層疊陶瓷電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊陶瓷電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]層疊陶瓷電容器一般包括層疊構(gòu)造的電容器主體和分別設(shè)置在該電容器主體的相對(duì)的端部的外部電極。電容器主體包括:由多個(gè)內(nèi)部電極層隔著陶瓷層層疊而成的電容形成部；和配置在該電容形成部的層疊方向兩側(cè)的陶瓷制的保護(hù)部。另外，多個(gè)內(nèi)部電極層的一部分的端緣與一方的外部電極連接，剩余部分的端緣與另一方的外部電極連接。
[0003]在這種層疊陶瓷電容器中，為了抵抗因安裝到電路基板等時(shí)受到的應(yīng)力和安裝后的熱沖擊等的原因而受到的應(yīng)力，需要與其相應(yīng)的彎曲強(qiáng)度。并且，該彎曲強(qiáng)度通常由在基板的一個(gè)面焊接層疊陶瓷電容器后，在用擋塊支承該基板的一個(gè)面的狀態(tài)下利用治具以一定速度向下側(cè)按壓其另一個(gè)面的與電容器焊接部位對(duì)應(yīng)的部位而使其變形，在該變形過(guò)程中層疊陶瓷電容器產(chǎn)生了規(guī)定百分率以上的電容降低時(shí)的治具的壓入量(單位為mm)表不ο
[0004]下述專利文獻(xiàn)1和2中公開(kāi)有能夠用于提高層疊陶瓷電容器的彎曲強(qiáng)度的構(gòu)造。但是，兩者都在電容器主體內(nèi)設(shè)置有對(duì)電容形成沒(méi)有貢獻(xiàn)的偽電極層或者金屬層，因此，電容器主體的構(gòu)造復(fù)雜化。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平07-335473號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平08-181032號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種層疊陶瓷電容器，其在電容器主體內(nèi)部不設(shè)置對(duì)電容形成沒(méi)有貢獻(xiàn)的偽電極層或者金屬層，而能夠提高彎曲強(qiáng)度。
[0011]用于解決技術(shù)課題的技術(shù)方案
[0012]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種層疊陶瓷電容器，其包括:層疊構(gòu)造的電容器主體；和分別設(shè)置在該電容器主體的相對(duì)的端部的外部電極，該層疊陶瓷電容器中，上述電容器主體包括:陶瓷制的保護(hù)部；多個(gè)內(nèi)部電極層隔著陶瓷層層疊而成的電容形成部；和陶瓷制的非電容形成部，并且，上述保護(hù)部、上述電容形成部和上述非電容形成部從層疊方向一側(cè)向另一側(cè)去按保護(hù)部-電容形成部-非電容形成部-電容形成部-保護(hù)部的順序形成，設(shè)各上述保護(hù)部的層疊方向厚度為Τ2、各上述電容形成部的層疊方向厚度為Τ3、上述非電容形成部的層疊方向厚度為Τ4時(shí)，上述Τ2?Τ4滿足Τ2 < Τ3 < Τ4的關(guān)系。
[0013]發(fā)明效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種層疊陶瓷電容器，其在電容器主體內(nèi)部不設(shè)置對(duì)電容形成沒(méi)有貢獻(xiàn)的偽電極層或者金屬層，而能夠提高彎曲強(qiáng)度。
[0015]本發(fā)明的上述目的和其它的目的以及與各目的對(duì)應(yīng)的特征和效果，根據(jù)以下的說(shuō)明和附圖而能夠明確。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是表示應(yīng)用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器的基本構(gòu)造的縱截面。
[0017]圖2是用于說(shuō)明圖1所示的層疊陶瓷電容器的制造方法例的圖。
[0018]圖3是效果檢驗(yàn)用的試樣I?23的規(guī)格和檢查結(jié)果的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]《層疊陶瓷電容器的基本構(gòu)造》
[0020]首先，使用圖1說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器10的基本構(gòu)造。
[0021]層疊陶瓷電容器10包括:呈大致長(zhǎng)方體狀的層疊構(gòu)造的電容器主體11 ;和分別設(shè)置在該電容器主體11的長(zhǎng)度方向端部的外部電極12。
[0022]電容器主體11從層疊方向一側(cè)向另一側(cè)按保護(hù)部Ila-電容形成部I Ib-非電容形成部Ilc-電容形成部IIb-保護(hù)部Ila的順序包括:陶瓷制的保護(hù)部Ila ;由多個(gè)內(nèi)部電極層Ilbl隔著陶瓷層llb2層疊而成的電容形成部Ilb ;和陶瓷制的非電容形成部12c。并且，圖1中的L表示層疊陶瓷電容器10的長(zhǎng)度，Tl表示電容器主體11的層疊方向厚度，T2表示各保護(hù)部Ila的層疊方向厚度，T3表示各電容形成部Ilb的層疊方向厚度，T4表示非電容形成部Ilc的厚度，T5表示T2和T3的和。
[0023]各保護(hù)部Ila的層疊方向厚度T2的基準(zhǔn)值相同，各電容形成部Ilb的層疊方向厚度T3的基準(zhǔn)值相同，各內(nèi)部電極層Ilbl的厚度的基準(zhǔn)值相同，各陶瓷層llb2的厚度(夾在內(nèi)部電極層Ilbl之間的部分的厚度)的基準(zhǔn)值相同。各內(nèi)部電極層Ilbl的輪廓呈矩形(參照?qǐng)D2)，規(guī)定該輪廓的尺寸的基準(zhǔn)值相同。各內(nèi)部電極層Ilbl在長(zhǎng)度L方向上交替錯(cuò)開(kāi)，一部分(從圖1中的上方起第奇數(shù)個(gè))的端緣與一個(gè)(圖1中的左側(cè))的外部電極12連接，剩余部分(從圖1中的上方起第偶數(shù)個(gè))的端緣與另一個(gè)(圖1中的右側(cè))的外部電極12連接。
[0024]各保護(hù)部11a、各陶瓷層llb2和非電容形成部Ilc由相同材料形成，該材料中使用鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、二氧化鈦等的電介質(zhì)陶瓷，優(yōu)選使用ε >1000或者2類(CLASS2、高介電常數(shù)類)的電介質(zhì)陶瓷。各內(nèi)部電極層Ilbl由相同材料形成，該材料能夠使用鎳、銅、鈀、鈾、銀、金、它們的合金等的金屬。
[0025]各外部電極12分別覆蓋電容器主體11的長(zhǎng)度方向端面和與該端面相鄰的4個(gè)側(cè)面的一部分。雖然省略圖示，但是，各外部電極12具有與電容器主體11的外表面緊貼的基底膜和與該基底膜的外表面緊貼的表面膜的2層構(gòu)造、或者具有在基底膜和表面膜之間至少具有一個(gè)中間膜的多層構(gòu)造?；啄だ缬煽居?印制)金屬膜形成，其材料能夠使用鎳、銅、鈀、鈾、銀、金、它們的合金等的金屬。表面膜例如由鍍覆金屬膜形成，其材料能夠使用錫、鈀、金、鋅等的金屬。中間膜例如由鍍覆金屬膜形成，其材料能夠使用鉑、鈀、金、銅、鎳等的金屬。
[0026]《層疊陶瓷電容器的制造方法例》
[0027]接著，引用圖2說(shuō)明上述層疊陶瓷電容器10的制造方法例。
[0028]首先，涂敷含有上述電介質(zhì)陶瓷的粉末的陶瓷漿料，進(jìn)行干燥，準(zhǔn)備第一片材S1，并且，將含有上述金屬的粉末的電極膏印刷在該第一片材S1上，進(jìn)行干燥，準(zhǔn)備形成有電極圖案EP的第二片材S2和第三片材S3。第二片材S2和第三片材S3中，電極圖案EP的位置錯(cuò)開(kāi)，使得能夠得到各內(nèi)部電極層llbl在長(zhǎng)度L方向上交替錯(cuò)開(kāi)的形態(tài)(參照?qǐng)D1)。
[0029]接著，重疊多個(gè)第一片材S1，在其上交替重疊多個(gè)第三片材S3和第二片材S2，然后在其上重疊多個(gè)第一片材S1，然后交替重疊多個(gè)該第三片材S3和第二片材S2，然后在其上交替重疊多個(gè)第一片材S1，對(duì)整體進(jìn)行熱壓接，制作片材層疊物。
[0030]接著，切割片材層疊物，制作與電容器主體11對(duì)應(yīng)的未燒制芯片。此外，圖2表示了與1個(gè)電容器主體11對(duì)應(yīng)的層結(jié)構(gòu)，但實(shí)際的第一?第三片材和片材層疊物是對(duì)應(yīng)能夠獲得多個(gè)電容器主體的層結(jié)構(gòu)，因此，上述電極圖案EP以矩陣排列或交錯(cuò)排列形成，由此，通過(guò)切割能夠獲得多個(gè)電容器主體的片材層疊物來(lái)制作未燒制芯片。
[0031]接著，以與上述陶瓷漿料和上述電極膏相應(yīng)的氣氛和溫度曲線對(duì)未燒制芯片進(jìn)行燒制(含脫粘合劑處理)。
[0032]接著，在燒制芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂敷上述電極膏并進(jìn)行烤印來(lái)制作基底膜，在該基底膜上通過(guò)電鍍來(lái)制作表面膜或者制作中間膜和表面膜。此外，能夠在未燒制芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂敷上述電極膏并干燥后，通過(guò)將基底膜與未燒制芯片同時(shí)進(jìn)行燒制來(lái)制作成。
[0033]《試樣1?23的規(guī)格》
[0034]接著，引用圖3，說(shuō)明效果檢驗(yàn)用的試樣1?23的規(guī)格。
[0035]試樣1?23均具有與上述層疊陶瓷電容器10相同的構(gòu)造，且根據(jù)上述制造方法例制作而成，它們的共同點(diǎn)在于:在各保護(hù)部11a、各陶瓷層llb2和非電容形成部11c使用鈦酸鋇的方面；各內(nèi)部電極層llbl使用了鎳的方面；各外部電極12具有使用了鎳的基底膜、使用了銅的中間膜和使用了錫的表面膜的3層構(gòu)造的方面；以及各外部電極12的厚度的基準(zhǔn)值為0.01mm的方面。
[0036]試樣1?23的不同點(diǎn)在于:試樣1?8的長(zhǎng)度L的基準(zhǔn)值為1.00mm、試樣9?16的長(zhǎng)度L的基準(zhǔn)值為0.60mm、試樣17?23的長(zhǎng)度L的基準(zhǔn)值為0.40mm這一方面；試樣1?8的各電容形成部llb(T3為0.10mm)具有52層的內(nèi)部電極層llbl (厚度為1 μ m)和51層的陶瓷層llb2(厚度為Ιμπι)、試樣9?16的各電容形成部lib (Τ3為0.06mm)具有32層的內(nèi)部電極層llbl (厚度為1 μm)和31層的陶瓷層llb2(厚度為1 μm)、試樣17?23的各電容形成部llb(T3S0.04mm)具有22層的內(nèi)部電極層llbl (厚度為1 μ m)和21層的陶瓷層1