本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板。

背景技術(shù)：

近年來，隨著大尺寸液晶顯示器和有源有機發(fā)光二極管的發(fā)展，傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管和有機薄膜晶體管已經(jīng)很難滿足用戶需求，而以銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，簡稱為igzo)為代表的透明非晶氧化物半導體因具有遷移率高、均一性好、透明等優(yōu)點，被廣泛用于氧化物薄膜晶體管的有源層，以使得該氧化物薄膜晶體管能夠滿足新一代顯示的用戶需求。

目前，常見的氧化物薄膜晶體管主要有以下兩種類型，一種為刻蝕阻擋型(etchingstoplayer，以下簡稱esl)薄膜晶體管，另一種為背溝道刻蝕型(backchanneletched，以下簡稱bce)薄膜晶體管。

其中，esl薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其制作通常需要在有源層4上形成刻蝕阻擋層5，并在刻蝕阻擋層5上利用光罩工藝形成用于與源極6和漏極7分別對應的兩個過孔，然后在刻蝕阻擋層5上形成源極6和漏極7，使得源極6和漏極7通過刻蝕阻擋層5上對應的過孔分別與有源層4連接。而在刻蝕阻擋層5上形成兩個過孔的時候，應盡量增大過孔的孔徑，以使得源極6和漏極7與有源層4的連接良好，但這也要求這兩個過孔與有源層4具有準確的對位，才能保證源極6和漏極7通過對應的過孔與有源層4連接。但是，過孔的孔徑較大，且兩個過孔之間留有間隔，為確保過孔與有源層4的準確對位，有源層4需具備足夠的尺寸，這樣也就導致esl薄膜晶體管中有源層4的尺寸無法減小，不利于實現(xiàn)薄膜晶體管的小型化。

而bce薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖2所示，由于源極6、漏極7和有源層4同層設(shè)置，使得源極6和漏極7可以直接與有源層4連接，而無需形成過孔，以利用過孔實現(xiàn)源極6和漏極7與有源層4的連接。因此，與esl薄膜晶體管相比，bce薄膜晶體管的制作工藝略為簡單，且其有源層4不存在尺寸限制要求，致使bce薄膜晶體管能夠克服上述esl薄膜晶體管無法小型化的問題。但是，也正由于bce薄膜晶體管的源極6、漏極7和有源層4同層設(shè)置，在刻蝕形成源極6和漏極7的過程中，源極6和漏極7的刻蝕液容易腐蝕損傷之前形成的有源層4的導電溝道；而當源極6和漏極7刻蝕完成后，在對有源層4的導電溝道進行等離子氧化處理時，源極6和漏極7刻蝕好的金屬表面也容易受到等離子氧化處理的影響而被氧化。因此，在bce薄膜晶體管的制作過程中，容易出現(xiàn)有源層4的導電溝道被腐蝕損傷，或源極6和漏極7被氧化，或有源層4的導電溝道被腐蝕損傷且源極6和漏極7被氧化的情形，從而減弱或損壞bce薄膜晶體管的導電性能，降低bce薄膜晶體管的良品率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板，用于在減小薄膜晶體管尺寸的前提下，提高薄膜晶體管的良品率。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的第一方面提供一種形成在襯底基板的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極和有源層；有源層面向襯底基板的表面設(shè)置第一信號金屬層，有源層背離第一信號金屬層的表面設(shè)置第二信號金屬層；有源層包括導電溝道形成區(qū)，第二信號金屬層不覆蓋有源層的導電溝道形成區(qū)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的薄膜晶體管具有如下有益效果：

本發(fā)明提供的薄膜晶體管，在有源層面向襯底基板的表面設(shè)置第一信號金屬層，而在有源層背離第一信號金屬層的表面設(shè)置第二信號金屬層，即將第二信號金屬層和第一信號金屬層分別疊置在有源層的上下兩表面，第二信號金屬層和第一信號金屬層分別與有源層直接連接，使得在沒有過孔的情況下實現(xiàn)第二信號金屬層和第一信號金屬層與有源層的連接，因此，在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，有源層在沒有過孔的尺寸限制下，可以盡可能的縮小尺寸，以實現(xiàn)薄膜晶體管的小型化。

而且，在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，雖然第二信號金屬層位于有源層的上表面，但是第二信號金屬層并不覆蓋有源層的導電溝道形成區(qū)，使得第二信號金屬層與有源層的導電溝道形成區(qū)分層錯落設(shè)置，當在形成第二信號金屬層時，利用第二信號金屬層與有源層導電溝道形成區(qū)之間的分層錯落間距，能夠防止刻蝕第二信號金屬層的刻蝕液濺到有源層的導電溝道形成區(qū)上，從而避免對有源層的導電溝道形成區(qū)造成腐蝕損傷；且當?shù)诙盘柦饘賹有纬珊?，在對有源層的導電溝道形成區(qū)進行等離子氧化處理時，利用第二信號金屬層與有源層的導電溝道形成區(qū)之間的分層錯落間距，可使得等離子氧化處理的覆蓋范圍不涉及或極少涉及到第二信號金屬層，確保第二信號金屬層的表面不被氧化或僅有極少部分被氧化。因此，在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，利用第二信號金屬層與有源層的導電溝道形成區(qū)之間的分層錯落間距，能夠有效避免出現(xiàn)有源層導電溝道形成區(qū)被腐蝕損傷，以及第二信號金屬層表面被氧化的情形，防止薄膜晶體管的導電性能受到影響，有利于提高薄膜晶體管的良品率。

基于上述薄膜晶體管的技術(shù)方案，本發(fā)明的第二方面提供一種薄膜晶體管的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底基板，在襯底基板上形成第一信號金屬層；

在第一信號金屬層上形成有源層；

在有源層背離第一信號金屬層的表面形成第二信號金屬層，使得第二信號金屬層不覆蓋有源層的導電溝道形成區(qū)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制作方法所能實現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

基于上述薄膜晶體管的技術(shù)方案，本發(fā)明的第三方面提供一種陣列基板，所述陣列基板包括上述技術(shù)方案所提供的薄膜晶體管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板所能實現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有esl薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有bce薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的有源層的a向俯視示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖一；

圖6為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖二；

圖7為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖三；

圖8為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法示意圖四；

圖9為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法示意圖五。

附圖標記：

1-襯底基板，2-柵極，

3-第一絕緣層，4-有源層，

41-第一基區(qū)，42-導電溝道形成區(qū)，

43-第二基區(qū)，5-刻蝕阻擋層，

6-源極，7-漏極，

8-第二絕緣層，9-像素電極，

10-第一信號金屬層，11-第二信號金屬層。

具體實施方式

為了進一步說明本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板，下面結(jié)合說明書附圖進行詳細描述。

參閱圖3和圖4，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管形成在襯底基板1，所述薄膜晶體管包括柵極2和有源層4；有源層4面向襯底基板1的表面設(shè)置第一信號金屬層10，有源層4背離第一信號金屬層10的表面設(shè)置第二信號金屬層11；有源層4包括導電溝道形成區(qū)42，第二信號金屬層11不覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42。

具體實施時，第二信號金屬層11和第一信號金屬層10分別疊置在有源層4的上下兩表面，使得第二信號金屬層11和第一信號金屬層10分別與有源層4直接連接。通常，該薄膜晶體管在制作時，需預先在襯底基板1形成第一信號金屬層10，并在第一信號金屬層10上形成有源層4，然后在有源層4背離第一信號金屬層10的上表面形成第二信號金屬層11，使得第二信號金屬層11不覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42，即使得第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42分層錯落設(shè)置；而當?shù)诙盘柦饘賹?1形成之后，還需要對有源層4的導電溝道形成區(qū)42進行等離子氧化處理，以便增強薄膜晶體管的使用穩(wěn)定性。

通過上述具體實施過程可知，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，將第二信號金屬層11和第一信號金屬層10分別疊置在有源層4的上下兩表面，第二信號金屬層11和第一信號金屬層10分別與有源層4直接連接，使得在沒有過孔的情況下實現(xiàn)第二信號金屬層11和第一信號金屬層10與有源層4的連接，因此，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，有源層4在沒有過孔的尺寸限制下，可以盡可能的縮小尺寸，使得薄膜晶體管小型化。

而且，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42分層錯落設(shè)置，當在形成第二信號金屬層11時，利用第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42之間的分層錯落間距，能夠防止刻蝕第二信號金屬層11的刻蝕液濺到有源層4的導電溝道形成區(qū)42上，從而避免對有源層4的導電溝道形成區(qū)42造成腐蝕損傷；且當?shù)诙盘柦饘賹?1形成后，在對有源層4的導電溝道形成區(qū)42進行等離子氧化處理時，利用第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42之間的分層錯落間距，可使得等離子氧化處理的覆蓋范圍不涉及或極少涉及到第二信號金屬層11，確保第二信號金屬層11的表面不被氧化或僅有極少部分被氧化。因此，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，利用第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42之間的分層錯落間距，能夠有效避免出現(xiàn)有源層4的導電溝道形成區(qū)42被腐蝕損傷，以及第二信號金屬層11表面被氧化的情形，防止薄膜晶體管的導電性能受到影響，有利于提高薄膜晶體管的良品率。

另外，可以理解的是，上述實施例將與有源層4的導電溝道42位于同一側(cè)的信號金屬層限定為第二信號金屬層11，而位于有源層4的另外一側(cè)的信號金屬層限定為第一信號金屬層10，是為了更清楚的說明薄膜晶體管中各組成結(jié)構(gòu)的連接關(guān)系，并無其他實質(zhì)限定。其中，第一信號金屬層10可以作為薄膜晶體管的源極，也可以作為薄膜晶體管的漏極；而當?shù)谝恍盘柦饘賹?0作為源極時，第二信號金屬層11則對應作為漏極，而當?shù)谝恍盘柦饘賹?0作為漏極時，第二信號金屬層11則對應作為源極。

需要說明的是，薄膜晶體管一般按照其導電溝道的類型可以劃分為p溝道薄膜晶體管或n溝道薄膜晶體管。示例性的，參閱圖4，有源層4包括第一基區(qū)41、第二基區(qū)43以及位于第一基區(qū)41和第二基區(qū)43之間的導電溝道形成區(qū)42，其中，有源層4的第一基區(qū)41用于與第一信號金屬層10連接，有源層4的第二基區(qū)43用于與第二信號金屬層11連接。當薄膜晶體管為p溝道薄膜晶體管時，第一基區(qū)41和第二基區(qū)43分別為p區(qū)，在薄膜晶體管柵極的電壓作用下，有源層4的導電溝道形成區(qū)42可以將第一基區(qū)41和第二基區(qū)43導通，形成p溝道。而當薄膜晶體管為n溝道薄膜晶體管時，第一基區(qū)41和第二基區(qū)43分別為n區(qū)，在薄膜晶體管柵極的電壓作用下，有源層4的導電溝道形成區(qū)42可以將第一基區(qū)41和第二基區(qū)43導通，形成n溝道。

值得一提的是，上述實施例中，第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影與第二信號金屬層11在襯底基板1的正投影錯開或部分重合，其具體表現(xiàn)為：有源層4覆蓋第一信號金屬層10；在有源層4背離第一信號金屬層10的一側(cè)，第二信號金屬層11形成在有源層4未與第一信號金屬層10正對的表面上；這樣，在有源層4背離第一信號金屬層10的表面，便會存在有可用于形成有源層4導電溝道的導電溝道形成區(qū)42，使得第二信號金屬層11不覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42，且第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42之間存在分層錯落間距。

與現(xiàn)有esl薄膜晶體管或bce薄膜晶體管中源極6和漏極7位于同一層相比，本實施例將第二信號金屬層11和第一信號金屬層10分別形成在不同的層結(jié)構(gòu)中，當?shù)诙盘柦饘賹?1在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影部分重合時，第一信號金屬層10和第二信號金屬層11能夠用于遮光的面積相應被減少，從而能夠提高薄膜晶體管的開口率。此外，第二信號金屬層11在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影錯開或者部分重合，還能夠適當減小兩信號金屬層因?qū)χ枚纬傻碾娙?，改善薄膜晶體管的電學性能，以提高薄膜晶體管所在顯示面板的顯示品質(zhì)。

值得一提的是，上述實施例中，有源層4與襯底基板1之間設(shè)有第一絕緣層3，第一絕緣層3與第一信號金屬層10同層設(shè)置，以使得第一絕緣層3和第一信號金屬層10共同支撐有源層4。而且，第一絕緣層3的成型結(jié)構(gòu)，能夠?qū)τ性磳?以及第二信號金屬層11的成型結(jié)構(gòu)作輔助限定，因此，將第一絕緣層3的部分與第一信號金屬層10疊置，使得第一絕緣層3的部分呈梯形凸起，對有源層4和第二信號金屬層11的成型結(jié)構(gòu)進行輔助限定，以確保有源層4和第二信號金屬層11能夠在一次構(gòu)圖工藝中實現(xiàn)分層錯落，從而簡化薄膜晶體管的制作工藝。

需要補充的是，在上述實施例提供的薄膜晶體管中，有源層4與柵極2之間，第一信號金屬層10與柵極2之間，以及第二信號金屬層11與柵極2之間，均設(shè)置第二絕緣層8，使得柵極2與有源層4絕緣、柵極2與第一信號金屬層10絕緣以及柵極2與第二信號金屬層11絕緣，以確保薄膜晶體管的使用穩(wěn)定。

為了進一步簡化薄膜晶體管的制作工藝，上述實施例中，第二絕緣層8對應第二信號金屬層11的區(qū)域設(shè)有過孔，且第二絕緣層8上還設(shè)有像素電極9；像素電極9與柵極2同層設(shè)置，且像素電極9通過過孔與第二信號金屬層11連接。由于像素電極9與柵極2同層設(shè)置，使得在制作像素電極9和柵極2時，可以在一次構(gòu)圖工藝中形成，能夠進一步減少薄膜晶體管制作過程中構(gòu)圖工藝的總使用次數(shù)，從而進一步簡化薄膜晶體管的制作工藝，提高薄膜晶體管的制作效率。需要說明的是，雖然像素電極9和柵極2同層設(shè)置，但是像素電極9和柵極2相互獨立，即像素電極9與柵極2之間不存在連接。

為了提高薄膜晶體管的器件性能，上述實施例中，柵極2位于第二絕緣層8背離有源層4的一側(cè)，且柵極2在襯底基板1的正投影，覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42在襯底基板1的正投影。這樣柵極2能夠?qū)τ性磳?的導電溝道形成區(qū)42進行光線遮擋，防止光線從有源層4背離襯底基板1的一側(cè)入射至有源層4的導電溝道形成區(qū)42中，避免有源層4的導電溝道形成區(qū)42的電學性能因光照而受到影響，比如造成薄膜晶體管閾值電壓的偏移等，從而改善薄膜晶體管的電學性能，增強薄膜晶體管的控制穩(wěn)定性。

本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，用于制作上述實施例所述的薄膜晶體管，參閱圖3-5，以及圖9，該薄膜晶體管的制作方法包括：

s10，提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成第一信號金屬層10；

s20，在第一信號金屬層10上形成有源層4；在有源層4背離第一信號金屬層10的表面形成第二信號金屬層11，使得第二信號金屬層11不覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法所能實現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

需要說明的是，本實施例中，在有源層4背離第一信號金屬層10的表面形成第二信號金屬層11時，為了確保第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42分層錯落設(shè)置，通常在有源層4背離第一信號金屬層10的一側(cè)，將第二信號金屬層11形成在有源層4未與第一信號金屬層10正對的表面上，以使得第二信號金屬層11在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影錯開，或者部分重合。這樣，在有源層4背離第一信號金屬層10的表面，便會存在有可用于形成有源層4導電溝道的導電溝道形成區(qū)42，使得第二信號金屬層11不覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42，且第二信號金屬層11與有源層4的導電溝道形成區(qū)42之間存在分層錯落間距。

而且，與現(xiàn)有esl薄膜晶體管或bce薄膜晶體管中源極6和漏極7位于同一層相比，本實施例將第二信號金屬層11和第一信號金屬層分別形成在不同的層結(jié)構(gòu)中，當?shù)诙盘柦饘賹?1在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影部分重合時，第一信號金屬層10和第二信號金屬層11能夠用于遮光的面積相應被減少，從而能夠提高薄膜晶體管的開口率。此外，第二信號金屬層11在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影錯開或者部分重合，還能夠適當減小兩信號金屬層因?qū)χ枚纬傻碾娙?，改善薄膜晶體管的電學性能，以提高薄膜晶體管所在顯示面板的顯示品質(zhì)。

為了簡化薄膜晶體管的制作工藝，在上述實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，有源層4和第二信號金屬層11在一次構(gòu)圖工藝中形成。將有源層4和第二信號金屬層11通過一次構(gòu)圖工藝形成，能夠減少薄膜晶體管在制作過程中構(gòu)圖工藝的總使用次數(shù)，簡化薄膜晶體管的制作工藝，提高薄膜晶體管的制作效率。

需要說明的是，有源層4和第二信號金屬層11在一次構(gòu)圖工藝中形成時，優(yōu)選使用半曝光工藝形成，其中，半曝光工藝包括使用灰階光罩(graytonemask)或半色調(diào)光罩(halftonemask)。通過半曝光工藝能夠?qū)Σ煌瑓^(qū)域膜層的曝光量進行不同調(diào)整，以使得不同區(qū)域的膜層具有不同形狀和不同厚度。示例性的，在第一信號金屬層10上層疊沉積有源層4和第二信號金屬層11后，利用灰階光罩或半色調(diào)光罩對有源層4和第二信號金屬層11進行刻蝕，得到分層錯落的有源層4和第二信號金屬層11。

上述實施例中，參閱圖6和圖9，s1中在襯底基板1上形成第一信號金屬層10，以及s2中在第一信號金屬層10上形成有源層4包括：

s10，在襯底基板1上形成第一信號金屬層10；

s15，在襯底基板1和第一信號金屬層10上形成第一絕緣層3，使得第一絕緣層3在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影存在部分重合；

s20，在第一信號金屬層10和第一絕緣層3上形成有源層4。

這樣在襯底基板1和第一信號金屬層10上形成第一絕緣層3，且使得第一絕緣層3在襯底基板1的正投影與第一信號金屬層10在襯底基板1的正投影部分重合，便可利用第一絕緣層3的成型結(jié)構(gòu)，比如第一絕緣層3呈梯形凸起的部分，對有源層4和第二信號金屬層11的形成進行支撐以及輔助限定，確保有源層4和第二信號金屬層11利用半曝光工藝能夠在一次構(gòu)圖工藝中實現(xiàn)分層錯落。

為了進一步簡化薄膜晶體管的制作工藝，參閱圖7和圖9，上述實施例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括：

s30，在有源層4和第二信號金屬層11上形成第二絕緣層8，在第二絕緣層8對應第二信號金屬層11的區(qū)域形成過孔；

s40，在第二絕緣層8上通過一次構(gòu)圖工藝形成像素電極9和柵極2，使得像素電極9通過過孔與第二信號金屬層11連接。

通過在有源層4和第二信號金屬層11上形成第二絕緣層8，能夠?qū)崿F(xiàn)柵極2與有源層4的絕緣以及柵極2與第二信號金屬層11的絕緣。而在一次構(gòu)圖工藝中形成像素電極9和柵極2，能夠進一步減少薄膜晶體管制作過程中構(gòu)圖工藝的總使用次數(shù)，進一步簡化薄膜晶體管的制作工藝，從而提高薄膜晶體管的制作效率。

需要說明的是，像素電極9和柵極2在一次構(gòu)圖工藝中形成時，優(yōu)選使用半曝光工藝形成。示例性的，在第二絕緣層8上層疊沉積像素電極層和柵極金屬層后，利用灰階光罩或半色調(diào)光罩對像素電極層和柵極金屬層進行刻蝕，得到相互獨立的像素電極9和柵極2。

需要補充的是，在形成第一絕緣層3或形成第二絕緣層8時，考慮到絕緣材料的物理特性，通常采用干法刻蝕形成。

值得一提的是，在第二絕緣層8上通過一次構(gòu)圖工藝形成像素電極9和柵極2時，將柵極2形成在第二絕緣層8對應有源層4導電溝道形成區(qū)42的區(qū)域上，使得柵極2在襯底基板1的正投影，能夠覆蓋有源層4的導電溝道形成區(qū)42在襯底基板1的正投影。這樣柵極2位于第二絕緣層8背離有源層4的一側(cè)，柵極2能夠?qū)τ性磳?的導電溝道形成區(qū)42進行光線遮擋，防止光線從有源層4背離襯底基板1的一側(cè)入射至有源層4的導電溝道形成區(qū)42中，避免有源層4的導電溝道形成區(qū)42的電學性能因光照而受到影響，比如造成薄膜晶體管閾值電壓的偏移等，以改善薄膜晶體管的電學性能，增強薄膜晶體管的控制穩(wěn)定性。

為了進一步提高薄膜晶體管的良品率，參閱圖8和圖9，上述薄膜晶體管的制作方法還包括：

s20之后，s25，對有源層4的導電溝道形成區(qū)42進行等離子氧化處理；

s30之后，s35，檢測第二信號金屬層11裸露在過孔中的表面是否氧化；如果氧化，則對第二信號金屬層11裸露在過孔中的表面進行還原處理，再執(zhí)行s40；如果未氧化，則執(zhí)行s40。

通常為了增強薄膜晶體管的使用穩(wěn)定性，有源層4的導電溝道形成區(qū)42需進行等離子氧化處理；其中，最為常見的等離子氧化方式為等離子體(plasma)沉積方式。但由于第二信號金屬層11形成在有源層4上，當對有源層4的導電溝道形成區(qū)42進行等離子氧化處理時，第二信號金屬層11也存在被氧化的風險，因此，在第二絕緣層8對應第二信號金屬層11的區(qū)域形成過孔后，檢測第二信號金屬層11裸露在過孔中的表面是否氧化，即檢測第二信號金屬層11用于與像素電極9連接的表面是否氧化；然后在其氧化時對其進行還原處理，能夠確保后續(xù)在第二絕緣層8上形成像素電極9之后，像素電極9與第二信號金屬層11之間保持良好的連接，有助于進一步提高薄膜晶體管的良品率。

可以理解的是，上述實施例中，對第二信號金屬層11裸露在過孔中的表面進行還原處理的方式可以有多種，比如采用還原劑進行還原反應，所述還原劑包括氫氣、一氧化碳、木炭等，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實際需要自行設(shè)定即可。在本實施例中，優(yōu)選用氫氣等離子還原處理。

本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括上述實施例提供的薄膜晶體管。所述陣列基板中的薄膜晶體管與上述實施例中的薄膜晶體管具有的優(yōu)勢相同，此處不再贅述。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。