專利名稱：疊層陶瓷電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種疊層陶瓷電容器及其制造方法，特別地，涉及一種因具備被賦予作為電阻元件的功能的外部電極而成為CR復(fù)合電子部件的疊層陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術(shù)：
在CPU四周在去耦(decoupling)用途中使用疊層陶瓷電容器的時(shí)候，由于疊層陶瓷電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)過低，而存在所謂在電路上因并聯(lián)諧振而產(chǎn)生振蕩，產(chǎn)生阻抗增大的問題。為此，在面向這些用途的疊層陶瓷電容器中，希望將ESR控制在幾十～幾千mΩ。作為對此要求的響應(yīng)，提出賦予疊層陶瓷電容器中所具備的外部電極作為電阻元件的功能的方案。
例如，國際公開2006/022258號手冊(專利文獻(xiàn)1)中記載了，在具備含Ni或Ni合金的內(nèi)部電極的疊層陶瓷電容器中，其外部電極例如為2層結(jié)構(gòu)，在下層形成含與Ni或Ni合金反應(yīng)的復(fù)合氧化物(優(yōu)選In-Sn復(fù)合氧化物)和玻璃成分的電阻電極，在上層形成主成分為例如Cu或Cu合金的導(dǎo)電電極。
此外，在上述專利文獻(xiàn)1中，公開有一種為了控制ESR而改變上述外部電極中的下層的電阻電極中的玻璃添加量和/或玻璃軟化點(diǎn)的情形。在專利文獻(xiàn)1所述的特定實(shí)施方式中，使用一種具有約560℃、約580℃及約600℃的各軟化點(diǎn)的B-Si-Zn-Ba-Ca-Al類玻璃。
另一方面，在專利文獻(xiàn)1中沒有具體記載有關(guān)外部電極中的上層的導(dǎo)電電極中的玻璃。
此外，在特開2004-128328號公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中記載了，在具備由Ni組成的內(nèi)部電極的疊層陶瓷電容器中，其外部電極例如為2層結(jié)構(gòu)，在下層形成含選自氧化釕、氧化釕化合物及石墨·碳的導(dǎo)電性物質(zhì)和玻璃的電阻電極，在上層形成含例如選自Cu、Ni等的導(dǎo)電性物質(zhì)和玻璃的導(dǎo)電電極，作為上層和下層中所含的玻璃使用相同的玻璃。
在即將制造上述這種疊層陶瓷電容器的時(shí)候，雖然分別經(jīng)過焙燒工序形成外部電極中的下層電阻電極及上層導(dǎo)電電極，但為了經(jīng)過此焙燒工序獲得穩(wěn)定的ESR，就必須抑制玻璃從上層導(dǎo)電電極向下層電阻電極中或向兩者的交界面部分流動。
但是，例如在上層導(dǎo)電電極中如果使用與下層電阻電極相同的玻璃，則在用于上層導(dǎo)電電極的形成的焙燒時(shí)，往往不能抑制玻璃從上層導(dǎo)電電極向下層電阻電極中或交界面部分流動，下層電阻電極的電阻值或在交界面部分的電阻值上升。其結(jié)果，常常會超過下層電阻電極單獨(dú)的目標(biāo)ESR值，難于控制(調(diào)整)目標(biāo)ESR值。
專利文獻(xiàn)1國際公開WO2006/022258號手冊 專利文獻(xiàn)1JP特開2004-128328號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種可解決上述問題的疊層陶瓷電容器及其制造方法。
本發(fā)明首先提供一種疊層陶瓷電容器，包括層疊多個陶瓷層而成的陶瓷疊層體，形成在陶瓷疊層體的內(nèi)部的內(nèi)部電極，以及形成在陶瓷疊層體的外表面上、且與內(nèi)部電極中的特定的內(nèi)部電極電連接的外部電極；外部電極包括下層電阻電極、及形成在下層電阻電極上的上層導(dǎo)電電極；其特征在于，為了解決上述技術(shù)課題，下層電阻電極含有第1玻璃，上層導(dǎo)電電極含有第2玻璃，第2玻璃具有比第1玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)。
在本發(fā)明相關(guān)的疊層陶瓷電容器中，優(yōu)選上述第2玻璃是在用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒工序中結(jié)晶化的玻璃。
此外，本發(fā)明還提供一種疊層陶瓷電容器的制造方法。
本發(fā)明相關(guān)的疊層陶瓷電容器的制造方法，包括制作陶瓷疊層體的工序，該陶瓷疊層體由層疊的多個陶瓷層而成，沿陶瓷層間的特定的交界面形成了內(nèi)部電極；以及在陶瓷疊層體的外表面上形成外部電極的工序，該外部電極與內(nèi)部電極中的特定的內(nèi)部電極電連接。
上述形成外部電極的工序包括通過焙燒形成含第1玻璃的下層電阻電極的工序，和通過焙燒在下層電阻電極上形成含具有比第1玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)的第2玻璃的上層導(dǎo)電電極的工序。在此，其特征在于，用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度比用于形成下層電阻電極的焙燒溫度低。
在本發(fā)明相關(guān)的疊層陶瓷電容器的制造方法中，用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度比用于形成下層電阻電極的焙燒溫度低10℃以上，且第2玻璃的軟化點(diǎn)比用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度低50℃以上。
發(fā)明效果 根據(jù)本發(fā)明，由于在上層導(dǎo)電電極中使用具有比下層電阻電極高20℃以上的軟化點(diǎn)的玻璃，所以在用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒時(shí)，就能夠抑制玻璃向下層電阻電極中以及向上層導(dǎo)電電極和下層電阻電極之間的交界面部分流動。其結(jié)果，就能夠抑制下層電阻電極的電阻值及在交界面部分的電阻值的上升，就能夠獲得穩(wěn)定的目標(biāo)ESR值。
此外，通過提高在上層導(dǎo)電電極中使用的玻璃的軟化點(diǎn)，就能在提高上層導(dǎo)電電極的相對于電鍍液的密封性、提高疊層陶瓷電容器的可靠性的同時(shí)，很難產(chǎn)生焊料爆裂(伴隨浸入電極中的電鍍液在焊接時(shí)汽化、噴出，焊球飛濺的現(xiàn)象)。特別地，當(dāng)升高玻璃的軟化點(diǎn)之時(shí)，在例如SiO2等的玻璃網(wǎng)絡(luò)形成元素的比率提高的情況下，進(jìn)一步提高對上述電鍍液的密封性。
在本發(fā)明相關(guān)的疊層陶瓷電容器中，在上層導(dǎo)電電極中所含有的玻璃是在用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒工序中結(jié)晶化的玻璃的情況下，玻璃的粘性提高，由于能進(jìn)一步抑制玻璃向下層電阻電極側(cè)流動，所以能使目標(biāo)ESR值更穩(wěn)定。
根據(jù)本發(fā)明相關(guān)的疊層陶瓷電容器的制造方法，由于用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度比用于形成下層電阻電極的焙燒溫度低，所以就能避免下層電阻電極和內(nèi)部電極的接合斷裂的問題。
在本發(fā)明相關(guān)的疊層陶瓷電容器的制造方法中，如果用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度比用于形成下層電阻電極的焙燒溫度低10℃以上、且上層導(dǎo)電電極中所含的第2玻璃的軟化點(diǎn)比用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度低50℃以上，則能更確實(shí)地避免下層電阻電極和內(nèi)部電極的接合斷裂的問題，同時(shí)還能充分地?zé)Y(jié)上層導(dǎo)電電極。



圖1是用面向疊層方向的剖面圖解地示出本發(fā)明的一實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器1的正面圖。
圖2示出本發(fā)明的另一實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器21，(a)是疊層陶瓷電容器21的上面圖，(b)是沿(a)的線B-B的剖面圖。
圖3是放大表示圖2(b)的局部圖。
符號說明 1、21疊層陶瓷電容器2、22陶瓷層 3、23陶瓷疊層體4、5、26、27內(nèi)部電極 6、7、28、29外部電極 8、30下層電阻電極 9、31上層導(dǎo)電電極 24、25通路導(dǎo)體
具體實(shí)施例方式 圖1示出本發(fā)明一實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器1。
疊層陶瓷電容器1具備層疊由電介質(zhì)陶瓷組成的多個陶瓷層2而成的長方體狀的陶瓷疊層體3。在陶瓷疊層體3的內(nèi)部沿陶瓷層2間的特定的交界面形成內(nèi)部電極4及5。內(nèi)部電極4及5例如含有Ni或Ni合金作為導(dǎo)電成分。內(nèi)部電極4和內(nèi)部電極5被交替配置、且以在其間插入陶瓷層2的狀態(tài)相互對置，由此形成靜電電容。
在陶瓷疊層體3的外表面上相對置的端部上形成外部電極6及7。一個外部電極6與內(nèi)部電極4電連接，另一個外部電極7與內(nèi)部電極5電連接。
在這種疊層陶瓷電容器1中，外部電極6及7分別具備與陶瓷疊層體3的外表面相連、同時(shí)與內(nèi)部電極4及5的任意一個電連接的下層電阻電極8，和在其上形成的上層導(dǎo)電電極9。
下層電阻電極8用于賦予外部電極6及7作為電阻元件的功能，優(yōu)選含有與內(nèi)部電極4及5所含有的Ni或Ni合金反應(yīng)的In-Sn復(fù)合氧化物和玻璃。通常相比于In2O3固溶1～20重量％的SnO2合成上述In-Sn復(fù)合氧化物，該In-Sn復(fù)合氧化物是具有規(guī)定的電阻值的導(dǎo)電成分。上述玻璃是電絕緣成分，作為此玻璃，雖然使用例如B-Si-Zn-Ba-Ca類玻璃，但也可以使用其它的組成類別的玻璃。
上層導(dǎo)電電極9含有導(dǎo)電性金屬和玻璃。作為導(dǎo)電性金屬，例如可使用Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、Ni、Ni合金等。此外，作為上述玻璃，雖然可使用例如B-Si-Zn-Ba-Ca類玻璃，但也可以使用其它的組成類別的玻璃。
通過在陶瓷疊層體3的外表面上涂敷例如含In-Sn復(fù)合氧化物粉末、玻璃料和有機(jī)媒介物的膏進(jìn)行焙燒來形成下層電阻電極8。此外，在下層電阻電極8上涂敷含有例如Cu或Cu合金粉末這樣的導(dǎo)電性金屬粉末、玻璃料和有機(jī)媒介物的膏以便將其覆蓋，通過進(jìn)行焙燒來形成上層導(dǎo)電電極9。
在此，下層電阻電極8中所含有的玻璃為第1玻璃、上層導(dǎo)電電極9中所含的玻璃為第2玻璃時(shí)，使第2玻璃具有比第1玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)。由此，在用于形成上層導(dǎo)電電極9的焙燒時(shí)，能抑制第2玻璃向下層電阻電極8中及上層導(dǎo)電電極9和下層電阻電極8之間的交界面部分流動。其結(jié)果，能抑制在下層電阻電極8及交界面部分的電阻值的不希望的上升，能獲得穩(wěn)定的目標(biāo)ESR值。
像此實(shí)施方式那樣，在下層電阻電極8含有In-Sn復(fù)合氧化物及第1玻璃的時(shí)候，特別優(yōu)選第1玻璃的軟化點(diǎn)為560～580℃、第2玻璃的軟化點(diǎn)為580～600℃。因?yàn)橛纱四塬@得更穩(wěn)定的(即偏差小的)電阻值。
雖然在圖1中沒有圖示，但有時(shí)在上層導(dǎo)電電極9上按照需要形成例如Sn或焊料電鍍膜。如前所述，如果提高上層導(dǎo)電電極9中所含的第2玻璃的軟化點(diǎn)的話，則能提高相對于為了形成這樣的電鍍膜而使用的電鍍液的密封性，由此，能提高獲得的疊層陶瓷電容器1的可靠性，同時(shí)能使焊料的爆裂難以發(fā)生。特別地，當(dāng)提高第2玻璃的軟化點(diǎn)之時(shí)，例如如果提高SiO2等玻璃網(wǎng)絡(luò)形成元素的比率，則上述效果會更加顯著。
優(yōu)選地，用于形成上層導(dǎo)電電極9的焙燒溫度比用于形成下層電阻電極8的焙燒溫度低。原因是在上層導(dǎo)電電極9的焙燒時(shí)能抑制下層電阻電極8的致密化的進(jìn)行，或抑制與內(nèi)部電極4及5的結(jié)合性等的狀態(tài)的變化的產(chǎn)生，能獲得更穩(wěn)定的ESR。由此，能避免下層電阻電極8和內(nèi)部電極4及5的接合斷裂的問題。為了更確實(shí)地避免此接合斷裂的問題，使用于形成上層導(dǎo)電電極9的焙燒溫度比用于形成下層電阻電極8的焙燒溫度低10℃以上。此外，為了充分地?zé)Y(jié)上層導(dǎo)電電極9，優(yōu)選第2玻璃的軟化點(diǎn)比用于形成上層導(dǎo)電電極9的焙燒溫度低50℃以上。
在上文中，雖然結(jié)合圖示的實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但在本發(fā)明的范圍內(nèi)，還會存在其它各種變化例。
例如，也可以進(jìn)一步分別在外部電極6及7中，形成與陶瓷疊層體3及內(nèi)部電極4或5相連的導(dǎo)通層，與此導(dǎo)通層的外面相連形成下層電阻電極8。導(dǎo)通層優(yōu)選以與內(nèi)部電極4及5中所含的金屬反應(yīng)的金屬為主成分。例如內(nèi)部電極4及5含有Ni或Ni合金的時(shí)候，作為成為導(dǎo)通層的主成分的金屬，優(yōu)選使用Ni和/或Cu。
此外，雖然圖1是用面向疊層方向的剖面圖解地示出疊層陶瓷電容器1的正面圖，但根據(jù)圖1，在平面方向上看陶瓷疊層體3時(shí)，并不能明確外部電極6及7是形成在陶瓷疊層體3的短邊側(cè)還是形成在長邊側(cè)。本發(fā)明無論對于在陶瓷疊層體3的短邊側(cè)形成外部電極6及7，還是對于在陶瓷疊層體3的長邊側(cè)形成外部電極6及7，都能適用。
此外，本發(fā)明還能適用于通路陣列(via array)型的疊層陶瓷電容器。圖2及圖3示出本發(fā)明的另一實(shí)施方式的通路陣列型的疊層陶瓷電容器21。在圖2中，(a)是疊層陶瓷電容器21的上面圖，(b)是沿(a)的線B-B的剖面圖。圖3是放大表示圖2(b)的一部分的圖。
疊層陶瓷電容器21具備層疊由電介質(zhì)陶瓷組成的多個陶瓷層22而成的長方體狀的、更確定的是正四邊柱狀的陶瓷疊層體23。在陶瓷疊層體23的內(nèi)部形成在疊層方向上貫通陶瓷疊層體23、且在陶瓷疊層體23的上下面引出的第1及第2通路導(dǎo)體24及25，和沿陶瓷層22間的特定的交界面形成的第1及第2內(nèi)部電極26及27。
第1內(nèi)部電極26和第2內(nèi)部電極27被交替地配置，且以在相互之間插入陶瓷層22的狀態(tài)彼此對置，由此形成靜電容量。第1通路導(dǎo)體24與第1內(nèi)部電極26電連接，但相對于第2內(nèi)部電極27是電絕緣的。另一方面，第2通路導(dǎo)體25與第2內(nèi)部電極27電連接，但相對于第1內(nèi)部電極26是電絕緣的。
上述通路導(dǎo)體24及25以及內(nèi)部電極26及27，例如含有Ni或Ni合金作為導(dǎo)電成分。
在陶瓷疊層體23的上面及下面上分別形成多個第1及第2外部電極28及29。第1外部電極28與第1通路導(dǎo)體24電連接，第2外部電極29與第2通路導(dǎo)體25電連接。其結(jié)果，第1外部電極28與第1內(nèi)部電極26電連接，第2外部電極29與第2內(nèi)部電極27電連接。如圖2(a)及同圖(b)所示，多個第1及第2外部電極28及29分別配置在陶瓷疊層體23的各上面及下面上，以便彼此相鄰。
在這樣的通路陣列型的疊層陶瓷電容器21中，關(guān)于第1外部電極28如圖3所圖示，外部電極28及29分別包括與陶瓷疊層體23相連、同時(shí)與通路導(dǎo)體24及25的任意一個相連的下層電阻電極30和在其上形成的上層導(dǎo)電電極31。
下層電阻電極30與上述圖1所示的下層電阻電極8組成相同。上層導(dǎo)電電極31與圖1所示的上層導(dǎo)電電極9組成相同。
這樣的通路陣列型的疊層陶瓷電容器21，例如按如下進(jìn)行制造。
首先，在制備可成為陶瓷層22的陶瓷生片(green sheet)的同時(shí)，還制備用于形成通路導(dǎo)體24及25以及內(nèi)部電極26及27的導(dǎo)電性膏。
接著，通過例如絲網(wǎng)印刷等在陶瓷生片上印刷上述導(dǎo)電性膏，形成可成為內(nèi)部電極26及27的導(dǎo)電性膏膜。
接著，層疊規(guī)定片數(shù)的印刷了導(dǎo)電性膏膜的陶瓷生片，此外在其一側(cè)層疊規(guī)定片數(shù)的未印刷導(dǎo)電性膏膜的外層用的陶瓷生片，進(jìn)一步按照需要，在另一側(cè)也層疊外層用的陶瓷生片，由此，制作母模狀態(tài)的生的疊層體。按照需要利用靜水壓按壓等的方法，在疊層方向上壓接此母疊層體。
接著，使用激光器或NC沖壓機(jī)等工具，在疊層體中形成貫通疊層方向的貫通孔。然后，利用絲網(wǎng)印刷等方法，在上述貫通孔中填充可成為通路導(dǎo)體24及25的導(dǎo)電性膏。
接著，以規(guī)定的尺寸截?cái)嘟?jīng)過上述這樣的工序得到的生的母疊層體，切出陶瓷疊層體23的生的狀態(tài)的疊層體，接著，焙燒此生的狀態(tài)的陶瓷疊層體23。
焙燒后，利用絲網(wǎng)印刷等的方法，在陶瓷疊層體23的上面及下面上印刷用于下層電阻電極30的膏以便覆蓋分別露出的通路導(dǎo)體24及25，接著通過進(jìn)行烘焙，形成成為外部電極28及29的基底的下層電阻電極30。
接著，利用絲網(wǎng)印刷等的方法，在上述下層電阻電極30上印刷用于上層導(dǎo)電電極31的膏，通過對其進(jìn)行烘焙，形成上層導(dǎo)電電極31。此后，可以按照需要，在上層導(dǎo)電電極31上實(shí)施電鍍。
接著，說明為了確認(rèn)本發(fā)明的效果所實(shí)施的實(shí)驗(yàn)例。
(實(shí)驗(yàn)例1) 首先，利用公知的方法，制備設(shè)計(jì)成內(nèi)部電極含Ni、靜電電容為1μF的用于疊層陶瓷電容器的陶瓷疊層體。
另外，按如下制作用于形成下層電阻電極的膏。
在In2O3粉末中混合SnO2粉末，以使得相比于In2O3粉末和SnO2粉末的合計(jì)量，SnO2粉末含有率為5重量％，在大氣中1400℃的溫度下進(jìn)行5小時(shí)的煅燒，使SnO2充分地固溶后，實(shí)施粉碎處理直到平均粒徑約為1μm，由此得到In-Sn復(fù)合氧化物粉末。
此外，作為第1玻璃，制備由B-Si-Zn-Ba-Ca類玻璃組成、具有表1的“第1玻璃軟化點(diǎn)”所示的軟化點(diǎn)、平均粒徑為約1μm的玻璃料。再有，在此實(shí)驗(yàn)例中，軟化點(diǎn)是通過目視從表示差熱分析裝置(DTA)的軟化點(diǎn)的拐點(diǎn)讀取的溫度。
接著，在按上述那樣制備出的In-Sn復(fù)合氧化物粉末及玻璃料中加入含20重量％的丙烯酸樹脂的有機(jī)媒介物并進(jìn)行混合，通過輥分散處理得到下層電阻電極用膏。在此膏中，(In-Sn復(fù)合氧化物粉末)∶(玻璃料)∶(有機(jī)媒介物)的體積比率為1∶1∶8。
此外，按如下制作用于形成上層導(dǎo)電電極的膏。
以50∶50的比率調(diào)和平均粒徑1μm的球形粉末和平均粒徑0.5μm的球形粉末，制備Cu粉末。
此外，作為第2玻璃，制備主要元素由B-Si-Zn-Ba-O類玻璃組成、具有表1的“第2玻璃軟化點(diǎn)”所示的軟化點(diǎn)、平均粒徑為約1μm的玻璃料。
接著，在按上述那樣制備出的Cu粉末及玻璃料中加入含20重量％的丙烯酸樹脂的有機(jī)媒介物并進(jìn)行混合，通過輥分散處理得到上層導(dǎo)電電極用膏。在此膏中，(Cu粉末)∶(玻璃料)∶(有機(jī)媒介物)的體積比率為20∶5∶75。
接著，利用浸漬法在按上述那樣制備出的陶瓷疊層體的各端部涂敷上述下層電阻電極用膏，在150℃的溫度下干燥10分鐘。其干燥后的涂敷厚度為約30μm。
接著，將上述那樣涂敷了下層電阻電極用膏經(jīng)過干燥的陶瓷疊層體通入連續(xù)傳送加熱爐中，在N2氣氛(氧濃度10ppm以下)中，以表1的“下層電阻電極焙燒溫度”所示的最高溫度保持15分鐘，對其實(shí)施焙燒，形成下層電阻電極。再有，用于下層電阻電極形成的焙燒溫度約為ESR成為極小值的穩(wěn)定的溫度。
接著，在下層電阻電極上利用浸漬法涂敷上述上層導(dǎo)電電極用膏，在150℃的溫度下干燥10分鐘。其干燥后的涂敷厚度為約50μm。
接著，將上述那樣涂敷了上層導(dǎo)電電極用膏經(jīng)過干燥的陶瓷疊層體通入連續(xù)傳送加熱爐中，在N2+H2O氣氛(氧濃度10ppm以下、H2O＝0.5cc/N2＝100L)中，以表1的“上層導(dǎo)電電極焙燒溫度”所示的最高溫度保持15分鐘，對其實(shí)施焙燒，形成上層導(dǎo)電電極。再有，用于上層導(dǎo)電電極形成的焙燒溫度為能確保電極的致密性(相對于電鍍液的密封性)的最低溫度。
接著，通過實(shí)施將這樣得到的各試料浸漬在耦合劑中、并利用熱處理使其硬化的工序，對其付與防水性，接著，利用公知的電解滾筒電鍍法，實(shí)施Ni電鍍及Sn電鍍，得到0.8μm×1.6μm尺寸的各試料相關(guān)的疊層陶瓷電容器。
測量如此得到的各試料相關(guān)的疊層陶瓷電容器的ESR值。其結(jié)果示于表1。在表1中還示出ESR變化率。ESR變化率是在上層導(dǎo)電電極形成前的下層電阻電極上涂敷In-Ga合金測量出的ESR(R1)和在上層導(dǎo)電電極形成后測量出的ESR(R2)之比，由{(R2-R1)/R1}×100[％]的式子求出。
[表1] 在表1中，試料編號帶*的試料是本發(fā)明范圍外的比較例。
如表1所表明的，首先，作為第2玻璃，在使用了具有與第1玻璃相同、或比第1玻璃低的軟化點(diǎn)的玻璃的試料1、2、7及8中，ESR變化率高為20％以上，ESR的控制是困難的。
此外，在雖然第2玻璃具有比第1玻璃更高的軟化點(diǎn)、但第2玻璃的軟化點(diǎn)比第1玻璃的軟化點(diǎn)僅高10℃的試料3及9中，ESR變化率雖然比上述試料1、2、7及8低，但表示出10％以上的值。
相對于這些，在第2玻璃具有比第1玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)的試料4～6及10～12中，ESR變化率極其低，ESR的控制是容易的。
(實(shí)驗(yàn)例2) 在實(shí)驗(yàn)例2中，作為上層導(dǎo)電電極中所含有的第2玻璃，除了使用在用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒工序中結(jié)晶化的玻璃以外，以與實(shí)驗(yàn)例1中的試料4及10分別相同的條件，分別如表2所示制作試料13及14相關(guān)的疊層陶瓷電容器，進(jìn)行與實(shí)驗(yàn)例1情形相同的評價(jià)。其評價(jià)結(jié)果在表2中示出。此外，在表2中示出關(guān)于試料13及14各自的第2玻璃的結(jié)晶化開始溫度。
[表2] 如表2所表明的，作為第2玻璃，根據(jù)使用在用于形成上層導(dǎo)電電極的焙燒工序中結(jié)晶化的玻璃的試料13及14，分別與試料4及10相比，可進(jìn)一步減小ESR變化率。這是因?yàn)橥ㄟ^使第2玻璃在用于上層導(dǎo)電電極的形成的焙燒溫度下結(jié)晶，而使得玻璃的粘性上升，可進(jìn)一步抑制玻璃向下層電阻電極側(cè)流動。
權(quán)利要求
1、一種疊層陶瓷電容器，包括
層疊多個陶瓷層而成的陶瓷疊層體；
形成在上述陶瓷疊層體的內(nèi)部的內(nèi)部電極；以及
形成在上述陶瓷疊層體的外表面上、且與上述內(nèi)部電極中的特定的內(nèi)部電極電連接的外部電極；
上述外部電極包括下層電阻電極、和形成在上述下層電阻電極上的上層導(dǎo)電電極；
上述下層電阻電極含有第1玻璃，上述上層導(dǎo)電電極含有第2玻璃，上述第2玻璃具有比上述第1玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層陶瓷電容器，其特征在于，
上述第2玻璃是在用于形成上述上層導(dǎo)電電極的焙燒工序中結(jié)晶化的玻璃。
3、一種疊層陶瓷電容器的制造方法，包括
制作陶瓷疊層體的工序，該陶瓷疊層體由層疊的多個陶瓷層而成，沿上述陶瓷層間的特定的交界面形成了內(nèi)部電極；以及
在上述陶瓷疊層體的外表面上形成外部電極的工序，上述外部電極與上述內(nèi)部電極中的特定的內(nèi)部電極電連接；
形成上述外部電極的工序包括通過焙燒形成含第1玻璃的下層電阻電極的工序；和通過焙燒在上述下層電阻電極上形成含具有比上述第1玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)的第2玻璃的上層導(dǎo)電電極的工序；
用于形成上述上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度比用于形成上述下層電阻電極的焙燒溫度低。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，
用于形成上述上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度比用于形成上述下層電阻電極的焙燒溫度低10℃以上，且上述第2玻璃的軟化點(diǎn)比用于形成上述上層導(dǎo)電電極的焙燒溫度低50℃以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種疊層陶瓷電容器及其制造方法。為了賦予疊層陶瓷電容器(1)的外部電極(6、7)作為電阻元件的功能，當(dāng)形成外部電極(6、7)之時(shí)，在通過焙燒形成下層電阻電極(8)后，在其之上通過焙燒形成上層導(dǎo)電電極(9)時(shí)，上層導(dǎo)電電極(9)中所含的玻璃常常會向下層電阻電極(8)中或交界面流動，其結(jié)果，就難于控制疊層陶瓷電容器(1)的ESR。為了解決此課題，作為上層導(dǎo)電電極(9)中所含的玻璃，使用具有比下層電阻電極(8)中所含的玻璃高20℃以上的軟化點(diǎn)的玻璃。
文檔編號H01G4/12GK101611461SQ20088000508
公開日2009年12月23日 申請日期2008年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月14日
發(fā)明者永元才規(guī), 草野滿洋 申請人:株式會社村田制作所