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多電極型單層陶瓷電容器的制作方法

文檔序號:7133439閱讀:243來源:國知局
專利名稱:多電極型單層陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種多電極型單層陶瓷電容器,用于在電路中進(jìn)行耦合、濾波和隔直。
背景技術(shù)
目前,業(yè)界大量使用的單層陶瓷電容器,最大的結(jié)構(gòu)特征在于,上下電極層均由一個(gè)整體的電極塊構(gòu)成,一個(gè)電容器只有一個(gè)固定容量,這樣的單層陶瓷電容器,在裝配時(shí),每個(gè)電容器的下電極層都要貼裝一次,效率低,而且,每個(gè)電容器只有一個(gè)固定容量,使用時(shí)不能根據(jù)需要進(jìn)行容量值的調(diào)整。安裝效率低、容量值固定,這是目前上下電極層均由一個(gè)整體電極塊構(gòu)成的單層陶瓷電容器的明顯缺陷,因此有必要改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題提供一種多電極型單層陶瓷電容器,將若干個(gè)小電極集成在一個(gè)電容器模塊上,每個(gè)小電極與陶瓷介質(zhì)層和下電極層單獨(dú)構(gòu)成的一個(gè)電容器,在裝配時(shí),底電極只要貼裝一次即可,有效提高貼裝效率和實(shí)現(xiàn)一個(gè)電容器對應(yīng)多種容量值的目的。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案多電極型單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質(zhì)層以及附著于陶瓷介質(zhì)層上端面的上電極層和其下端面的下電極層,所述上電極層由多個(gè)小電極構(gòu)成,且多個(gè)小電極之間相互絕緣。其中,所述多個(gè)小電級的面積成固定比例或者不成固定比例。進(jìn)一步地,所述上電極層的外邊緣與陶瓷介質(zhì)層的邊緣平齊或者相對于陶瓷介質(zhì)層的邊緣內(nèi)縮。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比采用微細(xì)化集成設(shè)計(jì),將若干個(gè)小電極集成在一個(gè)電容器模塊上,每個(gè)小電極與陶瓷介質(zhì)層和下電極層單獨(dú)構(gòu)成的一個(gè)電容器,有多少個(gè)小電極,就可以對應(yīng)多少個(gè)單獨(dú)的電容器,這若干個(gè)電容器共用一個(gè)底電極,在裝配時(shí),底電極只要貼裝一次,可以大大提高裝配效率;同時(shí),小電極可以根據(jù)需要通過金絲互連,從而組合出多種的電容量值。

圖I為本實(shí)用新型第一種實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為第一種實(shí)施例俯視圖;圖3為本實(shí)用新型第二種實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為第二種實(shí)施例俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖1-2描述本實(shí)用新型的第一種實(shí)施例。[0013]多電極型單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質(zhì)層I以及附著于陶瓷介質(zhì)層I上端面的上電極層2和其下端面的下電極層3,具體的,所述上電極層2的外邊緣與陶瓷介質(zhì)層I的邊緣平齊或者相對于陶瓷介質(zhì)層I的邊緣內(nèi)縮。所述上電極層2由多個(gè)小電極4構(gòu)成,且多個(gè)小電極4之間相互絕緣,每個(gè)小電極4與陶瓷介質(zhì)層I和下電極層3單獨(dú)構(gòu)成的一個(gè)電容器,有多少個(gè)小電極4,就可以對應(yīng)多少個(gè)單獨(dú)的電容器。這若干個(gè)電容器共用一個(gè)底電極,在裝配時(shí),底電極只要貼裝一次,可以大大提高裝配效率。同時(shí),小電極4可以根據(jù)需要通過金絲互連,可以組合出多種的電容量值。多個(gè)小電級4的面積不成固定比例,即多個(gè)小電級4的面積不相等。先在陶瓷介質(zhì)層I的上下表面被覆上電極層2和下電極層3,上電極層2和下電極層3可以是單層金屬,如銀,銅,鎳,錫或金等,也可以是多層金屬,如鈦鎢/金,鈦鎢/鎳/金/,鈦/銅/金等,被覆上電極層2和下電極層3的方法可以是印刷法,濺射法,蒸發(fā)法,化學(xué)鍍或電鍍法等。然后在一個(gè)上電極層2和下電極層3表面涂覆上感光膠,使用預(yù)先設(shè)計(jì)好的光刻掩模對光刻膠進(jìn)行曝光、顯影,然后刻蝕得到電極圖形,最后按設(shè)計(jì)好的圖形對陶瓷介質(zhì)層I進(jìn)行劃切,得到多電極型陶瓷電容器。
以下結(jié)合附圖3-4描述本實(shí)用新型的第二種實(shí)施例。多個(gè)小電級4的面積成固定比例或者相等,如I :1 :1…或I :2 :4…或I :3 :9…等,
其他同第一實(shí)施例。上述實(shí)施例,只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,并非用來限制本實(shí)用新型實(shí)施范圍,故凡以本實(shí)用新型權(quán)利要求所述內(nèi)容所做的等效變化,均應(yīng)包括在本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.多電極型單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質(zhì)層(I)以及附著于陶瓷介質(zhì)層(I)上端面的上電極層(2)和其下端面的下電極層(3),其特征在于所述上電極層(2)由多個(gè)小電極(4)構(gòu)成,且多個(gè)小電極(4)之間相互絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多電極型單層陶瓷電容器,其特征在于所述多個(gè)小電級(4)的面積成固定比例或者不成固定比例。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的多電極型單層陶瓷電容器,其特征在于所述上電極層(2)的外邊緣與陶瓷介質(zhì)層(I)的邊緣平齊或者相對于陶瓷介質(zhì)層(I)的邊緣內(nèi)縮。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種多電極型單層陶瓷電容器,具有陶瓷介質(zhì)層以及附著于陶瓷介質(zhì)層上端面的上電極層和其下端面的下電極層,所述上電極層由多個(gè)小電極構(gòu)成,且多個(gè)小電極之間相互絕緣。本實(shí)用新型采用微細(xì)化集成設(shè)計(jì),將若干個(gè)小電極集成在一個(gè)電容器模塊上,每個(gè)小電極與陶瓷介質(zhì)層和下電極層單獨(dú)構(gòu)成的一個(gè)電容器,有多少個(gè)小電極,就可以對應(yīng)多少個(gè)單獨(dú)的電容器,這若干個(gè)電容器共用一個(gè)底電極,在裝配時(shí),底電極只要貼裝一次,可以大大提高裝配效率;同時(shí),小電極可以根據(jù)需要通過金絲互連,從而組合出多種的電容量值。
文檔編號H01G5/011GK202796457SQ201220497399
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者楊俊鋒, 莊嚴(yán), 莊彤, 馮毅龍, 王華洋 申請人:廣州天極電子科技有限公司
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