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一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物及其制備方法

文檔序號:3658891閱讀:219來源:國知局
專利名稱:一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明具體為一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物以及其通用制備方法,并涉 及了該類材料在有機(jī)電存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用,屬于光電材料制備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前采用有機(jī)小分子和聚合物作為存儲(chǔ)材料具有無機(jī)半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu) 勢可通過化學(xué)合成設(shè)計(jì)分子結(jié)構(gòu)并推動(dòng)存儲(chǔ)器件向小型化方向發(fā)展。但有機(jī)小分子由于 沸點(diǎn)較低,化學(xué)阻抗性較差,在器件制造和處理過程中易于遭到破壞,而且也要求復(fù)雜和昂 貴的加工過程,如真空蒸鍍和沉積等。相比較而言,聚合物材料顯示出易于加工,柔韌性好, 機(jī)械性能強(qiáng)等眾多優(yōu)點(diǎn),而且可采用低成本的三維堆垛結(jié)構(gòu)技術(shù)制得高密度的存儲(chǔ)器件。 目前,在聚合物電存儲(chǔ)器件里已經(jīng)投入了顯著的研究,但大部分的聚合物都含有脂肪族骨 架,表現(xiàn)出較差的尺寸穩(wěn)定性,器件的ON,OFF轉(zhuǎn)換電壓也較高,大大降低了存儲(chǔ)器件的性 能。因此制備尺寸穩(wěn)定和熱穩(wěn)定的電存儲(chǔ)聚合物材料非常必要?,F(xiàn)在報(bào)道較多的一類用于有機(jī)電存儲(chǔ)器件的聚合物是聚酰亞胺,該類材料除了表 現(xiàn)出良好的電學(xué)轉(zhuǎn)化性能,實(shí)現(xiàn)0N/0FF態(tài)的轉(zhuǎn)換以外,還具有優(yōu)良的物理及化學(xué)性能,世 界上越來越多的研究者投入到這類高技術(shù)材料的開發(fā)中來,傳統(tǒng)的聚酰亞胺合成方法是采 用二酐與二胺的縮聚反應(yīng)制得而成,采用高溫一步法或兩步法。材料設(shè)計(jì)遵循D-A理念,但 由于很多二酐具有剛性結(jié)構(gòu),制備所得的聚合物溶解性很差,極大的限制了材料的應(yīng)用,因 此制備可溶性的芳香族聚酰亞胺非常必要。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明的目的在于提出一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物及其制 備方法,通過Suzuki聚合或者Yamamoto聚合或者M(jìn)ille聚合制備了一系列不同含量的電 活性聚合物。本發(fā)明中所涵蓋的材料具有優(yōu)良的存儲(chǔ)性能,是一類新型高效的有機(jī)存儲(chǔ)材 料,在有機(jī)電存儲(chǔ)器件等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。技術(shù)方案在本發(fā)明中,我們采用二溴芳基六氟二芳酰亞胺作為反應(yīng)底物之一,通 過Suzuki聚合或Yamamoto聚合或Mille聚合開發(fā)了一系列不同含量的電活性聚合物,使 得制備的聚合物溶解性極大提高,這些聚合物在有機(jī)電存儲(chǔ)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。本 發(fā)明的一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物具有以下通式
權(quán)利要求
1. 一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物,其特征在于該聚合物具有以下通式
2. 一種如權(quán)利要求1所述的基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物的制備方法,其特征在于-ΑΓι-,-Ar2-,-Ar3-均存在,該聚合物的制備采用Suzuki聚合方法,具體合成路線如下
3. —種如權(quán)利要求1所述的基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物的制備方法,其特征在 于-Arf,-Ar3-存在,-Ar2-不存在,該聚合物的制備采用Yamamoto聚合方法,具體合成路 線如下
4. 一種如權(quán)利要求1所述的基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物的制備方法,其特征在 于-ΑΓι-,-Ar2-, -Ar3-均存在,該聚合物的制備采用Mille聚合方法,合成路線如下
全文摘要
一種基于二芳基六氟苯酰亞胺的聚合物及其制備方法,通過Suzuki聚合、Yamamoto聚合或者Stille聚合制備了一系列不同二芳基六氟苯酰亞胺含量的電活性聚合物。基于六氟二芳酰亞胺的聚合物,具有如下結(jié)構(gòu)通式其中-Ar1-,-Ar2-,-Ar3-具體為如下結(jié)構(gòu)中的任意一種或-Ar2-不存在M為各自獨(dú)立地選自O(shè)、C、S和N等原子;x為聚合單體的摩爾數(shù),取值0.001~1;n為聚合物的鏈節(jié)數(shù),取值5~200;-Ar1-,-Ar2-,-Ar3-上的修飾單元分別選自氫或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正十二烷基、正十四烷基、正十八烷基、2-乙基己基、正壬基或正葵基或正辛氧基鏈中的任一種。
文檔編號C08G61/12GK102127209SQ20101056883
公開日2011年7月20日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者凌啟淡, 劉麗媛, 張勝蘭, 陳潤鋒, 黃維 申請人:南京郵電大學(xué)
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