基板處理裝置以及基板處理方法
【專利摘要】基板處理裝置(1)具有：基板保持單元(5)，其將基板保持為水平姿勢；板(8)，其具有水平且平坦的液體保持面(11)，所述液體保持面(11)具有與被所述基板保持單元(5)保持的基板的主面相同或比該主面大的大小，且與所述基板的主面的下方相向；處理液供給單元(20)，其用于向所述液體保持面(5)供給處理液；移動單元(29)，其使所述基板保持單元(5)以及所述板(8)相對移動，來使基板的主面與液體保持面接近或分離；控制單元(50)。控制單元(50)控制所述處理液供給單元(20)以及所述移動單元(29)，執(zhí)行通過所述處理液供給單元(20)向所述液體保持面(11)供給處理液，在所述液體保持面上形成處理液液膜的處理液液膜形成工序、通過所述移動單元(29)使所述基板的主面與所述液體保持面(11)接近，由此使基板的主面與所述處理液液膜接觸的接觸工序、在執(zhí)行所述接觸工序后維持處理液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)的接觸維持工序。
【專利說明】基板處理裝置以及基板處理方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及利用處理液對基板進(jìn)行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。作為處理對象的基板例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示器用基板、FED (Field Emiss1n Display:場致發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻(xiàn)I公開一種基板處理裝置，具有:基板保持部，其將基板保持為水平姿勢；板，其具有隔開規(guī)定間隔與基板的主面相向的基板相向面。在基板相向面的與基板的主面中心相向的部分形成有用于供給處理液的噴出口。從噴出口向基板的主面與基板相向面之間的空間供給的處理液在該空間內(nèi)擴(kuò)散，使該空間成為被液體密封的狀態(tài)。
[0003]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠以小的處理液流量，使處理液遍及基板的整個(gè)主面。因此，能夠抑制處理液的消耗量，從而能夠降低運(yùn)營成本。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)I JP特開2008-227386號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明所要解決的問題
[0008]但是，在專利文獻(xiàn)I的結(jié)構(gòu)中，噴出口與基板的主面中心相向，從噴出口噴出的處理液首先與基板的主面中心碰觸。因此，如下所述，不能夠使處理在面內(nèi)均勻。
[0009]圖24是用于說明在使用蝕刻液作為處理液的情況下，在基板的旋轉(zhuǎn)中心(中間)和周端部(邊緣)上進(jìn)行的蝕刻處理的差異的模型圖。橫軸為距離蝕刻液噴出開始的時(shí)間，縱軸為蝕刻量。
[0010]若蝕刻液(處理液)向基板的旋轉(zhuǎn)中心供給，則直到該蝕刻液借助離心力而到達(dá)基板的周端部為止，存在時(shí)間差。因此，開始在周端部進(jìn)行蝕刻的時(shí)間晚于開始在旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行蝕刻的時(shí)間。在延遲時(shí)間內(nèi)，在旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行了蝕刻量ΛΕ的蝕刻，該蝕刻量ΛΕ是中間和邊緣之間的蝕刻量的差值。即使使蝕刻液噴出時(shí)間變長，也不能消除該差值。
[0011]另一方面，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在減少蝕刻液(處理液)的噴出流量(例如0.25升/分鐘)來降低蝕刻液的消耗量的情況下，在基板面內(nèi)的蝕刻的均勻性與基板的轉(zhuǎn)速相關(guān)。具體地說，若基板的轉(zhuǎn)速快(例如100rpm左右)，則如圖25所示，基板旋轉(zhuǎn)中心(中間)處的蝕刻量直線與基板周端部(邊緣)處的蝕刻量直線不平行。具體地說，旋轉(zhuǎn)中心的蝕刻率大于周端部的蝕刻率。因此，隨著蝕刻液噴出時(shí)間變長，蝕刻量的差值變大。
[0012]這樣的問題是通用的問題，S卩，在基板面內(nèi)的處理量的差異不僅在使用蝕刻液作為處理液的情況下存在，在使用清洗液或抗蝕劑剝離液等作為處理液的情況下也存在。
[0013]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠降低運(yùn)營成本且能夠提高在面內(nèi)進(jìn)行的基板處理的均勻性的基板處理裝置以及基板處理方法。
[0014]用于解決問題的手段
[0015]本發(fā)明的基板處理裝置具有:基板保持單元，其將基板保持為水平姿勢；板，其具有水平且平坦的液體保持面，所述液體保持面具有與被所述基板保持單元保持的基板的主面相同或比該主面大的大小，且與所述基板的主面的下方相向；處理液供給單元，其用于向所述液體保持面供給處理液；移動單元，其使所述基板保持單元以及所述板相對移動，來使所述基板的主面與所述液體保持面接近或分離；控制單元，其控制所述處理液供給單元以及所述移動單元，執(zhí)行處理液液膜形成工序、接觸工序和接觸維持工序，在所述處理液液膜形成工序中，通過所述處理液供給單元向所述液體保持面供給處理液，在所述液體保持面上形成處理液液膜，在所述接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述處理液液膜接觸，所述接觸維持工序在所述接觸工序后執(zhí)行，在所述接觸維持工序中，維持處理液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
[0016]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在與基板的主面相向的板的液體保持面上形成處理液的液膜，另外，使基板的主面與液體保持面接近，使基板的主面與處理液的液膜接觸，由此，基板的主面的整個(gè)區(qū)域同時(shí)與處理液接觸。由此，能夠在基板主面的整個(gè)面(整個(gè)區(qū)域)上，使處理液的處理實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始。此后，通過維持該處理液的接觸狀態(tài)，在基板的主面上進(jìn)行處理液的處理。在基板的主面與處理液接觸后，還能夠以小流量從處理液供給單元供給處理液，或者停止從處理液供給單元供給處理液，因此，能夠在不損害基板主面內(nèi)的處理均勻性的情況下，抑制處理液的消耗量。由此，能夠降低運(yùn)營成本且提高基板處理的面內(nèi)均勻性。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，在所述液體保持面形成有用于噴出處理液的處理液噴出口，所述處理液供給單元使處理液從所述處理液噴出口噴出。
[0018]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于從形成在液體保持面上的處理液噴出口向液體保持面供給處理液，所以能夠在不濺起液體的情況下，快速地在液體保持面上形成處理液的液膜。
[0019]另外，可以在所述液體保持面上形成用于噴出藥液的藥液噴出口，此時(shí)，所述處理液供給單元可以具有使藥液從所述藥液噴出口噴出的藥液供給單元。另外，可以在所述液體保持面形成用于噴出沖洗液的沖洗液噴出口，此時(shí)，所述處理液供給單元可以具有使沖洗液從所述沖洗液噴出口噴出的沖洗液供給單元。
[0020]本發(fā)明的一實(shí)施方式的基板處理裝置還具有用于使所述板圍繞與所述液體保持面垂直的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)的板旋轉(zhuǎn)單元。此時(shí)所述處理液噴出口可以形成在所述板旋轉(zhuǎn)單元使所述板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸線上。
[0021]另外，優(yōu)選所述控制單元具有低速旋轉(zhuǎn)控制單元，所述低速旋轉(zhuǎn)控制單元控制所述板旋轉(zhuǎn)單元，與所述接觸維持工序并行地使所述板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所述低轉(zhuǎn)速是能夠在所述液體保持面和所述基板的主面之間保持所述處理液的轉(zhuǎn)速。
[0022]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過板旋轉(zhuǎn)單元使板低速旋轉(zhuǎn)，能夠攪拌處理液。由此，能夠消除基板主面內(nèi)的處理不均，能夠進(jìn)一步提高處理的面內(nèi)均勻性。
[0023]另外，優(yōu)選所述控制單元具有高速旋轉(zhuǎn)控制單元，所述高速旋轉(zhuǎn)控制單元控制所述板旋轉(zhuǎn)單元，在所述接觸維持工序結(jié)束后，使所述板以高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該高轉(zhuǎn)速是能夠從所述液體保持面甩出處理液的轉(zhuǎn)速。
[0024]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過板旋轉(zhuǎn)單元使板高速旋轉(zhuǎn)，由此液體保持面上的處理液因板的旋轉(zhuǎn)而被甩出，來從液體保持面除去。由此，能夠防止處理液殘留在液體保持面上。
[0025]另外，優(yōu)選所述控制單元具有特定單元，該特定單元用于與所述接觸工序的執(zhí)行同步或在所述接觸工序執(zhí)行之前使向所述液體保持面供給處理液的動作停止。
[0026]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在形成處理液的液膜后，停止向液體保持面供給處理液。另外，與停止供給處理液同步，或在停止供給處理液后，使基板的主面與處理液的液膜接觸。由此，能夠在不影響對基板的主面的處理的情況下，進(jìn)一步抑制處理液的消耗量。
[0027]可以在所述液體保持面上形成噴出干燥氣體的干燥氣體噴出口。此時(shí)，所述干燥氣體噴出口可以形成在所述板旋轉(zhuǎn)單元使所述板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸線上。
[0028]所述基板處理裝置可以還具有對所述液體保持面進(jìn)行加熱的加熱單元。
[0029]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)┙o至液體保持面的處理液加熱。由此，能夠以被加熱的處理液處理基板的主面，因此能夠提高處理效率，結(jié)果，能夠縮短處理時(shí)間。由此，能夠進(jìn)一步提高處理的面內(nèi)均勻性。
[0030]所述處理液供給單元可以具有用于向所述液體保持面供給藥液的藥液供給單元、用于向所述液體保持面供給沖洗液的沖洗液供給單元。此時(shí)，所述控制單元可以控制所述藥液供給單元、所述沖洗液供給單元以及所述移動單元，執(zhí)行藥液液膜形成工序、藥液接觸工序、藥液接觸維持工序、分離工序、沖洗液液膜形成工序、沖洗液接觸工序和沖洗液接觸維持工序，在所述藥液液膜形成工序中，通過所述藥液供給單元向所述液體保持面供給藥液，在所述液體保持面形成藥液液膜，在所述藥液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述藥液液膜接觸，所述藥液接觸維持工序在所述藥液接觸工序后執(zhí)行，在所述藥液接觸維持工序中，維持藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)，在所述分離工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面相分離，所述沖洗液液膜形成工序在所述分離工序后執(zhí)行，在所述沖洗液液膜形成工序中，通過所述沖洗液供給單元向所述液體保持面供給沖洗液，來在所述液體保持面上形成沖洗液液膜，在所述沖洗液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述沖洗液液膜接觸，所述沖洗液接觸維持工序在所述沖洗液接觸工序后執(zhí)行，在所述沖洗液接觸維持工序中，維持沖洗液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
[0031]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在與基板的主面相向的板的液體保持面形成藥液的液膜，另一方面，使基板的主面與液體保持面接近，使基板的主面與藥液的液膜接觸，由此基板的主面的整個(gè)區(qū)域同時(shí)與藥液接觸。由此，能夠使藥液的處理在基板主面的整個(gè)區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上同時(shí)開始，因此，能夠在不損害在基板主面內(nèi)的藥液處理均勻性的情況下，抑制藥液的消耗量。
[0032]另外，在與基板的主面相向的板的液體保持面形成沖洗液的液膜，另一方面，使基板的主面與液體保持面接近，使基板的主面與沖洗液的液膜接觸，由此，基板的主面的整個(gè)區(qū)域與沖洗液同時(shí)接觸。由此，能夠抑制沖洗液的消耗量。
[0033]由此，在藥液處理以及沖洗處理中，能夠降低運(yùn)營成本且提高基板處理的面內(nèi)均勻性。
[0034]另外，所述處理液供給單元可以具有用于向所述液體保持面供給第I藥液的第I藥液供給單元、用于向所述液體保持面供給第2藥液的第2藥液供給單元。此時(shí)，所述控制單元可以控制所述第I藥液供給單元、所述第2藥液供給單元以及所述移動單元，執(zhí)行第I藥液液膜形成工序、第I藥液接觸工序、第I藥液接觸維持工序、分離工序、第2藥液膜形成工序、第2藥液接觸工序和第2藥液接觸維持工序，在所述第I藥液液膜形成工序中，通過所述第I藥液供給單元向所述液體保持面供給第I藥液，在所述液體保持面上形成第I藥液液膜，在所述第I藥液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述第I藥液液膜接觸，所述第I藥液接觸維持工序在所述第I藥液接觸工序后執(zhí)行，在所述第I藥液接觸維持工序中，維持第I藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)，在所述分離工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面相分離，所述第2藥液膜形成工序在所述分離工序后執(zhí)行，在所述第2藥液膜形成工序中，通過所述第2藥液供給單元向所述液體保持面供給第2藥液，來在所述液體保持面上形成第2藥液膜，在所述第2藥液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述第2藥液液膜接觸，所述第2藥液接觸維持工序在所述第2藥液接觸工序后執(zhí)行，在所述第2藥液接觸維持工序中，維持第2藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
[0035]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在與基板的主面相向的板的液體保持面上形成第I藥液的液膜，另一方面，使基板的主面與液體保持面接近，來使基板的主面與第I藥液的液膜接觸，由此，基板的主面的整個(gè)區(qū)域同時(shí)與第I藥液接觸。由此，能夠使第I藥液的處理在基板主面的整個(gè)區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上同時(shí)開始，因此能夠在不損害在基板主面內(nèi)的第I藥液處理的均勻性的情況下，抑制第I藥液的消耗量。
[0036]另外，在與基板的主面相向的板的液體保持面上形成第2藥液的液膜，另一方面，使基板的主面與液體保持面接近，來使基板的主面與第2藥液的液膜接觸，由此基板的主面的整個(gè)區(qū)域同時(shí)與第2藥液接觸。由此，能夠使第2藥液處理在基板主面的整個(gè)區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上同時(shí)開始，因此能夠在不損害在基板主面內(nèi)的第2藥液處理的均勻性的情況下，抑制第2藥液的消耗量。
[0037]由此，在第I藥液處理以及第2藥液處理中，能夠降低運(yùn)營成本且提高基板處理的面內(nèi)均勻性。
[0038]本發(fā)明的基板處理方法，在具有將基板保持為水平姿勢的基板保持單元的基板處理裝置中執(zhí)行，包括:液膜形成工序，向與所述基板的主面的下方相向的水平且平坦的液體保持面供給處理液，來在所述液體保持面上形成處理液液膜；接觸工序，使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述處理液液膜接觸；接觸維持工序，在所述接觸工序后執(zhí)行，在該接觸維持工序中，維持處理液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
[0039]在該方法中，能夠進(jìn)行與基板處理裝置的發(fā)明相同的變形。
[0040]本發(fā)明中的上述的或進(jìn)一步其它的目的、特征以及效果，通過參照附圖如下所述的實(shí)施方式的說明而更明確。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是示意性表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0042]圖2是用于說明圖1所示的基板處理裝置的電結(jié)構(gòu)的框圖。
[0043]圖3是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第I處理例的流程圖。
[0044]圖4A?圖4C是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第I處理例的示意圖(其 I)。
[0045]圖4D?圖4F是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第I處理例的示意圖(其 2)。
[0046]圖4G?圖41是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第I處理例的示意圖(其 3)。
[0047]圖4J?圖4L是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第I處理例的示意圖(其 4)。
[0048]圖4M?圖40是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第I處理例的示意圖(其 5)。
[0049]圖5是表示形成在晶片的上表面上的處理液的液膜的圖。
[0050]圖6是用于說明第I處理例的變形例的示意圖(其I)。
[0051]圖7是用于說明第I處理例的變形例的示意圖(其2)。
[0052]圖8是用于說明第I處理例的變形例的示意圖(其3)。
[0053]圖9是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第2處理例的流程圖。
[0054]圖1OA?圖1OB是用于說明第2處理例的示意圖(其I)。
[0055]圖1OC?圖1OE是用于說明第2處理例的示意圖(其2)。
[0056]圖11是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第3處理例的流程圖。
[0057]圖12是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第4處理例的流程圖。
[0058]圖13是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第5處理例的流程圖。
[0059]圖14是用于說明圖1所示的基板處理裝置所執(zhí)行的第6處理例的流程圖。
[0060]圖15是示意性表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0061]圖16是示意性表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0062]圖17是示意性表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0063]圖18是表示在圖16所示的下旋轉(zhuǎn)基座的上表面形成有處理液的液膜的狀態(tài)的剖視圖。
[0064]圖19是示意性表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0065]圖20A?圖20B是用于說明圖19所示的基板處理裝置所執(zhí)行的處理的一個(gè)例子的示意圖。
[0066]圖21是表示本發(fā)明的第6實(shí)施方式的圖。
[0067]圖22是表示本發(fā)明的第7實(shí)施方式的圖。
[0068]圖23是表示本發(fā)明的第8實(shí)施方式的圖。
[0069]圖24是用于說明在使用蝕刻液作為處理液的情況下，在基板的旋轉(zhuǎn)中心(中間)和周端部(邊緣)上的蝕刻處理量的差異的模型圖(基板轉(zhuǎn)速為比較低的速度的情況)。
[0070]圖25是用于說明在使用蝕刻液作為處理液的情況下，在基板的旋轉(zhuǎn)中心(中間)和周端部(邊緣)上的蝕刻處理量的差異的模型圖(基板轉(zhuǎn)速為比較高的速度的情況)。

【具體實(shí)施方式】
[0071]圖1是示意性表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的基板處理裝置I的結(jié)構(gòu)的圖。
[0072]基板處理裝置I是利用處理液(藥液(例如，第I藥液、第2藥液以及第3藥液這3種藥液)以及沖洗液(去離子水:de1nized water))逐個(gè)地對作為基板的一個(gè)例子的圓形的半導(dǎo)體晶片(以下，僅稱為“晶片”)W進(jìn)行處理的單張式基板處理裝置。
[0073]基板處理裝置I在由隔壁(未圖示)劃分形成的處理室3內(nèi)具有:基板下保持機(jī)構(gòu)4，其一邊從下方將晶片W保持為水平姿勢，一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)；基板上保持機(jī)構(gòu)(基板保持單元)5，其配置在基板下保持機(jī)構(gòu)4的上方，一邊將晶片W保持為水平姿勢，一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)；杯部6，其容置基板下保持機(jī)構(gòu)4。
[0074]基板下保持機(jī)構(gòu)4具有:筒狀的下旋轉(zhuǎn)軸7，其沿著鉛垂方向延伸；圓板狀的下旋轉(zhuǎn)基座8，其以水平姿勢安裝在下旋轉(zhuǎn)軸7的上端；多個(gè)(3個(gè)以上，例如6個(gè))下夾持構(gòu)件10，其配置在該下旋轉(zhuǎn)基座8的周緣上。多個(gè)下夾持構(gòu)件10在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面(液體保持面)11的周緣部，隔開適當(dāng)?shù)拈g隔，配置在與晶片W的外周形狀對應(yīng)的圓周上。下旋轉(zhuǎn)基座8例如由SiC或玻璃碳纖維等形成。旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11具有大致水平的平坦面，直徑比晶片W稍大。S卩，旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11提供大小與晶片W相同或者比晶片W大的液體保持面。
[0075]另外，在下旋轉(zhuǎn)基座8的內(nèi)部具有用于對下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11加熱的加熱器40。作為加熱器40，例如具有加熱電阻式的加熱器，加熱器40能夠?qū)⒄麄€(gè)上表面11加熱為均勻的溫度。通過對加熱器40通電，加熱器40發(fā)熱，由此均勻地對整個(gè)上表面11加熱。在下旋轉(zhuǎn)基座8的內(nèi)部設(shè)置有用于對下旋轉(zhuǎn)基座8的溫度(上表面11附近的溫度)進(jìn)行檢測的溫度傳感器39。
[0076]下夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)22與多個(gè)下夾持構(gòu)件10連接。下夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)22能夠?qū)⒍鄠€(gè)下夾持構(gòu)件10引導(dǎo)至夾持位置和開放位置，所述夾持位置是多個(gè)下夾持構(gòu)件10與晶片W的端面抵接來夾持晶片W的位置，開放位置是位于該夾持位置的晶片W的徑向外側(cè)的位置。下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11與晶片W的下表面相向，通過多個(gè)下夾持構(gòu)件10夾持晶片W,將晶片W保持在基板下保持機(jī)構(gòu)4上。在晶片W被基板下保持機(jī)構(gòu)4保持的狀態(tài)下，晶片W的中心位于下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線上。
[0077]下旋轉(zhuǎn)軸7為中空軸，在下旋轉(zhuǎn)軸7的內(nèi)部穿插有向加熱器40(加熱單元)供電的供電線(未圖示)，并且穿插有下表面供給管12。下表面供給管12與在下旋轉(zhuǎn)基座8的厚度方向上貫通下旋轉(zhuǎn)基座8的中心部的貫通孔13連通。另外，該貫通孔13與在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11的中心部形成開口的下噴出口(處理液噴出口、藥液噴出口、沖洗液噴出口、干燥氣體噴出口)14連通。
[0078]常溫(約25°C )的第I藥液、常溫的第2藥液、常溫的第3藥液、常溫的DIW等沖洗液、干燥氣體以及常溫的IPA有機(jī)溶劑分別經(jīng)由第I藥液下閥(藥液供給單元)15、第2藥液下閥(藥液供給單元)16、第3藥液下閥(藥液供給單元)17、沖洗液下閥(沖洗液供給單元)18、干燥氣體下閥(處理液供給單元)19以及有機(jī)溶劑下閥(處理液供給單元)20供給至下表面供給管12。供給至下表面供給管12的第I藥液、第2藥液、第3藥液、沖洗液、干燥氣體以及有機(jī)溶劑從下噴出口 14向上方噴出。此外，在圖1中，僅示出了 I個(gè)下噴出口 14，但是下噴出口 14可以具有多個(gè)噴出口。此時(shí)，可以針對處理流體設(shè)置噴出口，多個(gè)處理流體之間可以共用噴出口。例如，作為液體類的處理流體(第I藥液?第3藥液、沖洗液以及有機(jī)溶劑)可以從一個(gè)噴出口噴出，作為氣體類的處理流體(干燥氣體)可以從其他的噴出口噴出。但是，下噴出口 14所包含的所有的噴出口都配置在如下所述的旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線即下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11的中心或其附近的位置。
[0079]另外，包括馬達(dá)等驅(qū)動源的下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21與下旋轉(zhuǎn)軸7連接。通過從該下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21向下旋轉(zhuǎn)軸7輸入驅(qū)動力，使下旋轉(zhuǎn)基座8旋轉(zhuǎn)，由此，使晶片W圍繞通過晶片W中心的鉛垂方向上的旋轉(zhuǎn)軸線(下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線)旋轉(zhuǎn)。
[0080]基板上保持機(jī)構(gòu)5具有:上旋轉(zhuǎn)軸24，其具有與下旋轉(zhuǎn)軸7公共的旋轉(zhuǎn)軸線(同一直線上的旋轉(zhuǎn)軸線)；圓板狀的上旋轉(zhuǎn)基座25，其以水平姿勢安裝在上旋轉(zhuǎn)軸24的下端；多個(gè)(3個(gè)以上，例如6個(gè))上夾持構(gòu)件27，其配置在該上旋轉(zhuǎn)基座25的周緣上。上旋轉(zhuǎn)基座25在下旋轉(zhuǎn)基座8的上方與下旋轉(zhuǎn)基座8相向。多個(gè)上夾持構(gòu)件27在上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26的周緣部，隔開適當(dāng)?shù)拈g隔，配置在與晶片W的外周形狀對應(yīng)的圓周上。上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26具有大致水平的朝下的平坦面，直徑比晶片W稍大。在晶片W保持在基板上保持機(jī)構(gòu)5上的狀態(tài)下，晶片W的中心位于上旋轉(zhuǎn)軸24的中心軸線上，即下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線上。
[0081]多個(gè)上夾持構(gòu)件27，以在上旋轉(zhuǎn)基座25配置在后述的接近位置時(shí)，與設(shè)置在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11的周緣部上的多個(gè)下夾持構(gòu)件10都不接觸的方式，配置為與多個(gè)下夾持構(gòu)件10都不相向。具體地說,通過控制上旋轉(zhuǎn)基座25以及下旋轉(zhuǎn)基座8的相對旋轉(zhuǎn)位置，使多個(gè)上夾持構(gòu)件27與任意一個(gè)下夾持構(gòu)件10都不相向。
[0082]上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28與多個(gè)上夾持構(gòu)件27連接。上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28能夠?qū)⒍鄠€(gè)上夾持構(gòu)件27引導(dǎo)至夾持位置和開放位置，所述夾持位置是多個(gè)上夾持構(gòu)件27與晶片W的端面抵接來夾持晶片W的位置，所述開放位置是該夾持位置的晶片W的徑向外側(cè)的位置。
[0083]一邊使上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26與晶片W的上表面相向，一邊通過多個(gè)上夾持構(gòu)件27夾持晶片W,由此在基板上保持機(jī)構(gòu)5上保持晶片W。
[0084]用于使上旋轉(zhuǎn)基座25升降的上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)(移動單元)29與上旋轉(zhuǎn)軸24連接。通過上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，上旋轉(zhuǎn)基座25在向下旋轉(zhuǎn)基座8的上方分離的分離位置(上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26處于與下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面例如相隔15?20mm的上方的位置,后述的圖4D等所示的位置)和隔開間隔與被基板下保持機(jī)構(gòu)4保持的晶片W的上表面接近的接近位置(后述的圖4C等所示的位置)之間升降。在本實(shí)施方式中，基板上保持機(jī)構(gòu)5的接近位置是，使被基板上保持機(jī)構(gòu)5所保持的晶片W的下表面和下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11之間的間隔形成為比在上表面11上形成的第I藥液的液膜(藥液液膜)51的厚度(例如2mm左右)小的微小間隔(例如1.5mm的程度)的高度位置。
[0085]在基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在接近位置的狀態(tài)下，在基板下保持機(jī)構(gòu)4和基板上保持機(jī)構(gòu)5之間交接晶片W。另外，在上旋轉(zhuǎn)基座25配置在搬運(yùn)位置(后述的圖4A等所示的位置)的狀態(tài)下，在基板上保持機(jī)構(gòu)5和搬運(yùn)臂AR之間交接晶片W。該基板上保持機(jī)構(gòu)5的搬運(yùn)位置被設(shè)定在，搬運(yùn)臂AR能夠進(jìn)入基板上保持機(jī)構(gòu)5的上旋轉(zhuǎn)基座25和基板下保持機(jī)構(gòu)4的下旋轉(zhuǎn)基座8之間進(jìn)行晶片W的交付動作以及獲取動作的高度位置。在該實(shí)施方式中，搬運(yùn)位置設(shè)定在分離位置的上方，該搬運(yùn)位置設(shè)定在，使處于搬運(yùn)位置的上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26和下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11之間的間隔為15?20mm那樣的高度位置。優(yōu)選將搬運(yùn)位置和分離位置設(shè)定在盡可能近的位置。此時(shí)，能夠縮短基板上保持機(jī)構(gòu)5在分離位置和搬運(yùn)位置之間移動所需要的時(shí)間。
[0086]針對各個(gè)晶片W，上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29使上旋轉(zhuǎn)基座25沿鉛垂方向移動。因此，在晶片W被基板上保持機(jī)構(gòu)5保持的狀態(tài)下，不論基板上保持機(jī)構(gòu)5位于接近位置、分離位置以及搬運(yùn)位置中的哪個(gè)位置，晶片W的中心都位于上旋轉(zhuǎn)軸24的中心軸線上。
[0087]另外，包括馬達(dá)等驅(qū)動源的上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)30與上旋轉(zhuǎn)軸24連接。通過從該上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)30向上旋轉(zhuǎn)軸24輸入驅(qū)動力，使上旋轉(zhuǎn)基座25旋轉(zhuǎn)，由此使晶片W圍繞通過晶片W中心的鉛垂方向上的旋轉(zhuǎn)軸線(上旋轉(zhuǎn)軸24的中心軸線)旋轉(zhuǎn)。
[0088]杯部6具有:筒狀的外壁33以及內(nèi)壁34，其沿鉛垂方向延伸；環(huán)狀的底部35，其在外壁33和內(nèi)壁34之間將它們的下端連接。外壁33包圍下旋轉(zhuǎn)基座8，其上部越朝向上方越細(xì)。在底部35連接有用于將積存在底部35的處理液向廢液槽(未圖示)引導(dǎo)的廢液配管37。從下旋轉(zhuǎn)基座8的周緣部飛散的處理液在被外壁33阻擋后，被引導(dǎo)至底部35，從而成為廢液。由此，防止處理液向杯部6的周圍飛散。
[0089]圖2是用于說明基板處理裝置I的電結(jié)構(gòu)的框圖。
[0090]基板處理裝置I具有包括微型計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的控制單元50?？刂茊卧?0控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29、上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)30、下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21、上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28、下夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)22等的動作。另外，控制單元50控制第I藥液下閥15、第2藥液下閥16、第3藥液下閥17、沖洗液下閥18、干燥氣體下閥19、有機(jī)溶劑下閥20的開閉動作。
[0091]控制單元50按照計(jì)算機(jī)程序進(jìn)行動作，由此進(jìn)行多個(gè)功能處理單元的動作。多個(gè)功能處理單元包括低速旋轉(zhuǎn)控制單元50a、高速旋轉(zhuǎn)控制單元50b以及處理液供給控制單元50c。在幾個(gè)處理例中，低速旋轉(zhuǎn)控制單元50a控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8以處理液能夠保持在旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11和晶片W的下表面之間的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。在幾個(gè)處理例中，高速旋轉(zhuǎn)控制單元50b控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8以能夠使處理液從其上表面甩出的高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。在幾個(gè)處理例中，處理液供給控制單元50c控制處理液向晶片W的供給，在處理液與晶片W接觸時(shí)，停止向旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11供給處理液。
[0092]另外，向控制單元50輸入來自溫度傳感器39的檢測輸出，控制單元50基于來自溫度傳感器39的檢測輸出，控制是否向該加熱器40通電，以及控制其供給電流。控制單元50使加熱器40通電，來使加熱器40發(fā)熱。另外，通過控制單元50控制向加熱器40供給的電流，能夠通過加熱器進(jìn)行加熱使下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11升溫至規(guī)定的溫度。
[0093]圖3是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的一個(gè)處理例的流程圖。圖4A?圖40是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的第I處理例的示意圖。第I處理例是利用一種藥液和沖洗液的處理例。以將第I藥液用作藥液的情況為例進(jìn)行說明。以下參照圖1?圖5說明第I處理例。
[0094]如圖4A所示，在進(jìn)行處理時(shí)，通過搬運(yùn)臂AR向處理室3搬入未處理的晶片W(圖3的步驟SI)。在搬入晶片W時(shí)，基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在搬運(yùn)位置。搬運(yùn)臂AR以晶片W的處理對象面(主面)朝向下方的狀態(tài)，將晶片W交接給基板上保持機(jī)構(gòu)5。在交接晶片W時(shí)，驅(qū)動基板上保持機(jī)構(gòu)5的上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28,將多個(gè)上夾持構(gòu)件27從開放位置引導(dǎo)至夾持位置，來將晶片W保持在基板上保持機(jī)構(gòu)5上。由此，實(shí)現(xiàn)晶片W從搬運(yùn)臂AR向基板上保持機(jī)構(gòu)5的交接。
[0095]另外，如圖4A所示，與晶片W的搬入動作并行，控制單元50打開第I藥液下閥15。由此，開始從下噴出口 14噴出第I藥液。此時(shí)的從下噴出口 14噴出第I藥液的噴出流量例如為0.1?I (升/分鐘)左右。
[0096]另外，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的第I藥液攪拌轉(zhuǎn)速(例如10?10rpm)旋轉(zhuǎn)。
[0097]如圖4A所示，通過從下噴出口 14噴出第I藥液，在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11形成大致圓形的第I藥液的液膜51。從下噴出口 14噴出的第I藥液被后續(xù)的第I藥液推動而在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11上向外側(cè)擴(kuò)展。但是，由于第I藥液攪拌轉(zhuǎn)速為比較低的速度，所以作用于上表面11上的第I藥液的離心力小，因此從下旋轉(zhuǎn)基座8的周緣排出的第I藥液的流量小，大量的第I藥液停留在上表面11上。因此，如圖4B所示，形成覆蓋下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11的規(guī)定厚度(例如2mm左右)的第I藥液的液膜(處理液的液膜)51。由于從形成在上表面11的大致中心的下噴出口 14向上表面11供給第I藥液，所以液體不會濺起，而能夠快速地在整個(gè)上表面11上形成第I藥液的液膜51。
[0098]如圖5所示，第I藥液的液膜51除了在其周緣部(距離周端面的寬度為WO的范圍)形成的彎曲部55之外，具有成為水平平坦面的上表面51A。在此所說的“平坦面”是指，在使晶片W的下表面與液I吳51接觸時(shí)，對晶片W的下表面的中央部和周緣部進(jìn)行處理的處理開始時(shí)間不產(chǎn)生差異的程度的實(shí)質(zhì)平坦面。此外，第I藥液攪拌轉(zhuǎn)速是能夠通過第I藥液的液膜51覆蓋下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11的速度。
[0099]在打開第I藥液下閥15經(jīng)過了預(yù)定的液膜形成時(shí)間時(shí)，控制單元50關(guān)閉第I藥液下閥15，并且控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8停止旋轉(zhuǎn)。該液膜形成時(shí)間被設(shè)定為，在打開第I藥液下閥15后形成將下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11覆蓋的第I藥液的液膜51所需的足夠的時(shí)間。
[0100]另外，如圖4B所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5向接近位置下降。由此，晶片W的下表面與下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11接近。此時(shí)，控制單元50通過控制上旋轉(zhuǎn)基座25以及下旋轉(zhuǎn)基座8的相對旋轉(zhuǎn)位置，使多個(gè)上夾持構(gòu)件27與任意一個(gè)下夾持構(gòu)件10都不相向。
[0101]如上所述，在基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在接近位置的狀態(tài)下，晶片W的下表面與下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11之間的間隔被設(shè)定為比第I藥液的液膜51的厚度小。因此，如圖4C所示，通過使基板上保持機(jī)構(gòu)5下降至接近位置，能夠使晶片W的下表面與形成在上表面11上的第I藥液的液膜51的上表面51A(參照圖5)接觸。
[0102]第I藥液的液膜51與晶片W同心，且具有比晶片W稍大的直徑，而且，晶片W被保持為水平姿勢，因此晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與第I藥液的液膜51的上表面51A接觸。即，晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與第I藥液接觸。在該狀態(tài)下，在晶片W的下表面與上表面11之間充滿第I藥液，此后，維持第I藥液與晶片W的下表面的接觸狀態(tài)，由此，通過第I藥液對晶片W的下表面進(jìn)行處理(S2:藥液處理)。
[0103]此外，優(yōu)選將基板上保持機(jī)構(gòu)5的開始下降時(shí)機(jī)設(shè)定為，在剛形成覆蓋整個(gè)上表面11的第I藥液的液膜51之后(形成結(jié)束后，例如5秒鐘以內(nèi))，晶片W的下表面與第I藥液的液膜51的上表面51A接觸那樣的時(shí)機(jī)。若第I藥液的液膜51形成后長時(shí)間暴露在處理室3內(nèi)的環(huán)境中，則處理室3內(nèi)的環(huán)境中含有的空氣可能使第I藥液的液膜51的表面氧化。通過將基板上保持機(jī)構(gòu)5的開始下降時(shí)機(jī)設(shè)定為這樣的時(shí)機(jī)，能夠防止第I藥液的液膜51的表面氧化，能夠防止第I藥液的液膜51含有的第I藥液劣化。
[0104]在基板上保持機(jī)構(gòu)5到達(dá)接近位置時(shí)，從基板上保持機(jī)構(gòu)5向基板下保持機(jī)構(gòu)4交接晶片W。在基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在接近位置的狀態(tài)下，上夾持構(gòu)件27和下夾持構(gòu)件10的高度大致相等。因此，多個(gè)下夾持構(gòu)件10位于晶片W的周緣的側(cè)方。
[0105]具體地說，驅(qū)動下夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)22，將多個(gè)下夾持構(gòu)件10從開放位置引導(dǎo)至夾持位置。另外，驅(qū)動上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28，將多個(gè)上夾持構(gòu)件27從夾持位置引導(dǎo)至開放位置。由此，解除基板上保持機(jī)構(gòu)5對晶片W的保持，將晶片W保持在基板下保持機(jī)構(gòu)4上。由此，完成晶片W從基板上保持機(jī)構(gòu)5向基板下保持機(jī)構(gòu)4的交接。此外，基板上保持機(jī)構(gòu)5和基板下保持機(jī)構(gòu)4之間的晶片W的交接動作，在維持第I藥液與晶片W的下表面接觸的接觸狀態(tài)下進(jìn)行。由此，能夠防止因接觸時(shí)因液體流動而使晶片W微動或擺動的情況，能夠一邊防止在周緣部產(chǎn)生空隙，一邊可靠地交接晶片W。
[0106]接著，如圖4D所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使不保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5從接近位置上升至分離位置。
[0107]另外，如圖4D所示，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，針對各個(gè)晶片W，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定的轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)(作為低速旋轉(zhuǎn)控制單元50a的功能)。由此，能夠使上表面11和晶片W的下表面之間夾持的第I藥液流動且進(jìn)行攪拌，從而能夠防止在晶片W的下表面的面內(nèi)產(chǎn)生不均。只要是這樣的低轉(zhuǎn)速，即使使晶片W旋轉(zhuǎn)，也幾乎不會在晶片W的下表面和上表面11之間的第I藥液(第I藥液的液膜51)內(nèi)產(chǎn)生空隙。此外，此時(shí)可以向晶片W的下表面和上表面11之間供給第I藥液。
[0108]在基板下保持機(jī)構(gòu)4接受晶片W后經(jīng)過了預(yù)定的第I藥液處理時(shí)間時(shí)，控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21,使下旋轉(zhuǎn)基座8停止旋轉(zhuǎn)。另外,從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W。在從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W之前，如圖4E所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使基板上保持機(jī)構(gòu)5從分離位置下降至接近位置。在基板上保持機(jī)構(gòu)5到達(dá)接近位置時(shí)，從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W。在該接近位置，多個(gè)上夾持構(gòu)件27位于晶片W的周緣的側(cè)方。
[0109]具體地說，驅(qū)動上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28，從開放位置向夾持位置引導(dǎo)多個(gè)上夾持構(gòu)件27，并且驅(qū)動下夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)22，從夾持位置向開放位置引導(dǎo)多個(gè)下夾持構(gòu)件
10。由此，解除基板下保持機(jī)構(gòu)4對晶片W的保持，晶片W被基板上保持機(jī)構(gòu)5保持。由此，完成晶片W從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5的交接動作。
[0110]接著，如圖4F所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使接受了晶片W后的基板上保持機(jī)構(gòu)5上升至分離位置。
[0111]另外，如圖4F所示，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線，以高轉(zhuǎn)速(例如100rpm以上)旋轉(zhuǎn)(作為高速旋轉(zhuǎn)控制單元50b的功能)。該高轉(zhuǎn)速是能夠從下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11甩出第I藥液的速度。通過該下旋轉(zhuǎn)基座8的高速旋轉(zhuǎn)，從下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11甩出除去第I藥液。
[0112]另外，如圖4F所示，控制單元50控制上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)30，針對各個(gè)晶片W，使配置在分離位置上的上旋轉(zhuǎn)基座25圍繞上旋轉(zhuǎn)軸24的中心軸線，以中轉(zhuǎn)速(例如500rpm左右)旋轉(zhuǎn)。該中轉(zhuǎn)速是不能夠使第I藥液完全從晶片W的下表面甩出，而殘留有薄的第I藥液的速度。由此，能夠防止第I藥液凝固附著而成為藥液殘?jiān)４送?，在第I藥液不是形成藥液殘?jiān)鴰韾毫佑绊懙姆N類的藥液的情況下，可以以高速(例如100rpm以上)使上旋轉(zhuǎn)基座25旋轉(zhuǎn)，將第I藥液從晶片W的下表面完全甩出。因此，由于在第I藥液處理之后執(zhí)行的沖洗處理(圖3的步驟S3)開始執(zhí)行時(shí)，在晶片W的下表面沒有附著第I藥液，所以能夠抑制第I藥液混入沖洗液。結(jié)果，能夠提高沖洗處理效率，由此能夠縮短沖洗處理時(shí)間。
[0113]如圖4G所示，通過下旋轉(zhuǎn)基座8的高速旋轉(zhuǎn)，下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11的第I藥液因下旋轉(zhuǎn)基座8的旋轉(zhuǎn)而被甩出，而從上表面11除去。由此，能夠防止在上表面11上殘留第I藥液。尤其，由于上表面11的整個(gè)區(qū)域形成為平坦面，所以在甩出第I藥液時(shí)，第I藥液難于殘留。因此，在接著第I藥液處理執(zhí)行的沖洗處理中，還能夠高效地沖洗上表面11本身。
[0114]接著，執(zhí)行沖洗處理(圖3的步驟S3)。
[0115]如圖4H所示，控制單元50打開沖洗液下閥18。由此，開始從下噴出口 14噴出沖洗液。此時(shí)的來自下噴出口 14的沖洗液的噴出流量例如為0.1?I (升/分鐘)左右。
[0116]另外，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線，以規(guī)定的沖洗液攪拌轉(zhuǎn)速(例如10?10rpm)旋轉(zhuǎn)。
[0117]如圖4H所示，通過從下噴出口 14噴出沖洗液，在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11形成大致圓形的沖洗液的液膜52。從下噴出口 14噴出的沖洗液被后續(xù)的沖洗液推動，而在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11上向外側(cè)擴(kuò)展。但是，由于沖洗液攪拌轉(zhuǎn)速為比較低的速度，作用于上表面11上的沖洗液的離心力小，所以從下旋轉(zhuǎn)基座8的周緣排出的第I藥液的流量小，大量的沖洗液停留在上表面11上。因此，如圖41所示，形成將下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11覆蓋的規(guī)定厚度(例如2_左右)的沖洗液的液膜(處理液的液膜)52。由于從形成在上表面11的大致中心的下噴出口 14向上表面11供給沖洗液，所以液體不會濺起，而能夠快速地使沖洗液形成在上表面11的整個(gè)區(qū)域上。
[0118]如圖5所示，沖洗液的液膜52除了在其周緣部(距離周緣的寬度為WO的范圍)形成的彎曲部55之外，具有成為水平平坦面的上表面52A。在此所說的“平坦面”是在晶片W的下表面與液膜52接觸時(shí)，對晶片W的下表面的中央部和周緣部進(jìn)行處理的處理開始時(shí)間不產(chǎn)生差異的程度的實(shí)質(zhì)平坦面。此外，沖洗液攪拌轉(zhuǎn)速是能夠通過沖洗液的液膜52覆蓋下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11的速度。
[0119]在打開從沖洗液下閥18經(jīng)過預(yù)定的液膜形成時(shí)間時(shí)，控制單元50關(guān)閉沖洗液下閥18，并且控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8停止旋轉(zhuǎn)。該液膜形成時(shí)間被設(shè)定為，在打開沖洗液下閥18后形成將下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11覆蓋的沖洗液的液膜52所需的足夠的時(shí)間。
[0120]另外，如圖41所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5向接近位置下降。由此，晶片W的下表面和下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11接近。在基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在接近位置的狀態(tài)下，晶片W的下表面和下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11之間的間隔被設(shè)定為比沖洗液的液膜52的厚度小。因此，如圖4J所示，通過使基板上保持機(jī)構(gòu)5下降至接近位置，能夠使晶片W的下表面與形成在上表面11上的沖洗液的液膜52的上表面52A(參照圖5)接觸。
[0121]沖洗液的液膜52與晶片W同心，其具有比晶片W稍大的直徑，而且，晶片W被保持為水平姿勢，因此晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與沖洗液的液膜52的上表面52A接觸。S卩，晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與沖洗液接觸。在該狀態(tài)下，在晶片W的下表面和上表面11之間充滿沖洗液，此后，維持沖洗液與晶片W的下表面的接觸狀態(tài)，由此，通過沖洗液對附著在晶片W的下表面上的第I藥液進(jìn)行沖洗。通過沖洗液的液膜52還能夠?qū)ο滦D(zhuǎn)基座8的上表面11本身進(jìn)行沖洗處理。
[0122]在基板上保持機(jī)構(gòu)5到達(dá)接近位置時(shí),從基板上保持機(jī)構(gòu)5向基板下保持機(jī)構(gòu)4交接晶片W。一邊維持沖洗液與晶片W的下表面的接觸狀態(tài)，一邊在基板上保持機(jī)構(gòu)5和基板下保持機(jī)構(gòu)4之間交接晶片W。
[0123]接著，如圖4K所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使不保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5從接近位置上升至分離位置。
[0124]另外，如圖4K所示，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，針對各個(gè)晶片W，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)(作為低速旋轉(zhuǎn)控制單元50a的功能)。由此，能夠攪拌沖洗液。只要是這樣的低轉(zhuǎn)速，即使使晶片W旋轉(zhuǎn)，也幾乎不會在晶片W的下表面和上表面11之間的沖洗液(沖洗液的液膜52)內(nèi)產(chǎn)生空隙。此外，此時(shí)可以向晶片W的下表面和上表面11之間供給沖洗液。
[0125]在基板下保持機(jī)構(gòu)4接受晶片W后經(jīng)過預(yù)定的沖洗處理時(shí)間時(shí)，控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21,使下旋轉(zhuǎn)基座8停止旋轉(zhuǎn)。另外,從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W。在從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W之前，如圖4L所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使基板上保持機(jī)構(gòu)5從分離位置下降至接近位置。在基板上保持機(jī)構(gòu)5到達(dá)接近位置時(shí)，從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W。
[0126]接著，如圖4M所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使接受了晶片后的基板上保持機(jī)構(gòu)5上升至分離位置。
[0127]另外如圖4M所示，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以高轉(zhuǎn)速(例如100rpm以上)旋轉(zhuǎn)(作為高速旋轉(zhuǎn)控制單元50b的功能)。該高轉(zhuǎn)速是能夠從下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11甩出沖洗液的速度。如圖4N所示，通過下旋轉(zhuǎn)基座8的高速旋轉(zhuǎn)，下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11的沖洗液因下旋轉(zhuǎn)基座8的旋轉(zhuǎn)而被甩出，由此從上表面11除去。由此，能夠防止在上表面11上殘留沖洗液。尤其，由于上表面11的整個(gè)區(qū)域形成為平坦面，所以在甩出沖洗液時(shí)，沖洗液難于殘留。
[0128]接著，說明對晶片W的干燥處理。
[0129]實(shí)施使晶片W以將附著在其下表面上的沖洗液甩出的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)干燥處理(圖3的步驟S4。參照圖4N)?？刂茊卧?0控制上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)30，使配置在分離位置上的上旋轉(zhuǎn)基座25所保持的晶片W以規(guī)定的高轉(zhuǎn)速(例如，100rpm以上)旋轉(zhuǎn)。通過該高速旋轉(zhuǎn)，甩出晶片W的下表面的沖洗液，來從晶片W的下表面完全除去沖洗液。
[0130]另外，如圖4N所示，與旋轉(zhuǎn)干燥并行，控制單元50打開干燥氣體下閥19，從下噴出口 14向上方噴出干燥氣體。由此，向配置在分離位置的基板上保持機(jī)構(gòu)5所保持的晶片W的下表面吹拂干燥氣體。此時(shí)的干燥氣體的噴出流量例如為100?200 (升/分鐘)。通過吹拂該干燥氣體，能夠促進(jìn)晶片W的下表面干燥。干燥氣體可以是作為非活性氣體的一個(gè)例子的氮?dú)?。另外，此時(shí)能夠代替氮?dú)饣蚺c氮?dú)庖徊PA等有機(jī)溶劑的蒸氣等向晶片W的下表面吹拂，從而能夠進(jìn)一步促進(jìn)晶片W的下表面干燥。此外，在進(jìn)行該干燥處理時(shí)，不將保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在分離位置，而配置在接近位置的稍上方，可以將基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在基板上保持機(jī)構(gòu)5和基板下保持機(jī)構(gòu)4不干涉的位置上。
[0131]此外，優(yōu)選圖4M所示的下旋轉(zhuǎn)基座8的高速旋轉(zhuǎn)和圖4N所示的旋轉(zhuǎn)干燥并行執(zhí)行。此時(shí)，能夠在沖洗處理后立即進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥，結(jié)果，能夠縮短整體的處理時(shí)間。
[0132]在旋轉(zhuǎn)干燥動作進(jìn)行了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制單元50控制上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)30，使上旋轉(zhuǎn)基座25以及晶片W停止旋轉(zhuǎn)。此后，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使上旋轉(zhuǎn)基座25移動至搬運(yùn)位置。另外，在搬運(yùn)臂AR能夠保持晶片W的狀態(tài)下，控制單元50控制基板上保持機(jī)構(gòu)5的上夾持構(gòu)件驅(qū)動機(jī)構(gòu)28，將多個(gè)上夾持構(gòu)件27從夾持位置引導(dǎo)至開放位置。由此，解除基板上保持機(jī)構(gòu)5與晶片W之間的卡合，來實(shí)現(xiàn)從基板上保持機(jī)構(gòu)5向搬運(yùn)臂AR交接晶片W的動作。此后，實(shí)施了一系列的處理的晶片W被搬運(yùn)臂AR搬出(圖3的步驟S5)。
[0133]由此，在第I處理例中，在與晶片W的下表面相向的下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11形成第I藥液的液膜51，另外，使晶片W的下表面和上表面11接近，來使晶片W的下表面與第I藥液的液膜51接觸，從而使晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與第I藥液接觸。由此，在晶片W的整個(gè)下表面上，能夠使藥液處理(第I藥液處理)實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始。由于在第I藥液與晶片W接觸之前，停止從下噴出口 14噴出第I藥液，所以不損害在晶片W下表面的面內(nèi)進(jìn)行的處理的均勻性，能夠控制第I藥液的消耗量。由于在晶片W的整個(gè)下表面，藥液處理實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始，所以能夠使晶片W的中央部和周緣部的處理時(shí)間均等。
[0134]另外，在第I處理例中，在與晶片W的下表面相向的上旋轉(zhuǎn)基座25的上表面11形成沖洗液的液膜52，另外，使晶片W的下表面和上表面11接近，來使晶片W的下表面與沖洗液的液膜52接觸，從而使晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與沖洗液接觸。由此，在晶片W的整個(gè)下表面，能夠使沖洗處理實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始。由于在沖洗液與晶片W接觸之前，停止從下噴出口 14噴出沖洗液，所以能夠抑制沖洗液的消耗量。由于對晶片W的整個(gè)下表面的沖洗動作實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始，所以能夠使晶片W的中央部和周緣部的處理時(shí)間均等。
[0135]由此，能夠在藥液處理(第I藥液處理)以及沖洗處理中，能夠降低運(yùn)營成本且提高在面內(nèi)進(jìn)行的基板處理的均勻性。
[0136]圖6?圖8使用于說明第I處理例的變形例的示意圖。
[0137]在圖6所示的變形例中，不在基板上保持機(jī)構(gòu)5保持晶片W的狀態(tài)下，而在基板下保持機(jī)構(gòu)4保持晶片W的狀態(tài)下，從下旋轉(zhuǎn)基座8甩出第I藥液(相當(dāng)于圖4F)。具體地說，在晶片W保持在下旋轉(zhuǎn)基座8上的狀態(tài)，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以高轉(zhuǎn)速(例如100rpm以上)旋轉(zhuǎn)。在下旋轉(zhuǎn)基座8旋轉(zhuǎn)的同時(shí)晶片W也旋轉(zhuǎn)。由此，不僅能夠從下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11甩出第I藥液，還能夠從晶片W的下表面甩出第I藥液。
[0138]在采用該變形例的情況下，可以在從下旋轉(zhuǎn)基座8甩出第I藥液的動作結(jié)束后，控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使基板上保持機(jī)構(gòu)5從分離位置下降至接近位置。另外，可以在從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交付晶片W后,使接受:了晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5上升至分離位置。
[0139]另外，此時(shí)能夠在基板下保持機(jī)構(gòu)4保持晶片W的狀態(tài)不變，不需要配置在分離位置，而通過向晶片W的下表面和上表面11之間供給沖洗液，直接轉(zhuǎn)移至沖洗處理。此時(shí)，能夠在不經(jīng)過晶片W的升降動作的情況下進(jìn)行沖洗處理，因此能夠縮短處理時(shí)間。
[0140]在圖7所示的變形例中，通過向晶片W的下表面中心部供給從下噴出口 14向上方吹拂的沖洗液，進(jìn)行沖洗處理(相當(dāng)于圖4H、圖41、圖4J以及圖4K)。向晶片W的下表面供給的沖洗液伴隨晶片W的旋轉(zhuǎn)，到達(dá)晶片W的下表面并向晶片W的周緣部流動。因此，向晶片W的下表面的中心供給的沖洗液擴(kuò)展至晶片W的整個(gè)下表面。由此，能夠通過沖洗液良好地沖洗附著在晶片W的下表面上的第I藥液。
[0141]在圖8所示的變形例中，不在基板上保持機(jī)構(gòu)5保持晶片W的狀態(tài)下，而在基板下保持機(jī)構(gòu)4保持晶片W的狀態(tài)下，從下旋轉(zhuǎn)基座8甩出沖洗液(相當(dāng)于圖4M)以及進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥(相當(dāng)于圖4N)。具體地說，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以高轉(zhuǎn)速(例如100rpm以上)旋轉(zhuǎn)。在下旋轉(zhuǎn)基座8旋轉(zhuǎn)的同時(shí)晶片W也旋轉(zhuǎn)。通過該高速旋轉(zhuǎn)，從下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11甩出第I藥液，并且甩出晶片W的下表面的沖洗液。由此，從晶片W的下表面完全除去沖洗液。由此，能夠同時(shí)從下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11和晶片W的下表面甩出沖洗液。
[0142]此時(shí)，通過驅(qū)動下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8和晶片W—體旋轉(zhuǎn)。另外，打開干燥氣體下閥19，從下噴出口 14向下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面和晶片W的下表面之間的狹窄空間中供給干燥氣體。通過供給干燥氣體，在晶片W的下表面和上表面11之間的狹窄空間中產(chǎn)生穩(wěn)定的干燥氣體的氣流，因此能夠高效地干燥晶片W。由此，能夠縮短干燥時(shí)間。
[0143]另外，在第I藥液處理結(jié)束后，能夠不從下旋轉(zhuǎn)基座8甩出第I藥液，而接著從下噴出口 14噴出沖洗液。此時(shí)，能夠?qū)⒊錆M晶片W的下表面和上表面11之間的狹窄空間中的第I藥液置換為沖洗液。
[0144]此外，在第I處理例中，列舉了在停止對上表面11供給第I藥液后，開始使晶片W的下表面和上表面11接近的例子，但是可以與停止向上表面11供給第I藥液同步地開始使晶片W的下表面和上表面11接近。
[0145]另外，還可以在形成第I藥液的液膜51后，以小流量供給第I藥液。此時(shí)，通過使下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11旋轉(zhuǎn)，能夠向上表面11的整個(gè)區(qū)域，持續(xù)向第I藥液的液膜51供給新的第I藥液。此時(shí)的第I藥液的供給流量為小流量即可，因此能夠抑制第I藥液的消耗量。
[0146]另外，在第I處理例中，列舉了在停止對上表面11供給沖洗液后，開始使晶片W的下表面和上表面11接近的例子，但是，可以與停止對上表面11供給沖洗液同步地開始使晶片W的下表面和上表面11接近。
[0147]另外，還可以在形成沖洗液的液膜52后，以小流量供給沖洗液。此時(shí)，通過使下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11旋轉(zhuǎn)，能夠向上表面11的整個(gè)區(qū)域，持續(xù)向沖洗液的液膜52供給新的沖洗液。由于此時(shí)的沖洗液的供給流量為小流量，因此能夠抑制沖洗液的消耗量。
[0148]另外，在第I處理例中，與晶片W的搬入動作并行地開始向上表面11供給處理液(藥液)，但是可以在晶片W的搬入動作之前，結(jié)束向處理液的上表面11供給處理液(藥液)。此時(shí)，能夠在基板上保持機(jī)構(gòu)5保持晶片W后，立即使基板上保持機(jī)構(gòu)5下降至接近位置。由此，能夠縮短包括在搬運(yùn)臂AR和基板上保持機(jī)構(gòu)5之間的晶片W的交接動作在內(nèi)的整體的處理時(shí)間。
[0149]接著，說明在基板處理裝置I的第I處理例中，以高溫的第I藥液對晶片W進(jìn)行第I藥液處理的情況。
[0150]在該實(shí)施方式中，向下表面供給管12供給的處理液(第I藥液?第3藥液以及沖洗液)都為常溫。另外，下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11能夠被加熱器40加熱。因此，能夠使從下噴出口 14噴出的常溫的第I藥液在上表面11升溫。
[0151]控制單元50基于配置在上表面11附近的溫度傳感器39的檢測輸出，控制向加熱器40供給的電流，由此，使下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11上升至規(guī)定的設(shè)定溫度(常溫以上的溫度)。在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11被保持為規(guī)定的設(shè)定溫度的狀態(tài)下，從下噴出口 14噴出常溫的第I藥液時(shí)，從下噴出口 14噴出的大量的第I藥液停留在上表面11上，形成第I藥液的液膜51。另外，通過與下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11之間的熱交換，液膜51包含的第I藥液也被加熱，上升至上表面11的設(shè)定溫度或接近該設(shè)定溫度的溫度。另外，通過使升溫的第I藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第I藥液處理。此時(shí)，由于上表面11的溫度在各處均勻，所以第I藥液的液膜51的溫度也在上表面11上的各處均勻。因此，能夠進(jìn)一步提高第I藥液進(jìn)行的處理的面內(nèi)均勻性。另外，由于利用高溫的處理液對晶片W進(jìn)行處理，所以能夠縮短處理時(shí)間。
[0152]接著，在基板處理裝置的第I處理例中，在通過高溫的沖洗液對晶片W實(shí)施沖洗處理時(shí)，控制單元50基于溫度傳感器39的檢測輸出，控制向加熱器40供給的電流，由此使下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11上升至規(guī)定的設(shè)定溫度(常溫以上的溫度)。在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11保持規(guī)定的設(shè)定溫度的狀態(tài)下，從下噴出口 14噴出常溫的沖洗液時(shí)，從下噴出口14噴出的大量的沖洗液停留在上表面11上，形成沖洗液的液膜52。另外，由于與下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11之間的熱交換，液膜52包含的沖洗液也被加熱，上升至上表面11的設(shè)定溫度或接近該設(shè)定溫度的溫度。另外，通過使升溫的沖洗液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施沖洗處理。
[0153]圖9是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的第2處理例的流程圖。參照圖1、圖2、圖4A以及圖9，說明第2處理例。
[0154]該第2處理例與圖3等所示的第I處理例的不同點(diǎn)在于，設(shè)置有步驟S14的有機(jī)溶劑置換處理。
[0155]在進(jìn)行第2處理例的處理時(shí)，通過搬運(yùn)臂AR(參照圖4A等)，向處理室3搬入未處理的晶片W(圖9的步驟Sll)。接著，通過使第I藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第I藥液處理(圖9的步驟S12)，此后，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，從晶片W的下表面沖洗掉第I藥液(S13:沖洗處理)。在第2處理例中，接著通過接觸角比水小的(換而言之，表面張力小)有機(jī)溶劑置換附著在晶片W的下表面上的沖洗液(圖9的步驟S14)。作為有機(jī)溶劑例示了 IPA(異丙醇)等。
[0156]在通過有機(jī)溶劑進(jìn)行置換后，接著，實(shí)施使晶片W以能夠甩出附著在其下表面上的有機(jī)溶劑的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)干燥處理(圖9的步驟S15)。此后，通過搬運(yùn)臂AR搬出實(shí)施了一系列的處理的晶片W(圖9的步驟S16)。步驟S11、S12、S13、S15、S16的處理是分別與圖3的步驟31、52、53、54、55相同的處理。
[0157]圖1OA?1E是用于說明第2處理例的示意圖。以下，參照圖1、圖2、圖5以及圖1OA?10E，說明步驟S14的有機(jī)溶劑置換處理的流程。
[0158]另外，如圖1OA所示，控制單元50打開有機(jī)溶劑下閥20。由此，開始從下噴出口14噴出有機(jī)溶劑。此時(shí)的從下噴出口 14噴出的有機(jī)溶劑的噴出流量例如為0.1?1(升/分鐘)左右。
[0159]另外，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的有機(jī)溶劑攪拌轉(zhuǎn)速(例如10?10rpm)旋轉(zhuǎn)。
[0160]如圖1OA所示，通過從下噴出口 14噴出有機(jī)溶劑，在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11形成大致圓形的有機(jī)溶劑的液膜53。從下噴出口 14噴出的有機(jī)溶劑被后續(xù)的有機(jī)溶劑推動而在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11上向外側(cè)擴(kuò)展。但是，由于有機(jī)溶劑攪拌轉(zhuǎn)速為比較低的速度，所以作用于上表面11上的有機(jī)溶劑的離心力小，因此從下旋轉(zhuǎn)基座8周緣排出的有機(jī)溶劑的流量小，大量的有機(jī)溶劑停留在上表面11上。因此，如圖1OB所示，形成將下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11覆蓋的規(guī)定厚度(例如2mm左右)的有機(jī)溶劑的液膜(處理液的液膜)53。由于從形成在上表面11的大致中心的下噴出口 14向上表面11供給有機(jī)溶劑，所以液體不會濺起，而能夠快速地在上表面11上形成有機(jī)溶劑的液膜53。
[0161]如圖5所示，有機(jī)溶劑的液膜53除了在其周緣部(距離周緣的寬度為WO的范圍)形成的彎曲部55之外，具有成為水平平坦面的上表面53A。在此所說的“平坦面”是指，在使晶片W的下表面與液膜53接觸時(shí)，對晶片W的下表面的中央部和周緣部進(jìn)行處理的處理開始時(shí)間不產(chǎn)生差異的程度的實(shí)質(zhì)平坦面。此外，有機(jī)溶劑攪拌轉(zhuǎn)速是能夠通過有機(jī)溶劑的液膜53覆蓋下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11的速度。
[0162]在打開有機(jī)溶劑下閥20經(jīng)過了預(yù)定的液膜形成時(shí)間時(shí)，控制單元50關(guān)閉有機(jī)溶劑下閥20，并且控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，使下旋轉(zhuǎn)基座8停止旋轉(zhuǎn)。該液膜形成時(shí)間被設(shè)定為，在打開有機(jī)溶劑下閥20后形成將下旋轉(zhuǎn)基座8的整個(gè)上表面11覆蓋的有機(jī)溶劑的液膜53所需的足夠的時(shí)間。
[0163]另外，如圖1OB所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5向接近位置下降。由此，晶片W的下表面和下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11接近。在基板上保持機(jī)構(gòu)5配置在接近位置的狀態(tài)下，晶片W的下表面和上表面11之間的間隔比有機(jī)溶劑的液膜53的厚度小，因此，如圖1OC所示，通過使板上保持機(jī)構(gòu)5下降至接近位置，能夠使晶片W的下表面與形成在上表面11上的有機(jī)溶劑的液膜53的上表面53A(參照圖5)接觸。
[0164]有機(jī)溶劑的液膜53與晶片W同心，且具有比晶片W稍大的直徑，而且晶片W被保持為水平姿勢，因此晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與有機(jī)溶劑的液膜53的上表面53A接觸。SP，晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與有機(jī)溶劑接觸。在該狀態(tài)下，在晶片W的下表面和上表面11之間充滿有機(jī)溶劑，此后維持有機(jī)溶劑與晶片W的下表面的接觸狀態(tài)，由此通過有機(jī)溶劑置換附著在晶片W的下表面上的沖洗液。
[0165]在基板上保持機(jī)構(gòu)5到達(dá)接近位置時(shí),從基板上保持機(jī)構(gòu)5向基板下保持機(jī)構(gòu)4交接晶片W。一邊維持晶片W的下表面與有機(jī)溶劑的液膜53的接觸狀態(tài)，一邊在基板上保持機(jī)構(gòu)5和基板下保持機(jī)構(gòu)4之間交接晶片W。
[0166]接著，如圖1OD所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使不保持晶片W的基板上保持機(jī)構(gòu)5從接近位置上升至分離位置。
[0167]另外，如圖1OD所示，控制單元50控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21，針對各個(gè)晶片W，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)。由此，能夠攪拌沖洗液。只要是這樣的低轉(zhuǎn)速，即使使晶片W旋轉(zhuǎn)，也幾乎不會在晶片W的下表面和上表面11之間的有機(jī)溶劑(有機(jī)溶劑的液膜53)內(nèi)產(chǎn)生空隙。此外，此時(shí)可以向晶片W的下表面和上表面11之間供給有機(jī)溶劑。
[0168]在基板下保持機(jī)構(gòu)4接受晶片W后經(jīng)過了預(yù)定的有機(jī)溶劑處理時(shí)間時(shí)，控制下旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)21,使下旋轉(zhuǎn)基座8停止旋轉(zhuǎn)。另外,從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W。在從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W之前，如圖1OE所示，控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使基板上保持機(jī)構(gòu)5從分離位置下降至接近位置。在基板上保持機(jī)構(gòu)5到達(dá)接近位置時(shí)，從基板下保持機(jī)構(gòu)4向基板上保持機(jī)構(gòu)5交接晶片W。
[0169]控制單元50控制上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)29，使接受了晶片后的基板上保持機(jī)構(gòu)5上升至分離位置。此后，對晶片W實(shí)施步驟S14的旋轉(zhuǎn)干燥處理。
[0170]根據(jù)第2處理例，在通過有機(jī)溶劑置換沖洗液后執(zhí)行旋轉(zhuǎn)干燥處理，因此能夠抑制或防止晶片W的圖案損壞。
[0171]圖11是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的第3處理例的流程圖。參照圖1、圖2、圖4A以及圖11，說明第3處理例。
[0172]該第3處理例與圖3等所示的第I處理例的不同點(diǎn)在于，使用相互不同的2種藥液(例如第I藥液以及第2藥液)以及沖洗液對晶片W實(shí)施處理。
[0173]在進(jìn)行第3處理例的處理時(shí)，搬運(yùn)臂AR(參照圖4A等)向處理室3搬入未處理的晶片W(圖11的步驟S21)。接著，通過使第I藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第I藥液處理(圖11的步驟S22)，此后，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，從晶片W的下表面沖洗掉第I藥液(S23:中間沖洗處理)。
[0174]接著，通過使第2藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第2藥液處理(圖11的步驟S24)，此后，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，從晶片W的下表面沖洗第2藥液(S25:最終沖洗處理)。
[0175]接著，實(shí)施使對晶片W以能夠甩出附著在其下表面的沖洗液的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)干燥處理(圖11的步驟S26)。此后，搬運(yùn)臂AR搬出實(shí)施了一系列處理的晶片W(圖11的步驟 S27)。
[0176]步驟S21、S22、S25、S26、S27的處理是分別與圖3的步驟S1、S2、S3、S4、S5相同的處理。
[0177]另外，步驟S23的中間沖洗處理是在步驟S22的第I藥液處理后且在步驟S24的第2藥液處理前執(zhí)行的中間沖洗處理，除了這一點(diǎn)之外，步驟S23的中間沖洗處理是與步驟S3的沖洗處理相同的處理。
[0178]對于步驟S24的第2藥液處理，在處理所用(與晶片W的下表面接觸)的藥液不是第I藥液而是第2藥液這一點(diǎn)上，與圖3的步驟S2的第I藥液處理不同，除了這一點(diǎn)之夕卜，是與圖3的步驟S2的第I藥液處理相同的處理。在步驟S24的第2藥液處理中，控制單元50選擇性地打開第2藥液下閥16，從下噴出口 14噴出第2藥液。由此，在上表面11形成第2藥液的液膜。然后，使晶片W的下表面和上表面11接近，使晶片W的下表面與第2藥液的液膜接觸，由此使晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與第2藥液接觸。由此，能夠在晶片W的整個(gè)下表面，實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始第2藥液處理。由于在第2藥液與晶片W接觸之前，停止從下噴出口 14噴出第2藥液，所以不損害在晶片W下表面的面內(nèi)的處理均勻性，能夠抑制第2藥液的消耗量。
[0179]如上所述，根據(jù)該第3處理例，在步驟S22的第I藥液處理和步驟S24的第2藥液處理之間，執(zhí)行步驟S23的中間沖洗處理。在進(jìn)行中間沖洗處理時(shí)，通過向上表面11供給的沖洗液沖洗附著在上表面11上的藥液(第I藥液)。由此，能夠可靠地防治第I藥液和第2藥液的混合接觸(污染(contaminat1n))。
[0180]圖12是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的第4處理例的流程圖。參照圖1、圖2、圖4A以及圖12，說明第4處理例。
[0181]該第4處理例與圖11所示的第2處理例的不同點(diǎn)在于，處理所使用的藥液追加I種，利用相互不同的3種藥液(例如第I藥液、第2藥液以及第3藥液)以及沖洗液，對晶片W實(shí)施處理。
[0182]在執(zhí)行第4處理例的處理時(shí)，通過搬運(yùn)臂AR(參照圖4A等)向處理室3搬入未處理的晶片W(圖12的步驟S31)。接著，通過使第I藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第I藥液處理(圖12的步驟S32)，此后，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，從晶片W的下表面沖洗第I藥液(S33:中間沖洗處理)。
[0183]接著，通過使第2藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第2藥液處理(圖12的步驟S34)，此后，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，從晶片W的下表面沖洗第2藥液(S35:中間沖洗處理)。
[0184]接著，通過使第3藥液與晶片W的下表面接觸，對晶片W的下表面實(shí)施第3藥液處理(圖12的步驟S36)，此后，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，從晶片W的下表面沖洗第3藥液(S37:最終沖洗處理)。
[0185]接著，實(shí)施使晶片W以能夠甩出附著其下表面的沖洗液的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)干燥處理(圖12的步驟S38)。此后，搬運(yùn)臂AR搬出實(shí)施了一系列處理的晶片W(圖12的步驟S39)。
[0186]步驟S31、S32、S33、S34、S37、S38、S39 的處理是分別與圖 11 的步驟 S21、S22、S23、S24、S25、S26、S27 相同的處理。
[0187]另外，步驟S35的中間沖洗處理是與步驟S33的中間沖洗處理(圖11的步驟S23的中間沖洗處理)相同的處理，即，與圖3的步驟S3的沖洗處理相同的處理。
[0188]步驟S36的第3藥液處理，在處理所用(與晶片W的下表面接觸)的藥液不是第I藥液而是第3藥液這一點(diǎn)上，與圖3的步驟S2的第I藥液處理不同，除了這一點(diǎn)之外，是與圖3的步驟S2的第I藥液處理相同的處理。在步驟S36的第3藥液處理中，控制單元50選擇性地打開第3藥液下閥17，從下噴出口 14噴出第3藥液。由此，在上表面11形成第3藥液的液膜。另外，使晶片W的下表面和上表面11接近，來使晶片W的下表面與第3藥液的液膜接觸，由此能夠使晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與第3藥液接觸。由此，在晶片W的整個(gè)下表面，使第3藥液處理實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始。由于在第3藥液與晶片W接觸之前，停止從下噴出口 14噴出第3藥液，所以不損害在晶片W下表面的面內(nèi)的處理均勻性，能夠抑制第3藥液的消耗量。
[0189]圖13是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的第5處理例的流程圖。第5處理例是將第4處理例具體應(yīng)用于利用RCA清洗法的清洗處理中的處理例。步驟S41、S42、S43、S44、S45、S46、S47、S48、S49 分別對應(yīng)于圖 12 的步驟 S31、S32、S33、S34、S35、S36、S37、S38、S39。以下，參照圖1、圖2以及圖13，僅說明第5處理例的與第4處理例不同的部分，而省略其它部分。
[0190]在該處理例中，利用氫氟酸(HF)作為第I藥液,利用SCl (氨過氧化氫混合液)作為第2藥液。另外,利用SC2 (鹽酸過氧化氫混合液)作為第3藥液。
[0191]此時(shí)，通過選擇性地打開第I藥液下閥15，從下噴出口 14噴出氫氟酸，并且通過選擇性地打開第2藥液下閥16，從下噴出口 14噴出SCI。另外，通過選擇性地打開第3藥液下閥17，從下噴出口 14噴出SC2。
[0192]在利用RCA清洗法進(jìn)行清洗處理時(shí)，通過搬運(yùn)臂AR將晶片W搬入處理室3內(nèi)，在使其表面朝向下方的狀態(tài)下，將其保持在基板上保持機(jī)構(gòu)5上(步驟S41)。
[0193]在步驟S42的氫氟酸處理中，通過使氫氟酸與晶片W的下表面接觸，使氫氟酸遍及晶片W的整個(gè)下表面。由此，清洗晶片W的整個(gè)下表面，除去在晶片W的表面形成的氧化膜。
[0194]在步驟S43的中間沖洗處理中，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，沖洗附著在晶片W的下表面上的沖洗液。
[0195]在進(jìn)行步驟S44的SCl處理時(shí)，通過加熱器40將下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11整個(gè)區(qū)域加熱至40?80°C，并維持在該溫度。通過打開第I藥液下閥15，向上表面11供給SC1，在上表面11形成40?80°C的SCl的液膜。通過使SCl與晶片W的下表面接觸，能夠借助該SCl的化學(xué)能力，除去附著在晶片W的下表面上的顆粒等雜質(zhì)。通過加熱器40，能夠?qū)Cl的整個(gè)液膜加熱，因此能夠?qū)⒃撘耗さ臏囟瓤焖偾揖鶆虻胤€(wěn)定在規(guī)定溫度。由此，能夠提高利用SCl的處理的面內(nèi)均勻性。
[0196]在步驟S45的中間沖洗處理中，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，沖洗附著在晶片W的下表面上的沖洗液。
[0197]在進(jìn)行步驟S46的SC2處理時(shí)，通過加熱器40，將下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11整個(gè)區(qū)域加熱至40?80°C，并維持該溫度。通過打開第2藥液下閥16，向上表面11供給SC2，來在下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11形成40?80°C的SC2的液膜。通過使SC2與晶片W的下表面接觸，能夠借助該SC2的化學(xué)的能力，從附著在晶片W的表面的晶片W的表面除去金屬離子。由于通過加熱器40能夠?qū)C2的整個(gè)液膜加熱，所以能夠?qū)⒃撘耗さ臏囟瓤焖偾揖鶆虻胤€(wěn)定為規(guī)定溫度。由此，能夠提高利用SC2的處理的面內(nèi)均勻性。
[0198]在步驟S47的最終沖洗處理中，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，沖洗附著在晶片W的下表面上的沖洗液。
[0199]接著，在進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥處理(圖13的步驟S48)后，通過搬運(yùn)臂AR搬出進(jìn)行完抗蝕劑除去處理的晶片W(圖13的步驟S49)。
[0200]圖14是用于說明基板處理裝置I所執(zhí)行的第6處理例的流程圖。第6處理例是將第3處理例具體應(yīng)用于從晶片W的表面剝離抗蝕劑膜的抗蝕劑除去處理中的處理例。步驟 S51、S52、S53、S54、S55、S56、S57 分別對應(yīng)于圖 11 的步驟 S21、S22、S23、S24、S25、S26、S27。以下，僅說明第6處理例與第3處理例不同的部分，而省略其它部分。
[0201]在該處理例中，利用SPM(硫酸過氧化氫混合液)作為第I藥液,利用SCl作為第2藥液。此時(shí)，通過選擇性地打開第I藥液下閥15，從下噴出口 14噴出SPM，通過選擇性地打開第2藥液下閥16，從下噴出口 14噴出SCI。
[0202]在進(jìn)行抗蝕劑除去處理時(shí)，通過搬運(yùn)臂AR將離子注入處理后的晶片W搬入處理室3內(nèi)，在使其表面朝向下方的狀態(tài)下保持在基板上保持機(jī)構(gòu)5上(步驟S51)。
[0203]在進(jìn)行步驟S52的SPM處理時(shí)，通過加熱器40，將下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面加熱至160?200°C的高溫，并維持在該溫度。通過打開第I藥液下閥15，向上表面11供給SPM，在上表面11形成160?200°C的SPM的液膜。通過使SPM與晶片W的下表面接觸，剝離形成在晶片W的下表面上的抗蝕劑。由于通過加熱器40能夠?qū)PM的整個(gè)液膜加熱，所以能夠?qū)⒃撘耗さ臏囟瓤焖偾揖鶆虻胤€(wěn)定在規(guī)定溫度。由此，能夠提高利用SPM的處理的面內(nèi)均勻性。
[0204]在步驟S53的中間沖洗處理中，通過加熱器40，將下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11加熱至約80°C，并維持在該溫度。通過打開沖洗液下閥18，向上表面11供給沖洗液，在上表面11形成約80°C的沖洗液的液膜52。通過使約80°C的沖洗液與晶片W的下表面接觸，來沖洗附著在晶片W的下表面上的沖洗液。由于通過加熱器40能夠?qū)_洗液的整個(gè)液膜加熱，所以能夠?qū)⒃撘耗さ臏囟瓤焖偾揖鶆虻胤€(wěn)定在規(guī)定溫度。由此，能夠提高沖洗處理的面內(nèi)均勻性。
[0205]在步驟S54的SCl處理中，通過使SCl與晶片W的下表面接觸，使SCl遍及晶片W的整個(gè)下表面。由此，能夠借助該SCl的化學(xué)能力，除去附著在晶片W的下表面上的抗蝕劑殘?jiān)约邦w粒等雜質(zhì)。
[0206]在步驟S55的最終沖洗處理中，通過使沖洗液與晶片W的下表面接觸，來沖洗附著在晶片W的下表面上的沖洗液。在該最終沖洗處理中使用的沖洗液可以是如步驟S53的中間沖洗處理那樣加熱為約80°C的沖洗液，也可以是常溫的沖洗液。
[0207]接著，在實(shí)施旋轉(zhuǎn)干燥處理(圖14的步驟S56)后，通過搬運(yùn)臂AR搬出進(jìn)行完抗蝕劑除去處理的晶片W(圖14的步驟S57)。
[0208]此外，在第5處理例以及第6處理例中，在后一液體(在第5處理例中相當(dāng)于SC2，在第6處理例中相當(dāng)于沖洗液)的處理溫度比前一液體(在第5處理例中相當(dāng)于SC1，在第6處理例中相當(dāng)于SPM)的處理溫度低的情況下，后一液體本身具有對下旋轉(zhuǎn)基座8 (上表面11)進(jìn)行冷卻的作用。因此，能夠?qū)⒑笠灰后w的液膜的溫度快速且均勻地穩(wěn)定為規(guī)定溫度。
[0209]另外，在第5處理例以及第6處理例中，能夠?qū)⒓訜岷蟮奶幚硪汗┙o至被加熱器40加熱的上表面11上。此時(shí)，供給的處理液本身具有對下旋轉(zhuǎn)基座8 (上表面11)加熱而使其接近規(guī)定溫度的作用。因此，因此，能夠進(jìn)一步將處理液的液膜的溫度快速且均勻地穩(wěn)定在規(guī)定溫度。
[0210]圖15是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的基板處理裝置的基板下保持機(jī)構(gòu)4A的圖，示出了與上述的圖5對應(yīng)的部分的結(jié)構(gòu)。該第2實(shí)施方式的基板處理裝置利用圖15所示的基板下保持機(jī)構(gòu)4A代替上述的基板下保持機(jī)構(gòu)4，這一點(diǎn)與第I實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)不同。
[0211]第2實(shí)施方式的基板下保持機(jī)構(gòu)4A具有:第I相向面56A，其形成在下旋轉(zhuǎn)基座8A的中央部，與被基板下保持機(jī)構(gòu)4A或基板上保持機(jī)構(gòu)5保持的晶片W的下表面整個(gè)區(qū)域相向；圓環(huán)狀的第I錐面57A，其形成在第I相向面56A的外側(cè)與該第I相向面56A連續(xù)。第I相向面56A具有與下旋轉(zhuǎn)基座8A的中心成為同心的圓形的平坦面，另外，第I相向面56A具有比晶片W大的直徑。第I錐面57A是與第I相向面56A的外周端連續(xù)，且朝向徑向外側(cè)呈直線狀地上升的錐面，形成為以下旋轉(zhuǎn)基座8A的中心作為對稱中心的旋轉(zhuǎn)對稱形狀。第I錐面57A的周端最高。第I錐面57A距離晶片W的周端的距離被設(shè)定為Wl的距離(Wl例如為3mm左右，與圖5的WO相等，或比WO小)。另外，第I錐面57A相對于第I相向面56A的傾斜角度例如被設(shè)定為Θ I ( Θ I例如為30° )。
[0212]此時(shí)，通過第I錐面57A，能夠使處于第I相向面56A的處理液(第I藥液?第3藥液、沖洗液或有機(jī)溶劑)的圖5中的彎曲部55的寬度變窄，且擋止該處理液。另外，能夠防止供給至第I相向面56A的處理液從下旋轉(zhuǎn)基座8A的上表面11流出。由此，能夠消減供給至第I相向面56A的處理液(第I藥液?第3藥液、沖洗液或有機(jī)溶劑)的量，并且確保液膜51、52、53的平坦區(qū)域(即上表面51A、52A、53A)。由此，能夠高效地形成第I相向面56A上的處理液的液膜51?53。
[0213]圖16是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的基板處理裝置的基板下保持機(jī)構(gòu)4B的圖，示出了與上述的圖5對應(yīng)的部分的結(jié)構(gòu)。該第3實(shí)施方式的基板處理裝置利用圖16所示的基板下保持機(jī)構(gòu)4B代替上述的基板下保持機(jī)構(gòu)4，這一點(diǎn)與第I實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)不同。
[0214]第3實(shí)施方式的基板下保持機(jī)構(gòu)4B具有:第2相向面56B，其形成在下旋轉(zhuǎn)基座8B的中央部，與被基板下保持機(jī)構(gòu)4B或基板上保持機(jī)構(gòu)5保持的晶片W的下表面整個(gè)區(qū)域相向；圓環(huán)狀的第2錐面57B，其形成在下旋轉(zhuǎn)基座8B的周緣部。第2相向面56B具有與下旋轉(zhuǎn)基座8的中心成為同心的圓形的平坦面，另外，第2相向面56B具有比晶片W大的直徑。第2錐面57B是與第2相向面56B的外周端連續(xù)且朝向徑向外側(cè)呈直線狀地下降的錐面，形成以以下旋轉(zhuǎn)基座8B的中心作為對稱中心的旋轉(zhuǎn)對稱形狀。第2錐面57B的周端最低。第2錐面57B距離晶片W的周端的距離被設(shè)定為W2的距離(W2例如為3mm左右)。另夕卜，第2錐面57B相對于第2相向面56B的傾斜角度例如被設(shè)定為Θ2(Θ2例如為30° )。
[0215]此時(shí)，通過第2錐面57Β，促進(jìn)供給至第2相向面56Β的處理液(第I藥液?第3藥液、沖洗液或有機(jī)溶劑)流出。由此，能夠順利地從第2相向面56Β排出處理液。尤其，在下旋轉(zhuǎn)基座8Β的上表面11 (第2相向面56Β)是親液性面時(shí)，能夠促進(jìn)處理液的液膜形成，縮短液膜形成時(shí)間。
[0216]此外，在下旋轉(zhuǎn)基座SB的上表面(第2相向面56Β)是疏水性面的情況下，在第2相向面56Β的周端，發(fā)揮束縛的效果，處理液的液膜51?53的在周緣部(即第2相向面56Β的周端)外觀上的接觸角β大于在由平坦面構(gòu)成的上表面11上形成的處理液的液膜51?53的外觀上的接觸角α (參照圖5)。因此，能夠使液膜51?53的彎曲部55的寬度W3變小。此時(shí)，液膜51?53的上表面51Α、52Α、53Α上的平坦部分的半徑為從第2相向面56Β的半徑減去彎曲部55的寬度W3而得到的長度。只要以上表面51Α、52Α、53Α的直徑大于晶片W的直徑的方式設(shè)定第2相向面56Β的直徑，就能夠在晶片W和液膜51?53接觸時(shí)，使晶片W與液膜51?53的上表面51Α、52Α、53Α的整個(gè)區(qū)域接觸。
[0217]圖17是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的基板處理裝置的基板下保持機(jī)構(gòu)4C的圖。圖18是表不在下旋轉(zhuǎn)基座8C的上表面IlC形成有處理液的液膜的狀態(tài)的剖視圖。該第4實(shí)施方式的基板處理裝置利用圖17所示的基板下保持機(jī)構(gòu)4C代替上述的基板下保持機(jī)構(gòu)4，這一點(diǎn)與第I實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)不同。
[0218]在圖17等所示的基板下保持機(jī)構(gòu)4C中，在與第I實(shí)施方式的基板下保持機(jī)構(gòu)4的各部分對應(yīng)的部分上，標(biāo)注并表示與圖1等相同的附圖標(biāo)記，而省略說明。第4實(shí)施方式的基板下保持機(jī)構(gòu)4C與第I實(shí)施方式的基板下保持機(jī)構(gòu)4的不同點(diǎn)在于，下旋轉(zhuǎn)基座SC的上表面IlC具有比晶片W的直徑和上旋轉(zhuǎn)基座25的直徑更大的直徑，換而言之，在上表面11C，在下夾持構(gòu)件10的徑向外側(cè)，形成有徑向?qū)挾茸銐虼蟮沫h(huán)狀面58。除此之外，下旋轉(zhuǎn)基座8C與第I實(shí)施方式的下旋轉(zhuǎn)基座8的結(jié)構(gòu)相同。
[0219]此時(shí)，液膜51?53的上表面51A?53的半徑為從第2相向面56B的半徑減去彎曲部55的徑向?qū)挾榷玫降拈L度。只要以該上表面51A?53的直徑大于晶片W的直徑的方式設(shè)定上表面IlC的直徑，就能夠在晶片W與液膜51?53接觸時(shí)，使晶片W與液膜51?53的上表面51A?53的整個(gè)區(qū)域接觸。由此，能夠使晶片W的整個(gè)下表面同時(shí)與處理液接觸。
[0220]圖19是示意性表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的基板處理裝置IA的結(jié)構(gòu)的圖。圖20A?20B是用于說明基板處理裝置IA所執(zhí)行的處理的一個(gè)例子的示意圖。
[0221]在第5實(shí)施方式的基板處理裝置IA中，在與第I實(shí)施方式的基板處理裝置I的各部分對應(yīng)的部分上，標(biāo)注并表示與圖1等相同的附圖標(biāo)記，而省略說明。第5實(shí)施方式的基板處理裝置IA與基板處理裝置I的不同點(diǎn)在于，利用真空吸附式卡盤的基板上保持機(jī)構(gòu)(基板保持單元)105代替夾持式卡盤的基板上保持機(jī)構(gòu)5?；迳媳３謾C(jī)構(gòu)105具有:上旋轉(zhuǎn)軸124，其具有與下旋轉(zhuǎn)軸7(參照圖1)通用的旋轉(zhuǎn)軸線(同一直線上的旋轉(zhuǎn)軸線)；上旋轉(zhuǎn)基座125，其安裝在該上旋轉(zhuǎn)軸124的下端，吸附保持晶片W的上表面并使該晶片W呈大致水平的姿勢。上旋轉(zhuǎn)基座125在下旋轉(zhuǎn)基座8的上方與下旋轉(zhuǎn)基座8相向。上旋轉(zhuǎn)基座125的下表面126具有大致水平的向下的平坦面，具有比晶片W小的直徑。
[0222]在上旋轉(zhuǎn)軸124上連接有用于使上旋轉(zhuǎn)基座125升降的上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)(移動單元)129。在上旋轉(zhuǎn)軸24上連接有包括馬達(dá)等驅(qū)動源的上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)130。通過從該上旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)130向上旋轉(zhuǎn)軸124輸入驅(qū)動力，使上旋轉(zhuǎn)基座125旋轉(zhuǎn)，由此使晶片W圍繞通過晶片W中心的鉛垂方向的旋轉(zhuǎn)軸線(上旋轉(zhuǎn)軸124的中心軸線)旋轉(zhuǎn)。
[0223]上旋轉(zhuǎn)基座125的下表面126與晶片W的上表面接觸，并且通過真空吸附將晶片W保持在基板上保持機(jī)構(gòu)105上。
[0224]在基板處理裝置IA中，能夠?qū)琖實(shí)施與各處理例(第I處理例?第6處理例)相同的處理。此時(shí)，在藥液處理(步驟S2(參照圖1)、步驟S12(參照圖9)、步驟S22、S24 (參照圖11)、步驟S32、S34、S36 (參照圖12)、步驟S42、S44、S46 (參照圖13)、步驟S52、S54(參照圖14))中可以執(zhí)行圖20A所示的動作。即，可以在藥液開始與晶片W的下表面接觸后，基板上保持機(jī)構(gòu)105持續(xù)保持晶片W，不向基板上保持機(jī)構(gòu)105交付晶片W。在藥液與晶片W的下表面接觸后，下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，針對各個(gè)晶片W，上旋轉(zhuǎn)基座25可以圍繞上旋轉(zhuǎn)軸24的中心軸線向與下旋轉(zhuǎn)基座8的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)，或者可以維持為靜止不變的姿勢。由此，能夠使上表面11和晶片W的下表面相對旋轉(zhuǎn)，從而能夠進(jìn)一步攪拌在上表面11和晶片W的下表面之間夾持的藥液。另外，只要是這樣的低轉(zhuǎn)速，即使使晶片W旋轉(zhuǎn)，也幾乎不在晶片W的下表面和上表面11之間的藥液(藥液的液膜)內(nèi)產(chǎn)生空隙。
[0225]另外，在沖洗處理(步驟S3(參照圖1)、步驟S13(參照圖9)、步驟S23、S25(參照圖 11)、步驟 S33、S35、S37 (參照圖 12)、步驟 S43、S45、S47 (參照圖 13)、步驟 S53、S55 (參照圖14))中也相同。即，可以在沖洗液開始與晶片W的下表面接觸后，基板上保持機(jī)構(gòu)105持續(xù)保持晶片W，不向基板上保持機(jī)構(gòu)105交付晶片W。此時(shí)，在沖洗液與晶片W的下表面接觸后，使下旋轉(zhuǎn)基座8圍繞下旋轉(zhuǎn)軸7的中心軸線以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，針對各個(gè)晶片W，上旋轉(zhuǎn)基座25可以圍繞上旋轉(zhuǎn)軸24的中心軸線向與下旋轉(zhuǎn)基座8的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向以規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(例如10rpm以下的規(guī)定轉(zhuǎn)速)旋轉(zhuǎn)，或者可以維持為靜止不變的姿勢。由此，能夠使上表面11與晶片W的下表面相對旋轉(zhuǎn)，從而能夠進(jìn)一步攪拌在上表面11和晶片W的下表面之間夾持的沖洗液。另外，只要是這樣的低轉(zhuǎn)速，即使使晶片W旋轉(zhuǎn)，也幾乎不在晶片W的下表面和上表面11之間的沖洗液(沖洗液的液膜52)內(nèi)產(chǎn)生空隙。
[0226]以上，說明了本發(fā)明的5個(gè)實(shí)施方式，但是本發(fā)明還能夠以其它實(shí)施方式實(shí)施。
[0227]如圖21所示，在第I實(shí)施方式的基板上保持機(jī)構(gòu)5中，可以在上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26的中心部形成用于向下方噴出干燥氣體的上噴出口 202。上旋轉(zhuǎn)軸24為中空軸，在上旋轉(zhuǎn)軸24的內(nèi)部穿插有上表面供給管201。上表面供給管201與在上旋轉(zhuǎn)基座25的厚度方向上貫通上旋轉(zhuǎn)基座25的中心部的貫通孔203連通。另外，該貫通孔203與在上旋轉(zhuǎn)基座25的下表面26的中心部形成開口的上噴出口 202連通。
[0228]此時(shí)，在圖4D所示的藥液處理、圖4K所示的沖洗處理以及圖1OD所示的有機(jī)溶劑置換處理中，通過使來自上噴出口 202的干燥氣體吹拂晶片W的上表面，能夠防止藥液、沖洗液以及有機(jī)溶劑繞至晶片W的上表面。
[0229]另外，在圖6以及圖8所示的旋轉(zhuǎn)干燥中，通過使來自上噴出口 202的干燥氣體吹拂晶片W的上表面，能夠防止藥液等濺起形成霧等再次附著在晶片W的上表面上，并且能夠快速地使晶片W的上表面干燥。
[0230]另外，除了干燥氣體之外，可以從上噴出口 202選擇性地噴出純水(DIW)。
[0231]如圖22所示，在第2實(shí)施方式中，可以以包圍第I相向面56A的方式形成比第I相向面56A高一層的圓筒400，圓筒的內(nèi)周壁與第I相向面56A垂直相交，且形成以第I相向面56A的中心為中心的圓筒面401。此時(shí)，能夠通過圓筒面401擋止第I相向面56A，能夠更有效地防止向第I相向面56A供給的處理液(第I藥液?第3藥液、沖洗液或有機(jī)溶劑)從下旋轉(zhuǎn)基座8A的上表面11流出。由此，促進(jìn)在第I相向面56A上形成處理液的液膜51?53，能夠消減處理液的使用量。
[0232]如圖23所示，在第3實(shí)施方式中，可以在第2相向面56B的周端面上形成與第2相向面56B垂直相交且與下旋轉(zhuǎn)基座SB的周端面連接的環(huán)狀階梯部402。此時(shí)，通過環(huán)狀階梯部402促進(jìn)向第2相向面56B供給的處理液(第I藥液?第3藥液、沖洗液或有機(jī)溶齊U)流出。由此，能夠順利地從第2相向面56B排出處理液。尤其，在下旋轉(zhuǎn)基座8B的上表面(第2相向面56B)為親液性面的情況下，能夠促進(jìn)形成處理液的液膜，消減處理液的量。
[0233]此外，列舉了溫度傳感器39的檢測輸出輸入控制單元50，控制單元50基于該檢測輸出控制加熱器40的例子，但是溫度傳感器39的檢測輸出可以輸入外部的溫度調(diào)節(jié)器(未圖示)，溫度調(diào)節(jié)器基于該檢測輸出控制加熱器40。
[0234]在上述的各實(shí)施方式中，基板上保持機(jī)構(gòu)5、105的搬運(yùn)位置(圖4A等所示的位置)設(shè)定在分離位置(圖4D等所示的位置)的上方，但是搬運(yùn)位置可以設(shè)定在接近位置(圖4C等所示的位置)和分離位置之間，另外，可以在與分離位置相同的位置上設(shè)定搬運(yùn)位置。在分離位置和搬運(yùn)位置設(shè)定在相同的位置上的情況下，能夠?qū)⒒迳媳３謾C(jī)構(gòu)5、105的配置位置僅設(shè)定在分離位置(搬運(yùn)位置)和接近位置這兩處，此時(shí)，能夠簡化基板上保持機(jī)構(gòu)5的升降控制。
[0235]另外，可以設(shè)置具有與下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11相向的噴出口的噴嘴，從該噴嘴向上表面供給處理液(藥液(第I藥液?第3藥液)、沖洗液以及有機(jī)溶劑)。具體地說，可以從具有朝向上表面11的噴出口的固定噴嘴供給處理液。
[0236]另外，向下旋轉(zhuǎn)基座8的上表面11供給的處理液(藥液(第I藥液?第3藥液)、沖洗液以及有機(jī)溶劑)可以為常溫，也可以在供給前被適當(dāng)加熱。
[0237]為了便于說明，上述的基板處理裝置1、1A具有能夠?qū)⒌贗藥液、第2藥液以及第3藥液這3種藥液供給至上表面11的結(jié)構(gòu)，但是藥液種類的數(shù)量，能夠按照基板處理裝置進(jìn)行的處理進(jìn)行適當(dāng)選擇。另外，上述的基板處理裝置1、1A具有能夠供給有機(jī)溶劑的結(jié)構(gòu)，但是可以按照基板處理裝置進(jìn)行的處理適當(dāng)選擇是否采用能夠供給有機(jī)溶劑的結(jié)構(gòu)。
[0238]另外，能夠?qū)?yīng)于對晶片W表面的處理的內(nèi)容，使用上述以外的藥液作為藥液。
[0239]另外，在各實(shí)施方式中，列舉沖洗液為DIW的例子進(jìn)行了說明。但是，沖洗液不限于DIW，能夠采用碳酸水溶液、電解離子水、臭氧水、稀釋了濃度(例如，10?10ppm左右)的鹽酸水溶液、還原水(含氫水)等作為沖洗液。
[0240]另外，列舉了非活性氣體的一個(gè)例子即氮?dú)庾鳛楦稍餁怏w的例子，但是作為非活性氣體能夠使用氮?dú)庖酝獾睦鐨鍤?、氦氣等?br> [0241]另外，作為比水的接觸角小的有機(jī)溶劑能夠使用IPA以外的例如包含HFE(氫氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反_1，2 二氯乙烯中的至少I中的液體等。
[0242]另外，在上述的實(shí)施方式中，說明對圓形的基板進(jìn)行處理的例子，但是本發(fā)明適于對方形基板進(jìn)行處理。
[0243]雖然對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是這些僅是用于表明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的具體例子，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限定于這些具體例子，本發(fā)明的范圍僅由附上的權(quán)利要求書限定。
[0244]本申請對應(yīng)于在2012年3月30日向日本國特許廳提交的JP特愿2012-79913號，該申請的全部公開內(nèi)容通過弓I用記載在本說明書中。
[0245]附圖標(biāo)記說明
[0246]1、IA基板處理裝置
[0247]5、105基板上保持機(jī)構(gòu)(基板保持單元)
[0248]8、8A、8B、8C 下旋轉(zhuǎn)基座
[0249]11上表面(液體保持面)
[0250]14下噴出口(處理液噴出口、藥液噴出口、沖洗液噴出口、干燥氣體噴出口)
[0251]15第I藥液下閥(藥液供給單元)
[0252]16第2藥液下閥(藥液供給單元)
[0253]17第3藥液下閥(藥液供給單元)
[0254]18沖洗液下閥(沖洗液供給單元)
[0255]19干燥氣體下閥
[0256]20有機(jī)溶劑下閥(處理液供給單元)
[0257]29、129上升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)(移動單元)
[0258]40加熱器(加熱單元)
[0259]50控制單元
[0260]50a低速旋轉(zhuǎn)控制單元
[0261]50b高速旋轉(zhuǎn)控制單元
[0262]50c處理液供給控制單元
[0263]51第I藥液的液膜(藥液液膜)
[0264]52沖洗液的液膜(沖洗液液膜)
[0265]W晶片(基板)
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，其特征在于， 具有: 基板保持單元，其將基板保持為水平姿勢； 板，其具有水平且平坦的液體保持面，所述液體保持面具有與被所述基板保持單元保持的基板的主面相同或比該主面大的大小，且與所述基板的主面的下方相向； 處理液供給單元，其用于向所述液體保持面供給處理液； 移動單元，其使所述基板保持單元以及所述板相對移動，來使所述基板的主面與所述液體保持面接近或分離； 控制單元，其控制所述處理液供給單元以及所述移動單元，執(zhí)行處理液液膜形成工序、接觸工序和接觸維持工序，在所述處理液液膜形成工序中，通過所述處理液供給單元向所述液體保持面供給處理液，在所述液體保持面上形成處理液液膜，在所述接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述處理液液膜接觸，所述接觸維持工序在所述接觸工序后執(zhí)行，在所述接觸維持工序中，維持處理液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述液體保持面形成有用于噴出處理液的處理液噴出口， 所述處理液供給單元使處理液從所述處理液噴出口噴出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有用于使所述板圍繞與所述液體保持面垂直的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)的板旋轉(zhuǎn)單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制單元具有低速旋轉(zhuǎn)控制單元，所述低速旋轉(zhuǎn)控制單元控制所述板旋轉(zhuǎn)單元，與所述接觸維持工序并行地使所述板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，所述低轉(zhuǎn)速是能夠在所述液體保持面和所述基板的主面之間保持所述處理液的轉(zhuǎn)速。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制單元具有高速旋轉(zhuǎn)控制單元，所述高速旋轉(zhuǎn)控制單元控制所述板旋轉(zhuǎn)單元，在所述接觸維持工序結(jié)束后，使所述板以高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該高轉(zhuǎn)速是能夠從所述液體保持面甩出處理液的轉(zhuǎn)速。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制單元具有特定單元，該特定單元用于與所述接觸工序的執(zhí)行同步或在所述接觸工序執(zhí)行之前使向所述液體保持面供給處理液的動作停止。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述液體保持面上形成有噴出干燥氣體的干燥氣體噴出口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有對所述液體保持面進(jìn)行加熱的加熱單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理液供給單元包括用于向所述液體保持面供給藥液的藥液供給單元、用于向所述液體保持面供給沖洗液的沖洗液供給單元， 所述控制單元控制所述藥液供給單元、所述沖洗液供給單元以及所述移動單元，執(zhí)行藥液液膜形成工序、藥液接觸工序、藥液接觸維持工序、分離工序、沖洗液液膜形成工序、沖洗液接觸工序和沖洗液接觸維持工序， 在所述藥液液膜形成工序中，通過所述藥液供給單元向所述液體保持面供給藥液，在所述液體保持面形成藥液液膜， 在所述藥液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述藥液液膜接觸， 所述藥液接觸維持工序在所述藥液接觸工序后執(zhí)行，在所述藥液接觸維持工序中，維持藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)， 在所述分離工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面相分離，所述沖洗液液膜形成工序在所述分離工序后執(zhí)行，在所述沖洗液液膜形成工序中，通過所述沖洗液供給單元向所述液體保持面供給沖洗液，來在所述液體保持面上形成沖洗液液膜， 在所述沖洗液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述沖洗液液膜接觸， 所述沖洗液接觸維持工序在所述沖洗液接觸工序后執(zhí)行，在所述沖洗液接觸維持工序中，維持沖洗液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理液供給單元具有用于向所述液體保持面供給第I藥液的第I藥液供給單元、用于向所述液體保持面供給第2藥液的第2藥液供給單元， 所述控制單元控制所述第I藥液供給單元、所述第2藥液供給單元以及所述移動單元，執(zhí)行第I藥液液膜形成工序、第I藥液接觸工序、第I藥液接觸維持工序、分離工序、第2藥液膜形成工序、第2藥液接觸工序和第2藥液接觸維持工序， 在所述第I藥液液膜形成工序中，通過所述第I藥液供給單元向所述液體保持面供給第I藥液，在所述液體保持面上形成第I藥液液膜， 在所述第I藥液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述第I藥液液膜接觸， 所述第I藥液接觸維持工序在所述第I藥液接觸工序后執(zhí)行，在所述第I藥液接觸維持工序中，維持第I藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)， 在所述分離工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面相分離，所述第2藥液膜形成工序在所述分離工序后執(zhí)行，在所述第2藥液膜形成工序中，通過所述第2藥液供給單元向所述液體保持面供給第2藥液，來在所述液體保持面上形成第2藥液膜， 在所述第2藥液接觸工序中，通過所述移動單元使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述第2藥液液膜接觸， 所述第2藥液接觸維持工序在所述第2藥液接觸工序后執(zhí)行，在所述第2藥液接觸維持工序中，維持第2藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
11.一種基板處理方法，在具有將基板保持為水平姿勢的基板保持單元的基板處理裝置中執(zhí)行，其特征在于， 包括: 液膜形成工序，向與所述基板的主面的下方相向的水平且平坦的液體保持面供給處理液，來在所述液體保持面上形成處理液液膜； 接觸工序，使所述基板的主面與所述液體保持面接近，來使基板的主面與所述處理液液膜接觸； 接觸維持工序，在所述接觸工序后執(zhí)行，在該接觸維持工序中，維持處理液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述液體保持面形成有用于噴出處理液的處理液噴出口， 所述液膜形成工序包括使處理液從所述處理液噴出口噴出的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的基板處理方法，其特征在于，還包括基板旋轉(zhuǎn)工序，在所述基板旋轉(zhuǎn)工序中，將所述基板保持在提供所述液體保持面的板上，使所述基板與所述板一起圍繞與所述液體保持面垂直的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，所述基板旋轉(zhuǎn)工序與所述接觸維持工序并行執(zhí)行，使所述板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該低轉(zhuǎn)速是能夠在所述液體保持面和所述基板的主面之間保持所述處理液的轉(zhuǎn)速。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的基板處理方法，其特征在于，還包括在所述接觸維持工序結(jié)束后，使所述板以高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的工序，該高轉(zhuǎn)速是能夠從所述液體保持面甩出處理液的轉(zhuǎn)速。
16.根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，包括與所述接觸工序的執(zhí)行同步或在所述接觸工序執(zhí)行之前使向所述液體保持面供給處理液的動作停止的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求11至16中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，還包括從形成在所述液體保持面上的干燥氣體噴出口噴出干燥氣體的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求11至17中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，還包括對所述液體保持面進(jìn)行加熱的加熱工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求11至18中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于， 所述液膜形成工序包括向所述液體保持面供給藥液來形成藥液液膜的藥液液膜形成工序、向所述液體保持面供給沖洗液來形成沖洗液液膜的沖洗液液膜形成工序， 所述接觸工序包括使所述基板的主面與所述液體保持面接近來使基板的主面與所述藥液液膜接觸的藥液接觸工序、使所述基板的主面與所述液體保持面接近來使基板的主面與所述沖洗液液膜接觸的沖洗液接觸工序， 所述接觸維持工序包括維持藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)的藥液接觸維持工序、維持沖洗液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)的沖洗液接觸維持工序， 在所述藥液液膜形成工序后執(zhí)行所述藥液接觸工序，在所述藥液接觸工序后執(zhí)行所述藥液接觸維持工序，在所述藥液接觸維持工序后執(zhí)行使所述基板的主面與所述液體保持面分離的分離工序，在所述分離工序后執(zhí)行所述沖洗液液膜形成工序，在所述沖洗液液膜形成工序后執(zhí)行所述沖洗液接觸工序，在所述沖洗液接觸工序后執(zhí)行所述沖洗液接觸維持工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求11至19中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于， 所述液膜形成工序包括向所述液體保持面供給第I藥液來形成第I藥液液膜的第I藥液液膜形成工序、向所述液體保持面供給第2藥液來形成第2藥液液膜的第2藥液液膜形成工序， 所述接觸工序包括使所述基板的主面與所述液體保持面接近來使基板的主面與所述第I藥液液膜接觸的第I藥液接觸工序、使所述基板的主面與所述液體保持面接近來使基板的主面與所述第2藥液液膜接觸的第2藥液接觸工序， 所述接觸維持工序包括維持第I藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)的第I藥液接觸維持工序、維持第2藥液與所述基板的主面接觸的狀態(tài)的第2藥液接觸維持工序， 在所述第I藥液液膜形成工序后執(zhí)行所述第I藥液接觸工序，在所述第I藥液接觸工序后執(zhí)行所述第I藥液接觸維持工序，在所述第I藥液接觸維持工序后執(zhí)行使所述基板的主面與所述液體保持面分離的分離工序，在所述分離工序后執(zhí)行所述第2藥液液膜形成工序，在所述第2藥液液膜形成工序后執(zhí)行所述第2藥液接觸工序，在所述第2藥液接觸工序后執(zhí)行所述第2藥液接觸維持工序。
【文檔編號】H01L21/304GK104205304SQ201280072046
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】橋本光治, 宮城雅宏, 高橋光和 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社