專利名稱:一種斜面單層陶瓷電容器的制作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種斜面單層陶瓷電容器,用于在電路中進行耦合、濾波和隔直。
背景技術:
目前,業(yè)界大量使 用的單層陶瓷電容器,其基本結構是陶瓷面與電極面垂直,如公開號為CN 1601673. A的專利公開的便是一種陶瓷面與電極面垂直的單層陶瓷電容器。由于陶瓷面很薄,一般只有0. 076-0. 254mm,因此,在進行裝配的時候,導電漿料或焊膏很容易溢過陶瓷層高度,外翻與上電極面連接,從而導致電容器短路,顯然,傳統(tǒng)的陶瓷面與電極面垂直的單層陶瓷電容器在裝配時容易導致電容器短路已是不爭的事實,因此有必要改進。
實用新型內容本實用新型解決的技術問題提供一種斜面單層陶瓷電容器,可有效避免或預防單層陶瓷電容器在裝配過程中發(fā)生的電容器短路問題。本實用新型采用的技術方案一種斜面單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質層以及附著于陶瓷介質層上端面的上電極層和其下端面的下電極層,所述上電極層的面積小于下電極層的面積。其中,所述陶瓷介質層的邊緣線與上電極層和下電極層的邊緣線呈一條斜線,且陶瓷介質層的端面與上電極層和下電極層之間的夾角為0-90°。進一步地,所述陶瓷介質層的上端面與上電極層之間的夾角和陶瓷介質層的下端面與下電極層之間的夾角相等或者不相等。本實用新型與現有技術相比由于陶瓷介質層與上下電極層均采用斜面設計,拉大了導電漿料或焊膏從下電極層到上電極層之間路徑,從而避免或預防了單層陶瓷電容器在裝配過程中導致的的電容器短路問題。
圖I為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖I描述本實用新型的一種實施例。一種斜面單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質層I以及附著于陶瓷介質層I上端面的上電極層2和其下端面的下電極層3,所述上電極層2的面積小于下電極層3的面積。具體的,所述陶瓷介質層I的邊緣線與上電極層2和下電極層3的邊緣線呈一條斜線,拉大了導電漿料或焊膏從下電極層3到上電極層2之間路徑,避免或預防了單層陶瓷電容器在裝配過程中導致的短路問題。且陶瓷介質層I的端面與上電極層2和下電極層3之間的夾角為0-90°,所述陶瓷介質層I的上端面與上電極層2之間的夾角和陶瓷介質層I的下端面與下電極層3之間的夾角相等或者不相等。[0012]先在陶瓷介質層I的上下兩個端面被覆上電極層2和下電極層3,上電極層2和下電極層3可以是單層金屬,如銀,銅,鎳,錫或金等,也可以是多層金屬,如鈦鎢/金,鈦鎢/鎳/金/,鈦/銅/金等,被覆上電極層2和下電極層3的方法可以是印刷法,濺射法,蒸發(fā)法,化學鍍或電鍍法等。然后對陶瓷介質層I進行劃切,劃切時保證陶瓷介質層I所在的平面與劃切刀所在的平成始終成30°的夾角。劃切結束后,便得到陶瓷介質層I與下電極層3成30°的夾角的斜面單層陶瓷電容器。上述實施例,只是本實用新型的較佳實施例,并非用來限制本實用新型實施范圍,故凡以本實用新型權利要求所述內容所做的等效變化,均應包括在本實用新型權利要求范圍之內。
權利要求1.一種斜面單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質層(I)以及附著于陶瓷介質層(I)上端面的上電極層(2)和其下端面的下電極層(3),其特征在于所述上電極層(2)的面積小于下電極層(3)的面積。
2.根據權利要求I所述的斜面單層陶瓷電容器,其特征在于所述陶瓷介質層(I)的邊緣線與上電極層(2 )和下電極層(3 ) 的邊緣線呈一條斜線,且陶瓷介質層(I)的端面與上電極層(2)和下電極層(3)之間的夾角為0-90°。
3.根據權利要求I或2所述的斜面單層陶瓷電容器,其特征在于所述陶瓷介質層(I)的上端面與上電極層(2)之間的夾角和陶瓷介質層(I)的下端面與下電極層(3)之間的夾角相等或者不相等。
專利摘要本實用新型提供一種斜面單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質層以及附著于陶瓷介質層上端面的上電極層和其下端面的下電極層,所述上電極層的面積小于下電極層的面積。本實用新型由于陶瓷介質層與上下電極層均采用斜面設計,拉大了導電漿料或焊膏從下電極層到上電極層之間路徑,從而避免或預防了單層陶瓷電容器在裝配過程中導致的的電容器短路問題。
文檔編號H01G4/005GK202796441SQ20122049750
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權日2012年9月26日
發(fā)明者楊俊鋒, 莊嚴, 莊彤, 馮毅龍, 王華洋 申請人:廣州天極電子科技有限公司