本發(fā)明涉及電子元件領域，尤其是涉及一種多層陶瓷電容器。

背景技術：

常規(guī)的多層陶瓷電容器包括長方體的陶瓷體以及設置于陶瓷體相對兩端的兩個端電極。陶瓷體包括交替層疊并分別連接到極性相異的端電極的多個內電極層以及多個分別層疊于相異極性的內電極層之間的介質層。內電極層的形狀一般為矩形，并且相鄰的相異極性的內電極層形成一定的正對面積從而產生容量。

當電容量精度要求較高時，例如誤差級別為a級(±0.05pf)、b級(±0.1pf)、f級(±1％)、g級(±2％)，常規(guī)的多層陶瓷電容器的電容量合格率一般較低，導致生產成本增加。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種方便對電容量進行微調的多層陶瓷電容器。

一種多層陶瓷電容器，包括陶瓷體、第一端電極及第二端電極；所述陶瓷體包括多個層疊的介質層，相鄰的兩個介質層之間設有內電極，所述陶瓷體具有由所述多個層疊的介質層的側面形成的第一端面、第二端面、第一側面及第二側面，所述第一端面與所述第二端面相對設置，所述第一側面與所述第二側面相對設置；所述第一端電極位于所述第一端面且覆蓋所述第一側面及第二側面部分表面，所述第二端電極位于所述第二端面且覆蓋所述第一側面及第二側面部分表面；所述內電極包括第一內電極、第二內電極、第一輔助電極及第二輔助電極，所述第一內電極與所述第一端電極電連接，所述第二內電極與所述第一內電極交替層疊且與所述第二端電極電連接；所述第一輔助電極與所述第一側面及所述第二側面中的至少一個部分平齊形成第一引出邊，所述第一引出邊與所述第二端面之間的距離大于所述第一端面和第二端面的距離的一半；所述第二輔助電極與所述第一側面及所述第二側面中的至少一個部分平齊形成第二引出邊，所述第二引出邊與所述第一端面之間的距離大于所述第一端面和第二端面的距離的一半。

上述多層陶瓷電容器，通過設置第一輔助電極及第二輔助電極，第一輔助電極與第一側面及第二側面中的至少一個部分平齊形成第一引出邊，第二輔助電極與第一側面及第二側面中的至少一個部分平齊形成第二引出邊，第一端電極位于所述第一端面且覆蓋第一側面及第二側面部分表面，第二端電極位于第二端面且覆蓋第一側面及第二側面部分表面，如此，通過浸漬法制備端電極時，控制端電極在第一側面及第二側面延伸的距離，可以使第一端電極與第一引出邊接觸或不接觸，使第二端電極與第二引出邊接觸或不接觸，如此控制第一端電極與第一輔助電極電連接與否，控制第二端電極與第二輔助電極電連接與否，能夠在制備過程中較為靈活地對多層陶瓷電容器的電容量進行微調，提高多層陶瓷電容器的電容量命中率，從而節(jié)約生產成本。

在其中一個實施例中，所述第一內電極自所述第一端面沿所述介質層的表面向所述第二端面延伸，且與所述第二端面之間形成有間隙。

在其中一個實施例中，所述第二內電極自所述第二端面沿所述介質層的表面向所述第一端面延伸，且與所述第一端面之間形成有間隙。

在其中一個實施例中，所述第一輔助電極與所述第二輔助電極形成于不同的介質層的表面。

在其中一個實施例中，所述第一輔助電極在所述第二輔助電極所在的平面的正投影與所述第二輔助電極部分重疊。

在其中一個實施例中，所述內電極還包括第三輔助電極及第四輔助電極，所述第三輔助電極位于所述第一內電極及第二內電極之間，所述第三輔助電極與所述第一側面及所述第二側面中的至少一個部分平齊形成第三引出邊，所述第三引出邊與所述第二端面之間的距離大于所述第一端面和第二端面的距離的一半，所述第三引出邊與所述第一端面之間的距離大于所述第一引出邊與所述第一端面之間的距離；所述第四輔助電極位于所述第一內電極及第二內電極之間，所述第四輔助電極與所述第一側面及所述第二側面中的至少一個部分平齊形成第四引出邊，所述第四引出邊與所述第二端面之間的間隙大于所述第二引出邊與所述第二端面之間的距離，所述第四引出邊與所述第一端面之間的距離大于所述第一端面和第二端面的距離的一半。

在其中一個實施例中，所述第一輔助電極、所述第二輔助電極、所述第三輔助電極及所述第四輔助電極形成于不同的介質層的表面。

在其中一個實施例中，所述第一輔助電極、所述第二輔助電極、所述第三輔助電極及所述第四輔助電極形成于同一介質層的表面。

在其中一個實施例中，所述第一輔助電極及所述第二輔助電極形成于同一介質層的表面，所述第一輔助電極與所述第二輔助電極相間隔，所述第一輔助電極及所述第二輔助電極在所述第一側面的正投影不重疊且相互間隔。

在其中一個實施例中，所述第一輔助電極及所述第二輔助電極形成于同一介質層的表面，所述第一輔助電極與所述第二輔助電極之間形成有間隙，所述第一輔助電極及所述第二輔助電極在所述第一側面的正投影至少部分重疊。

附圖說明

圖1為一實施方式的多層陶瓷電容器的結構示意圖；

圖2為圖1的多層陶瓷電容器的部分結構示意圖；

圖3為圖1的多層陶瓷電容器的另一部分結構示意圖；

圖4為圖1的多層陶瓷電容器的另一部分結構示意圖；

圖5為圖1的多層陶瓷電容器的另一部分結構示意圖；

圖6為圖1的多層陶瓷電容器的剖面圖；

圖7為另一實施方式的多層陶瓷電容器的結構示意圖；

圖8為圖7的多層陶瓷電容器的部分結構示意圖；

圖9為圖7的多層陶瓷電容器的另一部分結構示意圖；

圖10為圖7的多層陶瓷電容器的另一部分結構示意圖；

圖11為圖7的多層陶瓷電容器的另一部分結構示意圖；

圖12為圖7的多層陶瓷電容器的剖面圖；

圖13為另一實施方式的多層陶瓷電容器的部分結構示意圖；

圖14為圖13的多層陶瓷電容器的剖面圖；

圖15為另一實施方式的多層陶瓷電容器的部分結構示意圖；

圖16為圖15的多層陶瓷電容器的剖面圖；

圖17為另一實施方式的多層陶瓷電容器的部分結構示意圖；

圖18為圖17的多層陶瓷電容器的剖面圖。

具體實施方式

下面主要結合附圖對多層陶瓷電容器作進一步詳細的說明。

請同時參閱圖1至圖6，一實施方式的多層陶瓷電容器100包括陶瓷體110、第一端電極130及第二端電極150。

陶瓷體110為矩形體，在圖示的實施方式中，陶瓷體110大致為長方體，當然，在其他實施例中，陶瓷體110還可以為正方體。

陶瓷體110包括多個層疊的介質層112。在圖示的實施方式中，介質層112為矩形片狀，多個介質層112依次層疊。陶瓷體110具有第一端面113、第二端面114、第一側面115及第二側面116。第一端面113與第二端面114相對設置，第一側面115與第二側面116相對設置。第一端面113、第二端面114、第一側面115及第二側面116均由多個層疊的介質層112的側面組成，層疊于最上面及最下面的介質層的表面分別為陶瓷體110的頂面(圖未標)及底面(圖未標)。

相鄰的介質層112之間設有內電極。內電極包括第一內電極1171、第二內電極1172、第一輔助電極1173及第二輔助電極1174。第一內電極1171與第二內電極1172交替層疊。在圖示的實施方式中，第一輔助電極1173及第二輔助電極1174位于第一內電極及第二內電極1172之間。

在圖示的實施方式中，第一內電極1171大致為矩形，自介質層112位于第一端面113的一端沿介質層112的表面向靠近第二端面114的方向延伸，且與第二端面114相間隔。第一內電極1171與第一側面115及第二側面116均形成有間隔。第一內電極1171的一端與第一端面113平齊形成引出邊。

在圖示的實施方式中，第二內電極1172大致為矩形，自介質層112位于第二端面114的一端沿介質層112的表面向靠近第一端面113的方向延伸，且與第一端面113相間隔。第一內電極1171與第一側面115及第二側面116均相間隔。第一內電極1171的一端與第二端面114平齊形成引出邊。

在圖示的實施方式中，第一輔助電極1173大致為t型，形成于介質層112的表面。第一輔助電極1173包括連接部(圖未標)及延伸部(圖未標)。連接部與第一端面113相間隔，且連接部自第一側面115延伸至第二側面116，從而與第一側面115及第二側面116平齊形成兩個相對的第一引出邊。延伸部自連接部遠離第一端面113的一側向第二端面114延伸，且延伸部與第二端面114、第一側面115及第二側面116均相間隔。

在圖示的實施方式中，第一引出邊為兩個，在其他實施例中，第一引出邊的數(shù)量也可以為一個。第一引出邊的數(shù)量為兩個，當?shù)谝惠o助電極1173通過第一引出邊與第一端電極130電連接時，可以增加連接的可靠性。

第一引出邊與第二端面114之間的距離大于第一端面113和第二端面114的距離的一半。第二引出邊與第一端面113之間的距離大于第一端面113和第二端面114的距離的一半。

第一引出邊與第一端面113之間具有第一間距，與第二端面114之間具有第二間距。此處的第一間距指的是第一引出邊靠近第一端面113的一端與第一端面113之間的距離，第二間距指的是第二引出邊靠近第二端面114的一端與第二端面114之間的距離。

在圖示的實施方式中，第二輔助電極1174大致為t型，形成于介質層112的表面。圖示的實施方式中，第一輔助電極1173與第二輔助電極1174位于不同的介質層112的表面，且第一輔助電極1173及第二輔助電極1174之間還設有第二內電極1172。當然在其他實施方式中，第一輔助電極1173及第二輔助電極1174之間不限于設有第二內電極1172，也可以設有第一內電極1171，也可以僅僅通過介質層112隔開。

第二輔助電極1174包括連接部(圖未標)及延伸部(圖未標)。連接部與第二端面114相間隔，且連接部自第一側面115延伸至第二側面116，從而與第一側面115及第二側面116平齊形成兩個相對的第二引出邊。延伸部自連接部遠離第二端面114的一側向第一端面113延伸，且延伸部與第一端面113、第一側面115及第二側面116均相間隔。

在圖示的實施方式中，第二引出邊為兩個，在其他實施例中，第二引出邊的數(shù)量也可以為一個。第二引出邊的數(shù)量為兩個，當?shù)诙o助電極1174通過第二引出邊與第二端電極150電連接時，可以增加連接的可靠性。

第二引出邊與第二端面114之間具有第三間距，與第一端面113之間具有第四間距。此處的第三間距指的是第二引出邊靠近第二端面114的一端與第二端面114之間的距離，第四間距指的是第二引出邊靠近第一端面113的一端與第一端面113之間的距離。第一間距小于第四間距，第三間距小于第二間距。

在圖示的實施方式中，第一輔助電極1173在第二輔助電極1174所在的平面的投影與第二輔助電極1174部分重疊。當然，在其他實施方式中，第一輔助電極1173在第二輔助電極1174所在的平面的投影與第二輔助電極1174也可以完全不重疊。

在圖示的實施方式中，第二間距大于第一端面113和第二端面114之間的距離的一半，第四間距大于第一端面113和第二端面114之間的距離的一半。

第一端電極130位于第一端面113。第二端電極150位于第二端面114。在圖示的實施方式中，第一端電極130覆蓋第一側面115及第二側面116的部分表面，第二端電極150覆蓋第一側面115及第二側面116的部分表面。當然，在圖示的實施方式中，第一端電極130及第二端電極150均通過浸漬制備，因此第一端電極130及第二端電極150分別覆蓋第一端面113及第二端面114的表面。

第一端電極130通過第一內電極1171與第一端面113形成的引出邊與第一內電極1171電連接。第二端電極150通過第二內電極1172與第二端面114形成的引出邊與第二內電極1172電連接。

在圖示的實施方式中，第一端電極130及第二端電極150在第一側面115及第二側面116的延伸距離均小于第一端面113和第二端面114的距離的一半，從而第一端電極130與第二端電極150保持絕緣。

上述多層陶瓷電容器100，通過設置第一輔助電極1173及第二輔助電極1174，第一輔助電極1173與第一側面115及第二側面116中的至少一個部分平齊形成第一引出邊，第二輔助電極1174與第一側面115及第二側面116中的至少一個部分平齊形成第二引出邊，第一端電極130位于第一端面113且覆蓋第一側面115及第二側面116部分表面，第二端電極150位于第二端面114且覆蓋第一側面115及第二側面116部分表面，如此，通過浸漬法制備端電極時，控制端電極在第一側面115及第二側面116延伸的距離，可以使第一端電極130與第一引出邊接觸或不接觸，使第二端電極150與第二引出邊接觸或不接觸，如此控制第一端電極130與第一輔助電極1173電連接與否，控制第二端電極150與第二輔助電極1174電連接與否，能夠在制備過程中較為靈活地對多層陶瓷電容器的電容量進行微調，提高多層陶瓷電容器的電容量命中率，從而節(jié)約生產成本。

請同時參閱圖7～圖12，另一實施方式的多層陶瓷電容器200的結構與多層陶瓷電容器100的結構大致相同，其不同在于：多層陶瓷電容器200的陶瓷體210的內電極包括第一輔助電極2173、第二輔助電極2174、第三輔助電極2175及第四輔助電極2176。

圖示的實施方式中，第一輔助電極2173、第二輔助電極2174、第三輔助電極2175及第四輔助電極2176位于不同的介質層212的表面，且第一輔助電極2173、第二輔助電極2174、第三輔助電極2175及第四輔助電極2176之間還設有第一內電極2171及第二內電極2172中的至少一個。當然在其他實施方式中，第一輔助電極2173及第二輔助電極2174之間不限于設有第一內電極2171及第二內電極2172中的至少一個，也可以僅僅通過介質層212隔開。

第一輔助電極2173及第二輔助電極2174的結構與多層陶瓷電容器100的第一輔助電極1173及第二輔助電極1174大致相同，在此不作贅述。

在圖示的實施方式中，第三輔助電極2175大致為t型，形成于介質層212的表面。第三輔助電極2175包括連接部(圖未標)及延伸部(圖未標)。連接部與第一端面213相間隔，且連接部自第一側面215延伸至第二側面216，從而與第一側面215及第二側面216平齊形成兩個相對的第三引出邊。延伸部自連接部遠離第一端面213的一側向第二端面214延伸，且延伸部與第一端面213、第一側面215及第二側面216均相間隔。

在圖示的實施方式中，第三引出邊為兩個，在其他實施例中，第三引出邊的數(shù)量也可以為一個。第三引出邊的數(shù)量為兩個，當?shù)谌o助電極2175通過第三引出邊與第一端電極230電連接時，可以增加連接的可靠性。

第三引出邊與第二端面214之間的距離大于第一端面213和第二端面214的距離的一半，第三引出邊與第一端面213之間的距離大于第一引出邊與第一端面213之間的距離。

第三引出邊與第一端面213之間具有第五間距，與第二端面214之間具有第六間距。此處的第五間距指的是第三引出邊靠近第一端面213的一端與第一端面213之間的距離，第五間距指的是第三引出邊靠近第二端面214的一端與第二端面214之間的距離。

在圖示的實施方式中，第三輔助電極2175的連接部在第一輔助電極2173所在的平面的正投影與第一輔助電極2173的連接部不重疊。

在圖示的實施方式中，第四輔助電極2176大致為t型，形成于介質層212的表面。

第四輔助電極2176包括連接部(圖未標)及延伸部(圖未標)。連接部與第二端面214相間隔，且連接部自第一側面215延伸至第二側面216，從而與第一側面215及第二側面216平齊形成兩個相對的第四引出邊。延伸部自連接部遠離第二端面214的一側向第一端面213延伸，且延伸部與第一端面213、第一側面215及第二側面216均相間隔。

在圖示的實施方式中，第四引出邊為兩個，在其他實施例中，第四引出邊的數(shù)量也可以為一個。第四引出邊的數(shù)量為兩個，當?shù)谒妮o助電極2176通過第四引出邊與第二端電極250電連接時，可以增加連接的可靠性。

第四引出邊與第二端面214之間的間隙大于第二引出邊與第二端面214之間的距離，第四引出邊與第一端面213之間的距離大于第一端面213和第二端面214的距離的一半。

第四引出邊與第二端面214之間具有第七間距，與第一端面213之間具有第八間距。此處的第七間距指的是第四引出邊靠近第二端面214的一端與第二端面214之間的距離，第八間距指的是第四引出邊靠近第一端面213的一端與第一端面213之間的距離。

在圖示的實施方式中，第四輔助電極2176的連接部在第二輔助電極2174所在的平面的正投影與第二輔助電極2174的連接部不重疊。

在圖示的實施方式中，第五間距大于第一間距，第五間距小于第四間距及第八間距；第七間距大于第三間距，且第七間距小于第二間距及第六間距。

在圖示的實施方式中，第六間距大于第一端面213和第二端面214的距離的一半；第八間距大于第一端面213和第二端面214的距離的一半。

在圖示的實施方式中，第一端電極230及第二端電極250在第一側面215及第二側面216的延伸距離均小于第一端面213和第二端面214的距離的一半，從而第一端電極230與第二端電極250保持絕緣。

第一端電極230位于第一端面213且覆蓋第一側面215及第二側面216的部分表面。第二端電極250位于第二端面214且覆蓋第一側面215及第二側面216的部分表面。當然，在圖示的實施方式中，第一端電極230及第二端電極250均通過浸漬制備，因此第一端電極230及第二端電極250分別覆蓋第一端面213及第二端面214的表面。因此通過浸漬的深度，可以控制第一端電極230及第二端電極250在第一側面215及第二側面216的延伸距離，從而控制第一端電極230與第一輔助電極2173及第三輔助電極2175連接與否，控制第二端電極250與第二輔助電極2174及第四輔助電極2176連接與否，從而對多層陶瓷電容器的電容量進行調整，而無需改變陶瓷體210的結構。

請參閱圖13及圖14，另一實施方式的多層陶瓷電容器300的結構與多層陶瓷電容器100的結構大致相同，其不同在于：第一輔助電極3173及第二輔助電極3174形成于同一個介質層312的表面。

第一輔助電極3173的延伸部遠離第一端面313的一端與第二輔助電極3174的延伸部遠離第二端面314的一端之間形成有間隙，從而第一輔助電極3173與第二輔助電極3174相間隔，且第一輔助電極3173與第二輔助電極3174在第一側面315的正投影不重疊且相互間隔。

請參閱圖15及圖16，另一實施方式的多層陶瓷電容器400的結構與多層陶瓷電容器100的結構大致相同，其不同在于：第一輔助電極4173及第二輔助電極4174形成于同一個介質層412的表面。

第一輔助電極4173大致為l型，包括連接部及延伸部。連接部自第一側面415向第二側面416延伸，且與第二側面416相間隔。延伸部自連接部遠離第一側面415的一端垂直彎折延伸，且末端與第二端面414相間隔。

第二輔助電極4174的形狀與第一輔助電極4173大致相同，且位于第一輔助電極4173的延伸部靠近第一側面415的一側。第二輔助電極4174大致為l型，包括連接部及延伸部。第二輔助電極4174的延伸部的末端與第一輔助電極4173的延伸部的末端平齊。

第一輔助電極4173及第二輔助電極4174在第一側面415的正投影部分重疊。

請參閱圖17及圖18，另一實施方式的多層陶瓷電容器500的結構與多層陶瓷電容器200的結構大致相同，其不同在于：第一輔助電極5173、第二輔助電極5174、第三輔助電極5175及第四輔助電極5176均位于同一個介質層512的表面。

第一輔助電極5173、第二輔助電極5174、第三輔助電極5175及第四輔助電極5176均位于同一個介質層的表面，且相互不重疊。

在圖示的實施方式中，第一輔助電極5173、第二輔助電極5174、第三輔助電極5175及第四輔助電極5176均為l型，第一引出邊、第二引出邊、第三引出邊及第四引出邊均為一個。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。