技術(shù)編號(hào):2756817
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種抗蝕劑組合物和,更特別地,涉及一種包括具有至少一種含有氟氨磺酰結(jié)構(gòu)的單體單元的聚合物的負(fù)性抗蝕劑組合物。背景技術(shù) 在圖案化器件如半導(dǎo)體芯片和芯片載體的制造中,對(duì)構(gòu)成最終產(chǎn)品的不同的層進(jìn)行蝕刻的步驟是所涉及到的最苛刻和最至關(guān)重要的步驟之一。在半導(dǎo)體制造中,光學(xué)刻蝕已經(jīng)成為將半導(dǎo)體器件圖案化的主流方法。在典型的現(xiàn)有技術(shù)光刻方法中,UV光通過(guò)限定了特定的電路圖案的掩模投射到涂覆了一層光敏抗蝕劑的硅片上。曝光于UV光,接著焙燒,引起光化學(xué)反應(yīng),這改變...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。