技術(shù)特征：

1.一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料，其特征在于，所述的含POSS納米雜化聚合物磷光材料具有如下的結(jié)構(gòu)式：

其中：R為苯基、乙基、異丙基、丁基或辛基；R₁為C1-C10烷基；為環(huán)金屬配體；x為乙烯基咔唑單體單元數(shù)；y為銥配合物單體單元數(shù)；z為POSS單體單元數(shù)；x：y：z＝100：

0.1～10：0.1～10，數(shù)均分子量為5000-30000。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料，其特征在于所述的環(huán)金屬配體為2-苯基吡啶或2-苯基苯并噻唑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料，其特征在于所述的環(huán)金屬配體為2-苯基吡啶時(shí)，具有如下的結(jié)構(gòu)式：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料，其特征在于所述的環(huán)金屬配體為2-苯基苯并噻唑時(shí)，具有如下的結(jié)構(gòu)式：

5.一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料的制備方法，首先通過(guò)乙酰丙酮與4-氯甲基苯乙烯反應(yīng)制備得到3-(4-乙烯基芐基)-2,4-戊二酮，再通過(guò)IrCl₃或其水合物與環(huán)金屬配體在乙二醇單乙醚和水的混合溶劑中加熱回流制備氯橋聯(lián)銥二聚體，最后將氯橋聯(lián)銥二聚體與3-(4-乙烯基芐基)-2,4-戊二酮反應(yīng)制備銥配合物單體，其特征在于將乙烯基咔唑單體、銥配合物單體、POSS單體和引發(fā)劑按100：0.1～10：0.1～10：0.2～1.0摩爾比溶于四氫呋喃中，抽真空，氮?dú)獗Ｗo(hù)下，在55～75℃下反應(yīng)24～72小時(shí)后，冷卻到室溫，將反應(yīng)液滴加到無(wú)水甲醇中，析出固體聚合物，用體積比為1:1的甲醇和丙酮混合溶劑為抽提溶劑將聚合物索提純化，再經(jīng)正己烷溶劑進(jìn)一步索提，得到含POSS納米雜化聚合物磷光材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料的制備方法，其特征在于，所述的POSS單體的結(jié)構(gòu)式如下：

其中R為苯基、乙基、異丙基、丁基或辛基，R1為C1-C10烷基。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料的制備方法，其特征在于，所述的環(huán)金屬配體為2-苯基吡啶或2-苯基苯并噻唑。

8.如權(quán)利要求5所述的一種含POSS納米雜化聚合物磷光材料的制備方法，其特征在于，所述的引發(fā)劑為偶氮二異丁腈、偶氮二異庚腈或過(guò)氧化二苯甲酰。