技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開的技術(shù)提供一種如下的旋轉(zhuǎn)涂布設(shè)備和旋轉(zhuǎn)涂布方法：其抑制湍流流動(dòng)導(dǎo)致的風(fēng)痕和其他缺陷的形成，從而允許較高的旋轉(zhuǎn)速度和減少的干燥時(shí)間，同時(shí)保持膜均勻性。本發(fā)明公開的技術(shù)包括定位在或懸吊在晶片或其他襯底的表面的上方的流體流動(dòng)構(gòu)件，如環(huán)或蓋。該流體流動(dòng)構(gòu)件的徑向曲率能夠防止在晶片的涂布和旋轉(zhuǎn)干燥處理期間的旋轉(zhuǎn)過(guò)程中形成風(fēng)痕。

技術(shù)研發(fā)人員：德里克·W·巴塞特;華萊士·P·普林茨;喬舒亞·S·霍格;一野克憲;寺下裕一;吉原孝介
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201480077666
技術(shù)研發(fā)日：2014.02.24
技術(shù)公布日：2016.11.16