導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置，包括鍍膜單元，所述鍍膜單元至少為首尾相連的兩個，鍍膜單元包括垂直設置的冷卻水槽、貼合設置在冷卻水槽側(cè)面的永磁鐵，與永磁鐵正面相對設置有銅質(zhì)的靶材基座，朝向永磁鐵的靶材基座內(nèi)表面設有與永磁鐵位置對應的靶材，待鍍膜的導電玻璃位于永磁鐵與靶材之間，靶材基座外表面設有回旋布置的電加熱管，所述電加熱管連接有用于控制鍍膜溫度的溫控系統(tǒng)。本實用新型通過設置至少兩個首尾相連的鍍膜單元，且控制每個鍍膜單元的鍍膜溫度在160℃左右，實現(xiàn)了導電玻璃鍍膜時低溫一次性連續(xù)多次鍍膜，使得鍍膜后的膜層厚度達到設計要求，有效地提高和穩(wěn)定了鍍膜膜層的均勻性。
【專利說明】導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]真空磁濺射鍍膜技術(shù)，目前已經(jīng)廣泛應用于導電玻璃的表面鍍膜，該技術(shù)對溫度要求比較高，一般要達到膜層厚度和膜層阻值要求，鍍膜溫度應該保持在230°C左右，但是在此溫度下鍍膜很容易造成鍍膜均勻性差，鍍膜后的膜層受到一定的氧化等因素困擾而影響質(zhì)量，而如果一次性采用較低溫度(160°C左右)下鍍膜，又會造成膜層厚度偏低，使得導電玻璃的方塊電阻值高達800 Ω左右，大大高于常規(guī)高透過率觸摸屏用導電玻璃方塊電阻值250Ω左右的要求。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)中之不足，提供一種導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置。
[0004]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置，包括鍍膜單元，所述鍍膜單元至少為相連的兩個，鍍膜單元包括垂直設置的冷卻水槽、貼合設置在冷卻水槽側(cè)面的永磁鐵，與永磁鐵正面相對設置有銅質(zhì)的靶材基座，朝向永磁鐵的靶材基座內(nèi)表面設有與永磁鐵位置對應的靶材，待鍍膜的導電玻璃位于永磁鐵與靶材之間，靶材基座外表面設有回旋布置的電加熱管，所述電加熱管連接有用于控制鍍膜溫度的溫控系統(tǒng)。
[0005]所述的鍍膜單元為依次首尾相連的三個。
[0006]所述的永磁鐵為相距設置的兩個，所述永磁鐵滑動設置在冷卻水槽側(cè)面,相應地，靶材數(shù)量為兩個。
[0007]本實用新型的有益效果是:本實用新型通過設置至少兩個首尾相連的鍍膜單元，且控制每個鍍膜單元的鍍膜溫度在160°C左右，實現(xiàn)了導電玻璃鍍膜時低溫一次性連續(xù)多次鍍膜，使得鍍膜后的膜層厚度達到設計要求，有效地提高和穩(wěn)定了鍍膜膜層的均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖和實施方式對本實用新型進一步說明。
[0009]圖1是本實用新型所述鍍膜單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中1.冷卻水槽2.永磁鐵3.靶材基座4.靶材5.電加熱管6.溫控系統(tǒng)7.導電玻璃
【具體實施方式】
[0011]現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。[0012]一種導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置，包括三個依次首尾相連的鍍膜單元，如圖1所示，所述鍍膜單元包括垂直設置的冷卻水槽1、貼合設置在冷卻水槽I側(cè)面的兩塊永磁鐵2，兩塊永磁鐵2相距設置，與永磁鐵2正面相對設置有銅質(zhì)的靶材基座3，朝向永磁鐵2的靶材基座3內(nèi)表面設有與永磁鐵2位置對應、數(shù)量為兩個的靶材4，待鍍膜的導電玻璃7位于永磁鐵2與靶材4之間，并作緩緩移動，位于靶材基座3外表面設有呈回旋狀布置的電加熱管5，所述電加熱管5連接有用于控制鍍膜溫度的溫控系統(tǒng)6，通過溫控系統(tǒng)6控制，確保了導電玻璃7的鍍膜溫度控制在160°C左右。
[0013]所述永磁鐵2通過滑軌滑動設置在冷卻水槽I側(cè)面，通過移動永磁鐵2位置，可均勻地耗用靶材4的各個部分，充分發(fā)揮靶材4的最大使用效率，降低成本，確保靶材4消耗的均勻性。
[0014]試驗證明，ITO鍍膜膜層厚度與ITO自身溫度在160°C?235°C之間時，近似線性關(guān)系，ITO鍍膜膜層氧化程度與ITO自身溫度在160°C?235°C之間時，近似線性關(guān)系，而ITO鍍膜均勻性會隨著鍍膜時ITO自身溫度的升高變得越來越差，因此為追求鍍膜膜層的均勻性，行業(yè)內(nèi)更多地采用低溫鍍膜技術(shù)，但單一的一次性低溫鍍膜，并非理想的方案，本實用新型通過設置三個依次首尾相連的鍍膜單元，且控制每個鍍膜單元的鍍膜溫度在160°C左右，實現(xiàn)了導電玻璃7鍍膜時低溫一次性連續(xù)多次鍍膜，使得鍍膜后的膜層厚度達到設計要求，有效地提高和穩(wěn)定了鍍膜膜層的均勻性。
[0015]上述實施方式只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍，凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置，包括鍍膜單元，其特征是:所述鍍膜單元至少為相連的兩個，鍍膜單元包括垂直設置的冷卻水槽(I )、貼合設置在冷卻水槽(I)側(cè)面的永磁鐵(2)，與永磁鐵(2)正面相對設置有銅質(zhì)的靶材基座(3)，朝向永磁鐵(2)的靶材基座(3)內(nèi)表面設有與永磁鐵(2)位置對應的靶材(4)，待鍍膜的導電玻璃(7)位于永磁鐵(2)與靶材(4)之間，靶材基座(3)外表面設有回旋布置的電加熱管(5)，所述電加熱管(5)連接有用于控制鍍膜溫度的溫控系統(tǒng)(6 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置，其特征是:所述的鍍膜單元為依次首尾相連的三個。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電玻璃超低溫循環(huán)鍍膜裝置，其特征是:所述的永磁鐵(2)為相距設置的兩個，所述永磁鐵(2)滑動設置在冷卻水槽(I)側(cè)面，相應地，靶材(4)數(shù)量為兩個。
【文檔編號】C23C14/35GK203419980SQ201320510906
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月20日
【發(fā)明者】馮新偉 申請人:江蘇津通先鋒光電顯示技術(shù)有限公司