專利名稱：玻璃鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及玻璃鍍膜方法和鍍膜玻璃，特別地，本發(fā)明涉及在玻璃上沉積氧化鎢層的方法。
對于太陽能控制玻璃有一定的需求，太陽能控制玻璃就是透過高百分數(shù)入射光和較低百分數(shù)的總?cè)肷漭椛淠芰?總太陽能熱量)的玻璃。生產(chǎn)這種玻璃的一種方法是在玻璃上沉積包含一層或數(shù)層各種材料的涂層，特別是金屬氧化物，所述的層通常具有亞微米范圍內(nèi)的厚度。用于玻璃上的金屬氧化物涂層的方便的沉積方法是在線化學氣相沉積，它包括在生產(chǎn)玻璃帶時把含金屬的化合物氣流和含氧氣體(經(jīng)常是水)引入到熱玻璃帶上，氣流的各成分在熱玻璃表面一起反應(yīng)并沉積金屬氧化物層。
一種用于玻璃涂層，包括太陽能控制涂層的金屬氧化物是氧化鎢，以化學計量、非化學計量和摻雜的形式而熟知。EP 0 546 669 B1描述了一種在浮法玻璃生產(chǎn)過程中，通過化學氣相沉積在玻璃板表面上沉積摻雜氟的氧化鎢的方法。該方法包括在350-450℃的溫度，在熱玻璃帶表面附近，使六氟化鎢與含氧化合物和含氟的鎢化合物反應(yīng)足夠的時間，產(chǎn)生WO3-xFx(據(jù)說x為大于0-小于1)層。遺憾的是，EP 0 546 669 B1沒有提供沉積氧化鎢的簡單通用的方法(即可以用來沉積氧化鎢(包括化學計量和非化學計量氧化鎢以及摻雜的氧化鎢)的適應(yīng)性的方法)。
對于涂敷過程，高涂層生長速度是希望的。為了在氧化鎢層的化學氣相沉積中獲得這種高涂層生長速度，希望的是鎢的化合物(和氣流中的其它成分)具有較高的揮發(fā)性(有助于獲得鎢化合物到玻璃表面的良好轉(zhuǎn)移)，和良好的熱穩(wěn)定性(減少在到達玻璃表面之前的熱分解)。
根據(jù)本發(fā)明，我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了沉積化學計量、非化學計量或摻雜形式的氧化鎢層的簡單化學氣相沉積方法，可以方便地用來以高涂層生長速度在玻璃生產(chǎn)過程中在線沉積氧化鎢。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種通過把含有鹵氧化鎢或氯化鎢和氧源的氣流引入到玻璃基底表面上，在玻璃基底表面上沉積含氧化鎢的涂層的方法。
優(yōu)選的是，所述含氧化鎢的涂層包含一層氧化鎢。
優(yōu)選的是，所述鹵氧化鎢是氯氧化鎢，更優(yōu)選的是四氯氧化鎢(WOCl4)?；蛘撸u氧化鎢可以包含二氯二氧化鎢(WO2Cl2)，它是在WOCl4與水之間的反應(yīng)產(chǎn)物(通常在WOCl4中作為雜質(zhì)存在)。四氯氧化鎢的揮發(fā)性和熱穩(wěn)定性可以提供到玻璃表面的良好攜帶而沒有明顯的熱降解。
通常，氯化鎢是五氯化鎢(WCl5)或六氯化鎢(WCl6)。
鹵氧化鎢或氯化鎢可以是取代的鹵氧化鎢或氯化鎢。一般來說，任何取代的鹵氧化鎢或氯化鎢或者鹵氧化鎢或氯化鎢和/或取代的鹵氧化鎢或氯化鎢的混合物可以在本發(fā)明中使用，例如包括WX6-n(OR)n,WOX4-n(OR)n(其中，X=Cl、Br、I或F,R是有機基團，n是整數(shù)，優(yōu)選的是在1-3范圍內(nèi)的值)，或者用多齒配位體取代的鹵氧化鎢。
優(yōu)選的是，所述氧源是酯，特別是有4-10個碳原子的酯，更優(yōu)選的是有3或4-6個碳原子的酯，最優(yōu)選的是乙酸乙酯或乙酸丁酯。使用酯作為氧源似乎具有增大氧化鎢的沉積速度的作用，并從酯中向涂層內(nèi)引入氧。一般認為這是由于酯在較高的溫度先分解成羧酸，然后分解成水。3-6個碳原子的酯的分解溫度似乎可以使得大部分分解發(fā)生在基底表面中或者靠近基底表面，而不是在輸送管線中分解，結(jié)果，水與鎢前體的反應(yīng)更趨于在玻璃表面上進行，提高了沉積速度，且減少了預反應(yīng)和輸送管線的堵塞。如果在輸送管線中存在自由水，包括由于酯的過早分解而存在的水，輸送管線的堵塞特別容易發(fā)生。
所述氣流可以包含氧氣，它具有產(chǎn)生具有明顯更低霧度(haze)的氧化鎢涂層的優(yōu)點。
希望鹵氧化鎢或氯化鎢與氧源的比例使得氧化鎢層沉積成為非化學計量氧化鎢(即，小于氧的化學計量的量的比例，產(chǎn)生一種缺氧的氧化鎢)。非化學計量氧化鎢(表示為WO3-x，其中x大于0，但是通常小于0.5)，趨于吸收紅外輻射，并具有很小的可見光吸收率，此時，x具有合適的值，例如，最大約0.03。非化學計量氧化鎢作為用于太陽能控制用途的一層涂層是特別有用的。
如果希望產(chǎn)生氟摻雜的氧化鎢，所述氣流可以含有一種或數(shù)種氟源，這是有利的。優(yōu)選的是，所述氟源是氧化六氟丙烯或三氟乙酸，更優(yōu)選的是六氟乙烷。六氟乙烷是特別優(yōu)選的，因為它的應(yīng)用提供了基本無霧度的氟摻雜氧化鎢涂層。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選的方面，使流動的氣體通過熱的鹵氧化鎢或氯化鎢，在氣流中攜帶鹵氧化鎢或氯化鎢，優(yōu)選的是，其中的鹵氧化鎢或氯化鎢在170-210℃范圍內(nèi)的溫度下。在該溫度范圍內(nèi)，四氯氧化鎢沒有確定的液相區(qū)，而是意外地基本沉積為固體，在流動的惰性氣體中足夠好地攜帶四氯氧化鎢，向玻璃基底表面提供良好的運載。在低于170℃的溫度下，運載量低，可能產(chǎn)生低生長速度，在210℃以上，前體的分解可能產(chǎn)生，尤其是在長時間加熱的過程中。流動氣體優(yōu)選的是包含氮氣。
本發(fā)明的方法通常用來沉積厚度范圍在70-180納米范圍內(nèi)的氧化鎢涂層，通常能使氧化鎢的生長速度在3-25納米/秒。
氧化鎢層可以用其它涂層覆蓋，該其它涂層可以是金屬氧化物層，優(yōu)選的是氟摻雜的氧化錫。這方面提供了防止氧化鎢層退化(例如，氧化或風化)的防護手段，并且，如果該其它的層是氟摻雜的氧化錫，則具有提供太陽能控制涂層的附加優(yōu)點，具有低發(fā)射率(高紅外反射)，并且無論氧化鎢層是否從鹵氧化鎢或氯化鎢或其它物質(zhì)形成都可以使用。
因此，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種涂敷玻璃的方法，包括把含有鎢化合物和氧源的氣流引入到玻璃基底表面上，從而形成一種氧化鎢層，特征在于所述氧化鎢層是非化學計量的，并且所述氧化鎢層用另一個層覆蓋。一般來說，在本發(fā)明的這個方面，可以使用任何合適的鎢化合物和氧源來形成非化學計量的氧化鎢層，并用另一個層覆蓋。鎢化合物和氧源不必是分別的化合物(即可以使用鎢的氧合物)。
在浮法玻璃生產(chǎn)過程中可以進行本發(fā)明的每個方面，這是有利的，因為這樣可以連續(xù)生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的鍍膜玻璃。
在玻璃基底在500-720℃范圍內(nèi)的溫度下，通常可以進行本發(fā)明的各個方面，這對本發(fā)明的優(yōu)選的鎢前體(鹵氧化鎢或氯化鎢)是實用的，該溫度范圍有助于獲得高沉積速度和耐用的涂層。最常見的溫度范圍是565-655℃。
所述玻璃基底通常是鈉鈣硅玻璃，因為這是在浮法玻璃生產(chǎn)過程中通常生產(chǎn)的玻璃。遺憾的是，在使用鈉鈣硅玻璃作為基底時，有堿金屬離子從玻璃遷移到涂層中的趨勢；這有兩種潛在的有害作用。首先，鈉離子引入到涂層中容易改變氧化鎢的電子特性，影響其光學性能。第二，在含鹵素的，尤其是含氯的前體用來沉積氧化鎢時，鈉離子可能與在涂層中引入的鹵素殘余物反應(yīng)，形成鹵化鈉晶體，導致特層具有霧度的外觀。通過在玻璃上沉積堿阻隔中間層(例如二氧化硅或氧碳化硅中間層)可以抵抗這種鈉遷移。此外，適當選擇和控制底層厚度和折射率(例如見英國專利2 031 756B和2 199 848B)，可以獲得顏色抑制作用，即可以減輕或避免由于氧化鎢薄膜產(chǎn)生的彩虹色外觀效果。
在另一個方面，本發(fā)明提供了一種玻璃涂層的方法，包括(a)提供一種玻璃基底，(b)制備含有氧源和鎢化合物的氣流，所述鎢化合物選自基本由鹵氧化鎢和氯化鎢組成的組中，和(c)把所述氣流引入到玻璃基底上，從而在玻璃基底上沉積含有氧化鎢的涂層。
本發(fā)明的方法可以用來沉積包含氧化鎢和一種或多種其它金屬氧化物的混合金屬氧化物，例如，向氣流中加入另一種金屬氧化物的前體。
根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)的鍍膜玻璃可以在玻璃使用的許多領(lǐng)域內(nèi)使用，包括在多層玻璃窗單元(unit)中作為窗玻璃板。
為了使本發(fā)明更好地被理解，現(xiàn)在參考附圖，其中

圖1示意表示用于制備根據(jù)本發(fā)明的鍍膜玻璃并在實施例1-3中使用的靜態(tài)化學氣相沉積反應(yīng)器和氣體輸送系統(tǒng)的實例。
圖2示意表示當前體是固體或者基本是固體時，用來在載氣中攜帶前體并如在實施例4-6中使用的蒸發(fā)器的垂直截面。
參考圖1，靜態(tài)化學氣相沉積反應(yīng)器和氣體輸送系統(tǒng)一般表示為1，包括一個反應(yīng)器，帶有出口管23和進口管22，二者都可以用加熱帶纏繞并加熱，以減少冷凝的可能性。管線22連續(xù)通過20進入爐子8，并連接到四通閥。爐子8到處具有均勻的溫度分布，以減少過熱點/熱分解并減少過冷點/冷凝。到四通閥的其它連接是到達清洗氣源的管線17，到廢物爐的管線21，和到鎢前體鼓泡器(鼓泡器1)的管線19。從管線19離開的管線15部分在爐子內(nèi)，但是引出并分別通過管線13和11連接到添加劑鼓泡器2和鼓泡器3。機動化且加熱的注射驅(qū)動器能使前體/添加劑溶液引入并汽化。
參考圖2，用于揮發(fā)性固體前體的蒸發(fā)器25包括一個用于載氣的進口24，經(jīng)管道26連接到蒸發(fā)器容器27，引入到蒸發(fā)器容器27底部的室進口28。室進口28可使載氣進入蒸發(fā)器室27內(nèi)部29。在蒸發(fā)器室內(nèi)部，放置許多網(wǎng)架30，網(wǎng)格尺寸足夠小，可以防止固體前體顆粒或粉末31落下，因此，保持室29內(nèi)部靠近室進口28處沒有前體，因為該前體可能燒結(jié)并減少或阻止氣流進入蒸發(fā)器。在架子上方是載氣出口32，連接到氣體輸送管線，然后是反應(yīng)器(未表示出)。在使用中，可以加熱蒸發(fā)器。
通過下列實施例說明本發(fā)明。
實施例1-3在該系列的實施例中，使用圖1所示并且如上所述的實驗室靜態(tài)化學氣相沉積反應(yīng)器和氣體輸送系統(tǒng)，在帶有含碳的顏色抑制/堿阻隔氧化硅層的浮法玻璃基底(如歐洲專利EP 0 275 662B所述生產(chǎn)的)表面上沉積氧化鎢涂層。在反應(yīng)器中，玻璃基底支持在筒式加熱的石墨塊并加熱，以便提供625℃的玻璃溫度。鎢前體是四氯氧化鎢(WOCl4)，這是一種桔黃色固體，熔點約211℃，并且是空氣敏感的，可經(jīng)過與水分的反應(yīng)，形成二氯二氧化鎢(WO2Cl2)，一種具有較低揮發(fā)性的黃色固體，通常在WOCl4中作為雜質(zhì)存在。
氮氣載氣進料以1升/分鐘的流量通過保持在30℃溫度的鼓泡器(對應(yīng)于圖1的鼓泡器2)，所述鼓泡器中含有乙酸乙酯或乙酸丁酯。單獨的氮氣載氣進料通過標準鼓泡器(鼓泡器1)中的固體WOCl4，位于爐子8內(nèi)的該鼓泡器保持前體在170-185℃的溫度范圍內(nèi)。WOCl4的熱分解量低，在該溫度范圍內(nèi)20小時后，仍然獲得了良好的前體輸送和生長。各單獨的載氣進料，一種攜帶有酯，另一種攜帶有WOCl4，相混合形成前體氣體混合物。補充5.5升/分鐘的氮氣，并且加入氧氣，稀釋前體氣體混合物，稀釋的前體氣體混合物通過管線(20)輸送到反應(yīng)器，該管線保持在200℃的溫度。稀釋的前體氣體混合物被引入到反應(yīng)器內(nèi)的加熱的玻璃基底上，導致氧化鎢涂層的沉積。沉積過程持續(xù)運行時間為10或30秒。在沉積過程結(jié)束時，使鍍膜玻璃在氮氣中冷卻到室溫。通過標準光學(光學常數(shù)從光譜獲得，并且對所述光譜進行模擬，確定較大的厚度)和/或觸尖法測量氧化鎢涂層的厚度。使用類似的方法測量在實施例中的所有層厚。
表1表示在每個實施例中使用的酯，以及加入到前體氣體混合物中的氧氣流量，涂敷過程的運行時間，所沉積的氧化鎢的厚度和氧化鎢涂層的峰值生長速度(層的最厚部分的生長速度)。已經(jīng)觀察到，對于恒定的乙酸乙酯濃度，生長速度隨著氧濃度增大而降低。
鼓泡器1安裝有100磅/平方英寸的安全閥，以減小過壓的危險，例如如果鼓泡器或輸送管線有任何堵塞，就可能發(fā)生過壓。特別要注意從輸送管線和WOCl4鼓泡器中中排出水分，因為所述前體似乎在較高的溫度下對水分更加敏感。
所述涂敷過程似乎明顯受基底溫度影響。在這些實施例的制備和進行過程中，最佳的沉積溫度范圍似乎是565-655℃。
表1
實施例4-6在該系列實施例中，使用在英國專利GB 1 507 996B中進行一般描述與說明的層流涂敷設(shè)備，在玻璃生產(chǎn)過程中，向移動的浮法玻璃帶上通過在槽中的層流化學氣相沉積工藝涂敷涂層，但是特征是使兩種氣流在涂敷器頭處混合使用雙氣流涂敷。玻璃帶的涂敷寬度為10厘米。
在氧化鎢涂層沉積之前，使用根據(jù)歐洲專利EP 0 275 662B的方法，使用水冷石墨頭涂敷器在玻璃上沉積氧化硅底層。用于底層沉積的成分和氣流如下硅烷(0.06升/分鐘)、乙烯(0.36升/分鐘)、氧氣(0.16升/分鐘)和氮氣載氣(8升/分鐘)。
通過在涂敷器頭處混合兩種氣流涂敷氧化鎢涂層，一種氣流含有四氯氧化鎢(WOCl4)作為鎢前體和氮氣載氣，第二種氣流含有乙酸乙酯、氧氣和氮氣載體，在實施例6中，還含有氟源。
在實施例4中，浮法玻璃帶的線速度為254米/小時，玻璃帶從浮法槽中排出時的溫度為604℃。氮氣載氣(1升/分鐘)通過保持在175℃溫度的含WOCl4的蒸發(fā)器。蒸發(fā)器的設(shè)計(能進行前體的高運載量運載)表示于圖2并如上所述。所攜帶的氯氧化鎢輸送到保持在210℃溫度的雙流油冷涂敷器頭。氣體混合物與玻璃表面接觸，并與玻璃表面平行沿玻璃帶向上游和下游方向流動。向上游和下游方向的運行路徑為約15厘米。在涂敷器頭處，WOCl4氣體混合物與含有乙酸乙酯(作為氧源)和氧氣(流量0.2升/分鐘)的氣體混合物混合，所述含乙酸乙酯是使氮氣(流量1.2升/分鐘)通過保持在42℃溫度的含有乙酸乙酯的鼓泡器攜帶的。通過補充4升/分鐘的氣流稀釋WOCl4氣流，通過補充3升/分鐘的氣流稀釋乙酸乙酯氣流。氧化鎢涂層的生長速度約為25納米/秒，產(chǎn)生約110納米厚的氧化鎢層。氧化硅底層的厚度大約45納米。注意，當實施例4中的氧化鎢涂敷的玻璃帶向下通過浮法玻璃生產(chǎn)線時，鍍膜玻璃的藍色(認為表示非化學計量氧化鎢涂層)逐漸消退。一般認為這是由于氧化或在較高溫度下的氧化氣氛中氧化鎢涂層的化學計量的其它變化，因為這種效果在氮氣下冷卻的實施例1-3中沒有看到。為了減少氧化鎢涂層的退化，在實施例5和6中涂敷氟摻雜的氧化錫外層。
實施例5和6的氧化鎢涂層的沉積條件類似于實施例4并描述于表2中。在實施例6中，向第二種氣體混合物中加入氟摻雜劑(六氟乙烷)，以便生產(chǎn)氟摻雜的氧化鎢。其它氟摻雜劑(三氟乙酸和氧化六氟丙烯)已經(jīng)簡單地加入到涂敷氣體中，但是在沉積所用的條件下，增大了鍍膜玻璃的霧度。
在實施例5和6中，覆蓋氧化鎢層的氟摻雜氧化錫層在浮法玻璃槽中，在氧化鎢層沉積之后立即沉積。所用的錫前體是使氮氣通過保持在150℃的鼓泡器并通過保持在180℃輸送管線輸送到涂敷器頭，在載氣(流量0.6升/分鐘)中攜帶的二甲基二氯化錫(Ⅳ)((CH3)2SnCl2)。其它管線把氮氣載氣(流量0.6升/分鐘，鼓泡器溫度50℃)中攜帶的水蒸氣輸送到涂敷器頭，在此處混合各氣流?？偟獨廨d氣流量配成為5升/分鐘，向所述氣體混合物中加入0.6升/分鐘的氧氣。沉積的氟摻雜氧化錫層的厚度表示于3中。氟摻雜氧化錫層的表面電阻約為80-120歐姆/平方(用標準方法測量)。
使用標準方法對鍍膜玻璃進行光學分析，并推出總的太陽能熱量透射率(TSHT)和可見光透射率。鍍膜玻璃的霧度在1-2％范圍內(nèi)，總太陽能熱透過率53％(實施例5)和56％(實施例6)，可見光透過率63％(實施例5和6)。
表權(quán)利要求
1．在玻璃基底表面沉積含有氧化鎢的涂層的方法，包括把含有鹵氧化鎢或氯化鎢和氧源的氣流引入到玻璃基底表面上。
2．一種根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述含有氧化鎢的涂層包括一層氧化鎢。
3．一種根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中，鹵氧化鎢包括氯氧化鎢，優(yōu)選的是四氯氧化鎢。
4．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，鹵氧化鎢或氯化鎢包括取代的鹵氧化鎢或氯化鎢。
5．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氧源包括酯。
6．一種根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，所述的酯有3-6個碳原子。
7．一種根據(jù)權(quán)利要求5或6的方法，其中，所述的酯是乙酸乙酯或乙酸丁酯。
8．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氣流含有氧氣。
9．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，鹵氧化鎢或氯化鎢與氧源的比例使得氧化鎢層沉積為非化學計量的氧化鎢。
10．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氣流含有氟源。
11．一種根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中，所述氟源包括六氟乙烷、三氟乙酸或氧化六氟丙烯。
12．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，通過使惰性氣體流過熱的鹵氧化鎢或氯化鎢以在氣流中攜帶鹵氧化鎢或氯化鎢。
13．一種根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，鹵氧化鎢或氯化鎢處在170-210℃范圍內(nèi)的溫度下。
14．一種根據(jù)權(quán)利要求12或13的方法，其中，所述惰性氣體包括氮氣。
15．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氧源包括酯，并且通過使所述酯與流動的惰性氣體接觸而攜帶于氣流中。
16．一種根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中，所述酯處在30-45℃范圍內(nèi)的溫度。
17．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氧化鎢層的厚度在70-180納米范圍內(nèi)。
18．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氧化鎢層的沉積生長速度在3-25納米/秒范圍內(nèi)。
19．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氧化鎢層用另一個層覆蓋。
20．一種涂敷玻璃的方法，包括把含有鎢化合物和氧源的氣流引入到玻璃基底表面上，從而形成氧化鎢層，其特征在于所述氧化鎢層是非化學計量的，并且所述氧化鎢層用另一個層覆蓋。
21．一種根據(jù)權(quán)利要求19或20的方法，其中，所述另一個層包含金屬氧化物。
22．一種根據(jù)權(quán)利要求19-21的方法，其中，所述另一個層包含氟摻雜的氧化錫。
23．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，在浮法玻璃生產(chǎn)過程中進行所述方法。
24．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述玻璃基底在500-720℃范圍內(nèi)的溫度下。
25．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述玻璃基底在565-655℃范圍內(nèi)的溫度下。
26．一種根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法，其中，所述氧化鎢層沉積在鍍膜玻璃上。
27．一種根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中，所述鍍膜玻璃具有含有氧化硅，優(yōu)選的是含有碳的涂層。
28．一種涂敷玻璃的方法，包括通過使氣體流過處在低于其熔點的溫度下的鎢化合物以在該氣體中攜帶鎢化合物，并把該氣流引入到玻璃表面上，從而形成氧化鎢層。
29．一種根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中，所述鎢化合物是鹵化鎢、鹵氧化鎢或羰基鎢。
30．一種涂敷玻璃的方法，包括(a)提供一種玻璃基底，(b)制備含有氧源和鎢化合物的氣流，所述鎢化合物選自基本由鹵氧化鎢和氯化鎢組成的組中，和(c)把所述氣流引入到玻璃基底上，從而在玻璃基底上沉積含有氧化鎢的涂層。
31．一種通過根據(jù)前面的權(quán)利要求的任一項的方法生產(chǎn)的鍍膜玻璃。
32．一種多層窗玻璃單元，包含與窗玻璃成相對隔開關(guān)系的根據(jù)權(quán)利要求31的鍍膜玻璃。
33．一種基本如本文所述的并特別參考實施例1-6的任一個的方法。
全文摘要
一種用氧化鎢層涂敷玻璃的方法,包括把含有鹵氧化鎢或氯化鎢和氧源的氣流引入到玻璃基底表面上。優(yōu)選的是,所述氧源包含酯,特別是具有3－6個碳原子的酯。所述氣流還含有氟源,以形成氟摻雜的氧化鎢層。
文檔編號C03C17/245GK1311764SQ9980926
公開日2001年9月5日 申請日期1999年7月29日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月1日
發(fā)明者K·D·桑德森 申請人:皮爾金頓公共有限公司