本發(fā)明涉及一種濾波器，特別指一種平衡濾波器。

背景技術(shù)：
近年來(lái)隨著便攜式資訊電子產(chǎn)品與移動(dòng)通訊產(chǎn)品朝著輕薄短小、多功能、高可靠度與低價(jià)化的發(fā)展，高元件密度成為電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)。線路中所使用的主動(dòng)元件及被動(dòng)元件也多朝向微小化、集成化、芯片化及模塊化的方向發(fā)展，以達(dá)到有效縮小線路體積，進(jìn)而降低成本并提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。一些技術(shù)的開(kāi)發(fā)，例如積層陶瓷電容技術(shù)(MLCC,multi-layerceramiccapacitor)、單層基板中的貫穿孔鉆孔和貫穿孔填孔、黃光工藝，通過(guò)擴(kuò)大元件內(nèi)空間的使用率來(lái)縮小尺寸。傳統(tǒng)上，請(qǐng)參閱圖1，貫穿孔鉆孔和貫穿孔填孔2可適用于單層陶瓷基板1。接著，多個(gè)單層陶瓷基板1結(jié)合成一多層基板3(藉由燒結(jié))用以在多層陶瓷基板形成一貫穿孔4。貫穿孔4用來(lái)電性連接兩相鄰的導(dǎo)電層。上述的貫穿孔僅用來(lái)作為不同層間的電性連接，但需要一個(gè)較大的基板來(lái)容納貫穿孔所占的空間。因此，需要一個(gè)解決方案來(lái)充分利用貫穿孔所占的空間，進(jìn)一步縮小元件尺寸且達(dá)到較佳的元件電性性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中由于貫穿孔所占空間造成元件尺寸較大的問(wèn)題，提供一種利用貫穿孔形成一電感，以縮小元件尺寸且增進(jìn)電路性能的平衡濾波器及相應(yīng)的布局結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，公開(kāi)一平衡濾波器，其中該平衡濾波器包含：一基板；一輸入端，用以接收一輸入信號(hào)；一第一電路，具有一電性連接至該輸入端的第一端和一用以產(chǎn)生一第一輸出信號(hào)的第二端，其中該第一電路包含一配置在該基板中的第一貫穿孔電感；以及一第二電路，電性連接至該第一電路且具有一用以產(chǎn)生一第二輸出信號(hào)的第三端，其中該第二電路包含一配置在該基板中的第二貫穿孔電感。在一個(gè)實(shí)施例中，公開(kāi)一布局結(jié)構(gòu)，其中該布局結(jié)構(gòu)包含：一第一布局，具有一電性連接至一集成電路(IC)的第一端；一第二布局，具有一電性連接至該集成電路(IC)的第二端，其中該第一布局電性連接至該第二布局；以及一第一走線(trace)，配置在該第一布局和該第二布局之間，其中該第一走線(trace)的一端電性連接至一電源供應(yīng)(powersupply)，以及該第一走線(trace)的另一端電性連接至該集成電路(IC)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的上述技術(shù)方案不僅可以減小高頻元件的尺寸，而且可以增進(jìn)高頻元件的電性性能。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中在多層基板形成貫穿孔(藉由繞結(jié))的示意圖；圖2A為貫穿孔電感結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2B為由一貫穿孔電感和一電容制成的較佳結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2C和圖2D為由至少兩種導(dǎo)電材料制成的貫穿孔電感較佳結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2E和圖2F為包含一導(dǎo)電材料和一非導(dǎo)電材料的貫穿孔電感較佳結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3A為U形貫穿孔電感結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3B為U形貫穿孔電感的三維空間透視圖；圖3C說(shuō)明U形貫穿孔電感的等效電路圖；圖4A為高頻元件結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖4B和圖4C為一包含一第一U形貫穿孔電感、一第二U形貫穿孔電感、一第三U形貫穿孔電感和一圖案化布局的結(jié)構(gòu)的三維空間透視圖；圖5A為制造圖2A中貫穿孔電感的結(jié)構(gòu)的流程示意圖；圖5B為制造圖3A中U形貫穿孔電感的結(jié)構(gòu)的流程示意圖；圖5C為制造圖4A中高頻元件的結(jié)構(gòu)的流程示意圖；圖6A至圖6J為制造圖4A中高頻元件的結(jié)構(gòu)的流程示意圖；圖7A為本發(fā)明平衡濾波器的剖面示意圖，其中基板、第一保護(hù)層、第二保護(hù)層未圖示；圖7B為本發(fā)明平衡濾波器的橫截面示意圖；圖7C為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)稱電路；圖7D為設(shè)計(jì)在平衡濾波器中的第一電路和第二電路的示意圖；圖7E為本發(fā)明平衡濾波器的下視圖；圖8A為一傳統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu)；圖8B為本發(fā)明的布局結(jié)構(gòu)。附圖標(biāo)記說(shuō)明：1-單層陶瓷基板；2-貫穿孔鉆孔和貫穿孔填孔；3-多層基板；4-貫穿孔電感；100、110、120、130-貫穿孔電感結(jié)構(gòu)；101、201、301、701-基板；102、302-貫穿孔電感；103、221、303-水平電感；104、305-水平電容；105、307、707-介電層；107-第一導(dǎo)電材料；108-第二導(dǎo)電材料；111-導(dǎo)電材料；112-非導(dǎo)電材料；200-U形貫穿孔電感結(jié)構(gòu)；202A、702A-第一貫穿孔電感；202B、702B-第二貫穿孔電感；222、223-端點(diǎn)；250-U形貫穿孔電感；220-等效電路；300-高頻元件結(jié)構(gòu)；304-電感；305-電容；306、706-第一保護(hù)層；308、708-第二保護(hù)層；309、709-接觸墊；381-第一U形貫穿孔電感；382-第二U形貫穿孔電感；383-第三U形貫穿孔電感；384-圖案化布局；401、402、411、412、413、414、501、502、503-步驟；305A-第二圖案化導(dǎo)電層；305B-第三圖案化導(dǎo)電層；700-平衡濾波器；703A-第一水平電感；703B-第二水平電感；705A-第一水平電容；705B-第二水平電容；720A-第一電路；720B-第二電路；721-第一側(cè)；721A-第一部分；721B-第二部分；721C-第三部分；722-第二側(cè)；722A-第四部分；722B-第五部分；722C-第六部分；723-邊界；723A-第一接點(diǎn)；723B-第二接點(diǎn)；723C-第三接點(diǎn)；751-輸入端；756-第一輸出端；757-第二輸出端；760-接地端；800-布局結(jié)構(gòu)；802-第一電路的第一布局；803-第二電路的第二布局；804-第一端；805-第二端；806-邊界；810-集成電路；811-第一導(dǎo)線、第二走線；812-第二導(dǎo)線、第三走線；815-電源走線；816-邊緣；820-第一走線。具體實(shí)施方式本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明于隨后描述，這里所描述的較佳實(shí)施例是作為說(shuō)明和描述的用途，并非用來(lái)限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明提出一在貫穿孔中的導(dǎo)電材料，其作為高頻元件(例如高頻濾波器)的電感(可稱為垂直電感)。貫穿孔用來(lái)電性連接兩相鄰的導(dǎo)電層，其中兩相鄰的導(dǎo)電層間具有一絕緣層。在制作過(guò)程中，基板上的圖案化導(dǎo)電層和基板中的貫穿孔由導(dǎo)電材料制成，其中基板中的貫穿孔由一小部分的導(dǎo)電材料填入。相較于由基板上的圖案化導(dǎo)電層所形成的電感，由基板貫穿孔中一小部分的導(dǎo)電材料所形成的電感常被忽略。在本發(fā)明中，在基板貫穿孔中的導(dǎo)電材料視為主要電感(以下稱為貫穿孔電感)，它常被使用在一些高頻元件(例如高頻濾波器)。在高頻操作的環(huán)境下(頻率不小于1GHz，較佳來(lái)說(shuō)，實(shí)質(zhì)上為2.4GHz)，貫穿孔中導(dǎo)電材料的電感值扮演一個(gè)重要的角色。例如，可以有較佳的Q值。貫穿孔電感的電感值可由模擬軟件計(jì)算來(lái)決定較佳的電性性能。因此，可使電路中的導(dǎo)線較短、高頻元件尺寸較小以及電性性能較佳。貫穿孔電感的兩個(gè)端點(diǎn)可電性連接至任何其它的導(dǎo)電元件。在一個(gè)范例中，一個(gè)端點(diǎn)可電性連接至一個(gè)電容，而另一個(gè)端點(diǎn)可電性連接至一個(gè)電感。在另一個(gè)范例中，一個(gè)端點(diǎn)可電性連接至一個(gè)電容，而另一個(gè)端點(diǎn)可接地。圖2A為貫穿孔電感結(jié)構(gòu)100的剖面示意圖。此結(jié)構(gòu)100包含一基板101以及一貫穿孔電感102。圖2B為由一貫穿孔電感和一電容制成的較佳結(jié)構(gòu)110的剖面示意圖。此結(jié)構(gòu)110包含一基板101、一貫穿孔電感102、一水平電感103、一水平電容104以及一介電層105。在結(jié)構(gòu)100、110中，貫穿孔電感102的電感值在高頻操作環(huán)境下扮演一個(gè)重要的角色(較任何其它的水平電感103更為重要)，如此結(jié)構(gòu)100、110可適用于一些高頻元件(例如高頻濾波器)。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感102的電感值大于水平電感103的電感值。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感102和水平電感103的合成電感值實(shí)質(zhì)上等于貫穿孔電感102的電感值。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感102包含至少兩種材料，其中該至少兩種材料其中一個(gè)為一導(dǎo)電材料，該至少兩種材料在貫穿孔電感102中較佳地設(shè)計(jì)用以達(dá)成上述的電性特征。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感102具有一一體成型本體(integralbody)?；?01可由任何適合的材料制成，例如介電基板或陶瓷基板(例如氧化鋁(Al2O3)基板)。貫穿孔電感102可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合。較佳來(lái)說(shuō)，貫穿孔電感102的高度大約為320微米，以及貫穿孔電感102的直徑大約為100微米。在一個(gè)實(shí)施例中(結(jié)構(gòu)120)，貫穿孔電感102可由至少兩種導(dǎo)電材料制成。請(qǐng)參閱圖2C和圖2D，貫穿孔電感102可由一覆蓋在貫穿孔側(cè)壁的第一導(dǎo)電材料107和一被該第一導(dǎo)電材料107包圍的第二導(dǎo)電材料108制成。第一導(dǎo)電材料107可通過(guò)電鍍或任何適合的涂布制程覆蓋在貫穿孔的側(cè)壁。較佳來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電材料107由銅制成，以及第二導(dǎo)電材料108由銀制成。在一個(gè)實(shí)施例中(結(jié)構(gòu)130)，貫穿孔電感102可包含一導(dǎo)電材料111和一被該導(dǎo)電材料111包圍的非導(dǎo)電材料112制成(參閱圖2E和圖2F)。本發(fā)明也公開(kāi)一種由一在基板中的第一貫穿孔電感、一在基板中的第二貫穿孔電感和一在基板上的水平電感制成的U形貫穿孔電感。水平電感的一端可電性連接至第一貫穿孔電感，而水平電感的另一端可電性連接至第二貫穿孔電感。請(qǐng)參閱圖3A，此結(jié)構(gòu)200包含一基板201、一水平電感221、一第一貫穿孔電感202A、一第二貫穿孔電感202B。圖3B為U形貫穿孔電感250的三維空間透視圖，其中基板201未示出。U形貫穿孔電感250由一第一貫穿孔電感202A、一第二貫穿孔電感202B和一水平電感221制成。在一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感202A具有一第一一體成型本體(integralbody)，以及第二貫穿孔電感202B具有一第二一體成型本體(integralbody)。U形貫穿孔電感250的等效電路220圖示于圖3C。在結(jié)構(gòu)200的一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感202A和第二貫穿孔電感202B的合成電感值大于水平電感221的電感值。在結(jié)構(gòu)200的一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感202A、第二貫穿孔電感202B和水平電感221的合成電感值實(shí)質(zhì)上等于第一貫穿孔電感202A和第二貫穿孔電感202B的合成電感值。結(jié)構(gòu)200可適用于一些高頻元件(例如高頻濾波器)。U形貫穿孔電感250的兩個(gè)端點(diǎn)222、223可電性連接至任何其它的導(dǎo)電元件。在一個(gè)范例中，一個(gè)端點(diǎn)222可電性連接至一個(gè)電容，而另一個(gè)端點(diǎn)223可電性連接至一個(gè)電感。在另一個(gè)范例中，一個(gè)端點(diǎn)222可電性連接至一個(gè)電容，而另一個(gè)端點(diǎn)223可接地。在更另一個(gè)范例中，一個(gè)端點(diǎn)222可電性連接至一電容的一個(gè)端點(diǎn)，而另一個(gè)端點(diǎn)223可電性連接至該電容的另一個(gè)端點(diǎn)。電性連接至任何其它導(dǎo)電元件的方式可通過(guò)較佳的設(shè)計(jì)達(dá)成，而習(xí)知技術(shù)者易修飾該設(shè)計(jì)布局，在此不進(jìn)一步描述。因此，不僅可以減小高頻元件的尺寸，而且可以增進(jìn)高頻元件的電性性能。基板201可由任何適合的材料制成，例如介電基板或陶瓷基板(例如氧化鋁(Al2O3)基板)。第一貫穿孔電感202A和第二貫穿孔電感202B可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合。較佳來(lái)說(shuō)，第一貫穿孔電感202A和第二貫穿孔電感202B其中每一個(gè)的高度大約為320微米，以及第一貫穿孔電感202A和第二貫穿孔電感202B其中每一個(gè)的直徑大約為100微米。上面在圖2A至圖2F所描述的特征可適用于圖3A的結(jié)構(gòu)200。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，提供了一個(gè)高頻元件(例如高頻濾波器)的結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)包含了配置在基板相反面上的一電容和一部分電感。請(qǐng)參閱圖4A，高頻元件結(jié)構(gòu)300包含一基板301、一電感304、一電容305、一介電層307、一第一保護(hù)層306、一第二保護(hù)層308和一接觸墊309。高頻元件結(jié)構(gòu)300主要包含了配置在基板301相反面上的一電容305和一部分電感304。特別地，高頻元件結(jié)構(gòu)300主要由三部分組成：一水平電感303、一貫穿孔電感302和一水平電容(一電容)305，其中該電感304包含一水平電感303和一貫穿孔電感302。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感302具有一一體成型本體(integralbody)。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感302的電感值大于水平電感303的電感值。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感302和水平電感303的合成電感值實(shí)質(zhì)上等于貫穿孔電感302的電感值。上面在圖2A至圖2F所描述的特征也可適用于圖4A的結(jié)構(gòu)300。此外，的前在圖3A至圖3C描述的U形貫穿孔電感也可適用于圖4A的結(jié)構(gòu)300?；?01可由任何適合的材料制成，例如介電基板或陶瓷基板(例如氧化鋁(Al2O3)基板)。電感304可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合。較佳來(lái)說(shuō)，貫穿孔電感302的高度大約為320微米，以及貫穿孔電感302的直徑大約為100微米。介電層307配置在電容305的兩電極之間。第一保護(hù)層306覆蓋在水平電感303(一部分電感304)上方，以及第二保護(hù)層308覆蓋在水平電容305上方。配置在水平電容305上方且電性連接至該水平電容305的接觸墊309用來(lái)作為高頻元件結(jié)構(gòu)300的輸入/輸出端。在一個(gè)本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，高頻元件結(jié)構(gòu)300包含了配置在基板301相反面上的一電容305和一部分電感304，其中該電感304包含了多個(gè)U形貫穿孔電感250，該多個(gè)U形貫穿孔電感250皆電性連接至配置在基板301下表面的單一電容305。因此，可增進(jìn)高頻元件的電性性能。舉“兩個(gè)U形貫穿孔電感250，該兩個(gè)U形貫穿孔電感250皆電性連接至配置在基板301下表面的單一電容305”為例。高頻元件結(jié)構(gòu)包含：(a)一基板，包含在其內(nèi)的一第一貫穿孔、一第二貫穿孔、一第三貫穿孔和一第四貫穿孔；(b)一第一U形貫穿孔電感，包含：一第一貫穿孔電感，配置在該基板的該第一貫穿孔中；一第二貫穿孔電感，配置在該基板的該第二貫穿孔中；以及一第一水平電感，配置在該基板的上表面，其中該第一水平電感具有一第一端點(diǎn)和一第二端點(diǎn)，其中該第一端點(diǎn)電性連接至該第一貫穿孔電感，以及該第二端點(diǎn)電性連接至該第二貫穿孔電感；(c)一第二U形貫穿孔電感，包含：一第三貫穿孔電感，配置在該基板的該第三貫穿孔中；一第四貫穿孔電感，配置在該基板的該第四貫穿孔中；以及一第二水平電感，配置在該基板的上表面，其中該第二水平電感具有一第三端點(diǎn)和一第四端點(diǎn)，其中該第三端點(diǎn)電性連接至該第三貫穿孔電感，以及該第四端點(diǎn)電性連接至該第四貫穿孔電感；(d)一水平電容，配置在該基板的下表面，其中該第一貫穿孔電感、該第二貫穿孔電感、該第三貫穿孔電感和該第四貫穿孔電感皆電性連接至該水平電容。在一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感具有一第一一體成型本體(integralbody)，第二貫穿孔電感具有一第二一體成型本體(integralbody)，第三貫穿孔電感具有一第三一體成型本體(integralbody)，以及第四貫穿孔電感具有一第四一體成型本體(integralbody)。圖4B和圖4C為一包含一第一U形貫穿孔電感381、一第二U形貫穿孔電感382、一第三U形貫穿孔電感383和一圖案化布局層384的結(jié)構(gòu)的三維空間透視圖。第一U形貫穿孔電感381、第二U形貫穿孔電感382和第三U形貫穿孔電感383電性連接至在其下方的圖案化布局層384。圖案化布局384包含一電感、一電容或一接地端其中至少一個(gè)。圖5A為制造圖2A中貫穿孔電感102的結(jié)構(gòu)100的流程示意圖。制造流程包含兩個(gè)主要步驟：提供一基板，該基板包含在其內(nèi)的一貫穿孔(步驟401)；以及在該基板的該貫穿孔中形成一貫穿孔電感(步驟402)。圖5B為制造圖3A中U形貫穿孔電感的結(jié)構(gòu)200的流程示意圖。制造流程包含四個(gè)主要步驟：提供一基板，該基板包含在其內(nèi)的一第一貫穿孔和一第二貫穿孔(步驟411)；在該基板的該第一貫穿孔中形成一第一貫穿孔電感(步驟412)；在該基板的該第二貫穿孔中形成一第二貫穿孔電感(步驟413)；以及在該基板上形成一水平電感(步驟414)，其中該水平電感具有一第一端點(diǎn)和一第二端點(diǎn)，其中該第一端點(diǎn)電性連接至該第一貫穿孔電感，以及該第二端點(diǎn)電性連接至該第二貫穿孔電感。圖5C為制造圖4A中高頻元件的結(jié)構(gòu)300的流程示意圖。制造流程包含三個(gè)主要步驟：在一基板301中形成一貫穿孔電感302(步驟501)；在該基板301的上表面形成一水平電感303(步驟502)；以及在該基板301的下表面形成一水平電容305(步驟503)。步驟502和步驟503的順序可以改變。在一個(gè)實(shí)施例中，步驟501和步驟502可結(jié)合為單一步驟“在該基板301中形成一電感304”或“在該基板301中形成一U形貫穿孔電感250”。實(shí)施例一說(shuō)明制造圖4A中高頻元件的結(jié)構(gòu)300的流程。圖6A至圖6J為制造圖4A中高頻元件的結(jié)構(gòu)300的流程示意圖。本發(fā)明公開(kāi)了一個(gè)制造高頻元件結(jié)構(gòu)300的方法，其中該方法主要包含基板中的貫穿孔鉆孔和貫穿孔填孔、基板上的黃光工藝。圖6A至圖6C詳細(xì)說(shuō)明圖5C中的步驟501：”在該基板301中形成一貫穿孔電感302”。如圖6A所示，提供一基板301。基板301具有一上表面和一下表面?；?01可由任何適合的材料制成，例如介電基板或陶瓷基板(例如氧化鋁(Al2O3)基板)。在基板301中形成一貫穿孔311的前，基板301可先經(jīng)過(guò)燒結(jié)。基板301的厚度為100-500微米，較佳來(lái)說(shuō)，約為320微米。如圖6B所示，在該基板301中形成一貫穿孔311。貫穿孔311可由已知的技術(shù)形成，例如一般鉆孔、機(jī)械式鉆孔或電射式鉆孔。如圖6C所示，使用一導(dǎo)電材料填充該貫穿孔311用以形成一貫穿孔電感302。貫穿孔電感302可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合，用以降低其阻抗。較佳來(lái)說(shuō)，貫穿孔電感302的高度大約為320微米，以及貫穿孔電感302的直徑大約為100微米。貫穿孔電感302包含至少兩種材料，其中該至少兩種材料的其中一個(gè)為一導(dǎo)電材料，該至少兩種材料在貫穿孔電感302中較佳地設(shè)計(jì)用以達(dá)成較佳的電性特征。在一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感302可由至少兩種導(dǎo)電材料制成。請(qǐng)復(fù)參閱圖2C和圖2D，貫穿孔電感302可由一覆蓋在貫穿孔側(cè)壁的第一導(dǎo)電材料和一被該第一導(dǎo)電材料包圍的第二導(dǎo)電材料制成。第一導(dǎo)電材料可藉由電鍍或任何適合的涂布制程覆蓋在貫穿孔的側(cè)壁。較佳來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電材料由銅制成，以及第二導(dǎo)電材料由銀制成。在另一個(gè)實(shí)施例中，貫穿孔電感302可包含一導(dǎo)電材料和一被該導(dǎo)電材料包圍的非導(dǎo)電材料制成(復(fù)參閱圖2E和圖2F)。因此，高頻元件的電性性能可大大地提升。圖6D詳細(xì)說(shuō)明圖5C中的步驟502：”在該基板301的上表面形成一水平電感303”。如圖6D所示，在該基板301的上表面形成一第一圖案化導(dǎo)電層303用以形成一水平電感303。水平電感303電性連接至貫穿孔電感302。第一圖案化導(dǎo)電層303可藉由黃光工藝或印刷工藝形成。第一圖案化導(dǎo)電層303可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合，用以降低其阻抗。在一個(gè)實(shí)施例中，步驟501和步驟502可結(jié)合為單一步驟”在該基板301中形成一電感304”或”在該基板301中形成一U形貫穿孔電感250”。圖6E至圖6G詳細(xì)說(shuō)明圖5C中的步驟503：”在該基板301的下表面形成一水平電容305”。如圖6E所示，在該基板301的下表面形成一第二圖案化導(dǎo)電層305A。第二圖案化導(dǎo)電層305A可藉由黃光工藝或印刷工藝形成。第二圖案化導(dǎo)電層305A可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合。如圖6F所示，形成一介電層307用以覆蓋該第二圖案化導(dǎo)電層305A。介電層307可藉由化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。介電層307可由任何適合具有高介電常數(shù)和高品質(zhì)因素的材料制成。如圖6G所示，在該介電層307上形成一第三圖案化導(dǎo)電層305B用以形成一在該基板301下表面的一水平電容305。第二圖案化導(dǎo)電層305A用來(lái)作為水平電容305的一個(gè)電極；第三圖案化導(dǎo)電層305B用來(lái)作為水平電容305的另一個(gè)電極。第三圖案化導(dǎo)電層305B可藉由黃光工藝或印刷工藝形成。第三圖案化導(dǎo)電層305B可由任何適合的材料制成，例如銅、銀或其結(jié)合。如圖6H所示，形成一第一保護(hù)層306用以覆蓋該水平電感303。第一保護(hù)層306保護(hù)水平電感303免于外在干擾。如圖6I所示，形成一第二保護(hù)層308用以覆蓋該水平電容305。第二保護(hù)層308保護(hù)水平電容305免于外在干擾。如圖6J所示，在該第二保護(hù)層308上形成一接觸墊309用以電性連接該水平電容305。接觸墊309可通過(guò)黃光工藝或印刷工藝形成。實(shí)施例二說(shuō)明制造圖4A中高頻元件的結(jié)構(gòu)300的另一個(gè)流程。請(qǐng)復(fù)參閱圖5C。本發(fā)明公開(kāi)了另一個(gè)制造高頻元件結(jié)構(gòu)300的方法，其中該方法主要包含一多薄板(multi-sheet)基板和在該多薄板(multi-sheet)基板上的黃光工藝。制造方法包含三個(gè)主要步驟：在該基板301中形成一垂直電感302(步驟501)；在該基板301的上表面形成一水平電感303(步驟502)；以及在該基板301的下表面形成一水平電容305(步驟503)。步驟502和步驟503的順序可以改變。在一個(gè)實(shí)施例中，步驟501和步驟502可結(jié)合為單一步驟”在該基板301中形成一電感304”或”在該基板301中形成一U形貫穿孔電感250”。在步驟501中，在該基板301中形成一垂直電感302。一薄板(sheet)由陶瓷材料生胚(green)或高分子材料生胚(green)形成。陶瓷材料或高分子材料的厚度為50-500微米。接著，利用已知的技術(shù)在薄板(sheet)中形成貫穿孔，例如一般鉆孔、機(jī)械式鉆孔或電射式鉆孔，以及使用一導(dǎo)電材料填充在薄板(sheet)中的貫穿孔。如此，一具有厚度為150-400微米的薄板(sheet)形成。復(fù)數(shù)個(gè)薄板(sheet)藉由已知的技術(shù)堆迭形成一基板301，例如低溫共燒陶瓷(LTCC,low-temperatureco-firedceramic)。接著，經(jīng)燒結(jié)或熟化(curing)在基板301中形成垂直電感302。在步驟502中，在該基板301的上表面形成一水平電感303。水平電感303可藉由黃光工藝或印刷工藝形成。在步驟503中，在該基板301的下表面形成一水平電容305。水平電容305系以電極與介電層組合而成，其中介電層具有高介電常數(shù)和高品質(zhì)因子材料生胚(green)。此生胚由微波介電陶瓷粉末與有機(jī)載體混合而成。有機(jī)載體可為熱塑性高分子、熱固性高分子、塑化劑與有機(jī)溶劑等等。生胚(green)過(guò)程包含：將微波介電陶瓷粉末與有機(jī)載體混合、調(diào)整該混合物至該混合物具有合適粘度、抽氣、除泡，再經(jīng)刮刀成形(tapecasting)程序而得到高介電常數(shù)和高品質(zhì)因子材料生胚(green)。此生胚(green)藉由壓合(pressing)附著于垂直方向電感積層片材上。經(jīng)熟化(curing)后，在基板301的下表面形成一水平電容305。實(shí)施例一中圖6H至圖6J所述的步驟或特征也可適用于實(shí)施例二；因此細(xì)節(jié)在此不進(jìn)一步描述。此外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一平衡濾波器(balancefilter)由第一電路和第二電路器組合而成用以最佳化該平衡濾波器的電性性能。圖7A為本發(fā)明平衡濾波器700的剖面示意圖，其中基板701、第一保護(hù)層706、第二保護(hù)層708未圖示。圖7B為本發(fā)明平衡濾波器700的橫截面示意圖。關(guān)于圖7A和圖7B，圖7B中的部分A-A’取自沿著在圖7A中的線A-A’。第一電路720A和第二電路720B設(shè)計(jì)在同一基板701中。第一電路720A和第二電路720B分別可具有任何適合的電路配置。較佳來(lái)說(shuō)，第一電路720A電性對(duì)稱(electricallysymmetric)于第二電路720B(見(jiàn)圖7C，其說(shuō)明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)稱電路)。然而，本發(fā)明并不局限于在圖7A、圖7B和圖7C的布置。接地配置(groundconfiguration)可通過(guò)設(shè)計(jì)者較佳地設(shè)計(jì)。在一個(gè)實(shí)施例中，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7A和圖7C，位于第一電路720A第一側(cè)721的第一部分721A、第二部分721B和第三部分721C接地，以及位于第二電路720B第二側(cè)722的第四部分722A、第五部分722B和第六部分722C接地，其中第二電路720B第二側(cè)722相對(duì)于第一電路720A第一側(cè)721。在另一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)連接第一電路720A和第二電路720B的接點(diǎn)為虛擬接地。舉例來(lái)說(shuō)，位于第一電路720和第二電路720B邊界723上的第一接點(diǎn)723A、第二接點(diǎn)723B和第三接點(diǎn)723C為虛擬接地。基板701可由任何適合的材料制成，例如介電基板或陶瓷基板(例如氧化鋁(Al2O3)基板)?；?01的厚度為100-500微米，較佳來(lái)說(shuō)，約為320微米。第一電路720A包含一實(shí)質(zhì)上配置在基板701第一貫穿孔中的第一貫穿孔電感702A，以及第二電路720B包含一實(shí)質(zhì)上配置在基板701第二貫穿孔中的第二貫穿孔電感702B。選擇性地，第一電路720A包含多個(gè)實(shí)質(zhì)上配置在基板700第一貫穿孔中的第一貫穿孔電感702A，或第二電路720B包含多個(gè)實(shí)質(zhì)上配置在基板700第二貫穿孔中的第二貫穿孔電感702B。在一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感702A和第二貫穿孔電感702B分別包含至少兩種材料，其中該至少兩種材料其中一個(gè)為一導(dǎo)電材料，例如銅、銀或其結(jié)合，該至少兩種材料在貫穿孔電感中較佳地設(shè)計(jì)用以達(dá)成上述的電性特征(見(jiàn)圖2E和圖2F)。貫穿孔電感已在圖2A至圖2F描述。第一貫穿孔電感702A和第二貫穿孔電感702B可藉由任何適合的工藝(例如基板中的貫穿孔鉆孔和貫穿孔填孔、黃光工藝)同時(shí)形成在基板701中。圖7D為設(shè)計(jì)在平衡濾波器700中的第一電路720A和第二電路720B的示意圖。平衡濾波器700具有一用以接收一輸入信號(hào)的輸入端751。第一電路720A具有一電性連接至輸入端751的第一端752和一用以產(chǎn)生一第一輸出信號(hào)的第二端753；第二電路720B電性連接至第一電路720A且具有一用以產(chǎn)生一第二輸出信號(hào)的第三端755。平衡濾波器700具有一第一輸出端756和一第二輸出端757，其中該第一輸出端756電性連接至第一電路720A的第二端753用以輸出第一輸出信號(hào)，以及該第二輸出端757電性連接至第二電路720B的第三端755用以輸出第二輸出信號(hào)。第一輸出信號(hào)和第二輸出信號(hào)實(shí)質(zhì)上具有相同振幅和一百八十度的相位差。更詳細(xì)地，請(qǐng)復(fù)參閱圖7A和圖7B，第一電路720A包含一實(shí)質(zhì)上配置在基板701第一貫穿孔中的第一貫穿孔電感702A。第一貫穿孔電感702A的一端電性連接至一配置在基板701上表面的第一水平電感703A，以及第一貫穿孔電感702A的另一端電性連接至一配置在基板701下表面的第一水平電容705A。第二電路720B包含一實(shí)質(zhì)上配置在基板701第二貫穿孔中的第二貫穿孔電感702B。第二貫穿孔電感702B的一端電性連接至一配置在基板701上表面第二水平電感703B，以及第二貫穿孔電感702B的另一端電性連接至一配置在基板701下表面的第二水平電容705B。在一個(gè)實(shí)施例中，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7A，平衡濾波器700進(jìn)一步包含一配置在第一電路720A和第二電路720B之間的電源走線(powertrace)(詳細(xì)描述在圖8B)，其中該電源走線(powertrace)電性連接至一集成電路(IC)(未圖示)。第一貫穿孔電感702A的電感值大于第一水平電感703A的電感值，以及第二貫穿孔電感702B的電感值大于第二水平電感703B的電感值。在一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感702A和第一水平電感703A的合成電感值實(shí)質(zhì)上等于第一貫穿孔電感702A的電感值，以及第二貫穿孔電感702B和第二水平電感703B的合成電感值實(shí)質(zhì)上等于第二貫穿孔電感702B的電感值。在一個(gè)實(shí)施例中，第一貫穿孔電感702A和第二貫穿孔電感702B的合成電感值大于第一水平電感703A和第二水平電感703B的合成電感值。在一個(gè)實(shí)施例中，平衡濾波器700內(nèi)部的寄生電容(parasiticcapacitance)可作為第一水平電容705A或第二水平電容705B以降低制造成本。一介電層707配置在第一水平電容705A的兩個(gè)電極之間且在第二水平電容705B的兩個(gè)電極之間。第一保護(hù)層706覆蓋在第一水平電感703A和第二水平電感703B上方，以及第二保護(hù)層708覆蓋在第一水平電容705A和第二水平電容705B上方。多個(gè)接觸墊309配置在第一水平電容705A和第二水平電容705B上方。第一電路720A和第二電路720B可分別包含至少一U形貫穿孔電感。U形貫穿孔電感已在圖3A至圖3C的結(jié)構(gòu)中描述，因此在此不再重復(fù)。在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，第一電路720A和第二電路720B分別具有配置在基板701相反面上的一電容和一部分電感，其中第一電路720A和第二電路720B分別通過(guò)U形貫穿孔電感電性連接至配置在基板701下表面的單一電容。圖7E為本發(fā)明平衡濾波器700的下視圖。輸入端751、第一輸出端756、第二輸出端757和三個(gè)接地端760可配置在基板701的下表面。然而，本發(fā)明并不局限于此布置。請(qǐng)參閱圖8A，布局結(jié)構(gòu)主要包成包含一集成電路(IC)810、一第一電路的一第一布局802和一第二電路的一第二布局803。第一電路的第一布局802具有一電性連接至集成電路810的第一端804。第二電路的第二布局803具有一電性連接至集成電路810的第二端805。第一布局802電性連接至該第二布局803。傳統(tǒng)上，當(dāng)一電源走線(powertrace)815配置在集成電路810的邊緣816時(shí)，由于電源走線815和第一導(dǎo)線811之間的距離不等于電源走線815和第二導(dǎo)線812之間的距離，第一導(dǎo)線811和第二導(dǎo)線812的阻抗產(chǎn)生不一致的現(xiàn)象。本發(fā)明揭露一布局結(jié)構(gòu)800以解決上述問(wèn)題。請(qǐng)參閱圖8，布局結(jié)構(gòu)800主要包成包含一集成電路810、一第一電路的一第一布局802和一第二電路的一第二布局803。第一電路的第一布局802和第二電路的第二布局803可位于集成電路810周圍。第一電路的第一布局802具有一電性連接至集成電路810的第一端804。第二電路的第二布局803具有一電性連接至集成電路810的第二端805。第一布局802電性連接至第二布局803。較佳來(lái)說(shuō)，第二布局803電性對(duì)稱(electricallysymmetric)于第一布局802(見(jiàn)圖7A和圖7C)。一第一走線(trace)820配置在第一布局802和第二布局803之間。較佳來(lái)說(shuō)，第一走線(trace)820配置在第一布局802和第二布局803之間的邊界806上。第一走線820的一端電性連接至一電源供應(yīng)(powersupply)，以及第一走線820的另一端電性連接至集成電路810(未圖示)。電源供應(yīng)可為直流電(DC)型式。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電路和第二電路形成一平衡濾波器(見(jiàn)圖7A至圖7E)。第一端804驅(qū)動(dòng)一第一輸出信號(hào)，以及第二端805驅(qū)動(dòng)一第二輸出信號(hào)，其中該第一輸出信號(hào)和該第二輸出信號(hào)實(shí)質(zhì)上具有相同振幅和一百八十度的相位差。第一端804藉由一第二走線(trace)811電性連接至集成電路810，以及第二端805藉由一第三走線(trace)812電性連接至集成電路。第二走線811和第三走線812對(duì)稱于第一走線820。在一個(gè)實(shí)施例中，第二走線811的長(zhǎng)度和第三走線812的長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上相等。由于第一走線820和第二走線811之間的距離實(shí)質(zhì)上等于第一走線820和第三走線812之間的距離，因此第二走線811和第三走線812的阻抗一致，而解決上述問(wèn)題。以上對(duì)本發(fā)明的描述是說(shuō)明性的，而非限制性的，本專業(yè)技術(shù)人員理解，在權(quán)利要求限定的精神與范圍之內(nèi)可對(duì)其進(jìn)行許多修改、變化或等效，但是它們都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。