技術(shù)特征：

1.式I的化合物

其中

X表示S、O或Se，

A表示C、Si或Ge，

R',R”,R”’彼此獨立地表示H、具有1至20個C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基、具有2至20個C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀的烯基、具有2至20個C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀的基團、具有2至20個C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷基羰基、具有4至20個環(huán)原子的芳基或雜芳基、具有4至20個環(huán)原子的芳基烷基或雜芳基烷基、具有4至20個環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基、或具有4至20個環(huán)原子的芳基烷氧基或雜芳基烷氧基，其中所有上述基團任選被一個或多個基團R^S取代，

A¹每次出現(xiàn)時相同或不同地表示具有5-30個環(huán)原子的芳基或雜芳基，其任選地被一個或多個基團R^S取代，

R^S每次出現(xiàn)時相同或不同地表示F、Br、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(O)NR⁰R⁰⁰、-C(O)X⁰、-C(O)R⁰、-C(O)OR⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅、任選取代的甲硅烷基、具有1-40個C原子的碳基或烴基，其任選是取代的并且任選包含一個或多個雜原子。

X⁰表示鹵素，優(yōu)選F、Cl或Br，

R⁰和R⁰⁰彼此獨立地表示H或具有1-20個C原子的烷基，

Y⁰和Y⁰⁰彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。

2.權(quán)利要求1的化合物，其選自式I1

其中A、R'、R”和R”’如在權(quán)利要求1中所定義，并且苯環(huán)任選地被一個或多個如在權(quán)利要求1中所定義的基團R^S取代。

3.權(quán)利要求1或2的化合物，其中A為Si。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的一項或多項的化合物，其中R'、R”和R”’彼此獨立地選自具有1-10個C原子的任選取代的并且直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基，具有2-12個C原子的任選取代的并且直鏈、支鏈或環(huán)狀的烯基、炔基或烷基羰基，和具有5-10個環(huán)原子的任選取代的芳基、雜芳基、芳基烷基或雜芳基烷基、芳氧基或雜芳氧基。

5.組合物配制劑，包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項或多項的化合物，和一種或多種有機粘合劑或其前體，優(yōu)選選自聚合物有機粘合劑，優(yōu)選在1000Hz下具有3.3或更小的介電常數(shù)ε。

6.配制劑，包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項或多項的化合物或根據(jù)權(quán)利要求5的組合物，并且進一步包含一種或多種有機溶劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6的一項或多項的化合物、組合物或配制劑作為半導體、電荷傳輸、導電、光導、光活性或發(fā)光材料，或作為染料或顏料的用途，其優(yōu)選在光學、電光學、電子、電致發(fā)光或光致發(fā)光器件中，或在這樣的器件的組件中或在包含這樣的器件或組件的組裝件中。

8.半導體、電荷傳輸、導電、光導、光活性或發(fā)光材料，或染料或顏料，包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項或多項的化合物或根據(jù)權(quán)利要求5或6的組合物或配制劑。

9.光學、電光學、電子、光活性、電致發(fā)光或光致發(fā)光器件，或其組件，或包含它們的組裝件，其包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項或多項的化合物，根據(jù)權(quán)利要求5或6的組合物或配制劑，或根據(jù)權(quán)利要求8的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的器件、組件或組裝件，其選自有機場效應晶體管(OFET)、有機薄膜晶體管(OTFT)、有機發(fā)光二極管(OLED)、有機發(fā)光晶體管(OLET)、有機光伏器件(OPV)、有機光電探測器(OPD)、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池(DSSC)、激光二極管、肖特基二極管、光電導體、光電探測器、熱電器件、電荷注入層、電荷傳輸層、中間層、平坦化層、抗靜電膜、聚合物電解質(zhì)膜(PEM)、導電基板、導電圖案、集成電路(IC)、射頻識別(RFID)標簽或安全標記或包含它們的安全器件、平板顯示器或其背光、電子照相器件、電子照相記錄器件、有機存儲器件、傳感器件、生物傳感器和生物芯片。