鍍膜玻璃及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種鍍膜玻璃及其制備方法。本發(fā)明提供的鍍膜玻璃包括玻璃基板和鍍在所述玻璃基板表面的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜從所述玻璃基板表面向外依次包括增透層、緩沖層和防指紋層，所述緩沖層用于固定所述增透層和所述防指紋層。本發(fā)明可以提供具有較強耐磨性和抗劃傷性的鍍膜玻璃。
【專利說明】
鍍膜玻璃及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明實施例涉及鍍膜技術(shù)，尤其涉及一種鍍膜玻璃及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電子產(chǎn)品現(xiàn)在目前普遍采用觸摸屏進(jìn)行操控。用戶在對觸摸屏進(jìn)行觸摸、點選等操作時，容易在屏幕表面留下劃傷等痕跡，為了保護(hù)屏幕受到劃傷，需要對屏幕進(jìn)行保護(hù)。
[0003]目前，可以采用在屏幕玻璃上敷設(shè)防指紋(Ant1-Fingerprint，簡稱AF)膜，以對屏幕進(jìn)行保護(hù)。防指紋膜同時具有疏水性和疏油性兩種特性，基于良好的疏水性和疏油性，防指紋膜不易粘附外界的灰塵和污物，并且在粘附污物和指紋的情況下，也具有較易除去表面異物的特性。同時防指紋膜還有效地保證良好的透光性，因此，防指紋膜被廣泛地應(yīng)用在手機(jī)顯示屏和平板電腦顯示屏中。具體的，現(xiàn)有的鍍膜玻璃，可以在玻璃基板表面上先鍍上一層用于增加透光性的增透膜，然后在其上再鍍防指紋膜，可以同時起到增加屏幕透光性以及防止屏幕劃傷的效果。
[0004]然而，防指紋膜與強化玻璃之間的附著力較差，不能穩(wěn)定地貼于觸摸屏玻璃表面。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供一種鍍膜玻璃及其制備方法，將包含增透層、緩沖層和防指紋層的保護(hù)膜制備于玻璃基板上，以形成具有較強耐磨性和抗劃傷性的鍍膜玻璃。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供一種鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍在玻璃基板表面的保護(hù)膜，保護(hù)膜從玻璃基板表面向外依次包括增透層、緩沖層和防指紋層，緩沖層用于固定增透層和防指紋層。
[0007]進(jìn)一步的，增透層為多層結(jié)構(gòu)。
[0008]進(jìn)一步的，增透層為三層結(jié)構(gòu)，其中，三層結(jié)構(gòu)依次分別為二氧化硅膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。
[0009]進(jìn)一步的，增透層為三層結(jié)構(gòu)，其中，三層結(jié)構(gòu)分別為二氧化硅膜層，氧氮化鋁膜層和二氧化硅膜層。
[0010]進(jìn)一步的，緩沖層材質(zhì)為二氧化硅。
[0011]進(jìn)一步的，防指紋層的厚度為5?10nm。
[0012]第二方面，本發(fā)明提供一種鍍膜玻璃的制備方法，包括:清洗玻璃基板；在玻璃基板的表面形成增透層；在增透膜層的表面形成緩沖層；在緩沖層的表面形成防指紋層。
[0013]進(jìn)一步的，清洗玻璃基板具體包括:
[0014]將玻璃基板置于丙酮中進(jìn)行超聲清洗過程，以去除玻璃基板表面的油脂；
[0015]將玻璃基板置于乙醇中進(jìn)行超聲清洗過程，以去除玻璃基板表面的殘余丙酮；
[0016]將玻璃基板置于去離子水中進(jìn)行清洗過程，以去除玻璃基板表面的殘余乙醇；
[0017]將玻璃基板置于硫酸與過氧化氫以質(zhì)量比為3:1比例配置的溶液中進(jìn)行煮洗，直至溶液中的過氧化氫完全揮發(fā)且溶液產(chǎn)生白霧，以去除玻璃基板表面的有機(jī)物，進(jìn)行煮洗溫度為110?130°C ；
[0018]利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0019]將玻璃基板置于氨水、過氧化氫和水的質(zhì)量比例為1:1:6配置的溶液中進(jìn)行時長為10?20分鐘的煮洗過程，以去除玻璃基板表面的重金屬雜質(zhì)，進(jìn)行煮洗過程的溫度為75 ?85。。；
[0020]利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0021]將玻璃基板置于氯化氫、過氧化氫和水的質(zhì)量比例為1:1:6配置的溶液中進(jìn)行煮洗過程，直至溶液中的過氧化氫完全揮發(fā)，以去除玻璃基板表面的金屬離子；
[0022]利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0023]將玻璃基板置于濃度為10%的氫氟酸中進(jìn)行時長為5?10秒的煮洗過程，以去除玻璃基板表面的氧化層；
[0024]利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0025]將玻璃基板置于氮氣氛圍內(nèi)，并利用紅外燈對玻璃基板進(jìn)行加熱烘干過程；
[0026]在氮氣氛圍內(nèi)對玻璃基板進(jìn)行存放。
[0027]進(jìn)一步的，在玻璃基板的表面形成增透層具體包括:
[0028]在真空度為5.5 X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜；
[0029]對二氧化硅膜進(jìn)行真空干燥處理；
[0030]在真空度為5.5 X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜，第二層膜為氮化硅膜或氧氮化鋁膜；
[0031]對氮氧硅膜或者氧氮化鋁膜進(jìn)行真空干燥處理；
[0032]在真空度為5.5 X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在第二層膜表面形成第三層二氧化娃膜；
[0033]對第三層二氧化硅膜進(jìn)行真空干燥處理。
[0034]進(jìn)一步的，在真空環(huán)境下，對玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜具體包括:
[0035]當(dāng)真空環(huán)境的真空度在5.5X10 4Pa以上且玻璃基板溫度在180±5°C時，在玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜，其中二氧化硅在玻璃基板上的沉積速率為0.1?
0.5nm/s，蒸鏈時間為15?25s。
[0036]進(jìn)一步的，如果第二層膜為氮化硅膜，則在第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜具體包括:
[0037]當(dāng)真空環(huán)境的真空度達(dá)到5.5X10 4Pa且玻璃基板溫度在180±5°C時，在第一層二氧化硅膜的表面形成氮化硅膜，其中，氮化硅在二氧化硅膜上的沉積速率為0.1?
0.5nm/s，蒸鏈時間為15?25s。
[0038]進(jìn)一步的，如果第二層膜為氧氮化鋁膜，則在第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜具體包括:
[0039]在環(huán)境溫度為800?1200°C、壓力為2.0X10 2?5.0X10 1Pa時，將包括質(zhì)量組分為40?80%的氮氣、質(zhì)量組分為0.5?1.0%的氯化鋁、質(zhì)量組分為0.8?1.5%的氨氣、質(zhì)量組分為0.2?1.0%的二氧化碳、質(zhì)量組分為2.0?4.0%的氯化氫、質(zhì)量組分為I?1.5%的一氧化碳、質(zhì)量組分為5?10%的氬氣、余量組分為氫氣的氣態(tài)混合物通入反應(yīng)室，并在第一層二氧化硅膜表面進(jìn)行氧氮化鋁的沉積以形成第二層膜。
[0040]進(jìn)一步的，在第二層膜表面形成第三層二氧化硅膜具體包括:
[0041]當(dāng)真空環(huán)境的真空度達(dá)到5.5X10 4Pa以上且玻璃基板溫度在180±5°C時，在第二層膜的表面形成第三層二氧化硅膜，其中，二氧化硅在第二層膜上的沉積速率為0.1?
0.5nm/s，蒸鍍時間為20s。
[0042]進(jìn)一步的，在增透膜層的表面形成緩沖層具體包括:
[0043]抽真空至壓力為1.0X 10 3Pa,然后充入氣體流量為500cm3/min和120cm3/min的硅油至真空度為1.0 X 10 3?1.0X10 1Pa的真空室內(nèi)，持續(xù)中頻功率為8000W沉積硅氧烷高溫裂解的S1x，沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過氧氣輝光放電，對S1x緩沖層進(jìn)行刻蝕，以形成緩沖層。
[0044]進(jìn)一步的，在緩沖層的表面形成防指紋層具體包括:
[0045]在環(huán)境真空度為1.0X 10 5Pa時，鍍膜用燈絲電流在60s內(nèi)由OA提升至270A，并開始防指紋層的沉積過程，沉積過程的時間為90s。
[0046]本發(fā)明提供的鍍膜玻璃及其制備方法，其中鍍膜玻璃包括玻璃基板和鍍在玻璃基板表面的保護(hù)膜，保護(hù)膜從玻璃基板表面向外依次包括增透層、緩沖層和防指紋層。這樣可以通過緩沖層使增透層和防指紋層結(jié)合在一起，從而使防指紋層牢固地附著于玻璃基板上，令形成的鍍膜玻璃具有較強的耐磨性以及抗劃傷性。
【附圖說明】
[0047]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0048]圖1為本發(fā)明實施例一提供的鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖2是本發(fā)明實施例二提供的鍍膜玻璃的制備方法的流程示意圖；
[0050]圖3是本發(fā)明實施例二提供的清洗玻璃基板的流程示意圖；
[0051]圖4是本發(fā)明實施例二提供的形成增透層的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0052]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0053]圖1為本發(fā)明實施例一提供的鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實施例提供的鍍膜玻璃包括玻璃基板I和鍍在玻璃基板表面的保護(hù)膜2，保護(hù)膜2從玻璃基板I表面向外依次包括增透層3、緩沖層4和防指紋層5。
[0054]玻璃基板1，可以為一般常用的用于制備觸摸屏幕的玻璃制成，通常為表面極其平整的玻璃薄片，其表面可以蒸鍍一層透明導(dǎo)電層，例如是氧化銦錫膜層。經(jīng)光刻加工制成透明導(dǎo)電圖形，用以進(jìn)行屏幕顯示以及操控。
[0055]保護(hù)膜2鍍在玻璃基板I的表面上，并且從玻璃基板I表面向外依次包括有增透層3、緩沖層4和防指紋層5。
[0056]增透層3，也被稱為減反(Ant1-Reflect，簡稱AR)層，其主要功能是減少或者消除透鏡、棱鏡、平面鏡等光學(xué)元件表面的反射光，從而增加這些元件的透光量。在本實施例所提供鍍膜玻璃的保護(hù)膜2中，增透層3緊貼玻璃基板I表面，可以用于增加屏幕玻璃表面的透光性。增透層3與玻璃基板I之間的結(jié)合力非常強，增透層3不容易從玻璃基板I上脫落。
[0057]具體的，增透層3可以為單層或者是多層結(jié)構(gòu)。例如，增透層3可以為三層結(jié)構(gòu)，其中，三層結(jié)構(gòu)依次分別為二氧化硅膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層?；蛘撸鐾笇?的三層結(jié)構(gòu)也可以分別為二氧化硅膜層，氧氮化鋁膜層和二氧化硅膜層。
[0058]在增透層3外，是用于結(jié)合增透層3以及防指紋層5的緩沖層4。具體的，緩沖層4將增透層3和防指紋層5結(jié)合在一起，可以在一定程度上增加防指紋層5與增透層3之間的附著力，同時因為增透層3和玻璃基板I緊密結(jié)合，所以可以減緩防指紋層5從玻璃基板的其它鍍層表面剝離，進(jìn)而盡量間接避免防指紋層5從玻璃基板I上脫落，有利于延長防指紋層5的使用壽命。即通過與玻璃基板I結(jié)合力較好的增透層3，以及使得增透層3和防指紋層5之間結(jié)合力較好的緩沖層的共同作用，使得防指紋層5不易脫落。一般的，緩沖層4材質(zhì)為二氧化硅。二氧化硅為玻璃的主要成分，采用二氧化硅作為緩沖層4，可以在保證光學(xué)性能的同時，還具有良好的材料經(jīng)濟(jì)性。此外緩沖層4也可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PolymethylMethacrylate，代號為PMMA)或者聚碳酸酯(Polycarbonate，代號為PC)制成。聚甲基丙烯酸甲酯俗稱有機(jī)玻璃，其外觀透明，且具有優(yōu)良的性能。聚碳酸酯是一種熱塑性樹脂，為幾乎無色的玻璃態(tài)，具有很好的光學(xué)性能以及韌性。
[0059]防指紋(Ant1-Fingerprint，簡稱AF)層5在緩沖層4之外，同時具有疏水性和疏油性兩種特性?；诹己玫氖杷院褪栌托?，防指紋層5不易粘附外界的灰塵和污物，并且在粘附污物和指紋的情況下，也具有較易除去表面異物的特性。同時防指紋層5還具有良好的透光性。
[0060]具體的，在本實施例中，防指紋層5的厚度為5?10nm。
[0061]本實施例所提供的鍍膜玻璃可以具有良好的增透效果，在可見光范圍內(nèi)具有小于1%的反射率，且因為防指紋層5和鍍膜玻璃其它部分之間的結(jié)合牢固，從而有理想的耐磨性和抗劃傷性，即使將鍍膜玻璃樣品在硬度測試砂紙上持續(xù)刮擦500次以上，再用放大鏡對鍍膜玻璃樣品表面進(jìn)行觀察，其仍無損壞和擦痕。
[0062]本實施例中，鍍膜玻璃包括玻璃基板和鍍在玻璃基板表面的保護(hù)膜，保護(hù)膜從玻璃基板表面向外依次包括增透層、緩沖層和防指紋層。這樣可以通過緩沖層使增透層和防指紋層結(jié)合在一起，從而使防指紋層牢固地附著于玻璃基板上，令形成的鍍膜玻璃具有較強的耐磨性以及抗劃傷性。
[0063]圖2是本發(fā)明實施例二提供的鍍膜玻璃的制備方法的流程示意圖。本實施例提供的鍍膜玻璃的制備方法，用于制備前述實施例一中所述的鍍膜玻璃。如圖2所示，本實施例提供的鍍膜玻璃的制備方法包括:
[0064]S101、清洗玻璃基板；
[0065]在選取玻璃基板之后，需要對其進(jìn)行清洗，并干燥以備后面工序使用。
[0066]具體的，玻璃基板采用RCA清洗工藝進(jìn)行清洗。圖3是本發(fā)明實施例二提供的清洗玻璃基板的流程示意圖。如圖3所示，對玻璃基板進(jìn)行清洗時，具體包括以下步驟:
[0067]S201、將玻璃基板置于丙酮中進(jìn)行超聲清洗過程，以去除玻璃基板表面的油脂；
[0068]具體的，超聲清洗過程的時長為5?10分鐘。
[0069]S202、將玻璃基板置于乙醇中進(jìn)行超聲清洗過程，以去除玻璃基板表面的殘余丙酮；
[0070]具體的，超聲清洗過程的時長為2?5分鐘。
[0071]S203、將玻璃基板置于去離子水中進(jìn)行清洗過程，以去除玻璃基板表面的殘余乙醇；
[0072]具體的，清洗過程的時長為2?5分鐘。
[0073]S204、將玻璃基板置于硫酸與過氧化氫以質(zhì)量比為3:1比例配置的溶液中進(jìn)行煮洗，直至溶液中的過氧化氫完全揮發(fā)且溶液產(chǎn)生白霧，以去除玻璃基板表面的有機(jī)物，進(jìn)行煮洗溫度為110?130°C ;
[0074]S205、利用去咼子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0075]具體的，對玻璃基板進(jìn)行沖洗的時長為10?15分鐘。
[0076]S206、將玻璃基板置于氨水、過氧化氫和水的質(zhì)量比例為1:1:6配置的溶液中進(jìn)行時長為10?20分鐘的煮洗過程，以去除玻璃基板表面的重金屬雜質(zhì)，進(jìn)行煮洗過程的溫度為75?85°C ;
[0077]S207、利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0078]具體的，沖洗過程的時長為5?10分鐘。
[0079]S208、將玻璃基板置于氯化氫、過氧化氫和水的質(zhì)量比例為1:1:6配置的溶液中進(jìn)行煮洗過程，直至溶液中的過氧化氫完全揮發(fā)，以去除玻璃基板表面的金屬離子；
[0080]S209、利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0081]具體的，沖洗過程的時長為5?10分鐘。
[0082]S210、將玻璃基板置于濃度為10%的氫氟酸中進(jìn)行時長為5?10秒的煮洗過程，以去除玻璃基板表面的氧化層；
[0083]S211、利用去離子水對玻璃基板進(jìn)行沖洗；
[0084]具體的，沖洗過程時長為15?25分鐘。
[0085]S212、將玻璃基板置于氮氣氛圍內(nèi)，并利用紅外燈對玻璃基板進(jìn)行加熱烘干；
[0086]具體的，加熱烘干過程的時長為I?2小時。
[0087]S213、在氮氣氛圍內(nèi)對玻璃基板進(jìn)行存放。
[0088]經(jīng)過上述步驟，即可清除玻璃基板表面的各種有機(jī)及無機(jī)雜質(zhì)，使玻璃基板表面保持清潔干燥，以進(jìn)行下面的工序步驟。
[0089]S102、在玻璃基板的表面形成增透層；
[0090]經(jīng)過RCA清洗工序?qū)ΣＡЩ暹M(jìn)行了清潔之后，即可在玻璃基板的表面形成增透層。增透層為多層結(jié)構(gòu)，例如是三層結(jié)構(gòu)。具體的，根據(jù)結(jié)構(gòu)組分的不同，形成增透層的工序也會有所區(qū)別。
[0091]圖4是本發(fā)明實施例二提供的形成增透層的流程示意圖。如圖4所示，在玻璃基板的表面形成增透層具體包括以下步驟:
[0092]S301、在真空度為5.5X10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜；
[0093]具體的，上述步驟具體包括:
[0094]當(dāng)真空環(huán)境的真空度在5.5X10 4Pa以上且玻璃基板溫度在180±5°C時，對玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜，其中二氧化硅在玻璃基板上的沉積速率為0.1?
0.5nm/s，蒸鏈時間為15?25s。
[0095]S302、形成第一層二氧化硅膜后，對二氧化硅膜進(jìn)行真空干燥處理。
[0096]具體的，真空干燥處理過程的時間為30分鐘以上。
[0097]S303、在真空度為5.5 X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜，第二層膜為氮化硅(Si3N4)膜或氧氮化鋁(AlNO)膜。其中氧氮化鋁(AlNO)為氮化鋁(AlN)和三氧化二鋁(Al2O3)的混合物。
[0098]I)當(dāng)增透層的結(jié)構(gòu)為二氧化硅膜、氮化硅膜和二氧化硅膜的三層膜結(jié)構(gòu)時，在第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜具體包括:
[0099]當(dāng)真空環(huán)境的真空度達(dá)到5.5X10 4Pa且玻璃基板溫度在180±5°C時，在第一層二氧化硅膜的表面形成氮化硅膜，其中，氮化硅在二氧化硅膜上的沉積速率為0.1?
0.5nm/s，蒸鏈時間為15?25s。
[0100]2)當(dāng)增透層的機(jī)構(gòu)為二氧化硅膜、氧氮化鋁膜和二氧化硅膜的三層結(jié)構(gòu)時，在第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜具體包括:
[0101]在環(huán)境溫度為800?1200°C、壓力為2.0X10 2?5.0X10 1Pa時，將包括質(zhì)量組分為40?80%的氮氣、質(zhì)量組分為0.5?1.0%的氯化鋁、質(zhì)量組分為0.8?1.5%的氨氣、質(zhì)量組分為0.2?1.0%的二氧化碳、質(zhì)量組分為2.0?4.0%的氯化氫、質(zhì)量組分為I?1.5%的一氧化碳、質(zhì)量組分為5?10%的氬氣、余量組分為氫氣的氣態(tài)混合物通入反應(yīng)室，并在第一層二氧化硅膜表面進(jìn)行氧氮化鋁的沉積以形成第二層膜。
[0102]S304、形成第二層膜之后，對氮氧硅膜或者氧氮化鋁膜進(jìn)行真空干燥處理。
[0103]具體的，真空干燥處理過程的時間為30分鐘以上。
[0104]S305、在真空度為5.5X10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在第二層膜表面形成第三層二氧化硅膜；
[0105]S306、對第三層二氧化硅膜進(jìn)行真空干燥處理。
[0106]具體的，真空干燥處理過程的時間為30分鐘以上。
[0107]S103、在增透層的表面形成緩沖層；
[0108]在玻璃基板表面形成增透層之后，可以在增透層的表面形成緩沖層，以便于后續(xù)步驟中將防指紋層鍍于其上。以緩沖層材料為二氧化硅為例，在增透層表面鍍緩沖層的步驟可以包括:
[0109]抽真空至壓力為1.0X 10 3Pa,然后充入氣體流量為500cm3/min和120cm3/min的硅油至真空度為1.0 X 10 3?1.0X10 1Pa的真空室內(nèi)，持續(xù)中頻功率為8000W開始沉積硅氧烷高溫裂解的S1x，沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過氧氣輝光放電，對S1x緩沖層進(jìn)行刻蝕，以形成二氧化硅緩沖層。
[0110]其中，硅油在高溫下變?yōu)闅鈶B(tài)后，充入真空鍍膜機(jī)的真空室中，并在壓力為1.0X10 3?1.0X 10 1Pa,中頻功率為8000W的環(huán)境下進(jìn)行高溫裂解和沉積，從而得到S1x,然后通過氧氣輝光放電進(jìn)行氧分子的補充，進(jìn)一步由S1x形成二氧化硅S12，最終形成一層二氧化硅緩沖層。
[0111]S104、在緩沖層的表面形成防指紋層。
[0112]緩沖層鍍膜完畢后，最后在緩沖層的表面形成防指紋層，具體為:
[0113]在環(huán)境的真空度為1.0X 10 5Pa時，鍍膜用燈絲電流在60s內(nèi)由OA提升至270A，并開始防指紋層的沉積過程，沉積過程的時間為90s。
[0114]經(jīng)過上述SlOl?S104步驟之后，在玻璃基板的表面由內(nèi)而外依次鍍上了增透層、緩沖層和防指紋層，從而得到了在實施例一中所述的鍍膜玻璃。
[0115]本實施例中，鍍膜玻璃的制備方法包括清洗玻璃基板，在玻璃基板表面上形成增透層，在增透層表面形成緩沖層，最后在二氧化硅緩沖層的表面形成防指紋層。這樣所制成的鍍膜玻璃，其增透層和防指紋層牢固地附著于玻璃基板上，因而制成的鍍膜玻璃具有較強的耐磨性以及抗劃傷性。
[0116]最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種鍍膜玻璃，包括玻璃基板和鍍在所述玻璃基板表面的保護(hù)膜，其特征在于，所述保護(hù)膜從所述玻璃基板表面向外依次包括增透層、緩沖層和防指紋層，所述緩沖層用于固定所述增透層和所述防指紋層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜玻璃，其特征在于，所述增透層為多層結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜玻璃，其特征在于，所述增透層為三層結(jié)構(gòu)，其中，所述三層結(jié)構(gòu)依次分別為二氧化硅膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜玻璃，其特征在于，所述增透層為三層結(jié)構(gòu)，其中，所述三層結(jié)構(gòu)分別為二氧化硅膜層，氧氮化鋁膜層和二氧化硅膜層。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的鍍膜玻璃，其特征在于，所述緩沖層材質(zhì)為二氧化娃。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜玻璃，其特征在于，所述防指紋層的厚度為5?10nm。7.一種鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括: 清洗玻璃基板； 在所述玻璃基板的表面形成增透層； 在所述增透膜層的表面形成緩沖層； 在所述緩沖層的表面形成防指紋層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述清洗玻璃基板具體包括: 將所述玻璃基板置于丙酮中進(jìn)行超聲清洗過程，以去除所述玻璃基板表面的油脂； 將所述玻璃基板置于乙醇中進(jìn)行超聲清洗過程，以去除所述玻璃基板表面的殘余丙酮； 將所述玻璃基板置于去離子水中進(jìn)行清洗過程，以去除所述玻璃基板表面的殘余乙醇； 將所述玻璃基板置于硫酸與過氧化氫以質(zhì)量比為3:1比例配置的溶液中進(jìn)行煮洗，直至所述溶液中的過氧化氫完全揮發(fā)且所述溶液產(chǎn)生白霧，以去除所述玻璃基板表面的有機(jī)物，所述進(jìn)行煮洗溫度為110?130°C ; 利用去離子水對所述玻璃基板進(jìn)行沖洗； 將所述玻璃基板置于氨水、過氧化氫和水的質(zhì)量比例為1: 1:6配置的溶液中進(jìn)行時長為10?20分鐘的煮洗過程，以去除所述玻璃基板表面的重金屬雜質(zhì)，所述進(jìn)行煮洗過程的溫度為75?85°C ; 利用去離子水對所述玻璃基板進(jìn)行沖洗； 將所述玻璃基板置于氯化氫、過氧化氫和水的質(zhì)量比例為1:1:6配置的溶液中進(jìn)行煮洗過程，直至所述溶液中的過氧化氫完全揮發(fā)，以去除所述玻璃基板表面的金屬離子； 利用去離子水對所述玻璃基板進(jìn)行沖洗； 將所述玻璃基板置于濃度為10%的氫氟酸中進(jìn)行時長為5?10秒的煮洗過程，以去除所述玻璃基板表面的氧化層； 利用去離子水對所述玻璃基板進(jìn)行沖洗； 將所述玻璃基板置于氮氣氛圍內(nèi)，并利用紅外燈對所述玻璃基板進(jìn)行加熱烘干過程； 在所述氮氣氛圍內(nèi)對所述玻璃基板進(jìn)行存放。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板的表面形成增透層具體包括: 在真空度為5.5X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在所述玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜； 對所述二氧化硅膜進(jìn)行真空干燥處理； 在真空度為5.5 X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在所述第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜，所述第二層膜為氮化硅膜或氧氮化鋁膜； 對所述氮氧硅膜或者氧氮化鋁膜進(jìn)行真空干燥處理； 在真空度為5.5 X 10 4Pa以上的真空環(huán)境下，在所述第二層膜表面形成第三層二氧化娃膜； 對所述第三層二氧化硅膜進(jìn)行真空干燥處理。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述在真空環(huán)境下，對所述玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜具體包括: 當(dāng)所述真空環(huán)境的真空度在5.5X10 4Pa以上且所述玻璃基板溫度在180±5°C時，在所述玻璃基板的表面形成第一層二氧化硅膜，其中二氧化硅在所述玻璃基板上的沉積速率為0.1?0.5nm/s，蒸鏈時間為15?25s。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，如果所述第二層膜為氮化硅膜，則所述在所述第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜具體包括: 當(dāng)所述真空環(huán)境的真空度達(dá)到5.5X10 4Pa且所述玻璃基板溫度在180±5°C時，在所述第一層二氧化硅膜的表面形成氮化硅膜，其中，氮化硅在所述二氧化硅膜上的沉積速率為0.1?0.5nm/s，蒸鏈時間為15?25s。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，如果所述第二層膜為氧氮化鋁膜，則所述在所述第一層二氧化硅膜表面形成第二層膜具體包括: 在環(huán)境溫度為800?1200°C、壓力為2.0X 10 2?5.0X 10 1Pa時，將包括質(zhì)量組分為40?80 %的氮氣、質(zhì)量組分為0.5?1.0 %的氯化鋁、質(zhì)量組分為0.8?1.5 %的氨氣、質(zhì)量組分為0.2?1.0%的二氧化碳、質(zhì)量組分為2.0?4.0%的氯化氫、質(zhì)量組分為I?1.5%的一氧化碳、質(zhì)量組分為5?10%的氬氣、余量組分為氫氣的氣態(tài)混合物通入反應(yīng)室，并在所述第一層二氧化硅膜表面進(jìn)行氧氮化鋁的沉積以形成所述第二層膜。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述第二層膜表面形成第三層二氧化硅膜具體包括: 當(dāng)所述真空環(huán)境的真空度達(dá)到5.5X10 4Pa以上且所述玻璃基板溫度在180±5°C時，在所述第二層膜的表面形成第三層二氧化硅膜，其中，二氧化硅在所述第二層膜上的沉積速率為0.1?0.5nm/s，蒸鍍時間為20s。14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述增透膜層的表面形成緩沖層具體包括: 抽真空至壓力為1.0X 10 3Pa,然后充入氣體流量為500cm3/min和120cm3/min的娃油至真空度為1.0X10 3?1.0X10 1Pa的真空室內(nèi)，持續(xù)中頻功率為8000W沉積硅氧烷高溫裂解的S1x，沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過氧氣輝光放電，對所述S1x緩沖層進(jìn)行刻蝕，以形成緩沖層。15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述緩沖層的表面形成防指紋層具體包括: 在環(huán)境真空度為1.0X 10 5Pa時，鍍膜用燈絲電流在60s內(nèi)由OA提升至270A，并開始所述防指紋層的沉積過程，所述沉積過程的時間為90s。
【文檔編號】C03C17/34GK105882069SQ201510037126
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年1月26日
【發(fā)明人】許 鵬, 程蕓, 唐彬
【申請人】南昌歐菲光學(xué)技術(shù)有限公司, 南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司