本發(fā)明屬于電路板制造工藝領(lǐng)域，具體涉及一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法。

背景技術(shù)：

在印刷電路板（pcb）制造中，由于工程設(shè)計(jì)錯(cuò)誤或鉆孔加工時(shí)出現(xiàn)斷鉆針未及時(shí)發(fā)現(xiàn)等異常情形的出現(xiàn)，加之鉆孔后一般均不會(huì)對(duì)板子做全檢，而是到板子蝕刻后采用自動(dòng)光學(xué)檢查機(jī)（aoi）進(jìn)行檢查。這時(shí)如aoi發(fā)現(xiàn)板子有漏鉆孔，一般會(huì)直接報(bào)廢處理，主要原因是沒(méi)有好的重工、補(bǔ)救方法，或是重工成本很高、品質(zhì)難保證，故通常會(huì)選擇重新投料制作。對(duì)于普通的電路板來(lái)說(shuō)，由于一塊大拼版的板子上有多個(gè)或若干個(gè)小單元電路板，某個(gè)或幾個(gè)小單元的電路板發(fā)現(xiàn)漏鉆孔時(shí)，僅對(duì)漏鉆的小單元打報(bào)廢處理即可，不需要對(duì)局部漏鉆孔的單元電路板進(jìn)行重工處理，其余未漏鉆孔的可繼續(xù)往后工序生產(chǎn)。而針對(duì)一些大單元拼版或獨(dú)立單元拼版（即一塊打拼版的板子上只有一個(gè)單元的電路板），如果在蝕刻后發(fā)現(xiàn)有漏鉆孔，特別是已經(jīng)做到外出的多層電路板來(lái)說(shuō)，直接打報(bào)廢會(huì)造成巨大的成本浪費(fèi)，重新投料需要多個(gè)工序的加工才能制造至蝕刻工序，耗時(shí)較長(zhǎng)。因此，一種可有效對(duì)蝕刻后漏鉆孔電路板的重工方法是非常需要的，用于解決電路板在蝕刻后aoi發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的補(bǔ)救措施。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足或空白，提供一種蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔；（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理；（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償2-4mil；（4）將顯影后的板子電鍍30-40分鐘，電流參數(shù)0.8-1.2asd，板子兩邊夾有陪鍍板；（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，微蝕量控制在0.5μm-0.7μm；（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

進(jìn)一步地，步驟（1）中漏鉆孔的孔徑為0.2-1.0mm，孔的縱橫比為3:1-15:1。

進(jìn)一步地，步驟（2）中除膠速率控制為0.2-0.5mg/cm²。

進(jìn)一步地，步驟（2）中化學(xué)沉銅厚度為0.2μm-0.5μm。

進(jìn)一步地，步驟（3）中所述干膜為超厚型、高填充性的抗鍍或感光干膜。

進(jìn)一步地，步驟（3）所述干膜厚度為38μm-50μm。

進(jìn)一步地，步驟（3）中貼膜速度控制為0.5-0.8m/min，貼膜壓力控制為5-6kg/cm²，貼膜溫度控制為100-120℃。

進(jìn)一步地，步驟（5）中h2so4濃度控制為130-160g/l,h2o2濃度控制為120-140g/l，cu²⁺＞25g/l，且≤65g/l。

進(jìn)一步地，步驟（4）中陪鍍板的寬度為20cm-25cm。

本發(fā)明的有益效果是：提出了一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，可以有效減少或避免因漏鉆孔而引起的電路板報(bào)廢，既節(jié)約了資源，又降低制造成本。較重新投料制造相比，大大縮短了交貨周期，保證了生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

實(shí)施例1

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.2mm，孔的縱橫比為5：1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.2mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.2μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為38μm的超厚型、高填充性的抗鍍干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償2mil。

貼膜速度控制為0.5m/min，貼膜壓力控制為5kg/cm²，貼膜溫度控制為100℃。

（4）將顯影后的板子電鍍30分鐘，電流參數(shù)0.8asd，板子兩邊夾有寬度為20cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為130g/l,h2o2濃度控制為120g/l，cu²⁺為30g/l，微蝕量控制在0.5μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

本發(fā)明的有益效果是：提出了一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，可以有效減少或避免因漏鉆孔而引起的電路板報(bào)廢，既節(jié)約了資源，又降低制造成本。較重新投料制造相比，大大縮短了交貨周期，保證了生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率。

實(shí)施例2

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.3mm，孔的縱橫比為10:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.5mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.5μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為50μm的超厚型、高填充性的感光干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償4mil。

貼膜速度控制為0.8m/min，貼膜壓力控制為6kg/cm²，貼膜溫度控制為120℃。

（4）將顯影后的板子電鍍40分鐘，電流參數(shù)1.2asd，板子兩邊夾有寬度為20cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為160g/l,h2o2濃度控制為140g/l，cu²⁺為40g/l。微蝕量控制在0.7μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

實(shí)施例3

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.4mm，孔的縱橫比為12:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.3mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.4μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為42μm的超厚型、高填充性的感光干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償3mil。

貼膜速度控制為0.6m/min，貼膜壓力控制為5kg/cm²，貼膜溫度控制為110℃。

（4）將顯影后的板子電鍍35分鐘，電流參數(shù)1asd，板子兩邊夾有寬度為20cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為140g/l,h2o2濃度控制為130g/l，cu²⁺為60g/l。微蝕量控制在0.6μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

實(shí)施例4

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.5mm，孔的縱橫比為5:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.2mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.5μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為45μm的超厚型、高填充性的抗鍍干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償3mil。

貼膜速度控制為0.5m/min，貼膜壓力控制為6kg/cm²，貼膜溫度控制為120℃。

（4）將顯影后的板子電鍍30分鐘，電流參數(shù)1.2asd，板子兩邊夾有寬度為25cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為130g/l,h2o2濃度控制為140g/l，cu²⁺為65g/l。微蝕量控制在0.7μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

實(shí)施例5

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.2mm，孔的縱橫比為15:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.5mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.2μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為50μm的超厚型、高填充性的感光干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償2mil。

貼膜速度控制為0.8m/min，貼膜壓力控制為5kg/cm²，貼膜溫度控制為100℃。

（4）將顯影后的板子電鍍30分鐘，電流參數(shù)0.8asd，板子兩邊夾有寬度為20cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為160g/l,h2o2濃度控制為120g/l，cu²⁺為26g/l微蝕量控制在0.6μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

實(shí)施例6

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.3mm，孔的縱橫比為5:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.3mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.2μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為38的超厚型、高填充性的抗鍍干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償4mil。

貼膜速度控制為0.7m/min，貼膜壓力控制為5.5kg/cm²，貼膜溫度控制為115℃。

（4）將顯影后的板子電鍍35分鐘，電流參數(shù)0.8asd，板子兩邊夾有寬度為20cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為145g/l,h2o2濃度控制為140g/l，cu²⁺為50g/l。微蝕量控制在0.7μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

實(shí)施例7

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為0.4mm，孔的縱橫比為5:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.2mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.3μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為48μm的超厚型、高填充性的感光干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償3mil。

貼膜速度控制為0.8m/min，貼膜壓力控制為5kg/cm²，貼膜溫度控制為105℃。

（4）將顯影后的板子電鍍30分鐘，電流參數(shù)1.2asd，板子兩邊夾有寬度為25cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為130g/l,h2o2濃度控制為130g/l，cu²⁺為60g/l。微蝕量控制在0.5μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

實(shí)施例8

一種印刷電路板蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的重工方法，其特征在于：包括以下具體步驟，

（1）將蝕刻后發(fā)現(xiàn)漏鉆孔的板子進(jìn)行補(bǔ)鉆孔。漏鉆孔的孔徑為1mm，孔的縱橫比為3:1。

（2）將上述板子的孔內(nèi)進(jìn)行除膠及化學(xué)沉銅處理。除膠速率控制為0.4mg/cm²且化學(xué)沉銅厚度為0.4μm。

（3）將化學(xué)沉銅后的板子貼厚度為40μm的超厚型、高填充性的抗鍍或感光干膜、曝光和顯影，使孔環(huán)露出，單邊孔環(huán)比原來(lái)加大補(bǔ)償3mil。

貼膜速度控制為0.5m/min，貼膜壓力控制為5.5kg/cm²，貼膜溫度控制為110℃。

（4）將顯影后的板子電鍍30分鐘，電流參數(shù)1.2asd，板子兩邊夾有寬度為25cm的陪鍍板。

（5）將板子上的干膜退掉,再進(jìn)行微蝕處理，去掉板面上沉積上的化學(xué)銅層，微蝕液為h2so4+h2o2體系，其中h2so4濃度控制為130g/l,h2o2濃度控制為130g/l，cu²⁺為50g/l。微蝕量控制在0.6μm。

（6）將電鍍后的孔邊用800#砂紙打磨光滑、平整，檢查孔徑合格后送往后工序。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。