專利名稱：包括含有氟氨磺酰的聚合物的負(fù)性抗蝕劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種抗蝕劑組合物和，更特別地，涉及一種包括具有至少一種含有氟氨磺酰結(jié)構(gòu)的單體單元的聚合物的負(fù)性抗蝕劑組合物。
背景技術(shù)：
在圖案化器件如半導(dǎo)體芯片和芯片載體的制造中，對(duì)構(gòu)成最終產(chǎn)品的不同的層進(jìn)行蝕刻的步驟是所涉及到的最苛刻和最至關(guān)重要的步驟之一。
在半導(dǎo)體制造中，光學(xué)刻蝕已經(jīng)成為將半導(dǎo)體器件圖案化的主流方法。在典型的現(xiàn)有技術(shù)光刻方法中，UV光通過限定了特定的電路圖案的掩模投射到涂覆了一層光敏抗蝕劑的硅片上。曝光于UV光，接著焙燒，引起光化學(xué)反應(yīng)，這改變了光敏性抗蝕劑曝光區(qū)域的溶解性。之后，用適當(dāng)?shù)娘@影劑，典型地是水性堿液，選擇性除去曝光區(qū)域(正色調(diào)抗蝕劑)或未曝光區(qū)域(負(fù)色調(diào)抗蝕劑)的抗蝕劑。然后用干或濕蝕刻法通過蝕刻掉未被抗蝕劑保護(hù)的區(qū)域?qū)⑦@樣限定的圖案印到硅片上。
抗蝕劑一般由聚合物基質(zhì)、輻射敏感組分、澆鑄(casting)溶劑和其他改善性能的添加劑組成?？刮g劑的聚合物部分應(yīng)當(dāng)在曝光波長(zhǎng)有合理的吸收，抗蝕劑組合物還必須具有適合的化學(xué)和機(jī)械性能以便能夠?qū)D像從圖案化的抗蝕劑轉(zhuǎn)移到下面的襯底層上。這樣，在抗蝕劑材料設(shè)計(jì)中要考慮的一個(gè)重要參數(shù)是材料在所給定的顯影劑中的溶解行為。圖案方式曝光的負(fù)性抗蝕劑必須能夠有適當(dāng)?shù)娜芙忭憫?yīng)(即顯影劑中未曝光區(qū)域的選擇性溶解)以得到所需的抗蝕劑結(jié)構(gòu)。工業(yè)上大規(guī)模采用0.263N的四甲基氫氧化銨(TMAH)作為抗蝕劑的顯影劑。
對(duì)于要用的負(fù)性光致抗蝕劑，在曝光前抗蝕劑應(yīng)當(dāng)有合理的溶解速率而曝光后有小的或沒有溶解。為了在水性堿顯影劑中實(shí)現(xiàn)所要求的溶解速率，已在聚合物結(jié)構(gòu)中引入了酸性基團(tuán)。例如，在設(shè)計(jì)用于在248nm波長(zhǎng)照射的負(fù)性抗蝕劑中羥基苯乙烯已被廣泛用作酸性基團(tuán)。但是，羥基苯乙烯在193nm波長(zhǎng)吸收太強(qiáng)。其他酸性基團(tuán)例如羧酸(-COOH)和六氟代醇(HFA)已被用于193nm負(fù)性抗蝕劑設(shè)計(jì)。但是羧酸酸性太強(qiáng)。帶有-COOH的抗蝕劑聚合物曝光前趨向于在0.263N的TMAH顯影劑中溶解得非?？於谄毓夂笕苊洠@大大損害了抗蝕劑的光刻性能。HFA基團(tuán)比-COOH酸性弱得多，以HFA為基礎(chǔ)的抗蝕劑具有更好的溶解性能。另一方面，由于HFA基團(tuán)中高的氟含量，常常要考慮耐蝕刻性。
因此，在該技術(shù)領(lǐng)域就需要一種負(fù)性抗蝕劑組合物，它在水性堿顯影劑中顯示優(yōu)異的溶解響應(yīng)，而又克服了伴隨現(xiàn)有技術(shù)抗蝕劑組合物的上述問題。
發(fā)明公開因此，本發(fā)明目的在于一種含有一種聚合物的負(fù)色調(diào)的抗蝕劑組合物，該聚合物含有至少一種具有下面兩種通式之一的氟氨磺酰單體單元 其中M是可聚合的骨架部分；Z是選自-C(O)O-，-C(O)-，-OC(O)-，-O-C(O)-C(O)-O-或烷基的連接部分；P是0或1；R1是線性的或支化的1-20個(gè)碳原子的烷基；R2是氫、氟、線性的或支化的1-6個(gè)碳原子的烷基，或半氟或全氟化的線性的或支化的1-6個(gè)碳原子的烷基；n是1-6的一個(gè)整數(shù)。本發(fā)明的抗蝕劑組合物可進(jìn)一步含有溶劑、輻射敏感的酸生成劑、交聯(lián)劑、猝滅劑和表面活性劑的任何一種。
另一方面，本發(fā)明目的在于一種在襯底上形成一個(gè)圖案化材料層的方法，該方法包括(a)提供一種表面上有材料層的襯底；(b)將上面提到的抗蝕劑組合物施于襯底上以在材料層上形成一個(gè)抗蝕劑層；(c)將抗蝕劑層圖案方式曝光于成像輻射；(d)除去在步驟(c)中未曝光于成像輻射的抗蝕劑層部分以在相應(yīng)于圖案的抗蝕劑層中產(chǎn)生間隔；和(e)除去在步驟(d)中形成的間隔中的材料層部分，從而形成圖案化材料層。
實(shí)施本發(fā)明的最好的方式本發(fā)明目的在于含有一種聚合物的負(fù)性抗蝕劑組合物，該聚合物含有至少一種包括氟氨磺酰基團(tuán)的單體單元。帶有這些氟氨磺酰基團(tuán)的抗蝕劑聚合物含有的氟比包含HFA的現(xiàn)有技術(shù)抗蝕劑聚合物少，這是一種提高了抗蝕劑材料的耐蝕刻性的特征。還有，本發(fā)明的氟氨磺?；鶊F(tuán)具有比現(xiàn)有技術(shù)抗蝕劑中所用的HFA基團(tuán)更高的酸性。因此，為了實(shí)現(xiàn)和含有HFA的現(xiàn)有技術(shù)抗蝕劑同樣的在顯影劑中的溶解速率，在本發(fā)明的抗蝕劑聚合物中可用較低濃度的氟氨磺酰基團(tuán)，進(jìn)一步提高了耐蝕刻性。
本發(fā)明的目的特別在于一種含有一種聚合物的負(fù)性抗蝕劑組合物，該聚合物包含至少一種優(yōu)選具有下面兩種通式之一的結(jié)構(gòu)的氟氨磺酰單體單元 其中M是可聚合的骨架部分；Z是選自-C(O)O-，-C(O)-，-OC(O)-，-O-C(O)-C(O)-O-或烷基的連接部分；P是0或1；R1是線性的或支化的1-20個(gè)碳原子的烷基；R2是氫、氟、線性的或支化的1-6個(gè)碳原子的烷基，或半氟或全氟化的線性的或支化的1-6個(gè)碳原子的烷基；n是1-6的一個(gè)整數(shù)。
可聚合的骨架部分M的例子包括 其中R3代表氫、線性或支化的1-20個(gè)碳原子的烷基、半氟或全氟化的線性或支化的1-20個(gè)碳原子的烷基、或CN；和 其中t是0-3的一個(gè)整數(shù)。
適合的氟氨磺酰單體的例子包括 該聚合物可進(jìn)一步含有可參與使得聚合物不溶于顯影劑中的反應(yīng)的共聚單體單元，如交聯(lián)共聚單體單元。該共聚單體單元的例子包括
本發(fā)明的負(fù)性抗蝕劑組合物可進(jìn)一步含有溶劑、輻射敏感的酸生成劑、交聯(lián)劑、猝滅劑和表面活性劑的任何一種。
本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員熟知的溶劑可用于本發(fā)明的抗蝕劑配方。該類溶劑用于溶解含氟氨磺酰的聚合物和抗蝕劑組合物的其他組分。該類溶劑說明性的例子包括但不局限于醚、二醇醚、芳香烴、酮、酯等。優(yōu)選的溶劑包括丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯和環(huán)己酮。這些溶劑的任何一種可以單獨(dú)使用或以兩種或多種的混合物的形式使用。
可用在本發(fā)明的抗蝕劑組合物中的輻射敏感的酸生成劑，也稱作光酸生成劑，是當(dāng)曝光于能量時(shí)產(chǎn)生酸的化合物。任何適合的光酸生成劑都可以使用，只要本發(fā)明上述的抗蝕劑組合物和光酸生成劑的混合物在有機(jī)溶劑中充分溶解和其所得的溶液通過成膜方法如旋涂等可以形成均勻的膜。可以用于本發(fā)明的該酸生成劑的說明性種類包括但不局限于鎓鹽、琥珀酰亞胺衍生物、重氮化合物、硝基芐基化合物等。為了使酸分散最小化以便有高的分辨能力，酸生成劑應(yīng)當(dāng)是當(dāng)它們曝光于能量時(shí)生成大體積的酸。這些大體積的酸含有至少4個(gè)碳原子。用于本發(fā)明的優(yōu)選的酸生成劑是鎓鹽，如碘鎓鹽或锍鹽，和/或琥珀酰亞胺衍生物。優(yōu)選的酸生成劑包括4-(1-丁氧基萘基)四氫噻吩鎓全氟丁烷磺酸鹽、三苯基锍全氟丁烷磺酸鹽、叔丁基苯基二苯基锍全氟丁烷磺酸鹽、4-(1-丁氧基萘基)四氫噻吩鎓全氟辛烷磺酸鹽、三苯基锍全氟辛烷磺酸鹽、叔丁基苯基二苯基锍全氟辛烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓全氟丁烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓全氟己烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓全氟乙基環(huán)己烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓樟腦磺酸鹽和全氟丁基磺?；醮p環(huán)[2.2.1]-庚-5-烯-2，3-二羧酰亞胺。這些光酸生成劑的任何一種可以單獨(dú)使用或以兩種或多種的混合物的形式使用。
所選的特定光酸生成劑取決于用于使抗蝕劑圖案化的照射。光酸生成劑目前對(duì)從可見光范圍到X射線范圍的各種不同波長(zhǎng)的光都可行；因此，抗蝕劑成像可用被認(rèn)為有用的深紫外、極紫外、電子束、激光或任何其他照射源進(jìn)行。
用于本發(fā)明的交聯(lián)劑可以是在光生成酸存在下產(chǎn)生穩(wěn)定的碳陽離子使含氨磺酰的聚合物交聯(lián)的單一的化合物或兩種或多種化合物的組合。典型的交聯(lián)劑是含有一種以上下面的單元的任何化合物
其中R4代表氫，或線性或支化的烷基，或芳香基團(tuán)。
優(yōu)選的交聯(lián)劑是具有下面通式的甘脲和其衍生物 其中R5-R10各自代表氫，線性或支化的烷基，優(yōu)選1-8個(gè)碳原子的烷基，或芳香基團(tuán)，優(yōu)選6-9個(gè)碳原子的芳烴基團(tuán)。優(yōu)選的交聯(lián)劑包括四甲基甲氧基甘脲(Powderlink，由Cytec購得)，甲基丙基Powderlink和甲基苯基Powderlink。兩種或多種這些交聯(lián)劑的組合也可用作交聯(lián)劑。
可用于本發(fā)明的猝滅劑是清除痕量酸同時(shí)并不對(duì)負(fù)色調(diào)抗蝕劑的性能產(chǎn)生過度的影響的弱堿。猝滅劑說明性的例子包括芳香或脂肪族胺如2-苯基苯并咪唑或叔烷基氫氧化銨如叔丁基氫氧化銨(TBAH)。
可用于本發(fā)明的表面活性劑是能夠提高本發(fā)明的負(fù)色調(diào)抗蝕劑組合物的涂覆均勻性的那些。該表面活性劑的說明性的例子包括含氟表面活性劑如3M的FC-430和含硅氧烷的表面活性劑如Union Carbide的SILWET系列等。
本發(fā)明的抗蝕劑組合物可以包含(i)約1-約30wt％的含氨磺酰的聚合物，更優(yōu)選約5-約15wt％，(ii)約1-約30wt％的交聯(lián)劑，以聚合物總重量為基礎(chǔ)，更優(yōu)選約3-約10wt％，(iii)約0.5-約20wt％的光酸生成劑，以聚合物總重量為基礎(chǔ)，更優(yōu)選約0.5-約10wt％，和(iv)溶劑，典型的存在量是組合物的約70-約99wt％?？刮g劑組合物可進(jìn)一步包含猝滅劑，其典型的存在量是以聚合物總重量為基礎(chǔ)約0.1-約1.0wt％，和表面活性劑，其典型的存在量是以聚合物總重量為基礎(chǔ)約0.001-約0.1wt％。
在本發(fā)明的另一方面，含氨磺酰的抗蝕劑組合物在半導(dǎo)體器件制造中可用作成像層。含氨磺酰的成像層用已知的方式如旋涂施涂到所需的襯底上。帶有抗蝕劑的襯底然后優(yōu)選焙燒(預(yù)曝光焙燒)以除去溶劑和提高抗蝕劑層的粘結(jié)性。典型的預(yù)曝光焙燒溫度約80-約150℃。典型的抗蝕劑厚度約100-約500nm。
成像層然后曝光于適當(dāng)?shù)恼丈湓?。接著后曝光焙燒和在水性堿顯影劑中顯影，如0.263N TMAH顯影劑。
然后圖案從抗蝕劑結(jié)構(gòu)中轉(zhuǎn)移到下面襯底的材料上(如陶瓷、電介質(zhì)、金屬或半導(dǎo)體)。典型地，通過反應(yīng)性離子蝕刻或一些其他蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移。本發(fā)明的抗蝕劑組合物和所得的抗蝕劑結(jié)構(gòu)可用于產(chǎn)生圖案化的材料層結(jié)構(gòu)如金屬布線(wiring line)、接觸孔或通孔、絕緣部分(如波形花紋的溝槽或淺的溝槽隔離)、用于電容器結(jié)構(gòu)的溝槽等，也可以用于集成電路器件設(shè)計(jì)。
制造這些物質(zhì)(陶瓷、電介質(zhì)、金屬或半導(dǎo)體)特征的方法一般包括提供一種要圖案化的材料層或襯底部分，在材料層或部分上施涂一層抗蝕劑，將抗蝕劑圖案方式曝光于輻射，通過將曝光的抗蝕劑和顯影劑接觸使圖案顯影，在圖案間隔中蝕刻抗蝕劑層下面的各層從而形成圖案化的材料層或襯底部分，和從襯底上除去任何殘留的抗蝕劑。在某些情況下，在抗蝕劑層下面使用一個(gè)硬的掩模以方便將圖案轉(zhuǎn)移到更下面的材料層或部分上。應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明并非要局限于任何特定的光刻技術(shù)或器件結(jié)構(gòu)。
下面提供了非限制性的實(shí)施例以進(jìn)一步說明本發(fā)明。因?yàn)樘峁┻@些實(shí)施例僅僅為了說明目的，其中具體實(shí)施的本發(fā)明并不局限于此。
實(shí)施例1合成甲基丙烯酸2-三氟甲烷磺酰基氨基乙基酯(I)向15g(0.091mol)甲基丙烯酸2-氨基乙基酯鹽酸鹽(由Aldrich購得)在250ml無水二氯甲烷中的溶液加入18.4g重蒸餾的三乙胺(0.182mol)。將混合物在室溫?cái)嚢?小時(shí)后，加入15.3g三氟甲烷磺酰氯(0.091mol)。所得混合物在室溫下進(jìn)一步攪拌過夜。加入大約200ml醚。過濾混合物除去形成的沉淀。濾液接著用2×100ml的5％HCl，100ml飽和的NaHCO3，2×100ml的鹽水沖洗，然后用MgSO4干燥。用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器除去溶劑。得到大約14.5g粘性液體。通過從1∶1的己烷/氯仿中重結(jié)晶將產(chǎn)品進(jìn)一步純化得到大約12g熔點(diǎn)55-58℃的白色固體(51％)。
實(shí)施例2合成聚(I-共-IV)0.148g(0.0009mol)2，2’-偶氮二異丁腈(AIBN)加入到4.7g(0.018mol)甲基丙烯酸2-三氟甲烷磺?；被一?I)、2.83g(0.012mol)甲基丙烯酸羥基金剛烷基酯(IV)、和0.061g(0.0003mol)十二烷基硫醇在22.6g 2-丁酮中的溶液中。溶液通過吹入0.5小時(shí)干燥的N2進(jìn)行脫氧然后回流12小時(shí)。反應(yīng)混合物冷卻到室溫和在劇烈攪拌下在400ml己烷中沉淀。通過過濾收集所得白色固體，用數(shù)份己烷沖洗并在60℃真空干燥20小時(shí)。
實(shí)施例3合成聚(I-共-IV-共-VI)用下面的單體采用和實(shí)施例2相同的程序甲基丙烯酸2-三氟甲烷磺?；被一?I)(5.22g，0.02mol)、甲基丙烯酸羥基金剛烷基酯(IV)(3.78g，0.016mol)和甲基丙烯酸2-羥基乙基酯(VI)(0.52g，0.004mol)，AIBN(0.197g，0.0012mol)和十二烷基硫醇(0.081g，0.0004mol)。
實(shí)施例4合成聚(I-共-XVII-共-IV-共-VI)用下面的單體采用和實(shí)施例2相同的程序甲基丙烯酸2-三氟甲烷磺?；被一?I)(2.35g，0.009mol)、2-甲基丙烯?；?γ-丁內(nèi)酯(XVII)(1.53g，0.009mol)、甲基丙烯酸羥基金剛烷基酯(IV)(2.12g，0.009mol)和甲基丙烯酸2-羥基乙基酯(VI)(0.39g，0.003mol)，AIBN(0.246g，0.0015mol)和十二烷基硫醇(0.182g，0.0009mol)。
實(shí)施例5光刻評(píng)價(jià)為了光刻實(shí)驗(yàn)的目的，通過結(jié)合下面的材料制備含有聚(I-共-XVII-共-IV-共-VI)(實(shí)施例4)的抗蝕劑配方，以重量份表示

抗蝕劑配方旋涂(30秒)到施于硅片上的抗反射材料層(AR40，從Shipley Company購得)上?？刮g劑層在105℃在真空熱板上軟焙燒60秒，產(chǎn)生大約0.24μm厚的薄膜。該晶片然后曝光于193nm輻射(用ASML掃描儀，0.75NA)。曝光圖案為低至0.08μm的各種尺度的線和間隔的陣列。曝光的晶片在105℃在真空熱板上后曝光焙燒90秒。然后將晶片用0.263N TMAH顯影劑(搗拌(puddle))顯影60秒。圖案用掃描電子顯微鏡(SEM)檢查。90nm及以上的線/間隔對(duì)可以很好地分辨。
盡管本發(fā)明特別結(jié)合了特定的優(yōu)選實(shí)施方案和其他替代實(shí)施方案進(jìn)行了描述，很顯然眾多的替代方案、更改和變更根據(jù)前述的說明對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來說都是很明顯的。因此意圖是附屬的權(quán)利要求包括了所有的該類替代方案、更改和變更，這些都落入本發(fā)明的實(shí)際范圍和精神內(nèi)。
工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明的負(fù)性抗蝕劑組合物在制造圖案化器件如半導(dǎo)體芯片和芯片載體上是很有用的。
權(quán)利要求
1.一種含有一種聚合物的負(fù)性抗蝕劑組合物，該聚合物含有至少一種具有下面兩種通式之一的氟氨磺酰單體單元 其中M是可聚合的骨架部分；Z是選自-C(O)O-，-C(O)-，-OC(O)-，-O-C(O)-C(O)-O-或烷基的連接部分；P是0或1；R1是線性的或支化的1-20個(gè)碳原子的烷基；R2是氫、氟、線性的或支化的1-6個(gè)碳原子的烷基、或半氟或全氟化的線性的或支化的1-6個(gè)碳原子的烷基；n是1-6的一個(gè)整數(shù)。
2.權(quán)利要求1的負(fù)性抗蝕劑組合物，其中氟氨磺酰單體單元選自
3.權(quán)利要求1的負(fù)性抗蝕劑組合物，其中聚合物進(jìn)一步含有一種選自如下的共聚單體單元
4.權(quán)利要求1的負(fù)性抗蝕劑組合物，進(jìn)一步含有一種輻射敏感的酸生成劑。
5.權(quán)利要求4的負(fù)性抗蝕劑組合物，其中輻射敏感的酸生成劑選自鎓鹽、琥珀酰亞胺衍生物、重氮化合物和硝基芐基化合物。
6.權(quán)利要求4的負(fù)性抗蝕劑組合物，其中輻射敏感的酸生成劑選自4-(1-丁氧基萘基)四氫噻吩鎓全氟丁烷磺酸鹽、三苯基锍全氟丁烷磺酸鹽、叔丁基苯基二苯基锍全氟丁烷磺酸鹽、4-(1-丁氧基萘基)四氫噻吩鎓全氟辛烷磺酸鹽、三苯基锍全氟辛烷磺酸鹽、叔丁基苯基二苯基锍全氟辛烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓全氟丁烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓全氟己烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓全氟乙基環(huán)己烷磺酸鹽、二(叔丁基苯基)碘鎓樟腦磺酸鹽和全氟丁基磺?；趸p環(huán)[2.2.1]-庚-5-烯-2，3-二羧酰亞胺。
7.權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物，進(jìn)一步含有溶劑、交聯(lián)劑、猝滅劑和表面活性劑中的至少一種。
8.權(quán)利要求7的抗蝕劑組合物，其中交聯(lián)劑含有兩種或多種下面的部分 其中R4表示氫、或線性或支化的烷基、或芳香基團(tuán)。
9.權(quán)利要求8的抗蝕劑組合物，其中交聯(lián)劑含有 其中R5-R10各自表示氫、或線性或支化的烷基、或芳香基團(tuán)。
10.權(quán)利要求9的抗蝕劑組合物，其中R5-R10各自表示氫、線性或支化的1-8個(gè)碳原子的烷基、或6-9個(gè)碳原子的芳烴基團(tuán)。
11.權(quán)利要求7的抗蝕劑組合物，其中抗蝕劑組合物含有(i)約1-約30wt％的聚合物，(ii)約1-約30wt％的交聯(lián)劑，以聚合物總重量為基礎(chǔ)，(iii)約0.5-約20wt％的光酸生成劑，以聚合物總重量為基礎(chǔ)，和(iv)溶劑，存在量是組合物的約70-約99wt％。
12.權(quán)利要求7的抗蝕劑組合物，其中抗蝕劑組合物含有(i)約5-約15wt％的聚合物，(ii)約3-約10wt％的交聯(lián)劑，以聚合物總重量為基礎(chǔ)，(iii)約0.5-約10wt％的光酸生成劑，以聚合物總重量為基礎(chǔ)，和(iv)溶劑，存在量是組合物的約85-約99wt％。
13.一種在襯底上形成圖案化材料層的方法，該方法包括(a)提供一種表面上有材料層的襯底；(b)將權(quán)利要求1的抗蝕劑組合物施于襯底上以在材料層上形成一個(gè)抗蝕劑層；(c)將抗蝕劑層圖案方式曝光于成像輻射；(d)除去在步驟(c)中未曝光于成像輻射的抗蝕劑層部分以在相應(yīng)于圖案的抗蝕劑層中產(chǎn)生間隔；和(e)除去在步驟(d)中形成的間隔中的材料層部分，從而形成圖案化材料層。
14.權(quán)利要求13的方法，其中抗蝕劑層部分通過將抗蝕劑層和水性堿顯影液接觸而除去，從而未曝光于成像輻射的抗蝕劑層部分被顯影液溶解而在相應(yīng)于圖案的抗蝕劑層中產(chǎn)生間隔。
15.權(quán)利要求14的方法，其中水性堿顯影液是0.263N的四甲基氫氧化銨。
16.權(quán)利要求13的方法，其中材料層選自陶瓷、電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體層。
17.權(quán)利要求13的方法，其中成像輻射是193nm輻射。
18.權(quán)利要求13的方法，其中成像輻射是157nm輻射。
19.權(quán)利要求13的方法，其中材料層部分通過經(jīng)由抗蝕劑層中形成的間隔蝕刻進(jìn)材料層中而除去。
20.權(quán)利要求13的方法，其中材料層部分用反應(yīng)性離子蝕刻除去。
全文摘要
公開了一種負(fù)性抗蝕劑組合物，其中抗蝕劑組合物包括一種含有至少一種具有右面兩種通式之一的氟氨磺酰單體單元的聚合物其中M是可聚合的骨架部分；Z是選自－C(O)O－，－C(O)－，－OC(O)－，－O－C(O)－C(O)－O－或烷基的連接部分；P是0或1；R
文檔編號(hào)G03C1/73GK1846169SQ200480025489
公開日2006年10月11日 申請(qǐng)日期2004年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月16日
發(fā)明者李文杰, P·R·瓦拉納西 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司