專利名稱：一種低輻射鍍膜玻璃的制作方法
一種低輻射鍍膜玻璃
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及玻璃深加工領(lǐng)域，尤其涉及一種可進(jìn)行熱處理的低輻射鍍膜玻璃。背景技術(shù)：
低輻射玻璃(Low-Ε玻璃)是低輻射鍍膜玻璃的簡稱，一般采用銀層作為反射紅外線的膜層，因其具有良好的阻隔熱輻射透過的作用，被稱為綠色、節(jié)能、環(huán)保玻璃，近年來被廣泛運用于建筑領(lǐng)域。而運用到汽車玻璃領(lǐng)域，鍍膜玻璃還需經(jīng)受如鋼化或烘彎的高溫過程而保持膜層性能達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。汽車前擋玻璃是夾層玻璃，烘彎工序是夾層玻璃制造工藝中的關(guān)鍵工序，汽車夾層玻璃的烘彎工序需要在連續(xù)烘彎爐中620°C以上的高溫段區(qū)域至少停留 2-^iin，所以用于夾層玻璃的可烘彎低輻射鍍膜玻璃對膜層配置的要求較高；而在高溫下的停留時間對鍍膜玻璃的膜層質(zhì)量的影響最大，所以高溫下的停留時間就決定了低輻射鍍膜玻璃技術(shù)開發(fā)的難易程度。一般低輻射鍍膜玻璃包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層jg膜層。申請?zhí)枮?200710045930. 9的中國專利公開了一種雙銀膜系的低輻射鍍膜玻璃，該專利描述的低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)為玻璃基板/Sn02/NiCr/Zn0x/Ag/NiCr/Ti0x/Sn02/Ti0x/Zn0/Ag/NiCr/ Si3N4。美國專利US6060178公開了一種可進(jìn)行熱處理的雙銀膜系的低輻射鍍膜玻璃，該專利描述了幾個低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)(a)玻璃基板/Si3N4/Zn0/Ag/Nb/Zn0/Si3N4/Zn0/Ag/ Nb/ZnO/Si3N4 ； (b)玻璃基板 /ZnO/Ag/Nb/ZnO/Si3N4/ZnO/Ag/Nb/ZnO/Si3N4 ； (c)玻璃基板 / ZnO/Ag/Nb/ZnO/Si 3N4/ZnO/Ag/Nb/ZnO/T iN/S i 3N4。低輻射鍍膜玻璃的膜層結(jié)構(gòu)中，通常選用ZnO膜層作為Ag層的生長層(即先沉積 ZnO膜層，緊接著在ZnO膜層上沉積Ag層)，這樣可以獲得較好質(zhì)量的Ag膜層。若在別的電介質(zhì)膜層材料之上沉積Ag膜層，那么所獲得的Ag膜層的質(zhì)量將較差，這將導(dǎo)致低輻射玻璃的性能下降。最常用的低輻射玻璃鍍膜是通過磁控管輔助的磁控濺射技術(shù)來實現(xiàn)的，其中起反射遠(yuǎn)紅外線作用的主要功能層是銀層，但由于銀層的特點是會造成透光性低、反光高，而且容易受到腐蝕或機械磨損，所以需要在銀層上下鍍制電介質(zhì)膜層，其作用是通過光學(xué)干涉原理，起到提高玻璃透光率、降低反光率，調(diào)節(jié)外觀色澤的作用，并提高耐化學(xué)腐蝕和機械摩擦能力。銀層下面的電介質(zhì)膜層還可以增加銀層和玻璃的附著能力，改善銀層成核結(jié)膜條件。適用于汽車前擋的低輻射鍍膜玻璃應(yīng)該具備以下幾點性能1)低輻射鍍膜玻璃的膜層要能夠經(jīng)受620°C以上的高溫?zé)崽幚?，并在此高溫下至少停? ％iin，經(jīng)過高溫?zé)崽幚砗?，產(chǎn)品的性能仍能基本保持不變；幻做成夾層的低輻射鍍膜玻璃的可見光透過率要大于70%，更好的是大于75% ；3)鍍膜玻璃的太陽能透過率要盡可能的低；4)鍍膜玻璃的膜層要具有足夠好的機械耐久性和耐化學(xué)性能。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服上述缺陷，提供一種用于Ag膜層更好生長的膜層，并提供應(yīng)用前述膜層的一種低輻射鍍膜玻璃。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、 犧牲層、保護層、細(xì)膜層，其特征在于所述Ag膜層沉積在M0x:Sb膜層之上，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素SuTi、Sn、&中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 < χ < 1 ； 當(dāng)M為Ti、Sn、Zr中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ < 3。本發(fā)明的一種技術(shù)方案為一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、 M0x:Sb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M 為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 < χ < 1 ；當(dāng)M 為Ti、Sn、Zr中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ < 3。本發(fā)明的另一種技術(shù)方案為一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、 MOxiSb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、MOxiSb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 < χ < 1 ；當(dāng)M為Ti、Sn、&中任意一種時χ取值在0<χ彡2;當(dāng)M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。本發(fā)明的第三種技術(shù)方案為一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、 MOxiSb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、MOxiSb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、第二電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第三犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述MOx Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 < χ ( 1 ；當(dāng)M為Ti、Sn、&中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Zn、 Ti, Sn, Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。本發(fā)明的第四種技術(shù)方案為一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、 MOx: Sb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、MOx: Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、第二電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第三犧牲膜層、第三電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、 Ag膜層、第四犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素 Si、Ti、Sn、^ 中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在01 ；當(dāng)M為Ti、Sn、& 中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Si、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。在上述幾種技術(shù)方案中，底層電介質(zhì)膜層、第一電介質(zhì)膜層、第二電介質(zhì)膜層、第三電介質(zhì)膜層、頂層電介質(zhì)膜層和保護膜層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 5 90nm ；第一犧牲層、 第二犧牲層、第三犧牲層和第四犧牲層選用以下的一種材料NiCr、Ti、Nb、NiCrOX、Sb，其膜層厚度為1 5nm。本發(fā)明的優(yōu)點是在MOxiSb膜層之上緊接著沉積Ag膜層，這樣可以使Ag膜層更趨向于二維形態(tài)生長，Sb起到類似于表面活性劑的作用。這里的表面活性劑是動力學(xué)上有利于薄膜逐層生長的元素，利用它可以減少薄膜的表面粗糙度，使膜層的生長更加均勻。如果沒有Sb作為表面活性劑的情形此時臺階邊緣的勢壘比擴散勢壘高得多，使附加的邊緣勢壘(原子落下臺階的勢壘減去表面擴散的勢壘)相當(dāng)大，上臺面上的增原子不容易跳下來。附加邊緣勢壘產(chǎn)生的原因是原子跳下臺階時，它的配位數(shù)勢必降低，因此這一過程會出現(xiàn)勢壘。Sb的引入使擴散勢壘增高，降低了 Ag增原子在臺面上的遷移率，同時使附加的邊緣勢壘減小。這樣一方面使島密度增大，另一方面使臺階處的增原子跳下來的概率和臺面上的擴散概率相近。其次Sb的引入使原子沿臺階邊緣擴散困難，使邊緣很不規(guī)則，即臺階上有很多扭折。一般來說臺階的扭折處存在應(yīng)變松弛，在扭折處跳下的勢壘會有所降低。再次，增大的島的密度使島的尺寸減小，或使島的枝杈變窄，這些都可以增大Ag 增原子到達(dá)臺階的概率。這些效應(yīng)都使得Ag薄膜生長更傾向于二維生長，使Ag層生長更加均勻、致密。本發(fā)明所沉積的低輻射鍍膜玻璃具有1)膜層能夠經(jīng)受620°C以上的高溫?zé)崽幚?，并在此高溫下至少停? ％iin，經(jīng)過高溫?zé)崽幚砗?，產(chǎn)品的性能仍能基本保持不變； 2)將其做成汽車前擋夾層玻璃后，其可見光透過率大于70%，更好的是大于75% ；3)鍍膜玻璃具有較低的太陽能透過率；4)鍍膜玻璃的膜層具有足夠好的機械耐久性和耐化學(xué)性能。通過合理設(shè)計調(diào)整各膜層及厚度，本發(fā)明的鍍膜玻璃具有低的面電阻、低的輻射率、高的可見光透過率以及低的太陽能透過率，可應(yīng)用于建筑領(lǐng)域，特別是汽車風(fēng)擋玻璃領(lǐng)域。

圖1為本發(fā)明單銀膜層結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明雙銀膜層結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明三銀膜層結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明四銀膜層結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式在此先定義或說明以下幾個詞“M0x:Sb膜層”表示在MOx膜層中含有Sb金屬元素，而“Ζη0:1% Sb”則表示在ZnO含有Sb金屬元素，Sb的含量為，同理“Ti02:Sb”或 “ SnO2 Sb ”或“&0: Sb”含義理解如上；SnOx, Ti Ox、ZrOx和SiOx中，當(dāng)M為Zn時χ取值在 0 < χ彡1，當(dāng)M為Ti、Sn、&中任意一種時χ取值在0 < χ彡2，當(dāng)M為金屬元素Zn、Ti、 Sn,Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3 ；ZnOx中χ的取值為0 < χ彡1 ；SiNx中χ的取值為0 < χ彡4/3 ；ZnxSnyOn和SixTiyOn中η的取值為0 < r!彡x+2y，其中χ和y取任意正值；NbOx中χ的取值為0 < χ彡5/2 ；SiNOx中χ的取值為0 < χ彡1/2 ；NiCrOx中χ的取值為0 < χ < 7/2。在這一整篇發(fā)明當(dāng)中都用以上的表示方法。本發(fā)明提供了一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于所述Ag膜層鍍制在MOx Sb膜層之上，其中所述MOx Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合。本發(fā)明的一種技術(shù)方案如圖1所示一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層jg膜層、第一犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合。本發(fā)明的另一種技術(shù)方案如圖2所示一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層jg膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層； 其中所述MOx: Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合。本發(fā)明的第三種技術(shù)方案如圖3所示一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、第二電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第三犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合。本發(fā)明的第四種技術(shù)方案如圖4所示一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、第二電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第三犧牲膜層、第三電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第四犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素ai、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合。在上述幾種技術(shù)方案中，底層電介質(zhì)膜層、第一電介質(zhì)膜層、第二電介質(zhì)膜層、第三電介質(zhì)膜層、頂層電介質(zhì)膜層和保護膜層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 5 90nm ；第一犧牲層、 第二犧牲層、第三犧牲層和第四犧牲層選用以下的一種材料NiCr、Ti、Nb、NiCrOX、Sb，其膜層厚度為1 5nm。其中，上述技術(shù)方案MOx Sb膜層中Sb的含量不可過多也不可太少，Sb的含量太少則起不到類似于表面活性劑的作用，若Sb的含量過多則膜層的缺陷增多使其可見光透過率降低太多。一般釙的含量為0. 01wt% IOwt %，優(yōu)選釙的含量為0. 05wt% #t% ； 該膜層厚度為5 50nm。下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下涉及實施例及對比例，均是在干凈的、厚度為2. Omm的透明浮法玻璃原片(標(biāo)記為玻璃基板2. 0C)的空氣面上依次鍍上各膜層。其中銀膜層所用靶材為平面靶，采用直流模式濺射；其余膜層所用靶材都為旋轉(zhuǎn)靶，采用中頻交流模式濺射。單片玻璃基板鍍膜烘彎后，鍍膜玻璃基板的最外鍍膜層為保護層，保護層向外鍍
7膜玻璃基板依次和厚度為0. 76mm的PVB、另外一片沒有鍍膜的厚度為2. Omm的透明浮法玻璃基板層壓在一起，形成低輻射鍍膜夾層玻璃。而形成的低輻射鍍膜夾層玻璃需要通過敲擊實驗——最重要的物理性能測試之一，該實驗是衡量膜層與PVB、玻璃之間粘結(jié)性能的檢測方法。Solutia Europe s. a.公司將夾層玻璃敲擊標(biāo)準(zhǔn)分為9級。根據(jù)敲擊后碎玻璃粘在PVB上的量從少到多，規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)等級為第1級至第9級。滿足國標(biāo)GB9656-2003要求的汽車夾層玻璃需要符合的敲擊等級為第3級<敲擊等級<第6級。敲擊實驗步驟為a.從整個低輻射鍍膜夾層玻璃上切下兩塊100*300mm的試驗片；b.將兩試樣放置在-18°C 士2°C下保存至少2小時；c.將試樣從上述低溫處取出放置在常溫下1-2分鐘，便放在試樣箱上用鐵錘敲擊；d.敲擊后試樣允許恢復(fù)到室溫再與標(biāo)準(zhǔn)樣片對照，但要等到冷凝水揮發(fā)后；e.將試樣認(rèn)真與標(biāo)準(zhǔn)樣片比較，就可以判斷出敲擊實驗的等級。實施例1-3表1實施例1-3膜系結(jié)構(gòu)和膜層厚度
權(quán)利要求
1.一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于所述Ag膜層沉積在MOx Sb膜層之上，所述MOx Sb膜層中的M為金屬元素Si、Ti、SnJr 中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 < χ < 1 ；當(dāng)M為Ti、Sn、&中任意一種時 χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Zn、Ti、Sn、&中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述M0x:Sb膜層中Sb的含量為 0. 01wt%~ IOwt% ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述M0x:Sb膜層中Sb的含量為 0. 05wt% 4wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述M0x:Sb膜層厚度為 5 50nmo
5.一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層jg膜層、第一犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 < χ < 1 ；當(dāng)M為Ti、Sn、&中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Si、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。
6.一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層jg膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述MOx: Sb膜層中的M為金屬元素Si、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0<χ彡1 ；當(dāng)M為Ti、Sn、& 中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Zn、 Ti, Sn, Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。
7.一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層jg膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、第二電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、 Ag膜層、第三犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素 Si、Ti、Sn、^ 中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在01 ；當(dāng)M為Ti、Sn、& 中任意一種時χ取值在0 < χ彡2 ；當(dāng)M為金屬元素Si、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。
8.一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃基板、底層電介質(zhì)膜層、M0x:Sb膜層、Ag膜層、第一犧牲膜層、第一電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第二犧牲膜層、第二電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第三犧牲膜層、第三電介質(zhì)膜層、MOx Sb膜層、Ag膜層、第四犧牲膜層、頂層電介質(zhì)膜層、保護膜層，所述M0x:Sb膜層中的M為金屬元素ai、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Si時χ取值在0 <x彡1 ；當(dāng)M為Ti、Sn、& 中任意一種時χ取值在0<x彡2 ； 當(dāng)M為金屬元素Si、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時χ取值在0 < χ彡3。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一或5-8之一所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于底層電介質(zhì)膜層、第一電介質(zhì)膜層、第二電介質(zhì)膜層、第三電介質(zhì)膜層、頂層電介質(zhì)膜層和保護膜層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、 SiNOx，其膜層厚度為5 90nm ；第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層和第四犧牲層選用以下的一種材料NiCr、Ti、Nb、NiCrOx、Sb，其膜層厚度為1 5nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一或5-8之一所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于··該低輻射鍍膜玻璃用于制作成汽車夾層玻璃或汽車中空玻璃。
全文摘要
一種低輻射鍍膜玻璃，涉及玻璃深加工領(lǐng)域，包括玻璃基板、電介質(zhì)層、犧牲層、保護層、Ag膜層，其特征在于所述Ag膜層沉積在MOx:Sb膜層之上，所述MOx:Sb膜層中的M為Zn、Ti、Sn、Zr中任意一種或幾種組合，當(dāng)M為Zn時x取值在0＜x≤1；當(dāng)M為Ti、Sn、Zr中任意一種時x取值在0＜x≤2；當(dāng)M為金屬元素Zn、Ti、Sn、Zr中的幾種組合時x取值在0＜x≤3。優(yōu)點是在MOx:Sb膜層之上緊接著沉積Ag膜層，這樣可以使Ag膜層更趨向于二維形態(tài)生長，Sb起到類似于表面活性劑的作用。這里的表面活性劑是動力學(xué)上有利于薄膜逐層生長的元素，利用它可以減少薄膜的表面粗糙度，使膜層的生長更加均勻。
文檔編號C03C17/36GK102350834SQ201110203298
公開日2012年2月15日 申請日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月20日
發(fā)明者尚貴才, 李藝明 申請人:福建省萬達(dá)汽車玻璃工業(yè)有限公司, 福耀玻璃工業(yè)集團股份有限公司