一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，包括同軸設置的上模和下模，上模的高度能夠升降。上模上設有圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部；下模上設有圓環(huán)下凹部和圓盤下凸部。圓盤上凸部上設置有豎向槽，豎向槽的底部設置有相貫通的橫向槽；豎向槽內設置有彈簧，橫向槽內設置有卸料板；彈簧的一端固定在豎向槽內，彈簧的另一端與卸料板固定連接；當彈簧壓縮時，卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。圓盤下凸部內設置有高度能夠升降的頂料桿。采用上述結構后，能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質芯片，沖壓效率高，成型好，所沖壓出的瓷介質芯片體積小，電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺，耐壓強度高。
【專利說明】
一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及陶瓷電容器生產(chǎn)領域，特別是一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具。
【背景技術】
[0002]傳統(tǒng)的分立元件一陶瓷電容器以圓片形為主，這種結構成型簡單、工藝成熟、操作簡便，便于批量化、規(guī)?；a(chǎn)。但是對于高壓陶瓷電容器來說，主要考慮的是耐壓強度和標稱電容器盡可能高。而這兩者之間，恰恰是相互矛盾的。同等條件下:介質越薄，電容量越大，耐壓強度越低，反之亦然。傳統(tǒng)的圓盤式陶瓷電容器體積相對大，不利于電力器件的組裝。
[0003]另外，陶瓷電容器成型時，容易產(chǎn)生毛刺或裂紋。后續(xù)絕緣涂覆時，當在相同涂覆下，由于毛刺或裂紋的存在，將使得陶瓷電容器的絕緣厚度差異大，也使得陶瓷電容器的耐壓強度降低。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術的不足，而提供一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，該高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質芯片，沖壓效率高，成型好，所沖壓出的瓷介質芯片體積小，電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺，耐壓強度高。
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是:
[0006]—種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，瓷介質芯片包括同軸設置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部，圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內部，圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2?3倍，圓盤凹部的直徑為瓷介質芯片的2/3?4/5;圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設置有圓弧，瓷介質芯片為整體壓制成型。
[0007]沖壓模具包括同軸設置的上模和下模，上模的高度能夠升降。
[0008]上模上設置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部；下模上設置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部。
[0009]圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質芯片的圓盤凹部相對應；圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質芯片的圓環(huán)凸部相對應。
[0010]圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設置有與圓弧相對應的倒角。
[0011 ]圓盤上凸部上設置有豎向槽，豎向槽的底部設置有相貫通的橫向槽;豎向槽內設置有彈簧，橫向槽內設置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內，彈簧的另一端與卸料板固定連接;當彈簧壓縮時，卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。
[0012]圓盤下凸部內設置有高度能夠升降的頂料桿。
[0013]上模固定在上壓板上，下模固定在下壓板上，上壓板和下壓板之間設置有若干根升降導柱。
[0014]所述升降導柱上設置有位移傳感器。
[0015]所述下壓板上設置有能對上模下降位移進行限位的限位塊。
[0016]所述下壓板內設置有能驅動頂料桿高度升降的電機。
[0017]本發(fā)明采用上述結構后，能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質芯片，沖壓效率高，成型好，所沖壓出的瓷介質芯片體積小，電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺，耐壓強度高。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具的結構示意圖。
[0019]圖2顯示了瓷介質芯片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖和具體較佳實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0021]如圖1和圖2所示，一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，包括上模1、圓環(huán)上凹部11、圓盤上凸部12、豎向槽121、彈簧122、橫向槽123、卸料板124、下模2、圓環(huán)下凹部21、圓盤下凸部22、頂料桿221、機架3、升降導柱31、位移傳感器32、上壓板33、下壓板34、瓷介質芯片4、圓環(huán)凸部41、圓盤凹部42和圓弧43等主要技術特征。
[0022]如圖2所示，瓷介質芯片包括同軸設置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部，圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內部。
[0023]圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2?3倍，優(yōu)選為1.2?2倍，進一步優(yōu)選為1.2?1.6倍。
[0024]圓盤凹部的直徑為瓷介質芯片的2/3?4/5。
[0025]圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設置有圓弧，圓弧的角度優(yōu)選為15-60°，進一步優(yōu)選為45°。該圓弧的設置，能防止成型毛刺及裂紋的產(chǎn)生，壓制合格率高。
[0026]上述瓷介質芯片為整體壓制成型。
[0027]圓盤凹部上能用于設置內電極，圓環(huán)凸部上能用于設置外電極。
[0028]如圖1所示，一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，包括同軸設置的上模和下模，上模的高度能夠升降。
[0029]上模上設置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部；下模上設置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部。
[0030]圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質芯片的圓盤凹部相對應；圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質芯片的圓環(huán)凸部相對應。
[0031]圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設置有與圓弧相對應的倒角。
[0032]圓盤上凸部上設置有豎向槽，豎向槽的底部設置有相貫通的橫向槽;豎向槽內設置有彈簧，橫向槽內設置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內，彈簧的另一端與卸料板固定連接;當彈簧壓縮時，卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。
[0033]圓盤下凸部內設置有高度能夠升降的頂料桿。
[0034]上模固定在上壓板上，下模固定在下壓板上，上壓板和下壓板之間設置有若干根升降導柱。
[0035]所述升降導柱上設置有位移傳感器。
[0036]所述下壓板上設置有能對上模下降位移進行限位的限位塊。
[0037]所述下壓板內設置有能驅動頂料桿高度升降的電機。
[0038]以上詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術構思范圍內，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種等同變換，這些等同變換均屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，其特征在于:瓷介質芯片包括同軸設置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部，圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內部，圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2?3倍，圓盤凹部的直徑為瓷介質芯片的2/3?4/5;圓盤凹部的和圓環(huán)凸部的交接處設置有圓弧，瓷介質芯片為整體壓制成型； 沖壓模具包括同軸設置的上模和下模，上模的高度能夠升降； 上模上設置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部；下模上設置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部； 圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質芯片的圓盤凹部相對應；圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質芯片的圓環(huán)凸部相對應； 圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設置有與圓弧相對應的倒角； 圓盤上凸部上設置有豎向槽，豎向槽的底部設置有相貫通的橫向槽;豎向槽內設置有彈簧，橫向槽內設置有卸料板;彈簧的一端固定在豎向槽內，彈簧的另一端與卸料板固定連接;當彈簧壓縮時，卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊； 圓盤下凸部內設置有高度能夠升降的頂料桿。2.根據(jù)權利要求1所述的高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，其特征在于:上模固定在上壓板上，下模固定在下壓板上，上壓板和下壓板之間設置有若干根升降導柱。3.根據(jù)權利要求2所述的高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，其特征在于:所述升降導柱上設置有位移傳感器。4.根據(jù)權利要求1所述的高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，其特征在于:所述下壓板上設置有能對上模下降位移進行限位的限位塊。5.根據(jù)權利要求1所述的高壓陶瓷電容器瓷介質芯片成型用沖壓模具，其特征在于:所述下壓板內設置有能驅動頂料桿高度升降的電機。
【文檔編號】B28B7/10GK106003385SQ201610545260
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月12日
【發(fā)明人】錢云春
【申請人】蘇州宏泉高壓電容器有限公司