以是多于一種材料的混合主體 材料，此時量少者為輔助主體材料。
[0059] 所以，所述的有機發(fā)光器件其特征在于陽極上有一層空穴注入層，空穴注入層鄰 接有一層空穴傳輸層，空穴注入層鄰接有一層發(fā)光層，其中發(fā)光層中含有一主體材料(或稱 本體材料80_99wt%)和含量為1-20% (重量）含呋喃的電致紅色發(fā)光材料(有機金屬絡合 物)。
[0060] 一個0LED具體上包括：
[0061 ] -個基體材料，如玻璃，金屬箱，或聚合物薄膜；
[0062] -個陽極，如透明導電氧化銦錫；
[0063] -個陰極，如導電性鋁或其它金屬；
[0064] -層或多層有機半導體，例如發(fā)光層與陰極之間的電子注入層、發(fā)光層與陽極之 間的空穴注入層，其中的發(fā)射層含有所述的磷光發(fā)光材料與主體材料混合物。通常優(yōu)選是 使用2-15 %的濃度(重量百分比)發(fā)光材料，摻雜到一個主體材料中。
[0065]因此，0LED發(fā)光器件是一復雜的多層結(jié)構(gòu)，圖1為一典型的構(gòu)造，但不是唯一的應 用結(jié)構(gòu)。在傳統(tǒng)的有機發(fā)光二極管芯片中（圖1)，通常是采用透明導電玻璃101，或鍍有銦-錫氧化物ΙΤ0上蒸鍍一層空穴注入層HIL(102)如m-TDATA，然后依次一層空穴傳輸層HTL (103) 如α-NPD;為了進一步控制激子在發(fā)光層中復合效率，常在HTL與EML之間加一層EBL (104) ;發(fā)光層EML(105)、電子傳輸層ETL(106)、電子注入層EIL(107)，最后加一層金屬 (108)，如鋁金屬層，作為陽極導電及密封層。當ΙΤ0接正電，鋁連接負電到一定電場后，空穴 從ΙΤ0經(jīng)HIL注入和HTL傳輸至EML，而電子從鋁連接的EIL注入后、經(jīng)過ETL傳輸至EML.電子 與空穴在EML中相遇、復合成激發(fā)子(Exciton)，然后部分激發(fā)子以光輻射形式釋放出能量 回到基態(tài)。光輻射的波長由EML層中的發(fā)光摻雜劑的能隙決定。
[0066] 本發(fā)明的發(fā)光器件的發(fā)光層中含有所述的發(fā)光材料，與一主體材料通過共蒸發(fā)或 溶液涂敷法形成發(fā)光層;發(fā)光層厚度為5~50納米，所述的主體材料其三線態(tài)能級為2.2~ 2.9eV，依據(jù)所發(fā)光的波長而定。如果是發(fā)藍色電致磷光，主體材料的三線態(tài)能級應大于 2.75eV;如果是發(fā)綠色電致磷光，主體材料的三線態(tài)能級應大于2.40eV;如果是發(fā)紅色電致 磷光，主體材料的三線態(tài)能級應大于2.15eV。
[0067] 作為本發(fā)明的紅光0LED，一種主體材料可為(PBT) 2Zn:
[0068]
[0069] 為達到更好的平衡電子與空穴的注入提高發(fā)光性能，上述主體材料中還可摻入另 一輔助主體材料或稱為共主體材料或配合主體材料(Co-Host)，優(yōu)選的一種材料是：
[0070]
[0071] 或是TA-ICz化合物：
[0072]
[0073] 其中共主體材料或配合主體材料BAlq2或TA-ICz的與主體材料的混配重量比為1 ~49 % (即以整體主體材料為標準，其中主體材料為51-99 %，共主體材料或配合主體材料 為1~49% )。
[0074] 本發(fā)明的優(yōu)點和有益效果:采用雜原子0，S，Se或Si原子共價鍵合的方式，同時又 在發(fā)光配體中的喹啉環(huán)4位上共價鍵接一呋喃或取代呋喃發(fā)色團，獲得更加穩(wěn)定，顏色更深 紅發(fā)光材料--含呋喃的電致紅色發(fā)光材料;呋喃環(huán)的引入，有利于發(fā)光配體的空穴注入 與傳輸，從而獲得有機0LED發(fā)光器件性能的改進。
【附圖說明】
[0075]圖1本發(fā)明發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0076]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實施例子對本 發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解 本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以 在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限 制。
[0077] 實施例1:化合物的合成
[0078] 根據(jù)說明書合成路線1及反應條件，合成了一系列所述的含有呋喃鍵接的紅色發(fā) 光化合物，例如A1，A5，A8~A12的合成條件為：
[0079
[0080]使用類似的方法，獲得其它化合物并列表如下：
[0081 ]表1.所述化合物的結(jié)構(gòu)、表征及性能：
[0082]
[0085]
[0086] 實施例2.0LED器件應用實例：
[0087]器件制備：
[0088] ΙΤ0玻璃（14 Ω/口）經(jīng)洗滌液、去離子水，丙酮超聲清洗后以異丙醇清洗，最后于80 °C下烘干30分鐘，基片再在UV-臭氧等離子體處理30分鐘;在高真空下，厚度為1.00 A的空穴 注入材料HIL m-TDATA鍍在ΙΤ0表面。之后，400 A的Nro蒸鍍在m-TDATA上作為HTL。作為發(fā) 光層EML是由本發(fā)明化合物作為主體材料(器件1-6)，或由CBP作為主體材料(器件7)，采用 共蒸發(fā)摻入發(fā)光材料（8%重量），總厚度300 A。之后，50ABAlq作為阻擋層BL，45〇 A厚度 Alq3作為電子傳輸層ETL^IO ALiF作為電子注入層EIL，之后lOOOi鋁覆蓋在EIL上做為封 裝及鏡面反光面。最后0LED由玻璃蓋加入吸潮劑，用環(huán)氧膠封裝后進行測試。
[0089] 0LED器件中所用的材料結(jié)構(gòu)為：
[0090]
[0091]
[0092] 表2:0LED器件結(jié)構(gòu)及發(fā)光性能：
[0093]
[0094] 從上可看出，本發(fā)明的紅色發(fā)光化合物電致紅色及深紅色發(fā)光性能。
[0095] 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為 等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì) 對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范 圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種含咲喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于:該發(fā)光材料具有如下式(I)結(jié)構(gòu)：(I) 其中M=Ir，Eu或Os;m=l-3;L為含有C，N或C，0的二齒螯合輔助配體;Ri~R8為H，D，F(xiàn)，碳 原子數(shù)小于12的烷基、烷氧基、氣烷基、娃烷基、環(huán)烷基、環(huán)烷氧基，_CN，-N〇2，或是苯基，燒 基取代苯基，噻吩基，烷基取代噻吩基，呋喃基，烷基取代呋喃基，芴基，烷基取代芴基，咔唑 基，烷基取代咔唑基；（R4)y中y=l~3 ;父=0,3,36#，其中11 = 0-7。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征是:所述的L具有如下之 一所不的結(jié)構(gòu)：其中R21-36為Η，D，碳原子數(shù)為1-12的烷基、烷氧基、硅烷基、部分或全部氟化烷基，苯基， 取代苯基，噻吩基，取代噻吩基，呋喃基，取代呋喃基。(Π)；其中L為含有C，N或C，0的二齒螯合輔助配體;心~1?8為H，D，F(xiàn)，碳原子數(shù)小于12的烷基、3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于:該發(fā)光材料具有如 下式(II)的結(jié)構(gòu)： 烷氧基、氣烷基、娃烷基、環(huán)烷基、環(huán)烷氧基，_CN, -N〇2，或是苯基，烷基取代苯基，嗤吩基，燒 基取代噻吩基，呋喃基，烷基取代呋喃基，芴基，烷基取代芴基，咔唑基，烷基取代咔唑基； (R4)y中y=l ~3;父=0,3,36,3;[，其中11 = 0-7。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于:所述的式（II)具體 如下各式結(jié)構(gòu)：II-D 其中L為含有C，N或C，0的二齒螯合輔助配體;心~1?8為H，D，F(xiàn)，碳原子數(shù)小于12的烷基、 烷氧基、氣烷基、娃烷基、環(huán)烷基、環(huán)烷氧基，_CN, -N〇2，或是苯基，烷基取代苯基，嗤吩基，燒 基取代噻吩基，呋喃基，烷基取代呋喃基，芴基，烷基取代芴基，咔唑基，烷基取代咔唑基； (R 4)y中y = l~3;式II-D中的R9，R1Q為H，碳原子數(shù)為1~12的烷基、烷氧基，碳原子數(shù)為16的 芳環(huán)、芳雜環(huán)。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于:所述的式（Π-A)的 結(jié)構(gòu)包括：A76.根據(jù)權(quán)利要求4所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于：式（II-B)結(jié)構(gòu)包 括ο7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于:式（I Ι-C)和式(I ΙΟ) 的結(jié)構(gòu)包括：D1 D28. -個有機電致發(fā)光器件，其特征在于:所述的有機發(fā)光器件包括： (a) -個陽極； (b) -個陰極； (c) 一夾心于陽極和陰極之間的發(fā)光層，其中發(fā)光層中含權(quán)利要求1所述的含呋喃的電 致紅色發(fā)光材料。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于:所述的陽極上有一層空穴注 入層，空穴注入層鄰接有一層空穴傳輸層，空穴注入層鄰接有一層發(fā)光層，其中發(fā)光層中含 有主體材料和重量百分比含量為1 -20 %權(quán)利要求1所述的含呋喃的電致紅色發(fā)光材料;所 述的主體材料為：uvie-rm)父 η。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于:所述的發(fā)光層主體材料還 混有如下任一種輔助主體材料：其中輔助主體材料在整體主體材料中的重量百分比為1~49 %。
【專利摘要】一種含呋喃的電致紅色發(fā)光材料，其特征在于：該發(fā)光材料具有如下式(I)結(jié)構(gòu)：其中M＝Ir，Eu或Os；m＝1-3；L為含有C，N或C,O的二齒螯合輔助配體；R1～R8為H,D,F，碳原子數(shù)小于12的烷基、烷氧基、氟烷基、硅烷基、環(huán)烷基、環(huán)烷氧基，-CN,-NO2，或是苯基，烷基取代苯基，噻吩基，烷基取代噻吩基，呋喃基，烷基取代呋喃基，芴基，烷基取代芴基，咔唑基，烷基取代咔唑基；(R4)y中y＝1～3；X＝O,S,Se,Si，其中n＝0-7。
【IPC分類】C09K11/06, C07F15/00, H01L51/54
【公開號】CN105602548
【申請?zhí)枴緾N201510975943
【發(fā)明人】李曉常, 殷正凱
【申請人】江西冠能光電材料有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月19日