專利名稱:二羥基芳香族化合物的單烷基化方法
背景技術:
本發(fā)明總體上涉及二羥基芳香族化合物的烷基化。更具體而言,本發(fā)明涉及二羥基芳香族化合物的選擇性的單鄰位烷基化。
二羥基芳香族化合物的烷基化反應典型地包括二羥基芳香族化合物與醇使用烷基化催化劑的蒸氣相反應。這樣烷基化的二羥基芳香族化合物在工業(yè)上得到了廣泛的應用,其中包括聚合物工業(yè)、染料工業(yè),攝影工業(yè),以及在醫(yī)藥應用中。它們用于制造供液晶顯示器用的聚碳酸酯也是已知的。
許多羥基芳香族化合物的烷基化方法使用金屬氧化物催化劑。烷基化催化劑很多是產生一種混合物,該混合物經常包含高比例的二烷基化羥基芳香族化合物,其對于單烷基化羥基芳香族化合物的選擇性很低。二羥基芳香族化合物比羥基芳香族化合物往往有更高的反應活性,因此總是具有很大的傾向產生較高的烷基化的和低聚的產物,并且使單烷基化產品的生產更加困難。
因此,現(xiàn)在正需要改進單烷基化的二羥基芳香族化合物的制備方法,特別是需要改進單鄰位烷基化的二羥基芳香族化合物的制備方法。
發(fā)明內容
一種連續(xù)方法包括將包含二羥基芳香族化合物、水和烷基化試劑的混合物與催化劑體系在流動的載氣存在下接觸,以形成單烷基化的二羥基芳香族化合物,其中所述的催化劑體系是由包括金屬氧化物前體、過渡金屬元素和孔形成劑的催化劑前體體系的煅燒而獲得的。
通過以下對本發(fā)明各種特征的詳細說明及其所包括的實施例可以更容易地理解上述的方法。
具體實施例方式
本發(fā)明所公開的是二羥基芳香族化合物的單烷基化方法,該方法提供對于單烷基化、特別是單鄰位烷基化的高度選擇性。二羥基芳香族化合物的單烷基化方法包括將包含二羥基芳香族化合物、水和烷基化試劑的反應混合物與催化劑體系在流動的載氣存在下以重時空速(weighted hourly spacevelocity)進行接觸,以形成單烷基化的二羥基芳香族化合物,其中該催化劑體系由催化劑前體體系的煅燒得到。該反應混合物還可以包含稀釋劑。該催化劑前體體系包含金屬氧化物前體、過渡金屬和孔形成劑。在煅燒之后,金屬氧化物前體轉換成金屬氧化物并且所煅燒的催化劑可以具有孔,該孔具有100到400埃的平均孔徑。
單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該”包括復數(shù)的事物,除非上下文另有清楚地指明。“任選的”或“任選地”指隨后描述的事件或情形可以發(fā)生或可以不發(fā)生,并且該描述包括其中事件發(fā)生的情況和不發(fā)生的情況。每當給出值的范圍時,應該理解為它包括著含在其中的所有子范圍。
除非另外說明,這里所使用的術語“烷基”是指直鏈烷基和支化烷基。直鏈和支化烷基的舉例說明而非限制性的實例包括甲基,乙基,正-丙基,異丙基,正-丁基,異-丁基和叔-丁基基團。
二羥基芳香族化合物可以選自對苯二酚化合物、間苯二酚化合物和鄰苯二酚化合物。在一個實施方案中,二羥基芳香族化合物具有下式 其中R是氫基團且每種情況的R1獨立地選自氫和烴基,該烴基選自包含1到18個碳原子的烷基、包含約6到20個碳原子的芳基、包含約7到12個碳原子的芳烷基和包含約7到16個碳原子的烷芳基。
合適的二羥基芳香族化合物的具體實例包括對苯二酚、間苯二酚、鄰苯二酚、2-甲基對苯二酚、2,5-二甲基對苯二酚、2-乙基對苯二酚、2,5-二乙基對苯二酚、2-叔丁基對苯二酚、2,5-二叔丁基對苯二酚、2-苯基對苯二酚、2-芐基對苯二酚、2,3,5-三甲基對苯二酚、2-乙烯基對苯二酚、2-異丙基對苯二酚、2,5-二異丙基對苯二酚、和前述兩種或多種二羥基芳香族化合物的混合物。
烷基化試劑是反應物,它在這里所述的條件下與二羥基芳香族化合物起反應以提供單烷基化的二羥基芳香族化合物。該方法中所用的烷基化試劑選自含有1到16個碳原子的支鏈或直鏈烷基醇和含有2到16個碳原子的支鏈或直鏈烯烴。示例性的烷基醇包括甲醇、乙醇、2-丙醇、異丙基醇、正-丁醇、異丁基醇、戊基醇、異戊基醇、己基醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十二烷基醇、十六烷基醇、環(huán)己基醇、和環(huán)己基甲基醇。示例性的烯烴包括乙烯、丙烯、1-丁烯、2-丁烯、異丁烯、1-戊烯、2-戊烯、2-甲基戊烯-2、3-甲基戊烯-2、1-己烯、2-己烯、3-己烯、1-庚烯、2-庚烯、3-庚烯、異構的辛烯、壬烯和癸烯。在一個實施方案中,烷基化試劑是甲醇。烷基化試劑和二羥基芳香族化合物的摩爾比是0.5到4摩爾每摩爾二羥基芳香族化合物,或更加具體地,摩爾比率是1到3.5摩爾每摩爾二羥基芳香族化合物,或者,甚至更加具體地,摩爾比率是2到3摩爾每摩爾二羥基芳香族化合物。
應該理解的是上述的二羥基芳香族化合物和烷基化試劑僅僅是可使用的該類化合物的代表。
制備這里所述的催化劑體系的方法披露于共同轉讓的、待審查的美國專利中請No.10/065134。所使用的催化劑體系是通過煅燒包含至少一種金屬氧化物前體(它在煅燒期間轉換成金屬氧化物)、促進劑和孔形成劑的催化劑前體體系而獲得的。
金屬氧化物前體包括氧化鎂前體、氧化鐵前體、氧化鉻前體、氧化釩前體、氧化銅前體、氧化鑭前體、和上述兩種或兩種以上前體的混合物。金屬氧化物前體可以包括在煅燒條件下產生對應的金屬氧化物的任何金屬試劑,例如硝酸鹽、碳酸鹽、氧化物、氫氧化物、硫酸鹽和上述兩種或兩種以上的混合物。例如,能夠使用在煅燒后產生氧化鎂的任何鎂試劑。在一個實施方案中,金屬氧化物前體包括氫氧化鎂、硝酸鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、醋酸鎂或者上述兩種或兩種以上的混合物。在另一實施方案中,金屬氧化物前體包括碳酸鎂。
用于催化劑體系的孔形成劑是一種能夠在催化劑中幫助形成孔的物質。在這里所述的煅燒條件下,孔形成劑分解或燒掉,從而在催化劑中留下孔隙??仔纬蓜┛梢赃x自蠟和多糖。示例性的蠟包括但不限制于石蠟、聚乙烯蠟、微晶蠟、褐煤蠟、以及上述兩種或兩種以上的組合。示例性的多糖可以是纖維素、羧甲基纖維素、乙酸纖維素、淀粉、核桃粉、檸檬酸、聚乙二醇、草酸、硬脂酸和上述兩種或兩種以上的組合。陰離子和陽離子表面活性劑也是可用的,典型地是含有中和的酸類(如羧酸、磷酸和磺酸類)的長鏈(C10-28)烴。在一個實施方案中,孔形成劑是聚乙二醇。
孔形成劑的用量是它在煅燒后提供100到400埃()的平均孔徑。相對于催化劑前體試劑而言,孔形成劑的量可以是100ppm到10wt%,或者更加具體的是100ppm到約5wt%,或者甚至更加具體的是至多2wt%??仔纬蓜┑湫偷嘏c金屬氧化物前體和過渡金屬共混以提供孔形成劑與催化劑的其他組分如粘合劑和填料一起的均一分布。過渡金屬元素在催化劑體系中作為促進劑來使用。適當?shù)倪^渡金屬元素具體實例包括銅、鉻、鋅、鈷、鎳、錳和上述的兩種或兩種以上的混合物。在一個實施方案中,促進劑是銅。
催化劑前體體系通過煅燒而轉換成催化劑。在一個實施方案中,氣體如空氣、氮氣或者它們的組合在全部或部分的煅燒過程中通過催化劑前體體系。可在煅燒之前加熱催化劑前體體系,也可在氣流下加熱。據信氣流可以幫助具有所需孔徑的孔的形成。
煅燒通常通過在足以使金屬氧化物前體轉化為對應的金屬氧化物的溫度下加熱催化劑來進行。有用的煅燒規(guī)程可見美國專利6,294,499和4,554,267。煅燒溫度可以有些變化,但通常是350℃到600℃。加熱速度慢能夠導致所希望的更大的孔尺寸,但經常以降低所得催化劑活性為代價。一般,工業(yè)規(guī)模的加熱速率需要將溫度在12到18小時的范圍內從環(huán)境溫度提高到400℃,盡管確切的速率能夠根據實際反應器尺寸和幾何形狀來變化。煅燒氣氛可以是氧化、惰性或者還原氣氛?;蛘撸軌蛟谕榛磻_始時煅燒催化劑。換句話說,煅燒能夠在烷基化進料物質的存在下發(fā)生,該物質就是二羥基芳香族化合物和烷基醇。催化劑的表面積在煅燒后通常是100m2/g到250m2/g,以金屬氧化物的克數(shù)為基礎。
在一個實施方案中,催化劑在煅燒以后的平均孔徑分布為100到400。金屬氧化物烷基化催化劑可以有雙峰分布的孔。在一個實施方案中,孔的雙峰分布具有孔的第一分布,其中第一分布有小于100埃的平均孔徑;以及孔的第二分布,其中第二分布有大于100埃且小于400埃的平均直徑。雖然不為理論所限制,但是據信在催化劑中這些大孔可以減少基質的保留時間,從而增加單-烷基選擇性。
雖然在理論上并不是必然的,但是據信在反應混合物中水的存在有助于減少焦炭形成。水也充當稀釋劑。加水的量是1摩爾到10摩爾每摩爾的芳香族二羥基化合物,或者更加具體地,2到8摩爾每摩爾的芳香族二羥基化合物,或者甚至更加具體地,3到5摩爾每摩爾的芳香族二羥基化合物。
包括二羥基芳香族化合物、水和烷基化劑的反應混合物另外還可包括使反應容易進行的稀釋劑。在反應中所使用的稀釋劑是選自在300℃到500℃溫度下蒸發(fā)或處于蒸氣狀態(tài)并且在此溫度范圍內是穩(wěn)定的和很少發(fā)生或不發(fā)生分解的溶劑。適當?shù)南♂寗┑膶嵗ǖ幌拗朴趩胃蚀级酌选⒍蚀级酌?、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、丁基二甘醇二甲醚、乙二醇、聚乙二醇和二丙二醇二甲基醚。在一個實施方案中,稀釋劑是單甘醇二甲醚。所用稀釋劑的量是0.1摩爾到10摩爾每摩爾的二羥基芳香族化合物,或者更加具體地,1到8摩爾每摩爾的二羥基芳香族化合物,或者甚至更加具體地,1到2摩爾每摩爾的二羥基芳香族化合物。
烷基化反應在300℃到500℃的溫度下發(fā)生,或者更加具體地在400℃到500℃的溫度下發(fā)生,或者甚至更加具體地在440℃到480℃的溫度下發(fā)生。
烷基化方法中可用的惰性載氣包括但不限制于氮、氫、氦、氬、一氧化碳和兩種或兩種以上的前述氣體的混合物。在一個實施方案中,所使用的載氣包括氮氣。所使用的載氣的量是1摩爾到12摩爾每摩爾的二羥基芳香族化合物,或者更加具體地5到10摩爾每摩爾的二羥基芳香族化合物,或者甚至更加具體地6到8摩爾每摩爾的二羥基芳香族化合物。
進料的重時空速(WHSV)是0.1到10,或者更加具體地是2到5,或者甚至更加具體地是1到3。重時空速是每單位時間每單位催化劑的進料質量。
在一個示例過程中,反應器裝載如上制備的催化劑前體體系。然后在約390℃下、在氮氣的惰性氣氛之下、在大氣壓下將其原位煅燒約22個小時。在煅燒后,在氮氣的惰性氣氛下經二個小時使溫度增加到約400-500℃。包含二羥基芳香族化合物、烷基化試劑、稀釋劑和水的進料混合物的預混合溶液以根據WHSV測量的所需流速被引入?;蛘?,在反應中沒有稀釋劑時,包括熔融狀態(tài)的二羥基芳香族化合物的第一進料料流與包括水和烷基化試劑的第二進料料流同時添加。
這里所描述的方法對于單鄰位的烷基化產物而言,可以有大于或等于50%,或者更具體地可以有大于或等于60%,或者甚至更加具體地可以有大于或等于70%的對于單鄰位烷基化產物的選擇性。在如下所述實施例計算選擇性。
如上文討論,單烷基化二羥基芳香族化合物在聚合物、染料、藥物、攝影工業(yè)和在醫(yī)藥應用中有多種最終用途。特別是已經知道了包含單烷基化的二羥基芳香族單元的聚碳酸酯具有液晶性能。制備這些聚碳酸酯的適當方法包括在作為催化劑體系的季鹽、氫氧化鈉或者四烷基銨鹽存在下,碳酸二苯基酯與二羥基化合物的混合物的熔融聚合反應,該二羥基化合物包含單烷基化的二羥基芳香族化合物例如甲基對苯二酚。該單烷基化的二羥基芳香族化合物當通過現(xiàn)有技術已知的熔融聚合技術與其他單體偶聯(lián)時,也能夠被用來制備聚酯。
以下通過非限制性實施例進一步描述本發(fā)明的方法。
實施例在以下實施例和對比例中,用高效液相色譜(HPLC)方法來定量二羥基芳香族化合物向單鄰烷基化的二羥基芳香族化合物的轉化率。HPLC先用對苯二酚(HQ)和2-甲基對苯二酚((2-Me HQ)和2,6-二甲基對苯二酚(2,6 di MeHQ)的標準Aldrich樣品來校準。將該標準樣品用N-甲基苯甲酰胺在乙腈中的內部標準溶液稀釋并且注入C-18反相柱。每個反應混合物樣品用N-甲基苯甲酰胺在乙腈中的內部標準溶液稀釋并且被注入C-18反相柱。在特定時間間隔下分析樣品,并且與標準樣品的HPLC色譜圖比較以確定對苯二酚轉換率和對于形成2-甲基對苯二酚和2,6-二甲基對苯二酚的選擇性。
實施例1制備100克(gms)碳酸鎂、2.5gms聚乙二醇、1克(gm)石墨和1000ppm的硝酸銅的干燥混合物。此混合物被造粒和粉碎成具有800-1400微米粒度的微粒,以提供催化劑前體體系。
實施例2-10玻璃反應器裝載5克實施例1中所制備的催化劑前體體系。將該催化劑在390℃在氮氣流之下,在大氣壓下原位煅燒22小時。在煅燒以后,在氮氣的氣氛下經二個小時使溫度提高到480℃。15分鐘后,將包含對苯二酚、甲醇(MeOH)、單甘醇二甲醚和水的進料混合物以表1中所示重時空速(WHSV)的流速引入。對苯二酚和單甘醇二甲醚與水的摩爾比維持在1∶2∶3且載氣與對苯二酚摩爾比率維持在8∶1。進料混合物的溫度和甲醇與對苯二酚的摩爾比如表1所示進行變化。烷基化在上述的條件下進行24小時,在此期間,甲基對苯二酚選擇性和二甲基對苯二酚選擇性通過HPLC進行監(jiān)測。按照下面表1中所表明的采樣時間(TOS)的數(shù)據,取出用于測量轉化率和選擇性的樣品。2-甲基對苯二酚選擇性按如下計算2-MeHQ選擇性=(形成的2-MeHQ的摩爾/轉化的HQ的摩爾)*100%。
表1
1氫作為載氣25摩爾的水每摩爾對苯二酚。
這些實驗表明聚乙二醇孔形成劑在催化劑前體體系中的使用,增加了對2-甲基對苯二酚的選擇性。在催化劑前體中存在孔形成劑使催化劑體系煅燒后產生更大的孔尺寸。雖然在理論上并不是必然的,但相信2-甲基對苯二酚可以從更大的催化劑孔中更快速地擴散,因而降低了由于減少與催化劑的接觸時間而引起的過烷基化。
對比例類似的過程如實施例2-10那樣進行,除了催化劑前體僅包含碳酸鎂。結果示于表2中。
表2
由實施例1和對比例1的比較能夠看出僅使用碳酸鎂作為催化劑前體而沒有促進劑和孔形成劑存在時,顯示出在類似的操作條件下對于2-甲基對苯二酚的選擇性降低了。
前述實施例表明使用孔徑為100到400埃的催化劑導致二羥基芳香族化合物的烷基化方法對于單烷基化的產物、特別是單鄰位烷基化的產物具有令人驚訝的高選擇性。
雖然本發(fā)明已經參照示例實施方案作了描述,但本領域技術人員應當理解不脫離本發(fā)明范圍的各種改變和發(fā)明要素的等同替換都是可以做的。另外還可以進行許多改進以使具體的情形或材料適應于本發(fā)明的教導。所以,本發(fā)明并不是要受限于作為實施本發(fā)明構思的最佳方式所公開的具體實施方案,而是應當包括落在所附權利要求的范圍之內的所有實施方案。
這里所引用的所有專利和專利申請均作為參考文獻引入。
權利要求
1.一種連續(xù)方法,包括將包含二羥基芳香族化合物、水和烷基化試劑的混合物與催化劑體系在流動的載氣存在下接觸,以形成單烷基化的二羥基芳香族化合物,其中該催化劑體系是由煅燒包含金屬氧化物前體、過渡金屬元素和孔形成劑的催化劑前體體系而獲得的。
2.權利要求1的方法,其中該化合物具有下式 其中R是氫,且每種情況的R1獨立地選自氫和烴基,該烴基選自包含1到約18個碳原子的烷基、包含約6到約20個碳原子的芳基、包含約7到約12個碳原子的芳烷基和包含約7到約16個碳原子的烷芳基。
3.權利要求1的方法,其中所述的二羥基芳香族化合物選自對苯二酚、間苯二酚、鄰苯二酚、2-甲基對苯二酚、2,5-二甲基對苯二酚、2-乙基對苯二酚、2,5-二乙基對苯二酚、2-叔丁基對苯二酚、2,5-二叔丁基對苯二酚、2-苯基對苯二酚、2-芐基對苯二酚、2,3,5-三甲基對苯二酚、2-乙烯基對苯二酚、2-異丙基對苯二酚、2,5-二異丙基對苯二酚、和兩種或兩種以上的前述二羥基芳香族化合物的混合物。
4.權利要求1的方法,其中所述的二羥基芳香族化合物包括對苯二酚。
5.權利要求1的方法,其中所述的烷基化試劑選自含有1到16個碳原子的支鏈或直鏈烷基醇和含有2個到16個碳原子的支鏈或直鏈烯烴。
6.權利要求1的方法,其中所述的烷基化試劑選自甲醇、乙醇、正-丙醇、異丙基醇、正-丁基醇、異丁基醇、戊基醇、異戊基醇、己基醇、庚基醇、辛基醇、壬基醇、癸基醇、十二烷基醇、十六烷基醇、環(huán)己基醇、環(huán)己基甲基醇、乙烯、丙烯、1-丁烯、2-丁烯、異丁烯、1-戊烯、2-戊烯、2-甲基戊烯-2、3-甲基戊烯-2、1-己烯、2-己烯、3-己烯、1-庚烯、2-庚烯、3-庚烯、異構的辛烯、壬烯和癸烯。
7.權利要求1的方法,其中所述的烷基化試劑包括甲醇。
8.權利要求1的方法,其中所述的金屬氧化物前體選自氧化鎂前體、氧化鐵前體、氧化鉻前體、氧化釩前體、氧化銅前體、氧化鑭前體和上述兩種或兩種以上的混合物。
9.權利要求1的方法,其中所述的金屬氧化物前體包括氧化鎂前體。
10.權利要求1的方法,其中所述的金屬氧化物前體包括碳酸鎂。
11.權利要求1的方法,其中所述的過渡金屬元素包括銅。
12.權利要求1的方法,其中該孔形成劑選自蠟和多糖。
13.權利要求1的方法,其中該孔形成劑包括聚乙二醇。
14.權利要求1的方法,其中所述的接觸是在0.1到10重時空速下進行。
15.權利要求1的方法,其中該烷基化試劑與二羥基芳香族化合物的摩爾比是0.5到4。
16.權利要求1的方法,其中該載氣選自氮、氫、氦、氬、一氧化碳和上述兩種或兩種以上氣體的混合物。
17.權利要求1的方法,其中該二羥基芳香族化合物的單烷基化在300℃到500℃的溫度下進行。
18.權利要求1的方法,其中該混合物還包含稀釋劑。
19.權利要求18的方法,其中該稀釋劑選自單甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、丁基二甘醇二甲醚、乙二醇、聚乙二醇和二丙二醇二甲基醚。
20.權利要求18的方法,其中該稀釋劑是單甘醇二甲醚。
21.權利要求18的方法,其中該稀釋劑與二羥基芳香族化合物的摩爾比是約0.1到約10。
22.權利要求1的方法,其中該催化劑具有孔徑為100到400埃的孔。
23.一種連續(xù)方法,包括將包含二羥基芳香族化合物、水和烷基化試劑的混合物與催化劑體系在流動的載氣存在下接觸,以形成單烷基化二羥基芳香族化合物,其中所述的催化劑體系具有孔徑為100到400埃的孔。
24.權利要求23的方法,其中所述的接觸是在0.1到10重時空速下進行的。
25.一種連續(xù)方法,包括將對苯二酚、單甘醇二甲醚、水和甲醇的混合物與催化劑體系在流動的氮氣氣體存在下接觸,以形成2-甲基對苯二酚,其中包含氧化鎂和銅的所述催化劑體系由催化劑前體體系的煅燒得到,其中所述的催化劑前體體系包括碳酸鎂、銅和聚乙二醇。
26.權利要求25的方法,其中所述的接觸是在0.1到10重時空速下進行的。
27.一種聚碳酸酯,包含衍生于根據權利要求1制備的單烷基化二羥基化合物的亞單元。
28.一種聚碳酸酯,它由碳酸二苯酯和包含單烷基化的二羥基芳香族化合物的二羥基芳香族化合物的混合物在催化劑存在下通過熔融聚合來生產,其中該單烷基化二羥基化合物由權利要求1的方法制備。
全文摘要
一種連續(xù)方法包括將包含二羥基芳香族化合物、水和烷基化試劑的混合物與催化劑體系在流動的載氣存在下接觸,以形成單烷基化的二羥基芳香族化合物,其中該催化劑體系是由煅燒包含金屬氧化物前體、過渡金屬元素和孔形成劑的催化劑前體體系而獲得的。
文檔編號C07C39/08GK1938251SQ200580010375
公開日2007年3月28日 申請日期2005年3月30日 優(yōu)先權日2004年3月31日
發(fā)明者蘇尼爾·阿什泰卡, 普拉莫德·庫姆巴, 拉思納姆·J·馬哈林蓋姆, 杰加迪什·泰姆皮 申請人:通用電氣公司