duì)陶瓷元器件半成品進(jìn)行植入（或?qū)耄?，并?duì)整個(gè)器件端面進(jìn)行整平，才可完成陶瓷芯片的端頭外電極漿料的涂覆。

相對(duì)傳統(tǒng)MLCC制造工藝而言，陶瓷芯片的工裝承載或夾持方式往往決定著MLCC整個(gè)封端制程的工藝性能。然而由于0201/0105型陶瓷芯片的超微型化、振動(dòng)過(guò)程極易產(chǎn)生靜電的特性，且硅膠板超厚、JIG板以及薄膠板等傳統(tǒng)工裝易變形的缺陷，已不能適用于0201/0105型（超微型）陶瓷芯片的端頭外電極封端制作，因此不銹鋼SUS板封端工藝應(yīng)運(yùn)而生。

尤其指出的是，不銹鋼SUS板封端工藝關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)在于如何將超微型陶瓷芯片有效植入。對(duì)于0201/0105型陶瓷芯片整個(gè)植入（或?qū)耄┲瞥潭?，植入部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工裝表面處理方式及植入部安裝方式，都對(duì)陶瓷元器件的植入效率有著不可忽視的作用。

然而，植入部原始結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的缺陷、傳統(tǒng)粗糙的工裝表面加工方式以及植入部的安裝調(diào)整方式的不規(guī)范，都導(dǎo)致了連續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中芯片植入效率降低，且芯片極易在振動(dòng)過(guò)程中被壓碎，對(duì)陶瓷元器件產(chǎn)品質(zhì)量造成不良影響。與此同時(shí)，原始設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)布局極易發(fā)生漏料，不能有效避免且極難對(duì)其漏料進(jìn)行回收處理，漏料導(dǎo)致植入部關(guān)鍵工裝部位產(chǎn)生變形，導(dǎo)致植入效率不高，最終形成“漏料——變形——植入率不高”的惡性循環(huán)。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種陶瓷芯片植入裝置，旨在解決現(xiàn)有的植入方式植入效率低、容易造成產(chǎn)品不良等問(wèn)題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種陶瓷芯片植入裝置，其中，包括真空植晶臺(tái)、設(shè)置于所述真空植晶臺(tái)底部的電磁振動(dòng)機(jī)、設(shè)置于所述真空植晶臺(tái)頂部的不銹鋼板及設(shè)置于真空植晶臺(tái)上方并用于放置陶瓷芯片的引導(dǎo)板，所述不銹鋼板上設(shè)置有多個(gè)孔位，在所述引導(dǎo)板上設(shè)置有與所述孔位匹配的通孔，所述真空植晶臺(tái)連接有用于驅(qū)動(dòng)所述真空植晶臺(tái)前后擺動(dòng)的馬達(dá)；所述引導(dǎo)板的底部設(shè)置有殘料清除裝置；所述引導(dǎo)板的表面具有用于消除靜電的粗糙結(jié)構(gòu)。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述真空植晶臺(tái)內(nèi)部中空設(shè)置，且所述真空植晶臺(tái)的側(cè)邊外接用于吸真空的真空氣管。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述真空植晶臺(tái)的側(cè)邊安裝有定位感應(yīng)器。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導(dǎo)板由引導(dǎo)片及設(shè)置于所述引導(dǎo)片兩側(cè)的引導(dǎo)框組成。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導(dǎo)框材質(zhì)為鋁，所述引導(dǎo)片材質(zhì)為304不銹鋼。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述粗糙結(jié)構(gòu)由多個(gè)半球形凹坑構(gòu)成。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導(dǎo)片與引導(dǎo)框通過(guò)膠水粘接。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導(dǎo)框的前端和末端內(nèi)部均設(shè)置有20°~30°斜面。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導(dǎo)板上方設(shè)置有下壓氣缸，所述下壓氣缸的下端設(shè)置有用于調(diào)整引導(dǎo)板高度的壓緊螺柱。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述真空植晶臺(tái)側(cè)邊設(shè)置有限位感應(yīng)器。

有益效果：本實(shí)用新型增加振動(dòng)行程及表面消靜電處理，提高了陶瓷芯片的植入率；同時(shí)加裝殘料清除裝置清除板上殘余芯片，確保引導(dǎo)板與SUS板的準(zhǔn)確對(duì)位，提高了連續(xù)作業(yè)的植入效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一種陶瓷芯片植入裝置較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型提供一種陶瓷芯片植入裝置，為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參閱圖1，圖1為本實(shí)用新型一種陶瓷芯片植入裝置較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括真空植晶臺(tái)4、設(shè)置于所述真空植晶臺(tái)4底部的電磁振動(dòng)機(jī)5、設(shè)置于所述真空植晶臺(tái)4頂部的不銹鋼板2（該不銹鋼板2可通過(guò)膠帶3貼附在真空植晶臺(tái)4上）及設(shè)置于真空植晶臺(tái)4上方的引導(dǎo)板1，所述不銹鋼板2上設(shè)置有多個(gè)孔位，在所述引導(dǎo)板1上設(shè)置有與所述孔位匹配的通孔；所述真空植晶臺(tái)4連接有用于驅(qū)動(dòng)所述真空植晶臺(tái)4前后擺動(dòng)的馬達(dá)。

具體來(lái)說(shuō)，在真空植晶臺(tái)4底部的電磁振動(dòng)機(jī)5（也可以是其他類型的振動(dòng)機(jī)），通過(guò)端子接線繞組的通電提供上下振動(dòng)力，傳到上方的引導(dǎo)板1，所述引導(dǎo)板1上方設(shè)置有下壓氣缸，所述下壓氣缸的下端設(shè)置有用于調(diào)整引導(dǎo)板1高度的壓緊螺柱。所述引導(dǎo)板1內(nèi)部由下壓氣缸下端的壓緊螺柱對(duì)引導(dǎo)板1鎖定。所述壓緊螺柱采用硬質(zhì)合金制成，壓緊螺柱末端采用硬化處理；所述壓緊螺柱采用標(biāo)準(zhǔn)扭力扳手進(jìn)行鎖緊，鎖緊力度不可超限。

其中，所述真空植晶臺(tái)4內(nèi)部中空設(shè)置，且所述真空植晶臺(tái)4的側(cè)邊外接用于吸真空的真空氣管，所述真空植晶臺(tái)4經(jīng)表面光亮處理；此外，真空植晶臺(tái)4側(cè)端安裝有定位感應(yīng)器，用于檢測(cè)不銹鋼板2有無(wú)放置到位。

所述引導(dǎo)板1由引導(dǎo)片及設(shè)置于所述引導(dǎo)片兩側(cè)的引導(dǎo)框組成，所述引導(dǎo)框和引導(dǎo)片采用膠水（金屬膠水）粘結(jié)緊密貼合，且對(duì)位處符合裝配尺寸要求。所述引導(dǎo)框材質(zhì)為鋁（也可采用其他不帶磁性金屬材料），所述引導(dǎo)片材質(zhì)為304不銹鋼。所述引導(dǎo)框的前端和末端內(nèi)部均設(shè)置有20°~30°斜面，以便于陶瓷芯片下料不受阻。在引導(dǎo)板1內(nèi)部的料槽部位還可增加斜面結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步，所述引導(dǎo)片的表面具有用于消除靜電的粗糙結(jié)構(gòu)。該粗糙結(jié)構(gòu)是設(shè)置在與（超微型）陶瓷芯片6的接觸面（正面），即該接觸面經(jīng)過(guò)二次蝕刻處理。所述粗糙結(jié)構(gòu)優(yōu)選由多個(gè)半球形凹坑構(gòu)成。具體地，在有孔區(qū)域（即設(shè)置通孔的位置）加工出多個(gè)半徑為R₀的半球形凹坑，無(wú)孔區(qū)域（未設(shè)置通孔的位置）加工出多個(gè)半徑為R₀的半球形凹坑，且無(wú)孔區(qū)域的半球形凹坑之間具有1/2的部分疊加；該引導(dǎo)片的反面進(jìn)行酸化處理，使經(jīng)過(guò)原始加工后的引導(dǎo)板表面由亮面形成霧化狀，使之不能進(jìn)行有效反光。通過(guò)此種表面結(jié)構(gòu)，可直接消除陶瓷芯片6因靜電吸附而導(dǎo)致粘料的影響，提升入料率，避免粘料產(chǎn)生的灑落，提高了植入效率，同時(shí)降低了陶瓷芯片的廢耗。

進(jìn)一步，所述引導(dǎo)板1的底部設(shè)置有殘料清除裝置7。該殘料清除裝置中設(shè)置有抽氣泵以及與所述抽氣泵連接的管道，所述管道朝向所述引導(dǎo)板1以及不銹鋼板2設(shè)置，通過(guò)管道內(nèi)壓縮空氣高速運(yùn)動(dòng)清除引導(dǎo)板1及不銹鋼板2上殘留的陶瓷芯片6，從而避免殘留的粘附產(chǎn)品對(duì)不銹鋼板2及引導(dǎo)板1連續(xù)作業(yè)過(guò)程中產(chǎn)生壓迫損傷。當(dāng)然，上述方案為通過(guò)壓縮空氣蒸主動(dòng)清除，還可以通過(guò)真空吸附的方式來(lái)吸附殘留的陶瓷芯片。該殘料清除裝置7也可采用除油吸水過(guò)濾器等類似裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)清除殘留的陶瓷芯片。

所述引導(dǎo)板1、真空植晶臺(tái)4以及不銹鋼板2的對(duì)位由水平方向的對(duì)位氣缸進(jìn)行對(duì)位，所述對(duì)位氣缸末端裝有夾緊塊，對(duì)位時(shí)確保引導(dǎo)板1及不銹鋼板2同軸外徑圓孔誤差處于標(biāo)準(zhǔn)可控范圍內(nèi)。

進(jìn)一步，在所述真空植晶臺(tái)4側(cè)邊增加限位感應(yīng)器，以增加設(shè)置水平停留行程。具體實(shí)施方式為：不銹鋼板2、引導(dǎo)板1及真空植晶臺(tái)4對(duì)位→電磁振動(dòng)機(jī)5啟動(dòng)植入行程振動(dòng)→真空植晶臺(tái)4前傾15-20°，使陶瓷芯片6入料→真空植晶臺(tái)4水平停留，進(jìn)行植入→真空植晶臺(tái)4后傾15-20°，使陶瓷芯片6回料→真空植晶臺(tái)4水平停留，再次進(jìn)行植入→真空植晶臺(tái)4再次前傾15-20°，使陶瓷芯片6植入→真空植晶臺(tái)4后傾45-50°，使陶瓷芯片6收料到料盒→復(fù)位。增加水平停留行程的限位設(shè)定，可直接增加陶瓷芯片6在引導(dǎo)板1內(nèi)部的有效振動(dòng)時(shí)間，同時(shí)通過(guò)調(diào)整電磁振動(dòng)機(jī)5的電壓及振幅的匹配，有效提升單板陶瓷芯片植入數(shù)量，提高了陶瓷芯片植入率。

對(duì)于引導(dǎo)板1鉛直方向、水平方向的對(duì)位調(diào)整，鉛直方向主要為真空植晶臺(tái)4與引導(dǎo)板1的貼合緊密程度，而水平方向主要為不銹鋼板2受真空植晶臺(tái)4真空吸附后與引導(dǎo)板1的通孔同心對(duì)位偏移量。鉛直方向的貼合緊密程度通過(guò)引導(dǎo)板1上部的下壓氣缸末端的壓緊螺柱調(diào)整，必須采用扭力扳手對(duì)其進(jìn)行鎖定，扭力矩設(shè)定值不大于0.3kgf·cm。水平方向的對(duì)位偏移量采用30倍刻度顯微鏡檢查調(diào)整，圓孔外徑偏移量10μm以內(nèi)。

完成以上的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)后，植入裝置中引導(dǎo)板的安裝調(diào)試務(wù)必準(zhǔn)確到位，才可確保單板植入率及連續(xù)植入效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)用新型的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。