專利名稱：二芳基乙烯類化合物的新用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化合物的新用途，特別是涉及二芳基乙烯類化合物在近場存儲中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
光存儲技術(shù)具有存儲壽命長、非接觸式讀/寫和擦、信息的載噪比高和信息位的價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。光存儲技術(shù)的發(fā)展趨勢是由遠(yuǎn)場光存儲到近場光存儲，由二維光存儲到多維光存儲，由光熱存儲到光子存儲。從光的遠(yuǎn)場記錄發(fā)展到近場記錄是超高密度光存儲技術(shù)的主要途徑。另外，提高存儲密度和數(shù)據(jù)傳輸速率也一直是光存儲技術(shù)的主要發(fā)展目標(biāo)，同時(shí)性能的多功能性，即不僅能讀出、記錄，而且能實(shí)現(xiàn)可擦重寫，也是其發(fā)展方向。
目前，用于近場光記錄的存儲介質(zhì)包括磁光和相變介質(zhì)、共軛聚合物等。在這些記錄介質(zhì)中，磁光和相變介質(zhì)大多屬于熱質(zhì)模式的無機(jī)材料，用得最多的可重寫相變記錄材料可分為兩類GeSbTe和AgInSbTe合金，它們同屬于半導(dǎo)體硫化物系。盡管許多硫族化合物薄膜都可以在熱的作用下產(chǎn)生相變，推向應(yīng)用的首先是玻璃轉(zhuǎn)換溫度低和導(dǎo)熱系數(shù)低的材料。相變材料在記錄信號時(shí)并不發(fā)生材料的宏觀機(jī)械位移，便于應(yīng)用密封層，同時(shí)也易于控制光斑的尺寸。在熱致模式記錄過程中，光的特征性質(zhì)，如頻率、相或偏振，不能被有效地利用。對于記錄介質(zhì)方面，在用磁光或相變介質(zhì)的熱致模式記錄中，由于介質(zhì)的不規(guī)則熱性質(zhì)，被記錄的極小光斑也是呈不規(guī)則形狀，從而導(dǎo)致熱致模式記錄介質(zhì)存在一個(gè)分辨率極限。
(式I)二芳基乙烯類化合物結(jié)構(gòu)式如式I所示，其中，X1、Y1、X2、Y2可以為C，S，N等；R1、R2可以為烷基、烯烴基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基、芳基等供電和吸電基團(tuán)。這類化合物可以參考中國發(fā)明專利申請(02100500.1、02100681.4、02100682.2、02125937.2、02125272.6)進(jìn)行制備合成，這類化合物目前主要應(yīng)用于多階多波長以及全息三維存儲等方面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供二芳基乙烯類化合物的新用途。
本發(fā)明發(fā)明人通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)，采用結(jié)構(gòu)式如式I的二芳基乙烯類化合物作為近場光存儲介質(zhì)，當(dāng)在適當(dāng)波長的激光照射下，被輻照區(qū)域有色的閉環(huán)態(tài)分子立即發(fā)生開環(huán)反應(yīng)生成無色開環(huán)態(tài)分子，未被輻照區(qū)域的分子依然保持其結(jié)構(gòu)和顏色，從而留下具有較高對比度的約為300～500nm近場記錄光斑，表明該類化合物能在近場光存儲中的應(yīng)用， (式I)其中，X1、Y1、X2、Y2為C，S或N；R1、R2為烷基、烯烴基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基或芳基。
更具體的，這些化合物為1、取代基直接連接在噻吩環(huán)上的全氟二芳烯(對稱取代，R1、R2相同)X1＝X2＝CY1＝Y(jié)2＝SDTL-0-HDTL-1-CH3 DTL-3-CHODTL-5-CH2OH DTL-11-CH＝CH-C-COOC2H5
2、取代基連接在苯環(huán)上的全氟二芳烯(對稱取代)1)噻吩2位取代X1＝X2＝SY1＝Y(jié)2＝C DTL-15-HDTL-16-CH3OH2)噻吩3位取代X1＝X2＝CY1＝Y(jié)2＝S DLT-17-H DTL-20-CH2OHDTL-21-N(CH3)2DTL-22-OMeDLT-19-CHO DTL-23-OC2H5
3、不對稱取代全氟二芳烯X1＝X2＝SY1＝Y(jié)2＝C 1)噻吩2位取代2)噻吩3位取代X1＝X2＝CY1＝Y(jié)2＝S DTL-26R3＝-CH3 DTL-30R3＝-CH3 DTL-31R3＝-CH3R4＝-Ph-CHODTL-27R3＝-CH3R4＝-CHODTI-32R3＝-CH3R4＝-Ph-CH2OHDTL-28R3＝-CH3 DTL-29R3＝-CH3R4＝-CH2OH R4＝-CHO R4＝-CH2OH3)噻吩2，3位取代X1＝X2＝SY1＝Y(jié)2＝C
其中，當(dāng)所述X1和X2為C，而Y1和Y2為S；R1和R2為烷基、醛基、芳基時(shí)，該二芳基乙烯類化合物的存儲效果比較好。
本發(fā)明近場存儲基于存儲介質(zhì)光子激發(fā)的光致模式記錄，在分辨率、寫入速度和復(fù)合記錄能力方面都要優(yōu)于熱致模式記錄，具有高分辨率和高靈敏度等優(yōu)點(diǎn)。


圖1為二芳基乙烯類化合物的近場光存儲示意圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1、一、制備近場存儲膜片采用真空蒸鍍(Vacuum evaporation)法制備近場存儲膜片。
真空蒸鍍的方法是將二芳基乙烯類光致變色化合物放置在石英管中，并將預(yù)先鍍有鋁反射膜的空白CD光盤或玻璃基片固定在石英管的上方，石英管外面纏著與控制電源相連的鎢絲；蒸鍍裝置內(nèi)真空度調(diào)至約4×10-3Pa以下，調(diào)節(jié)電壓使鎢絲溫度慢慢升高，逐漸加熱石英管中的樣品。當(dāng)溫度升高到蒸鍍樣品在此真空度下的升華溫度時(shí)，管中的樣品迅速升華，并在空白光盤表面驟然降溫形成細(xì)小顆粒而均勻分布在光盤表面，通過控制輔助裝置顯示的樣品濺射速度和膜片厚度即可獲得所需近場存儲盤片?？刂拼翦儾牧系挠昧亢驼翦儣l件，即可獲得所需厚度的均勻膜層。
二、進(jìn)行近場存儲在上述近場存儲盤片進(jìn)行近場存儲的方法可按照文獻(xiàn)(劉學(xué)東，蒲守智，張復(fù)實(shí).有機(jī)近場存儲材料的合成及其應(yīng)用.2004，31(12)，1460-1464)，近場結(jié)果的記錄可采用固體透鏡(SIL)近場記錄系統(tǒng)進(jìn)行，該系統(tǒng)用輸出功率為30mW，波長為633nm的氦氖激光器作為光源，使用觀察和調(diào)整都比較方便的Leica倒置顯微鏡，攜帶一個(gè)長工作距離的顯微物鏡，數(shù)值孔徑為0.8；SIL透鏡為半球形，其材料的折射率為1.8，半徑為1.5mm。近場存儲盤片被放置于一個(gè)三維的掃描臺上，掃描范圍為70×70×70μm，其掃描精度可以達(dá)到納米量級，以保證近場存儲盤片的精密移動和SIL系統(tǒng)中嚴(yán)格的間距控制的要求。實(shí)驗(yàn)前，采用由光軸失調(diào)導(dǎo)致的象散最小方法對聚焦物鏡和SIL透鏡光軸的調(diào)整。
根據(jù)上述方法，使用如下的幾種二芳基乙烯類化合物制作近場光存儲盤片進(jìn)行近場光存儲，其結(jié)果分別如圖1A-圖1F所示，結(jié)果表明采用二芳基乙烯作為近場光存儲介質(zhì)，當(dāng)在適當(dāng)波長的激光照射下，被輻照區(qū)域有色的閉環(huán)態(tài)分子立即發(fā)生開環(huán)反應(yīng)生成無色開環(huán)態(tài)分子，未被輻照區(qū)域的分子依然保持其結(jié)構(gòu)和顏色，從而留下具有較高對比度的近場記錄光斑。
DTL-1X1、X2均為C，Y1、Y2均為S，R1、R2均為甲基。
DTL-4X1、X2均為C，Y1、Y2均為S，R1、R2均為-C＝C(CN)2。
DTL-19X1、X2均為C，Y1、Y2均為S，R1、R2均為 DTL-21X1、X2均為C，Y1、Y2均為S，R1、R2均為 DTL-27X1、X2均為C，Y1、Y2均為S，R1為甲基、R2為-CH2OH。
DTL-29X1、X2均為C，Y1、Y2均為S，R1為甲基、R2為 以DTL-1，DTL-4，DTL-19，DTL-21，DTL-27和DTL-29六種代表性的二芳烯分子作為進(jìn)場存儲材料，存儲結(jié)果如圖1A-圖1F所示。
權(quán)利要求
1.式I二芳基乙烯類化合物在近場存儲中的應(yīng)用， (式I)其中，X1、Y1、X2、Y2為C，S或N；R1、R2為烷基、烯烴基、醛基、氨基、甲氧基、羧基、冠醚基或芳基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于所述X1和X2為C，Y1和Y2為S，所述R1和R2為烷基、醛基或芳基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于所述二芳基乙烯類化合物為1)X1和X2為C；Y1和Y2為S；R1、R2相同，是下述基團(tuán)中的一種-H-CH3 -CHO -CH2OH -CH＝CH-C-COOC2H5 2)式II化合物 (式II)其中，R3為H或-CH3OH；3)X1和X2為C；Y1和Y2為S；R1、R2相同，是 其中R4是下述基團(tuán)中的一種-H -CH2OH -N(CH3)2-OMe-CHO-OC2H54)式III化合物 (式III)5)X1和X2為C；Y1和Y2為S；R1和R2選自下列組合方式R1 -CH3 R1 -CH3R2-CHO；R1 -CH3 R1 -CH3R2 -CH2OH；R1 -CH3 R1 -CH3R2 -Ph-CHO；R1 -CH3R2 -Ph-CH2OH； R2 -CHO或 R2 -CH2OH；6)式IV化合物 (式IV)其中，R5為 或
全文摘要
本發(fā)明公開了二芳基乙烯類化合物的新用途。本發(fā)明發(fā)明人通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)，采用結(jié)構(gòu)式如式I的二芳基乙烯類化合物作為近場光存儲介質(zhì)，當(dāng)在適當(dāng)波長的激光照射下，被輻照區(qū)域有色的閉環(huán)態(tài)分子立即發(fā)生開環(huán)反應(yīng)生成無色開環(huán)態(tài)分子，未被輻照區(qū)域的分子依然保持其結(jié)構(gòu)和顏色，從而留下具有較高對比度的約為300～500nm近場記錄光斑，表明該類化合物能在近場光存儲中的應(yīng)用，其中，X
文檔編號C07D333/00GK1801359SQ200510105178
公開日2006年7月12日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月10日
發(fā)明者張復(fù)實(shí), 劉學(xué)東, 趙福群, 石明 申請人:清華大學(xué)