本發(fā)明涉及陣列基板技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

如今隨著高像素密度(pixelsperinch，ppi)和高亮度顯示裝置的市場需求，迫切需要提升顯示面板的光線穿透率。而常規(guī)的壓縮遮光層和薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)層尺寸的方式由于受到tft器件性能需求的限制，對(duì)光線穿透率的提升有限，因此簡化膜層結(jié)構(gòu)逐漸顯現(xiàn)其優(yōu)勢(shì)。

在常規(guī)顯示面板中，陣列基板由多膜層結(jié)構(gòu)組成，光線穿透陣列基板需要經(jīng)過多個(gè)膜層界面，而光線在膜層界面處會(huì)產(chǎn)生光線損耗，影響顯示面板的顯示效果。

為了減少光線穿透陣列基板的膜層界面數(shù)量，減少膜層界面處的光線損耗，提升光線穿透率，現(xiàn)有工藝制程中，在像素顯示區(qū)域做挖槽設(shè)計(jì)，也即在像素顯示區(qū)域?qū)㈥嚵谢逯械牟糠帜涌涛g，在制作槽結(jié)構(gòu)上方膜層時(shí)，此上方膜層的材料沉積在槽內(nèi)，從而達(dá)到減少光線穿透陣列基板的膜層界面數(shù)量的目的。

但該刻蝕工藝制程會(huì)過刻部分位于槽底的膜層，該位于槽底的膜層被部分刻蝕后，其殘膜膜厚均一性惡化，必然導(dǎo)致顯示面板片內(nèi)亮度的波動(dòng)，對(duì)于多四塊顯示面板組成的超大顯示器，還會(huì)導(dǎo)致各顯示面板片間亮度的波動(dòng)，從而影響顯示面板亮度的均一性。而且，像素顯示區(qū)域位于槽底的膜層被過刻蝕的厚度越厚，其殘膜的均一性惡化越明顯。

因此，提供一種光線穿透率高并且亮度均一的陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，是本領(lǐng)域亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于殘膜而影響面板亮度均一的技術(shù)問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種陣列基板的制造方法。

該陣列基板包括基板和位于基板上的第一絕緣層和第二絕緣層，該陣列基板的制造方法包括：在制作第一絕緣層之前，制作保護(hù)層，其中，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域；在像素顯示區(qū)域，對(duì)第一絕緣層挖槽，其中，槽的槽底位于保護(hù)層；去除位于槽底的保護(hù)層；在去除位于槽底的保護(hù)層之后，制作第二絕緣層。

可選地，陣列基板還包括設(shè)置于基板上的薄膜晶體管；第一絕緣層為位于薄膜晶體管的有源層與基板之間的緩沖層、位于有源層與薄膜晶體管的柵極之間的柵極絕緣層和/或位于薄膜晶體管的源漏極與柵極絕緣層之間的層間絕緣層。

可選地，陣列基板還包括遮光層；制作保護(hù)層的步驟具體為：在制作緩沖層之前，在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層；在基板上覆蓋保護(hù)層的步驟之后，制作陣列基板的緩沖層的步驟之前，該方法還包括：在保護(hù)層整體覆蓋遮光層；對(duì)整體覆蓋的遮光層進(jìn)行刻蝕形成遮光層的圖案。

可選地，陣列基板還包括遮光層；在制作保護(hù)層的步驟之前，該方法還包括：在基板的板面整體覆蓋遮光層；對(duì)整體覆蓋的遮光層進(jìn)行刻蝕形成遮光層的圖案；制作保護(hù)層的步驟具體為：在形成遮光層的圖案的步驟之后，通過模具在像素顯示區(qū)域的位置制作保護(hù)層。

可選地，在制作遮光層和保護(hù)層的步驟之后，對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟之前，該方法還包括：依次制作緩沖層、柵極絕緣層和層間絕緣層；對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟具體為：在制作完成層間絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；制作第二絕緣層的步驟具體為：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

可選地，在制作遮光層和保護(hù)層的步驟之后，對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟之前，該方法還包括：依次制作緩沖層和柵極絕緣層；對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟具體為：在制作完成柵極絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；在對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟之后，去除位于槽底的保護(hù)層之前，方法還包括：在柵極絕緣層上制作層間絕緣層，其中，層間絕緣層沉積在槽內(nèi)；去除槽內(nèi)沉積的層間絕緣層；制作第二絕緣層的步驟具體為：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

可選地，陣列基板還包括設(shè)置于基板上的薄膜晶體管；第一絕緣層為位于薄膜晶體管的柵極與基板之間的緩沖層、位于柵極與薄膜晶體管的有源層之間的柵極絕緣層和/或位于有源層與薄膜晶體管的源漏極之間的保護(hù)絕緣層。

可選地，制作保護(hù)層的步驟具體為：在制作緩沖層之前，在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層；在制作保護(hù)層的步驟之后，對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟之前，方法還包括：依次制作緩沖層、柵極絕緣層和保護(hù)絕緣層；對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟具體為：在制作完成保護(hù)絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)保護(hù)絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；制作第二絕緣層的步驟具體為：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

可選地，在制作保護(hù)層的步驟之后，對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟之前，該方法還包括：依次制作緩沖層和柵極絕緣層；對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟具體為：在制作完成柵極絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；在對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟之后，去除位于槽底的保護(hù)層之前，方法還包括：在柵極絕緣層上制作保護(hù)絕緣層，其中，保護(hù)絕緣層沉積在槽內(nèi)；去除槽內(nèi)沉積的保護(hù)絕緣層；制作第二絕緣層的步驟具體為：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

可選地，保護(hù)層為金屬膜。

可選地，對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟具體為：采用干刻的方式第一絕緣層挖槽；去除位于槽底的保護(hù)層的步驟具體為：采用濕刻的方式去除槽底的保護(hù)層。

可選地，金屬膜為銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種陣列基板。該陣列基板采用本發(fā)明提供的任意一種陣列基板的制造方法制成。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種顯示面板。該顯示面板包括本發(fā)明提供的任意一種陣列基板。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種顯示裝置。該顯示裝置包括本發(fā)明提供的任意一種顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，實(shí)現(xiàn)了如下的有益效果：

在制作第一絕緣層之前制作至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域的保護(hù)層，對(duì)第一絕緣層進(jìn)行挖槽工藝時(shí)，挖槽的槽底位于保護(hù)層，保護(hù)層作為挖槽的終點(diǎn)，對(duì)陣列基板起到保護(hù)作用，然后去除槽底的保護(hù)層，確保像素顯示區(qū)域光線透過率不受保護(hù)層影響，然后制作陣列基板的第二絕緣層時(shí)第二絕緣層填滿挖槽，該制造方法減少了陣列基板中像素顯示區(qū)膜層界面數(shù)量，膜層界面處光線損耗減少，光線穿透率高，同時(shí)該工藝過程不破壞像素顯示區(qū)域挖槽后剩余膜層厚度的均一性，光線透過陣列基板后在像素顯示區(qū)的亮度均一性好。

通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖2為陣列基板像素顯示區(qū)域一種膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的一種可選的實(shí)施方式的流程示意圖；

圖4為按圖3中制造方法制作的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法另一種可選的實(shí)施方式的流程示意圖；

圖6為按圖5中制造方法制作的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的另一種可選的實(shí)施方式的流程示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法完成步驟s704后陣列基板的截面示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法完成步驟s706后陣列基板的截面示意圖；

圖10發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法另一種可選的實(shí)施方式流程示意圖；

圖11陣列基板像素顯示區(qū)域另一種膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的另一種可選的實(shí)施方式流程示意圖；

圖13按圖12制造方法制作的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的另一種可選的實(shí)施方式流程示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括基板和位于基板上的第一絕緣層和第二絕緣層，該陣列基板的制造方法的流程圖，如圖1所示，包括：

s101、在制作第一絕緣層之前制作保護(hù)層，其中，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域；

s102、在像素顯示區(qū)域，對(duì)第一絕緣層挖槽，其中，槽的槽底位于保護(hù)層；

s103、去除位于槽底的保護(hù)層；

s104、在去除位于槽底的保護(hù)層之后，制作第二絕緣層。

在制作第一絕緣層之前制作的保護(hù)層，可以僅制作在陣列基板的像素顯示區(qū)域，對(duì)像素顯示區(qū)域的膜層起保護(hù)作用，節(jié)省材料成本，或者保護(hù)層制作在整個(gè)陣列基板上，制作時(shí)無需考慮保護(hù)層的區(qū)域和大小，工藝制程簡單。

在該實(shí)施例中，通過在像素顯示區(qū)域?qū)﹃嚵谢宓牡谝唤^緣層進(jìn)行挖槽，制作陣列基板的第二絕緣層時(shí)，第二絕緣層在槽的位置沉積在槽內(nèi)，填滿挖槽，去除了像素顯示區(qū)域內(nèi)第一絕緣層與第二絕緣層構(gòu)成的膜層界面，達(dá)到減少陣列基板中像素顯示區(qū)膜層界面數(shù)量的目的。同時(shí)，在制作第一絕緣層之前，至少在陣列基板的像素顯示區(qū)域制作保護(hù)層，在對(duì)第一絕緣層進(jìn)行挖槽工藝時(shí)，挖槽的槽底位于保護(hù)層，保護(hù)層作為挖槽的終點(diǎn)，然后去除槽底的保護(hù)層，不破壞像素顯示區(qū)域挖槽后剩余膜層厚度的均一性，并且在像素顯示區(qū)域，光線透過率不受保護(hù)層影響。

采用該實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，陣列膜層界面處光線損耗減少，光線穿透率高，同時(shí)該工藝過程不破壞像素顯示區(qū)域挖槽后剩余膜層厚度的均一性，光線透過陣列基板后在像素顯示區(qū)的亮度均一性好。

以液晶顯示面板為例，在陣列基板上設(shè)置有用于控制像素開關(guān)的薄膜晶體管，通過薄膜晶體管上的信號(hào)與電壓改變來控制液晶分子的轉(zhuǎn)向，從而控制每個(gè)像素點(diǎn)偏振光出射與否來實(shí)現(xiàn)顯示面板的顯示功能，陣列基板像素顯示區(qū)域的一種膜層結(jié)構(gòu)如圖2所示，薄膜晶體管設(shè)置在陣列基板的基板201上，在薄膜晶體管的有源層202與基板201之間設(shè)置有緩沖層203，有源層202與柵極204之間設(shè)置有柵極絕緣層205，在源漏極與柵極絕緣層205之間設(shè)置有層間絕緣層206，源極207和漏極208通過過孔的方式與有源層202連接，層間絕緣層206之上設(shè)置有平坦化層209，平坦化層209上設(shè)置有公共電極210，公共電極210上設(shè)置有鈍化層211，像素電極212設(shè)置于鈍化層211之上，并通過過孔與薄膜晶體管的漏極208連接。

進(jìn)一步的，在一些可選的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的有源層與基板之間的緩沖層、位于有源層與薄膜晶體管的柵極之間的柵極絕緣層和/或位于薄膜晶體管的源漏極與柵極絕緣層之間的層間絕緣層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，在像素顯示區(qū)域，對(duì)第一絕緣層挖槽包括多種情況，其中，

第一種情況，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的有源層與基板之間的緩沖層203，在這種情況中，在制作緩沖層203之前，在基板上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)緩沖層203進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為柵極絕緣層205，在像素顯示區(qū)域減少了一層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第二種情況，第一絕緣層為位于有源層與薄膜晶體管的柵極之間的柵極絕緣層205，在這種情況中，在制作柵極絕緣層205之前，在緩沖層203之上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層205進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為層間絕緣層206，在像素顯示區(qū)域減少了一層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第三種情況，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的源漏極與柵極絕緣層之間的層間絕緣層206，在這種情況中，在制作層間絕緣層206之前，在柵極絕緣層205之上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層206進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為平坦化層209，在像素顯示區(qū)域減少了一層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第四種情況，第一絕緣層為位于有源層與薄膜晶體管的柵極之間的柵極絕緣層205和位于薄膜晶體管的源漏極與柵極絕緣層之間的層間絕緣層206，在這種情況中，在制作柵極絕緣層205和層間絕緣層206之前，在緩沖層之上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層205和層間絕緣層206進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為平坦化層209，在像素顯示區(qū)域減少了兩層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第五種情況，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的有源層與基板之間的緩沖層203和位于有源層與薄膜晶體管的柵極之間的柵極絕緣層205，在這種情況中，在基板上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)緩沖層203和柵極絕緣層205進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為層間絕緣層206，在像素顯示區(qū)域減少了兩層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第六種情況，即第一絕緣層為位于薄膜晶體管的有源層與基板之間的緩沖層203、位于有源層與薄膜晶體管的柵極之間的柵極絕緣層205和位于薄膜晶體管的源漏極與柵極絕緣層之間的層間絕緣層206，在這種情況中，在制作緩沖層203、柵極絕緣層205和層間絕緣層206之前，在基板上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)緩沖層203、柵極絕緣層205和層間絕緣層206進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為平坦化層209，在像素顯示區(qū)域減少了三層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的一種可選的實(shí)施方式，參考圖3和圖4，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的制造方法的流程示意圖，圖4為按圖3中制造方法制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。

步驟s301：在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層；

例如，在玻璃基板上先沉積一層ito(indiumtinoxides，銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜)膜層作為保護(hù)層。

步驟s302：在保護(hù)層整體覆蓋遮光層，對(duì)整體覆蓋的遮光層進(jìn)行刻蝕形成遮光層的圖案；

步驟s303：依次制作緩沖層、柵極絕緣層和層間絕緣層；

具體地，在遮光層上制作緩沖層，在緩沖層上形成薄膜晶體管的有源層，在有源層上制作柵極絕緣層，在柵極絕緣層上鋪設(shè)第一金屬層形成薄膜晶體管的柵極，最后在柵極上形成層間絕緣層。該部分具體工藝可采用現(xiàn)有技術(shù)中的工藝完成，此處不再詳述。

步驟s304：在制作完成層間絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

優(yōu)選地，可在挖槽的工藝中同時(shí)對(duì)層間絕緣層和柵極絕緣層制作過孔，以通過該過孔使薄膜晶體管的源漏極與有源層連接。

步驟s305：去除位于槽底的保護(hù)層；

步驟s306：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

其中，在制作平坦化層之間，先在上述過孔的位置處鋪設(shè)第二金屬層，以制作薄膜晶體管的源漏極；在第二金屬層上完成平坦化層的制作之后，依次制作公共電極、鈍化層以及像素電極。

圖4為按流程圖3制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。

陣列基板的基板401上設(shè)置有保護(hù)層414，陣列基板的遮光層413位于保護(hù)層414之上，用于遮擋薄膜晶體管的源漏極之間形成的溝道處背光，減少光生載流子，降低漏流，遮光層413與薄膜晶體管的有源層402之間設(shè)置有緩沖層403，有源層402與柵極404之間設(shè)置有柵極絕緣層405，在源漏極與柵極絕緣層405之間設(shè)置有層間絕緣層406，源極407和漏極408通過過孔的方式與有源層402連接，對(duì)層間絕緣層406、柵極絕緣層405和緩沖層403進(jìn)行挖槽后，去除位于槽底的保護(hù)層414，然后在層間絕緣層406之上設(shè)置平坦化層409，陣列基板的平坦化層409填充槽。

該實(shí)施例的陣列基板制造方法，首先在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層，制作時(shí)無需考慮保護(hù)層制作的區(qū)域和大小，工藝制程簡單；在完成層間絕緣層的制作后，對(duì)層間絕緣層和柵極絕緣層制作使源漏極與有源層連接的過孔時(shí)，同時(shí)在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽，挖槽后去除保護(hù)層，從而位于基板下的背光光線透過像素顯示區(qū)域的陣列基板時(shí)，減少了層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層的膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好。

進(jìn)一步的，在另一種實(shí)施例中，與上述圖3所示實(shí)施例的區(qū)別在于，該實(shí)施例提供的陣列基板可以在制作保護(hù)層之前制作遮光層，與上述圖3所示實(shí)施例的相同之處可相互參考，不同之處請(qǐng)對(duì)比圖5和圖6，圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的制造方法的流程示意圖，圖6為按圖5中制造方法制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。

步驟s501：在基板的板面整體覆蓋遮光層，并對(duì)整體覆蓋的遮光層進(jìn)行刻蝕形成遮光層的圖案；

步驟s502：通過模具在像素顯示區(qū)域的位置制作保護(hù)層；

步驟s503：依次制作緩沖層、柵極絕緣層和層間絕緣層；

步驟s504：在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

步驟s505：去除位于槽底的保護(hù)層；

步驟s506：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

圖6為按流程圖5制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。

陣列基板包括遮光層613，遮光層613位于基板601上，用于遮擋薄膜晶體管的源漏極之間形成的溝道處背光，減少光生載流子，降低漏流，保護(hù)層(保護(hù)層在挖槽后被去除)位于像素顯示區(qū)，遮光層613之上與薄膜晶體管的有源層602之間設(shè)置有緩沖層603，有源層602與柵極604之間設(shè)置有柵極絕緣層605，在源漏極與柵極絕緣層605之間設(shè)置有層間絕緣層606，源極607和漏極608通過過孔的方式與有源層602連接，層間絕緣層606之上設(shè)置有平坦化層609，在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層606、柵極絕緣層605和緩沖層603進(jìn)行挖槽后，去除位于槽底的保護(hù)層，然后在層間絕緣層606上制作平坦化層609，平坦化層609填充槽。

在形成遮光層的圖案的步驟之后，通過模具在像素顯示區(qū)域的位置制作保護(hù)層，節(jié)省保護(hù)層材料用量，降低材料成本；在像素顯示區(qū)域，對(duì)層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽，然后去除保護(hù)層，光線透過像素顯示區(qū)域的陣列基板時(shí)減少了層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層的膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好。

進(jìn)一步的，在另一種實(shí)施例中，與上述圖3所示實(shí)施例的區(qū)別在于，該實(shí)施例中的挖槽步驟設(shè)置于在制作完成柵極絕緣層后，與上述圖3實(shí)施例的相同之處可相互參考，不同之處請(qǐng)對(duì)比圖7，其中，采用該實(shí)施方式制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖參考圖4。

步驟s701：在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層；

步驟s702：在保護(hù)層整體覆蓋遮光層，對(duì)整體覆蓋的遮光層進(jìn)行刻蝕形成遮光層的圖案；

在制作緩沖層之前，在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層，制作時(shí)無需考慮保護(hù)層制作的區(qū)域和大小，工藝制程簡單。制作遮光層用于遮擋溝道處背光，減少光生載流子，降低漏流。

步驟s703：依次制作緩沖層和柵極絕緣層；

可選地，在制作緩沖層后，制作薄膜晶體管器件的源漏極和溝道，并對(duì)薄膜晶體的溝道進(jìn)行摻雜，對(duì)薄膜晶體的源漏極進(jìn)行摻雜形成n型源漏極，然后制作出柵極絕緣層和柵極，形成完整的薄膜晶體管器件。

步驟s704：在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

可選地，在設(shè)置第二金屬層搭接到遮光層的通孔的工藝的同時(shí)，在像素顯示區(qū)挖掉柵極絕緣層和緩沖層，該工藝制程完成后，陣列基板的截面示意圖如圖8所示，其中，基板401上覆蓋保護(hù)層414，遮光層413制作于保護(hù)層414之上，在像素顯示區(qū)域，刻蝕緩沖層403和柵極絕緣層405形成挖槽，柵極404位于柵極絕緣層405之上。

步驟s705：在柵極絕緣層上制作層間絕緣層，其中，層間絕緣層沉積在槽內(nèi)；

制作層間絕緣層，防止柵極和漏極短接。

步驟s706：去除槽內(nèi)沉積的層間絕緣層；

可選地，在源漏極上設(shè)置開孔的同時(shí)，在像素顯示區(qū)做層間絕緣層挖槽，該工藝制程完成后，陣列基板的截面示意圖如圖9所示，在圖8所示的柵極404之上形成層間絕緣層406，同時(shí)，槽內(nèi)沉積的層間絕緣層被去除。

步驟s707：去除位于槽底的保護(hù)層；

步驟s708：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

制作平坦化層并填充槽，起平坦化作用，對(duì)下面的薄膜晶體管形成的電場進(jìn)行屏蔽，避免影響上面的像素電容，完成平坦化層的制作后，制作像素電容的公共電極，制作鈍化層，隔絕公共電極與像素電極形成像素電容，最后制作像素電極。

在一種陣列基板制作工藝中，為了使遮光層同時(shí)具備導(dǎo)熱功能，可采用金屬材料制備遮光層，此時(shí)，會(huì)設(shè)置第二金屬層搭接到遮光層的通孔，使得遮光層與第二金屬層連接，進(jìn)而，一方面，使遮光層和第二金屬層之間形成等壓信號(hào)，避免二者之間因?yàn)殡妷翰畹拇嬖诙a(chǎn)生耦合作用，另一方面，有利于將第二金屬層的熱量傳導(dǎo)到遮光層，實(shí)現(xiàn)熱量的疏散?；诖?，可在設(shè)置第二金屬層搭接到遮光層的通孔的工藝的同時(shí)，在像素顯示區(qū)域預(yù)作柵極絕緣層和緩沖層的挖槽，然后在槽內(nèi)沉積層間絕緣層，然后在源漏極做開孔的工藝同時(shí)去除槽內(nèi)沉積的層間絕緣層，然后去除槽底的保護(hù)層，最后沉積平坦化層填充槽。該陣列基板的制造方法，在像素顯示區(qū)進(jìn)行兩次挖槽，但兩次挖槽工藝都與薄膜晶體管制作工藝中開孔工藝同時(shí)進(jìn)行，簡化了工藝制程。

進(jìn)一步的，在另一種實(shí)施例中，與上述圖7所示實(shí)施例的區(qū)別在于，該實(shí)施例中在制作保護(hù)層之前制作遮光層，與上述圖7所示實(shí)施例的相同之處可相互參考，不同之處請(qǐng)對(duì)比圖10，該實(shí)施方式制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)示意圖參考圖6，

步驟s901：在基板的板面整體覆蓋遮光層；對(duì)整體覆蓋的遮光層進(jìn)行刻蝕形成遮光層的圖案；

步驟s902：在形成遮光層的圖案的步驟之后，通過模具在像素顯示區(qū)域的位置制作保護(hù)層，在形成遮光層的圖案的步驟之后，通過模具在像素顯示區(qū)域的位置制作保護(hù)層，節(jié)省保護(hù)層材料用量，降低材料成本；

步驟s903：依次制作緩沖層和柵極絕緣層；

步驟s904：在制作完成柵極絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

步驟s905：在柵極絕緣層上制作層間絕緣層，其中，層間絕緣層沉積在槽內(nèi)；

步驟s906：去除槽內(nèi)沉積的層間絕緣層；

步驟s907：去除位于槽底的保護(hù)層；

步驟s908：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

陣列基板上設(shè)置有薄膜晶體管作為控制像素的開關(guān)，來實(shí)現(xiàn)液晶顯示面板的顯示功能。陣列基板像素顯示區(qū)域的另一種膜層結(jié)構(gòu)示意圖，如圖11示，在陣列基板的基板901之上設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管的柵極904與基板901之間設(shè)置有緩沖層903，在柵極904與薄膜晶體管的有源層902之間設(shè)置有柵極絕緣層905，有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908直接接觸導(dǎo)通，在有源層902、源極907和漏極908之上設(shè)置有平坦化層909。

或者，在另一種情況下，有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層，有源層902與源極907和漏極908通過在保護(hù)絕緣層上設(shè)置過孔連接。

進(jìn)一步的，在一些可選的實(shí)施方式中，陣列基板還包括設(shè)置于基板上的薄膜晶體管；第一絕緣層為位于薄膜晶體管的柵極與基板之間的緩沖層、位于柵極與薄膜晶體管的有源層之間的柵極絕緣層和/或位于有源層與薄膜晶體管的源漏極之間的保護(hù)絕緣層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，在像素顯示區(qū)域，對(duì)第一絕緣層挖槽包括多種情況，其中，

第一種情況，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的柵極與基板之間的緩沖層903，在這種情況中，在制作緩沖層903之前，在基板901上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)緩沖層903進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為柵極絕緣層905，在像素顯示區(qū)域減少了一層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第二種情況，第一絕緣層為位于柵極與薄膜晶體管的有源層之間的柵極絕緣,905，在這種情況中，在制作柵極絕緣層905之前，在緩沖層903之上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層905進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為保護(hù)絕緣層，在像素顯示區(qū)域減少了一層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第三種情況，僅當(dāng)有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層時(shí)，第一絕緣層為位于有源層與薄膜晶體管的源漏極之間的保護(hù)絕緣層，在這種情況中，在制作保護(hù)絕緣層之前，在柵極絕緣層905之上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)保護(hù)絕緣層進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為平坦化層909，在像素顯示區(qū)域減少了一層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第四種情況，僅當(dāng)有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層時(shí)，第一絕緣層為位于柵極與薄膜晶體管的有源層之間的柵極絕緣層905和位于有源層與薄膜晶體管的源漏極之間的保護(hù)絕緣層，在這種情況中，在制作柵極絕緣層905和保護(hù)絕緣層之前，在緩沖層903之上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層905和保護(hù)絕緣層進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為平坦化層909，在像素顯示區(qū)域減少了兩層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第五種情況，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的柵極與基板之間的緩沖層903和位于柵極與薄膜晶體管的有源層之間的柵極絕緣層905，在這種情況中，在基板上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，然后依次制作緩沖層903和柵極絕緣層905，在像素顯示區(qū)域，對(duì)緩沖層903和柵極絕緣層905進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為保護(hù)絕緣層，在像素顯示區(qū)域減少了兩層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好；

第六種情況，僅當(dāng)有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層時(shí)，第一絕緣層為位于薄膜晶體管的柵極與基板之間的緩沖層903、位于柵極與薄膜晶體管的有源層之間的柵極絕緣層905和位于有源層與薄膜晶體管的源漏極之間的保護(hù)絕緣層，在這種情況中，在制作緩沖層903、柵極絕緣層905和保護(hù)絕緣層之間，在基板上制作保護(hù)層，保護(hù)層至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域，在像素顯示區(qū)域，對(duì)緩沖層903、柵極絕緣層905和保護(hù)絕緣層進(jìn)行挖槽，槽的槽底位于保護(hù)層，去除位于槽底的保護(hù)層，然后制作第二絕緣層，第二絕緣層為平坦化層909，在像素顯示區(qū)域減少了三層膜層界面，提高了光線穿透率，同時(shí)保證了挖槽工藝中剩余膜層厚度的均一性，面板亮度均一性好。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的另一種可選的實(shí)施方式，參考圖12和圖13，圖12為本實(shí)施例提供的陣列基板制造方法的流程示意圖，圖13為按流程圖12造的陣列基板的膜層截面示意圖，

步驟s1101：在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層，

制作時(shí)無需考慮保護(hù)層制作的區(qū)域和大小，工藝制程簡單；

步驟s1102：依次制作緩沖層和柵極絕緣層；

其中，當(dāng)有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層時(shí)，在該步驟s1102中，制作柵極絕緣層后，還包括制作保護(hù)絕緣層；

步驟s1103：在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

當(dāng)有源層902與薄膜晶體管的源極907和漏極908之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層時(shí)，在該步驟s1103中，在像素顯示區(qū)域，對(duì)保護(hù)絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

步驟s1104：去除位于槽底的保護(hù)層；

步驟s1105：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

圖13為按流程圖12制造的陣列基板的膜層截面示意圖。在陣列基板的基板1201之上設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管的柵極1204與基板1201之間設(shè)置有緩沖層1203，其中薄膜晶體管柵極1204位于溝道底部起到了對(duì)背溝道遮光的作用，在柵極1204與薄膜晶體管的有源層1202之間設(shè)置有柵極絕緣層1205，在制作像素電極之前形成平坦化層1209。在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層1205和緩沖層1203進(jìn)行挖槽后，去除位于槽底的保護(hù)層1214，在陣列基板上制作平坦化層1209時(shí)，平坦化層1209填充槽。

進(jìn)一步的，在另一種實(shí)施例中，與上述圖12所示實(shí)施例的區(qū)別在于，該實(shí)施例中的挖槽步驟設(shè)置于在制作完成柵極絕緣層后，與上述圖12所示實(shí)施例的相同之處可相互參考，不同之處請(qǐng)對(duì)比圖14，采用該實(shí)施方式制造的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)圖可以參考圖13。

步驟s1401：在基板的板面整體覆蓋保護(hù)層，

制作時(shí)無需考慮保護(hù)層制作的區(qū)域和大小，工藝制程簡單；

步驟s1402：依次制作緩沖層和柵極絕緣層；

步驟s1403：在制作完成柵極絕緣層后，在像素顯示區(qū)域，對(duì)柵極絕緣層和緩沖層進(jìn)行挖槽；

當(dāng)有源層與薄膜晶體管的源極和漏極之間設(shè)置有保護(hù)絕緣層時(shí)，本實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法還包括步驟s1404：在柵極絕緣層上制作保護(hù)絕緣層，其中，保護(hù)絕緣層沉積在槽內(nèi)；

制作保護(hù)絕緣層步驟s1404之后還包括步驟s1405：去除槽內(nèi)沉積的保護(hù)絕緣層；

步驟s1406：去除位于槽底的保護(hù)層；

步驟s1407：制作陣列基板的平坦化層，其中，平坦化層填充槽。

該制造方法中的挖槽工藝可與薄膜晶體管制作工藝中開孔工藝同時(shí)進(jìn)行，簡化工藝制程。

進(jìn)一步的，在上述任一實(shí)施例所述的陣列基板的制造方法中，保護(hù)層為金屬膜，所述金屬膜為銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜。

保護(hù)層為銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，在采用刻蝕工藝對(duì)第一絕緣層進(jìn)行挖槽處理的過程中，刻蝕完第一絕緣層后，因?yàn)榭涛g銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜的速度明顯降低，該層作為刻蝕第一絕緣層的終點(diǎn)，可以對(duì)保護(hù)層下方的膜層起到保護(hù)作用，有效防止刻蝕后剩余膜層厚度的均一性惡化。

進(jìn)一步的，在一些可選的實(shí)施方式中，對(duì)第一絕緣層挖槽的步驟具體為：采用干刻的方式對(duì)第一絕緣層挖槽；

進(jìn)一步的，在一些可選的實(shí)施方式中，去除位于槽底的保護(hù)層的步驟具體為：采用濕刻的方式去除槽底的保護(hù)層。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板采用上述任一實(shí)施例所述的陣列基板制造方法制造而成。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，在像素顯示區(qū)域，膜層界面數(shù)量少，光線損耗少，因此光線透過率高，同時(shí)增加保護(hù)層的制造方法，保證了陣列基板膜層界面的均一性，陣列基板像素顯示區(qū)亮度均一性好。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種面板，該面板包括上述實(shí)施例所述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的面板，像素顯示區(qū)域光線透過率高且亮度均一性好。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述實(shí)施例所述的面板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，面板像素顯示區(qū)域光線透過率高且亮度均一性好。

通過上述實(shí)施例可知，本發(fā)明的陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，實(shí)現(xiàn)了如下的有益效果：

在制作第一絕緣層之前制作至少位于陣列基板的像素顯示區(qū)域的保護(hù)層，對(duì)第一絕緣層進(jìn)行挖槽工藝時(shí)，挖槽的槽底位于保護(hù)層，保護(hù)層作為挖槽的終點(diǎn)，對(duì)陣列基板起到保護(hù)作用，然后去除槽底的保護(hù)層，在像素顯示區(qū)域，光線透過率不受保護(hù)層影響，然后制作陣列基板的第二絕緣層時(shí)第二絕緣層填滿挖槽，該制造方法減少了陣列基板中像素顯示區(qū)膜層界面數(shù)量，膜層界面處光線損耗減少，光線穿透率高，同時(shí)該工藝過程不破壞像素顯示區(qū)域挖槽后剩余膜層厚度的均一性，光線透過陣列基板后在像素顯示區(qū)的亮度均一性好。

雖然已經(jīng)通過例子對(duì)本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。