一種低esl的多層陶瓷電容器的制造方法
【專利摘要】一種低ESL的多層陶瓷電容器，包括陶瓷芯體、導(dǎo)電連接在陶瓷芯體上的兩引線、包裹陶瓷芯體的絕緣外殼，引線為由相互垂直連接的導(dǎo)電板和焊接板組成的“L”形結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電板與陶瓷芯體導(dǎo)電連接并被絕緣外殼覆蓋，焊接板位于絕緣外殼的底部并且具有側(cè)向伸出絕緣外殼的焊接段，采用“L”形的引線，不僅大大縮短了引線長度，而且減少了引線的彎折角，這樣就可以大大降低ESL，提高電容的自諧振頻率，使電容可應(yīng)用于高頻電路中。
【專利說明】
一種低ESL的多層陶瓷電容器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種多層陶瓷電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1和圖2所示，多層陶瓷電容器，主要包括陶瓷芯體1、兩引線2和絕緣外殼3，陶瓷芯體I包括平行間隔且交錯(cuò)排列的若干第一、第二內(nèi)電極片、設(shè)置在第一、第二內(nèi)電極片之間的電介質(zhì)、與各第一內(nèi)電極片導(dǎo)電連接的第一外電極片、與各第二內(nèi)電極片導(dǎo)電連接的第二外電極片，通常陶瓷芯體I為長方體，第一、第二外電極片布置在陶瓷芯體I的兩相對面，兩引線2分別與第一、第二外電極片導(dǎo)電連接，而絕緣外殼3則包裹陶瓷芯體，絕緣外殼3大致為與陶瓷芯體I形狀相適配的長方體。
[0003]如圖1和圖2所示，E殼封裝結(jié)構(gòu)的多層陶瓷電容，該電容的引線2從陶瓷芯體I的底面延伸至側(cè)面，并從側(cè)面伸出，再折彎到底部形成焊盤，造成了引線長度的增加;E殼的標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸為7.3mm X 4.3mm X 4.lmm,引線2的長度約為2.8mm。理論上對于引線來說，Imm長度大約產(chǎn)生InH的電感量，因此電感約增加2.8nH。另一方面，引線2出現(xiàn)多處90°彎曲，在高頻率、大電流條件下，彎曲的引出端會(huì)增加渦流，并直接增大電容器的等效電感(ESL) JSL的增加直接導(dǎo)致電容器自諧振頻率的下降，使電容器無法應(yīng)用于高頻電路中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、便于焊接且低ESL的多層陶瓷電容器。
[0005]本實(shí)用新型的目的通過如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
[0006]—種低ESL的多層陶瓷電容器，包括陶瓷芯體、導(dǎo)電連接在陶瓷芯體上的兩引線、包裹陶瓷芯體的絕緣外殼，其特征在于:引線為由相互垂直連接的導(dǎo)電板和焊接板組成的“L”形結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電板與陶瓷芯體導(dǎo)電連接并被絕緣外殼覆蓋，焊接板位于絕緣外殼的底部并且具有側(cè)向伸出絕緣外殼的焊接段。
[0007]進(jìn)一步的，所述焊接板的底面與絕緣外殼的底面相平。
[0008]進(jìn)一步的，所述焊接段的前端沿形成有凹凸結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步的，所述陶瓷芯體為長方體，所述絕緣外殼大致為與陶瓷芯體相適配的長方體。
[0010]進(jìn)一步的，兩所述引線的導(dǎo)電板分別貼附在所述陶瓷芯體的兩相對面上，所述陶瓷芯體的兩相對面分別設(shè)置有與所述導(dǎo)電板導(dǎo)電連接的外電極片。
[0011]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電板與所述陶瓷芯體的兩相對面的大小相適配。
[0012]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電板和焊接板一體成型。
[0013]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電板和焊接板均為矩形。
[0014]一種低ESL的多層陶瓷電容器，包括陶瓷芯體、導(dǎo)電連接在陶瓷芯體上的兩引線、包裹陶瓷芯體的絕緣外殼，其特征在于:引線包括豎直延伸的導(dǎo)電板、連接導(dǎo)電板并水平延伸的水平焊接板和連接水平焊接板并豎直延伸的豎直焊接板，導(dǎo)電板與陶瓷芯體導(dǎo)電連接并被絕緣外殼覆蓋，水平焊接板位于絕緣外殼的底部，豎直焊接板位于絕緣外殼的側(cè)面，且至少水平焊接板的底面和豎直焊接板的外側(cè)面暴露在絕緣外殼之外。
[0015]進(jìn)一步的，所述豎直焊接板上形成有靠近水平焊接板的焊料填充孔，用于增加焊料的填充量，提高焊接強(qiáng)度。
[0016]本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，實(shí)施例一采用“L”形的引線和實(shí)施例二采用的導(dǎo)電板、水平焊接板和豎直焊接板的結(jié)構(gòu)，不僅大大縮短了引線長度，而且減少了引線的彎折角，這樣就可以大大降低ESL，提高電容的自諧振頻率，使電容可應(yīng)用于高頻電路中；而實(shí)施例一的焊接板的焊接段側(cè)向伸出絕緣外殼，以及實(shí)施例二的豎直焊接板，不僅使電容器適用于回流焊工藝，而且適用于手工焊接，并可方便地觀察焊接質(zhì)量;焊接段的前端沿形成凹凸結(jié)構(gòu)和實(shí)施例二的焊料填充孔，可增加焊料與焊接段的接觸面積，增加焊料的附著量和附著強(qiáng)度。
【附圖說明】

[0018]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0019]圖1為現(xiàn)有陶瓷電容器的立體圖。
[0020]圖2為現(xiàn)有陶瓷電容器的構(gòu)件分解圖。
[0021]圖3為實(shí)施例一陶瓷芯體和引線的立體圖。
[0022]圖4為實(shí)施例一的立體圖。
[0023]圖5為實(shí)施例二的立體圖。
[0024]圖6為實(shí)施例二陶瓷芯體和引線的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]實(shí)施例一，參照圖3和圖4所示，一種低ESL的多層陶瓷電容器，包括陶瓷芯體5、兩引線6和絕緣外殼7。
[0026]陶瓷芯體5為長方體，主要由電介質(zhì)、內(nèi)電極片和外電極片組成，兩外電極片設(shè)置在陶瓷芯體5的兩相對面，為公知的現(xiàn)有技術(shù)，在這里不再詳細(xì)說明。
[0027]引線6為一體成型的“L”形結(jié)構(gòu)，由相互垂直連接的導(dǎo)電板61和焊接板62組成，導(dǎo)電板61和焊接板62大致為矩形，導(dǎo)電板61具有與焊接板62連接的凸出部611。
[0028]兩引線6的導(dǎo)電板61分別貼附在陶瓷芯體5的兩相對面上并與外電極片導(dǎo)電連接，引線6的焊接板62位于絕緣外殼7的底部并且具有從絕緣外殼7側(cè)向伸出的焊接段62a，焊接板62的底面與絕緣外殼7的底面相平，并暴露在絕緣外殼7之外，焊接段62a的前端沿形成有凹凸結(jié)構(gòu)621，即絕緣外殼7包裹陶瓷芯體5、導(dǎo)電板61和焊接板62的局部頂面和側(cè)面，絕緣外殼7大致為與陶瓷芯體5相適配的長方體。
[0029]實(shí)施例二，其基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一相同，主要區(qū)別在于引線8的結(jié)構(gòu)，該引線8包括豎直延伸的導(dǎo)電板81、連接導(dǎo)電板81并水平延伸的水平焊接板82和連接水平焊接板82并豎直延伸的豎直焊接板83，導(dǎo)電板81與陶瓷芯體5導(dǎo)電連接并被絕緣外殼7覆蓋，水平焊接板82位于絕緣外殼7的底部，豎直焊接板83位于絕緣外殼7的側(cè)面，且至少水平焊接板82的底面和豎直焊接板83的外側(cè)面暴露在絕緣外殼7之外，豎直焊接板83上形成有靠近水平焊接板82的三個(gè)焊料填充孔831，焊料填充孔831沿豎直焊接板83的寬度方向排列。
[0030]以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低ESL的多層陶瓷電容器，包括陶瓷芯體、導(dǎo)電連接在陶瓷芯體上的兩引線、包裹陶瓷芯體的絕緣外殼，其特征在于:引線為由相互垂直連接的導(dǎo)電板和焊接板組成的“L”形結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電板與陶瓷芯體導(dǎo)電連接并被絕緣外殼覆蓋，焊接板位于絕緣外殼的底部并且具有側(cè)向伸出絕緣外殼的焊接段。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述焊接板的底面與絕緣外殼的底面相平。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述焊接段的前端沿形成有凹凸結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述陶瓷芯體為長方體，所述絕緣外殼大致為與陶瓷芯體相適配的長方體。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:兩所述引線的導(dǎo)電板分別貼附在所述陶瓷芯體的兩相對面上，所述陶瓷芯體的兩相對面分別設(shè)置有與所述導(dǎo)電板導(dǎo)電連接的外電極片。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述導(dǎo)電板與所述陶瓷芯體的兩相對面的大小相適配。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述導(dǎo)電板和焊接板一體成型。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述導(dǎo)電板和焊接板均為矩形。9.一種低ESL的多層陶瓷電容器，包括陶瓷芯體、導(dǎo)電連接在陶瓷芯體上的兩引線、包裹陶瓷芯體的絕緣外殼，其特征在于:引線包括豎直延伸的導(dǎo)電板、連接導(dǎo)電板并水平延伸的水平焊接板和連接水平焊接板并豎直延伸的豎直焊接板，導(dǎo)電板與陶瓷芯體導(dǎo)電連接并被絕緣外殼覆蓋，水平焊接板位于絕緣外殼的底部，豎直焊接板位于絕緣外殼的側(cè)面，且至少水平焊接板的底面和豎直焊接板的外側(cè)面暴露在絕緣外殼之外。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種低ESL的多層陶瓷電容器，其特征在于:所述豎直焊接板上形成有靠近水平焊接板的焊料填充孔。
【文檔編號】H01G4/30GK205692698SQ201620556048
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月8日 公開號201620556048.5, CN 201620556048, CN 205692698 U, CN 205692698U, CN-U-205692698, CN201620556048, CN201620556048.5, CN205692698 U, CN205692698U
【發(fā)明人】賀衛(wèi)東, 吳文輝, 張子山, 蔡勁軍
【申請人】福建火炬電子科技股份有限公司