通過使用諸如銅的導(dǎo)電材料在絕緣基板上印刷電路線圖案來形成印刷電路板。印刷電路板指的是在在其上安裝電子零件之前的板。即，印刷電路板指的是這樣一種電路板，其中，在平板上限定了安裝位置以安裝各種類型的電子裝置，并且在平板上固定地印刷電路圖案，以彼此連接電子裝置。

背景技術(shù)：
這樣的印刷電路板（PCB）可以被分類為單層PCB和多層PCB，諸如積層板。逐層制造積層板，即，多層PCB，并且，評估多層PCB的質(zhì)量以改善多層PCB的成品率。另外，精確地連接互連線以制造高密度和小尺寸PCB。根據(jù)積層處理，在層之間形成互連線，以通過在層中形成的通孔而彼此連接層。取代機械鉆孔作業(yè)，執(zhí)行激光處理以形成具有微型尺寸的通孔。圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層PCB的截面圖。參見圖1，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層PCB10包括：核心絕緣層1；在核心絕緣層1之上和之下形成的內(nèi)部電路圖案層3和4；埋置內(nèi)部電路圖案層3和4的上和下絕緣層5和6；以及分別在上和下絕緣層5和6上形成的外部電路圖案層7和8。在核心絕緣層1與上和下絕緣層5和6中形成導(dǎo)電通路2和導(dǎo)電通孔，以將內(nèi)部電路圖案層3和4電連接到外部電路圖案層7和8。可以通過形成偶數(shù)個電路圖案層（在圖1中示出四層）來制造具有根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的上面的結(jié)構(gòu)的多層PCB10。在沉積絕緣層后，作為外層的兩層通過鉆孔作業(yè)或激光處理而彼此電連接。然而，因為電路圖案層的數(shù)量限于偶數(shù)，所以可能會增大基板的厚度，使得多層PCB10可能不適合于具有輕薄結(jié)構(gòu)的便攜電子產(chǎn)品或基板，諸如半導(dǎo)體芯片。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
【技術(shù)問題】實施例提供了一種具有新穎結(jié)構(gòu)的印刷電路板和及其制造方法。實施例提供了一種包括奇數(shù)電路層的印刷電路板及其制造方法。【技術(shù)方案】根據(jù)實施例的一種印刷電路板包括：核心絕緣層；形成為穿過所述核心絕緣層的至少一個通路；埋置在所述核心絕緣層中的內(nèi)部電路層；以及在所述核心絕緣層的頂表面或底表面上的外部電路層，其中，所述通路包括第一部分、在所述第一部分下的第二部分、在所述第一部分和第二部分之間的第三部分、以及包括與所述第一至第三部分的金屬不同的金屬的至少一個阻擋層。根據(jù)實施例的一種印刷電路板的制造方法包括步驟：制備金屬基板，所述金屬基板具有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和在所述第一至第三金屬層之間的阻擋層；通過蝕刻所述金屬基板的所述第一金屬層來形成通路的第一部分；通過蝕刻所述金屬基板的所述第二金屬層來在所述通路的所述第一部分下形成連接部分和內(nèi)部電路層；通過蝕刻所述金屬基板的所述第三金屬層來在所述連接部分下形成所述通路的第二部分；形成絕緣層以埋置所述通路；以及在所述絕緣層的頂表面或低表面上形成外部電路層?！居幸嫘Ч扛鶕?jù)實施例，同時形成內(nèi)部電路層和通路，從而可以減少處理步驟。另外，因為印刷電路板包括奇數(shù)個電路層，所以印刷電路板可以具有輕薄結(jié)構(gòu)。另外，在多層印刷電路板的絕緣層中埋置通路，因此可以改善散熱功能。因為不采用電鍍方法來形成通路，所以可以降低制造成本。而且，通過使用包括多個堆疊金屬的金屬基板來形成通路和內(nèi)部電路層，因此可以防止在制造過程期間基板彎曲。附圖說明圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的印刷電路板的截面圖；圖2是示出根據(jù)第一實施例的印刷電路板的截面圖；圖3至圖17是用于說明在圖2中所示的印刷電路板的制造過程的截面圖；圖18是示出根據(jù)第二實施例的印刷電路板的截面圖；圖19是示出根據(jù)第三實施例的印刷電路板的截面圖；圖20至圖36是用于說明在圖19中所示的印刷電路板的制造過程的截面圖；并且圖37是示出根據(jù)第四實施例的印刷電路板的截面圖。具體實施方式公開了一種印刷電路板及其制造方法。該印刷電路板包括：核心絕緣層；形成為穿過所述核心絕緣層的至少一個通路；埋置在所述核心絕緣層中的內(nèi)部電路層；以及在所述核心絕緣層的頂表面或底表面上的外部電路層，其中，所述通路包括第一部分、在所述第一部分下的第二部分、在所述第一部分和第二部分之間的第三部分、以及包括與所述第一至第三部分的金屬不同的金屬的至少一個阻擋層。所述內(nèi)部電路層和所述通路同時形成，從而減少了處理步驟。因為提供了奇數(shù)個電路層，所以印刷電路板具有輕薄結(jié)構(gòu)。【用于本發(fā)明的模式】以下，將參考附圖詳細描述實施例，使得本發(fā)明所屬的領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以容易地實現(xiàn)實施例。然而，實施例可以具有各種修改，而沒有限制。在下面的說明中，當(dāng)零件被稱為它包括部件時，該零件可以不排除其他部件，而是進一步包括另一個部件，除非上下文另有指示。為了方便或清楚，可以夸大、省略或示意地繪制在附圖中所示的每層的厚度和大小。另外，元件的大小不完全反映實際大小。在下面的說明中，類似的部件被分配類似的附圖標記。在實施例的描述中，可以明白，當(dāng)一層（或膜）、區(qū)域或板被稱為在另一層（或膜）、另一個區(qū)域或另一個板“上”或“下”時，它可以直接地或間接地在另一層（或膜）、區(qū)域或板上，或者也可以存在一個或多個中間層。根據(jù)實施例，通過蝕刻處理同時形成通路和內(nèi)部電路層，使得可以不使用電鍍方法而形成包括奇數(shù)電路層的多層印刷電路板（PCB）。以下，將參考圖2至圖17來描述根據(jù)實施例的PCB。圖2是示出根據(jù)第一實施例的PCB的截面圖。參見圖2，根據(jù)實施例的PCB100包括：核心絕緣層，用于形成第一絕緣層120和第二絕緣層125；通路115，其形成在核心絕緣層中；內(nèi)部電路層111，其形成在核心絕緣層中；以及第一和第二外部電路層131、135和145，其分別形成在第一和第二絕緣層120和125上。第一絕緣層120形成在第二絕緣層125上，并且，在第一和第二絕緣層120和125之間可以存在另一個絕緣層（未示出）。第一和第二絕緣層120和125可以包括熱固聚合物基板、熱塑聚合物基板、陶瓷基板或有機/無機復(fù)合基板。第一和第二絕緣層120和125可以包括聚合物樹脂，諸如環(huán)氧絕緣樹脂或聚酰亞胺樹脂。另外，可以通過使用包括諸如玻璃纖維的固體成分的樹脂來形成第一和第二絕緣層120和125?？梢酝ㄟ^使用相同的材料來形成第一和第二絕緣層120和125。第一和第二絕緣層120和125可以分別具有范圍在30微米至80微米之間的厚度。具有第一和第二絕緣層120和125的堆疊結(jié)構(gòu)的核心絕緣層的厚度的范圍在60微米至160微米之間，優(yōu)選地范圍在60微米至140微米之間。通路115和內(nèi)部電路層111形成在核心絕緣層中。通路115是形成為穿過第一和第二絕緣層120和125的導(dǎo)電通路。通路115在第一和第二絕緣層120和125之間的邊界處具有最大寬度d1。每一個通路115的寬度隨著它到達第一和第二絕緣層120和125的頂表面而逐漸變窄。因此，每一個通路115的遇到第一和第二絕緣層120和125的頂表面的部分具有最小寬度d2，使得通路115具有六邊形截面形狀。通路115的寬度d1和d2在大約20微米至大約100微米的范圍之間。通路115是導(dǎo)電通路，并且可以通過使用包括Cu的合金而形成。通路115包括：埋置在第一絕緣層120中并且通過包括Cu的合金形成的第一部分115a；埋置在第一部分115a下的第二絕緣層125中并且通過與第一部分115a的合金相同的合金形成的第二部分115b；以及插入在第一和第二部分115a和115b之間并且通過與第一和第二部分115a和115b的合金相同的合金形成的第三部分115c。同時，在第一至第三部分115a、115b和115c之間的邊界處形成第一和第二阻擋層115d和115e。詳細而言，在第一部分115a和第三部分115c之間形成第一阻擋層115d，并且在第三部分115c和第二部分115b之間形成第二阻擋層115e。通過使用與第一至第三部分115a、115b和115c的金屬不同的金屬來形成第一和第二阻擋層115d和115e。第一和第二阻擋層115d和115e的金屬相對于第一至第三部分115a、115b和115c的金屬具有蝕刻選擇性。第三部分115c形成在通路115的中心處，并且，第三部分115c的底表面或第二阻擋層115e的底表面可以具有通路115的最大寬度d1?？梢酝ㄟ^使用包括Cu的合金來形成第一至第三部分115a、115b和115c，并且可以通過使用包括Ni、Fe、Co、Mo、Cr或Pd的合金來形成第一和第二阻擋層115d和115e。第一和第二部分115a和115b具有范圍在20微米至70微米之間的厚度，并且第三部分115c具有范圍在5微米至70微米之間的厚度。第一和第二阻擋層115d和115e具有比第三部分115c的厚度小的厚度。優(yōu)選的是，第一和第二阻擋層115d和115e具有大約10微米或更小的厚度。在第二絕緣層125上形成內(nèi)部電路層111。內(nèi)部電路層111的電路圖案具有范圍在5微米至30微米之間的厚度和大約50微米或更小的寬度，優(yōu)選地為30微米的寬度，使得可以形成微型圖案。內(nèi)部電路層111具有矩形截面形狀。通過使用與通路115的第三部分115c相同的材料來形成內(nèi)部電路層111，并且在內(nèi)部電路層111下部分地形成第二阻擋層115e。可以省略第二阻擋層115e。分別在第一和第二絕緣層120和125的頂和底表面上形成包括連接到通路115的通路焊盤135和145與電路圖案131的外部電路層131、135和145。外部電路層131、135和145被分類為在核心絕緣層上形成的第一外部電路層131和135與在核心絕緣層下形成的第二外部電路層145。外部電路層131、135和145可以形成具有30/30的線/間隔的微型圖案。為此，沉積具有范圍在6微米至30微米之間的厚度的銅層，然后，蝕刻銅層以形成外部電路層131、135和145。雖然已經(jīng)描述了以單層的形式在核心絕緣層上和下形成外部電路層131、135和145，但是實施例不限于此。例如，在第一和第二絕緣層120和125上形成用于埋置外部電路層131、135和145的上絕緣層后，可以在上絕緣層上形成電路層，以形成多層PCB。如上所述，因為在根據(jù)實施例的PCB100的核心絕緣層中埋置內(nèi)部電路層111，所以可以形成數(shù)量為2n+1個（n是正整數(shù)）的電路層。另外，絕緣層具有與基于核心絕緣層的電路層相同的數(shù)量，使得可以防止PCB在一個方向上彎曲。因此，可以形成奇數(shù)個電路層，而不增加絕緣層的數(shù)量。另外，因為在核心絕緣層中形成包括導(dǎo)電材料的通路115，所以可以提高散熱效率。以下，將參考圖3至圖17來描述圖2的PCB的制造方法。首先，如圖3中所示制備導(dǎo)電金屬基板110。可以通過使用軋制的箔或電解的箔的形式的、包括Cu的合金來形成導(dǎo)電金屬基板110。導(dǎo)電金屬基板110可以根據(jù)產(chǎn)品的規(guī)格而具有各種厚度。導(dǎo)電金屬基板110具有第一金屬層110a、第二金屬層110b和第三金屬層110c的堆疊結(jié)構(gòu)。可以通過使用包括Cu的合金來形成第一至第三金屬層110a、110b和110c。在第一至第三金屬層110a、110b和110c之間形成第一和第二阻擋金屬層110d和110e。第一和第二阻擋金屬層110d和110e包括相對于第一至第三金屬層110a、110b和110c的金屬具有蝕刻選擇性的金屬?？梢酝ㄟ^使用包括Ni、Fe、Co、Mo、Cr或Pd的合金來形成第一和第二阻擋金屬層110d和110e。另外，第一和第二阻擋金屬層110d和110e可以具有比第二金屬層110b的厚度薄的厚度。根據(jù)實施例，金屬基板110優(yōu)選地具有范圍在80微米至170微米之間的厚度?？梢酝ㄟ^諸如酸洗或沖洗的表面處理過程來處理金屬基板110的表面。然后，如圖4中所示，向金屬基板110的頂表面上附接光致抗蝕劑膜116。光致抗蝕劑膜116形成用于蝕刻金屬基板110的蝕刻圖案。光致抗蝕劑膜116可以具有范圍在15微米至30微米之間的各種厚度，并且，可以使用UV曝光類型光致抗蝕劑膜和LDI曝光類型光致抗蝕劑膜兩者。其后，如圖5中所示，對光致抗蝕劑膜116進行曝光和顯影處理以形成光致抗蝕劑圖案（未示出），并且通過使用光致抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻金屬基板110，由此形成通路115的第一部分115a。然后，通過使用諸如氯化銅和氯化鐵的濕蝕刻溶液來濕蝕刻金屬基板110的一部分，以形成通路115的第一部分115a。因為在第一金屬層110a和第一阻擋金屬層110d之間的蝕刻選擇性，所以當(dāng)形成第一部分115a時僅蝕刻第一金屬層110a。如圖5中所示，在已經(jīng)蝕刻了通路115的第一部分115a后，通過使用NaOH稀釋溶液來將光致抗蝕劑圖案脫層。接下來，如圖6中所示，在第一部分115a和第一阻擋金屬層110d的暴露的前表面上形成光致抗蝕劑膜117。為了通過使用第二金屬層110b來形成內(nèi)部電路層111，對在第一阻擋金屬層110d上形成的光致抗蝕劑膜117的一部分進行曝光和顯影處理，以形成在圖7中所示的光致抗蝕劑圖案118，并且通過使用光致抗蝕劑圖案118作為掩模來蝕刻第一阻擋金屬層110d，由此形成掩模圖案119。然后，通過使用與用于蝕刻掩模圖案119的蝕刻溶液不同的蝕刻溶液來選擇性地蝕刻在掩模圖案119下形成的第二金屬層110b，由此形成內(nèi)部電路層111的第一區(qū)域111a和通路115的第三部分115c，如圖8中所示。當(dāng)暴露在第二金屬層110b下形成的第二阻擋層110e時，停止蝕刻處理，并且形成內(nèi)部電路層111的第一區(qū)域111a。內(nèi)部電路層111的第一區(qū)域111a具有矩形截面形狀，并且在其上形成掩模圖案119。然后，如圖9中所示，當(dāng)去除掩模圖案119和暴露的第二阻擋金屬層110e時，將內(nèi)部電路層111劃分為由第二金屬層110b形成的第一區(qū)域111a和由第二阻擋金屬層110e形成的第二區(qū)域111b。其后，如圖10中所示，以下述方式來形成第一絕緣層120：可以在第一絕緣層120中埋置通路115的第一和第三部分115a和115c與內(nèi)部電路層111。可以通過使用具有諸如玻璃纖維的固態(tài)成分或沒有固態(tài)成分的熱固樹脂或熱塑樹脂來形成第一絕緣層120。第一絕緣層120可以具有范圍在大約30微米至大約80微米之間的厚度。然后，在第一絕緣層120上形成銅箔層130。銅箔層130是作為第一外部電路層131和135的基礎(chǔ)的金屬層，并且具有范圍在6微米至30微米之間的厚度，使得可以將線/間隔形成為30/30微米。優(yōu)選的是，銅箔層130具有范圍在6微米至20微米之間的厚度，使得可以將線/間隔形成為15/15微米或更小?？梢酝ㄟ^使用CCL（敷銅箔疊層板）來形成第一絕緣層120和銅箔層130。然后，如圖11中所示，分別在銅箔層130上和在金屬基板110下形成光致抗蝕劑膜136。在金屬基板110下形成的光致抗蝕劑膜136作為基礎(chǔ)，以形成用于形成通路115的第二部分115b和內(nèi)部電路層111的光致抗蝕劑圖案。另外，在銅箔層130上形成的光致抗蝕劑膜136作為基礎(chǔ)，以在金屬基板110下形成光致抗蝕劑圖案，并且作為保護膜以在金屬基板110的蝕刻處理期間保護銅箔層130。因此，可以將在銅箔層130上形成的光致抗蝕劑膜136替換為保護膜或保護有機層，并且可以將其省略。其后，如圖12中所示，在金屬基板110下形成的光致抗蝕劑膜136被顯影以形成光致抗蝕劑圖案，并且通過使用光致抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻金屬基板110，由此在通路115的第一部分115a下形成第二部分115b?？梢詧?zhí)行蝕刻處理，直到暴露了第二阻擋金屬層110e為止，因此在內(nèi)部電路層111的底表面處暴露第二阻擋金屬層110e。以這種方式，將通路115的上和下部通過蝕刻處理劃分為第一至第三部分115a、115b和115c，使得通路115具有六邊形截面形狀，其中，通路115的中心具有最大寬度d1，并且該寬度從通路115的中心向外部變窄。當(dāng)已經(jīng)形成通路115的第二部分115b時，將光致抗蝕劑圖案脫層。然后，如圖13中所示，沉積第二絕緣層125，使得可以在第二絕緣層125中埋置通路115的第一部分115a，并且在第二絕緣層125上沉積銅箔層140。第二絕緣層125和銅箔層140的材料和厚度可以與第一絕緣層120和在第一絕緣層120上形成的銅箔層130的材料和厚度相同。然后，如圖14中所示，光致抗蝕劑膜146分別附接在銅箔層130和140上。光致抗蝕劑膜146可以具有范圍在15微米至30微米之間的各種厚度，并且可以使用UV曝光類型的光致抗蝕劑膜和LDI曝光類型的光致抗蝕劑膜兩者。然后，對光致抗蝕劑膜146進行曝光和顯影處理，使得分別在銅箔層130和140上形成光致抗蝕劑圖案148，如圖15中所示。其后，通過使用光致抗蝕劑圖案148作為掩模來蝕刻銅箔層130和140，由此形成焊盤135和145與電路圖案131，如圖16中所示。焊盤135和145與電路圖案131可以構(gòu)成在第一絕緣層120和第二外部電路層145上形成的第一外部電路層131和135。第一外部電路層131和135包括連接到通路115的第一部分115a的上焊盤135和包括與上焊盤135的銅箔層130相同的銅箔層130的上電路圖案131。第二外部電路層145包括連接到通路115的第二部分115b的下焊盤145和包括與下焊盤145的銅箔層140相同的銅箔層140的下電路圖案（未示出）。最后，如圖17中所示，埋置外部電路層131、135和145的電路圖案131，并且形成覆蓋膜150以暴露焊盤135和145。以這種方式，與通過將絕緣層鉆孔來形成通孔并且通過埋置通孔來形成通路的現(xiàn)有技術(shù)不同，該實施例在通過蝕刻金屬基板110而形成通路115后形成埋置通路115的絕緣層120和125，由此降低制造成本。另外，因為通過使用與通路115相同的金屬基板來形成內(nèi)部電路層111，所以可以減少制造步驟。以下，將參考圖18來描述根據(jù)第二實施例的PCB。參見圖18，根據(jù)第二實施例的PCB200包括：用于形成第一絕緣層120和第二絕緣層125的核心絕緣層；在核心絕緣層中形成的通路115；在核心絕緣層中形成的內(nèi)部電路層112；以及分別在第一和第二絕緣層120和125上形成的第一和第二外部電路層131、135和145。第一絕緣層120形成在第二絕緣層125上，并且，在第一和第二絕緣層120和125之間可以存在另一個絕緣層。可以通過使用包括諸如玻璃纖維的固體成分的樹脂來形成第一和第二絕緣層120和125。可以通過使用相同的材料來形成第一和第二絕緣層120和125。第一和第二絕緣層120和125具有堆疊結(jié)構(gòu)以形成核心絕緣層。該核心絕緣層可以具有范圍在大約60微米至大約140微米之間的厚度。在核心絕緣層中形成通路115和內(nèi)部電路層112。通路115是形成為穿過第一和第二絕緣層120和125的導(dǎo)電通路。通路115在第一和第二絕緣層120和125之間的邊界處具有最大寬度d1。每一個通路115的寬度隨著它到達第一和第二絕緣層120和125的頂表面而逐漸變窄。因此通路115具有六邊形截面形狀。通路115的寬度d1和d2在大約20微米至大約100微米的范圍之間。通路115是導(dǎo)電通路，并且可以通過使用包括Cu的合金而形成。通路115包括：埋置在第一絕緣層120中并且通過包括Cu的合金形成的第一部分115a；埋置在第一部分115a下的第二絕緣層125中并且通過與第一部分115a的合金相同的合金形成的第二部分115b；以及插入在第一和第二部分115a和115b之間并且通過與第一和第二部分115a和115b的合金相同的合金形成的第三部分115c。同時，在第一至第三部分115a、115b和115c之間的邊界處形成第一和第二阻擋層115d和115e。詳細而言，在第一部分115a和第三部分115c之間形成第一阻擋層115d，并且在第三部分115c和第二部分115b之間形成第二阻擋層115e。通過使用與第一至第三部分115a、115b和115c的金屬不同的金屬來形成第一和第二阻擋層115d和115e。第一和第二阻擋層115d和115e的金屬相對于第一至第三部分115a、115b和115c的金屬具有蝕刻選擇性。第三部分115c形成在通路115的中心處，并且，第三部分115c的底表面可以具有通路115的最大寬度d1?？梢酝ㄟ^使用包括Cu的合金來形成第一至第三部分115a、115b和115c，并且可以通過使用包括Ni、Fe、Co、Mo、Cr或Pd的合金來形成第一和第二阻擋層115d和115e。第一和第二部分115a和115b具有范圍在20微米至70微米之間的厚度，并且第三部分115c具有范圍在5微米至70微米之間的厚度。第一和第二阻擋層115d和115e具有比第三部分115c的厚度小的厚度。優(yōu)選的是，第一和第二阻擋層115d和115e具有大約10微米或更小的厚度。內(nèi)部電路層112具有矩形截面形狀，并且具有大約60微米或更小的寬度，優(yōu)選地具有50微米的寬度，使得可以形成微型圖案。通過使用與通路115的第三部分115c相同的材料來形成內(nèi)部電路層112。分別在第一和第二絕緣層120和125的頂和底表面上形成包括連接到通路115的通路焊盤135和145與電路圖案131的外部電路層131、135和145。在第一和第二絕緣層120和125的表面上形成外部電路層131、135和145，并且在第二絕緣層125上形成內(nèi)部電路層112?？梢酝ㄟ^沉積銅箔層并且然后蝕刻銅箔層來形成外部電路層131、135和145。在圖18中所示的PCB200中，內(nèi)部電路層112的電路圖案具有矩形截面形狀，與通路115類似，該矩形截面形狀圍繞在第一和第二絕緣層120和125之間的邊界而對稱地形成。埋置在第一絕緣層120中的區(qū)域包括與通路115的第三部分115c的材料相同的材料，并且，埋置在第二絕緣層125中的區(qū)域包括與通路115的第三部分115c的材料相同的材料。可以通過使用在圖3至圖17中所示的制造方法來形成在圖18中所示的內(nèi)部電路層112。在圖11和圖12中所示的處理中，當(dāng)形成通路115的第二部分115b時，可以同時形成被埋置在內(nèi)部電路層112的第二絕緣層125中的區(qū)域。如上所述，因為內(nèi)部電路層112埋置在根據(jù)該實施例的PCB200的核心絕緣層中，所以可以形成數(shù)量為2n+1個（n是正整數(shù)）的電路層。另外，絕緣層具有與基于核心絕緣層的電路層相同的數(shù)量，使得可以防止PCB在一個方向上彎曲。因此，可以形成奇數(shù)個電路層，而不增加絕緣層的數(shù)量。另外，因為在核心絕緣層中形成包括導(dǎo)電材料的通路115，所以可以提高散熱效率。此外，通過使用異質(zhì)金屬（heterometal）來形成金屬基板的中間層，從而可以防止金屬基板在制造過程期間彎曲。以下，將參考圖19至圖36來描述根據(jù)第三實施例的PCB。圖19是示出根據(jù)第三實施例的PCB的截面圖。參見圖19，根據(jù)該實施例的PCB300包括：用于形成第一絕緣層320和第二絕緣層325的核心絕緣層；在核心絕緣層中形成的通路315；在核心絕緣層中形成的內(nèi)部電路層311；以及分別在第一和第二絕緣層320和325上形成的第一和第二外部電路層331、335和345。在第二絕緣層325上形成第一絕緣層320，并且，在第一和第二絕緣層320和325之間可以存在另一個絕緣層（未示出）。第一和第二絕緣層320和325可以包括熱固聚合物基板、熱塑聚合物基板、陶瓷基板或有機/無機復(fù)合基板。第一和第二絕緣層320和325可以包括聚合物樹脂，諸如環(huán)氧絕緣樹脂或聚酰亞胺樹脂。另外，可以通過使用包括諸如玻璃纖維的固體成分的樹脂來形成第一和第二絕緣層320和325?？梢酝ㄟ^使用相同的材料來形成第一和第二絕緣層320和325。第一和第二絕緣層320和325可以分別具有范圍在約30微米至80微米之間的厚度。具有第一和第二絕緣層320和325的堆疊結(jié)構(gòu)的核心絕緣層的厚度的范圍在約60微米至160微米之間，優(yōu)選地范圍在約60微米至140微米之間。在核心絕緣層的表面上形成粘結(jié)層360和365。詳細而言，分別在第一絕緣層320的頂表面和第二絕緣層325的底表面上形成粘結(jié)層360和365。粘結(jié)層360和365被提供來加強在第一和第二絕緣層320和325與電路層331、335和345之間的粘結(jié)強度。粘結(jié)層360和365可以是包括硅烷的底漆樹脂層，并且可以具有大約10微米或更小的厚度。在核心絕緣層中形成通路315和內(nèi)部電路層311。通路315是形成為穿過第一和第二絕緣層320和325的導(dǎo)電通路。通路315在第一和第二絕緣層320和325之間的邊界處具有最大寬度d1。每一個通路315的寬度隨著它到達第一和第二絕緣層320和325的頂表面而逐漸變窄。因此，每一個通路315的遇到第一和第二絕緣層320和325的頂表面的部分具有最小寬度d2，使得通路315具有六邊形截面形狀。通路315的寬度d1和d2在大約20微米至大約300微米的范圍之間。通路315是導(dǎo)電通路，并且可以通過使用包括Cu的合金而形成。通路315包括：埋置在第一絕緣層320中并且通過包括Cu的合金形成的第一部分315a；埋置在第一部分315a下的第二絕緣層325中并且通過與第一部分315a的合金相同的合金形成的第二部分315b；以及插入在第一和第二部分315a和315b之間并且通過與第一和第二部分315a和315b的合金相同的合金形成的第三部分315c。同時，在第一至第三部分315a、315b和315c之間的邊界處形成第一和第二阻擋層315d和315e。詳細而言，在第一部分315a和第三部分315c之間形成第一阻擋層315d，并且在第三部分315c和第二部分315b之間形成第二阻擋層315e。通過使用與第一至第三部分315a、315b和315c的金屬不同的金屬來形成第一和第二阻擋層315d和315e。第一和第二阻擋層315d和315e的金屬相對于第一至第三部分315a、315b和315c的金屬具有蝕刻選擇性。第三部分315c形成在通路315的中心處，并且，第三部分315c的底表面或第二阻擋層315e的底表面可以具有通路315的最大寬度d1?？梢酝ㄟ^使用包括Cu的合金來形成第一至第三部分315a、315b和315c，并且可以通過使用包括Ni、Fe、Co、Mo、Cr或Pd的合金來形成第一和第二阻擋層315d和315e。第一和第二部分315a和315b具有范圍在20微米至70微米之間的厚度，并且第三部分315c具有范圍在5微米至70微米之間的厚度。第一和第二阻擋層315d和315e具有比第三部分315c的厚度小的厚度。優(yōu)選的是，第一和第二阻擋層315d和315e具有大約10微米或更小的厚度。在第二絕緣層325上形成內(nèi)部電路層311。內(nèi)部電路層311的電路圖案具有范圍在5微米至30微米之間的厚度和大約50微米或更小的寬度，優(yōu)選地為30微米的寬度，使得可以形成微型圖案。內(nèi)部電路層311具有矩形截面形狀。通過使用與通路315的第三部分315c相同的材料來形成內(nèi)部電路層311，并且在內(nèi)部電路層311下部分地形成第二阻擋層315e?？梢允÷缘诙钃鯇?15e。分別在第一和第二絕緣層320和325的頂和底表面上形成包括連接到通路315的通路焊盤335和345與電路圖案331的外部電路層331、335和345。外部電路層331、335和345被分類為在核心絕緣層上形成的第一外部電路層331和335與在核心絕緣層下形成的第二外部電路層345?？梢酝ㄟ^經(jīng)由SAP（半加成法）電鍍材料來形成外部電路層331、335和345。雖然已經(jīng)描述了以單層的形式在核心絕緣層上和下形成外部電路層331、335和345，但是實施例不限于此。例如，在第一和第二絕緣層320和325上形成用于埋置外部電路層331、335和345的上絕緣層后，可以在上絕緣層上形成電路層，以形成多層PCB。如上所述，因為在根據(jù)實施例的PCB300的核心絕緣層中埋置內(nèi)部電路層311，所以可以形成數(shù)量為2n+1個（n是正整數(shù)）的電路層。另外，絕緣層具有與基于核心絕緣層的電路層相同的數(shù)量，使得可以防止PCB在一個方向上彎曲。因此，可以形成奇數(shù)個電路層，而不增加絕緣層的數(shù)量。另外，因為在核心絕緣層中形成包括導(dǎo)電材料的通路315，所以可以提高散熱效率。另外，因為在絕緣層320和325與外部電路層331、335和345之間形成包括底漆樹脂的粘結(jié)層360和365，所以可以促進用于外部電路層331、335和345的電鍍作業(yè)，使得可以提高在絕緣層320和325與外部電路層331、335和345之間的粘結(jié)強度。以下，將參考圖20至圖36來描述圖19的PCB的制造方法。首先，如圖20中所示制備導(dǎo)電金屬基板310?？梢酝ㄟ^使用以軋制的箔或電解的箔的形式的、包括Cu的合金來形成導(dǎo)電金屬基板310。導(dǎo)電金屬基板310可以根據(jù)產(chǎn)品的規(guī)格而具有各種厚度。導(dǎo)電金屬基板310具有第一金屬層310a、第二金屬層310b和第三金屬層310c的堆疊結(jié)構(gòu)。可以通過使用包括Cu的合金來形成第一至第三金屬層310a、310b和310c。在第一至第三金屬層310a、310b和310c之間形成第一和第二阻擋金屬層310d和310e。第一和第二阻擋屬層310d和310e包括相對于第一至第三金屬層310a、310b和310c的金屬具有蝕刻選擇性的金屬?？梢酝ㄟ^使用包括Ni、Fe、Co、Mo、Cr或Pd的合金來形成第一和第二阻擋金屬層310d和310e。另外，第一和第二阻擋金屬層310d和310e可以具有比第二金屬層310b的厚度薄的厚度。根據(jù)該實施例，金屬基板310優(yōu)選地具有范圍在80微米至170微米之間的厚度。可以通過諸如酸洗或沖洗的表面處理過程來處理金屬基板310的表面。然后，如圖21中所示，向金屬基板310的頂表面上附接光致抗蝕劑膜316。光致抗蝕劑膜316形成用于蝕刻金屬基板310的蝕刻圖案。光致抗蝕劑膜316可以具有范圍在15微米至30微米之間的各種厚度，并且可以使用UV曝光類型光致抗蝕劑膜和LDI曝光類型光致抗蝕劑膜兩者。其后，如圖22中所示，對光致抗蝕劑膜316進行曝光和顯影處理以形成光致抗蝕劑圖案（未示出），并且通過使用光致抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻金屬基板310，由此形成通路315的第一部分315a。然后，通過使用諸如氯化銅和氯化鐵的濕蝕刻溶液來濕蝕刻金屬基板310的一部分，以形成通路315的第一部分315a。因為在第一金屬層310a和第一阻擋金屬層310d之間的蝕刻選擇性，所以當(dāng)形成第一部分315a時僅蝕刻第一金屬層310a。如圖22中所示，在已經(jīng)蝕刻了通路315的第一部分315a后，通過使用NaOH稀釋溶液來將光致抗蝕劑圖案脫層。接下來，如圖23中所示，在第一部分315a和第一阻擋金金屬層310d的暴露的前表面上形成光致抗蝕劑膜317。為了通過使用第二金屬層310b來形成內(nèi)部電路層311，對在第一阻擋金金屬層310d上形成的光致抗蝕劑膜317的一部分進行曝光和顯影處理，以形成在圖24中所示的光致抗蝕劑圖案318，并且通過使用光致抗蝕劑圖案318作為掩模來蝕刻第一阻擋金屬層310d，由此形成掩模圖案319。然后，通過使用與用于蝕刻掩模圖案319的蝕刻溶液不同的蝕刻溶液來選擇性地蝕刻在掩模圖案319下形成的第二金屬層310b，由此形成內(nèi)部電路層311的第一區(qū)域311a和通路315的第三部分315c，如圖25中所示。當(dāng)暴露在第二金屬層310b下形成的第二阻擋層310e時，停止蝕刻處理，并且形成內(nèi)部電路層311的第一區(qū)域311a。內(nèi)部電路層311的第一區(qū)域311a具有矩形截面形狀，并且在其上形成掩模圖案319。然后，如圖26中所示，當(dāng)去除掩模圖案319和暴露的第二阻擋金金屬層310e時，將內(nèi)部電路層311劃分為由第二金屬層310b形成的第一區(qū)域311a和由第二阻擋金屬層310e形成的第二區(qū)域311b。其后，如圖27中所示，以下述方式來形成第一絕緣層320：可以在第一絕緣層320中埋置通路315的第一和第三部分315a和315c與內(nèi)部電路層311?？梢酝ㄟ^使用具有諸如玻璃纖維的固態(tài)成分或沒有固態(tài)成分的熱固樹脂或熱塑樹脂來形成第一絕緣層320。第一絕緣層320可以具有范圍在大約30微米至大約80微米之間的厚度。然后，在第一絕緣層320上形成粘結(jié)層360和銅箔層361。銅箔層361作為用于SAP的基礎(chǔ)，并且向第一絕緣層320上附接粘結(jié)層360。粘結(jié)層360包括底漆樹脂。詳細而言，粘結(jié)層360包括底漆樹脂，該底漆樹脂包括硅烷。包括底漆樹脂的粘結(jié)層360以PCF（涂敷底漆的銅箔）的形式被涂敷在銅箔層361上。通路315的頂表面被加壓以通過粘結(jié)層360接觸銅箔層361。然后，如圖28中所示，分別在銅箔層361上和在金屬基板310下形成光致抗蝕劑膜336。在金屬基板310下形成的光致抗蝕劑膜336作為基礎(chǔ)，以形成用于形成通路315的第二部分315b和內(nèi)部電路層311的光致抗蝕劑圖案。另外，在銅箔層361上形成的光致抗蝕劑膜336作為基礎(chǔ)，以在金屬基板310下形成光致抗蝕劑圖案，并且作為保護膜以在金屬基板310的蝕刻處理期間保護銅箔層361。因此，可以將在銅箔層361上形成的光致抗蝕劑膜336替換為保護膜或保護有機層，并且可以將其省略。其后，如圖29中所示，在金屬基板310下形成的光致抗蝕劑膜336被顯影以形成光致抗蝕劑圖案，并且通過使用光致抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻金屬基板310，由此在通路315的第一部分315a下形成第二部分315b?？梢詧?zhí)行蝕刻處理，直到暴露了第二阻擋金屬層310e為止，因此在內(nèi)部電路層311的底表面處暴露第二阻擋金屬層310e。以這種方式，將通路315的上和下部通過蝕刻處理劃分為第一至第三部分315a、315b和315c，使得通路315具有六邊形截面形狀，其中，通路315的中心具有最大寬度d1，并且該寬度從通路315的中心向外部變窄。當(dāng)已經(jīng)形成通路315的第二部分315b時內(nèi)，將光致抗蝕劑圖案脫層。然后，如圖30中所示，沉積第二絕緣層325使得可以在第二絕緣層325中埋置通路315的第一部分315a，并且在第二絕緣層325上沉積銅箔層366。第二絕緣層325和銅箔層366的材料和厚度可以與第一絕緣層320和在第一絕緣層320上形成的銅箔層361的材料和厚度相同。然后，如圖31中所示，去除銅箔層361和366，使得可以暴露在銅箔層361和366下的粘結(jié)層360和365。銅箔層361和366被完全蝕刻以便執(zhí)行SAP，并且可以執(zhí)行除膠渣處理以從粘結(jié)層360和365去除雜質(zhì)，并且提供照明強度。然后，如圖32中所示，通過無電鍍處理來在粘結(jié)層360和365上形成種子層332。即，可以通過使用Cu來執(zhí)行無電鍍處理而形成種子層332。在粘結(jié)層360和365上和在具有3微米或更小的均勻厚度的通路315的暴露的頂和底表面上形成種子層332。其后，如圖33中所示，在種子層332上形成光致抗蝕劑圖案348，以形成外部電路層331、335和345。可以通過根據(jù)電路設(shè)計對于光致抗蝕劑膜執(zhí)行曝光和顯影處理來形成光致抗蝕劑圖案348。然后，如圖34中所示，通過在經(jīng)由光致抗蝕劑圖案348暴露的種子層332上執(zhí)行電鍍處理來形成電鍍層330和340。根據(jù)電鍍處理，計算電鍍面積，并且向DC整流器或脈沖/反向型整流器施加電流，以提取諸如銅的導(dǎo)電金屬。然后，如圖35中所示，將光致抗蝕劑圖案348脫層，并且對于光致抗蝕劑圖案348下的電鍍層330和340與種子層332執(zhí)行閃蝕（flashetching）處理，使得粘結(jié)層360和365被暴露，并且形成外部電路層331、335和345。焊盤335和345與電路圖案331可以構(gòu)成在第一絕緣層320和第二外部電路層345上形成的第一外部電路層331和335。第一外部電路層331和335包括連接到通路335的第一部分335a的上焊盤335和上電路圖案331。第二外部電路層345包括連接到通路315的第二部分315b的下焊盤345和下電路圖案（未示出）。最后，如圖36中所示，埋置外部電路層331、335和345的電路圖案331，并且形成覆蓋膜350以暴露焊盤335和345。以這種方式，與通過將絕緣層鉆孔來形成通孔并且通過埋置通孔來形成通路的現(xiàn)有技術(shù)不同，該實施例在通過蝕刻金屬基板310而形成通路315后形成埋置通路315的絕緣層320和325，由此降低制造成本。另外，因為通過使用與通路315相同的金屬基板來形成內(nèi)部電路層311，所以可以減少制造步驟。另外，通過SAP來形成外部電路層331、335和345，使得可以形成微型圖案。以下，將參考圖37來描述根據(jù)第四實施例的PCB。參見圖37，根據(jù)第四實施例的PCB400包括：用于形成第一絕緣層420和第二絕緣層425的核心絕緣層；在核心絕緣層中形成的通路415；在核心絕緣層中形成的內(nèi)部電路層412；以及分別在第一和第二絕緣層420和425上形成的第一和第二外部電路層431、435和445。第一絕緣層420形成在第二絕緣層425上，并且，在第一和第二絕緣層420和425之間可以存在另一個絕緣層。可以通過使用包括諸如玻璃纖維的固體成分的樹脂來形成第一和第二絕緣層420和425。可以通過使用相同的材料來形成第一和第二絕緣層420和425。第一和第二絕緣層420和425具有堆疊結(jié)構(gòu)以形成核心絕緣層。該核心絕緣層可以具有在大約60微米至大約140微米的范圍之間的厚度。在核心絕緣層的表面上形成粘結(jié)層460和465。詳細而言，分別在第一絕緣層420的頂表面和第二絕緣層425的底表面上形成粘結(jié)層460和465。粘結(jié)層460和465被提供來加強在第一和第二絕緣層420和425與電路層431、435和445之間的粘結(jié)強度。粘結(jié)層460和465可以是包括硅烷的底漆樹脂層，并且可以具有大約10微米或更小的厚度。在核心絕緣層中形成通路415和內(nèi)部電路層412。通路415是形成為穿過第一和第二絕緣層420和425的導(dǎo)電通路。通路415在第一和第二絕緣層420和425之間的邊界處具有最大寬度。每一個通路415的寬度隨著它到達第一和第二絕緣層420和425的頂表面而逐漸變窄。因此，通路415具有六邊形截面形狀。通路415的寬度d1和d2在大約20微米至大約100微米的范圍之間。通路415是導(dǎo)電通路，并且可以通過使用包括Cu的合金而形成。通路415包括：埋置在第一絕緣層420中并且通過包括Cu的合金形成的第一部分415a；埋置在第一部分415a下的第二絕緣層425中并且通過與第一部分415a的合金相同的合金形成的第二部分415b；以及插入在第一和第二部分415a和415b之間并且通過與第一和第二部分415a和415b的合金相同的合金形成的第三部分415c。同時，在第一至第三部分415a、415b和415c之間的邊界處形成第一和第二阻擋層415d和415e。詳細而言，在第一部分415a和第三部分415c之間形成第一阻擋層415d，并且在第三部分415c和第二部分415b之間形成第二阻擋層415e。通過使用與第一至第三部分415a、415b和415c的金屬不同的金屬來形成第一和第二阻擋層415d和415e。第一和第二阻擋層415d和415e的金屬相對于第一至第三部分415a、415b和415c的金屬具有蝕刻選擇性。第三部分415c形成在通路415的中心處，并且，第三部分415c的底表面或第二阻擋層415e的底表面可以具有通路415的最大寬度d1?？梢酝ㄟ^使用包括Cu的合金來形成第一至第三部分415a、415b和415c，并且可以通過使用包括Ni、Fe、Co、Mo、Cr或Pd的合金來形成第一和第二阻擋層415d和415e。第一和第二部分415a和415b具有范圍在20微米至70微米之間的厚度，并且第三部分415c具有范圍在5微米至70微米之間的厚度。第一和第二阻擋層415d和415e具有比第三部分415c的厚度小的厚度。優(yōu)選的是，第一和第二阻擋層115d和115e具有大約10微米或更小的厚度。分別在第一和第二絕緣層420和425的頂和底表面上形成包括連接到通路415的通路焊盤435和445的外部電路層431、435和445和電路圖案431。在第一和第二絕緣層420和425的表面上形成外部電路層431、435和445，并且在第一和第二絕緣層420和425之間形成內(nèi)部電路層412。可以通過SAP來形成外部電路層431、435和445。在圖37中所示的PCB400中，內(nèi)部電路層412的電路圖案具有矩形截面形狀，與通路415類似，該矩形截面形狀圍繞在第一和第二絕緣層420和425之間的邊界而對稱地形成。埋置在第一絕緣層420中的區(qū)域包括與通路415的第三部分415c的材料相同的材料，并且，埋置在第二絕緣層425中的區(qū)域包括與通路415的第三部分415c的材料相同的材料?？梢酝ㄟ^使用在圖20至36中所示的制造方法來形成在圖37中所示的內(nèi)部電路層412。雖然已經(jīng)參考實施例的多個說明性實施例而描述了該實施例，但是應(yīng)當(dāng)明白，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以設(shè)計落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的多種其他修改和實施例。更具體地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主組合布置的部件部分和/或布置中，各種改變和修改是可能的。除了在部件部分和/或布置中的改變和修改之外，替代使用也對于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員是顯然的。