技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路，該集成電路包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方的互連結(jié)構(gòu)。互連結(jié)構(gòu)包括下部金屬層、設(shè)置在下部金屬層上方的中間金屬層和設(shè)置在中間金屬層上方的上部金屬層。下部金屬層的上表面和中間金屬層的下表面通過(guò)第一距離垂直間隔開(kāi)。電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元布置在下部金屬層與上部金屬層之間。RRAM單元包括通過(guò)具有可變電阻的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層分離的底部電極和頂部電極。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層垂直跨越比第一距離大的第二距離。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種形成電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：楊仁盛;張至揚(yáng);楊晉杰;涂國(guó)基;石昇弘;朱文定;廖鈺文;馬尼什·庫(kù)馬爾·辛格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.07.21