本申請一般涉及顯示技術領域，尤其涉及陣列基板及包含其的顯示面板。

背景技術：

在顯示面板中通常包括多個像素，每一個像素通常包括像素電極。各像素電極的材料可以包括氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)。在制作顯示面板時，通常需要將涂覆在襯底基板上的包括氧化銦錫的膜層通過刻蝕工藝制作出獨立的各個像素電極。

在通過刻蝕工藝刻蝕包括氧化銦錫的膜層制作各個獨立的像素電極的過程中，有可能發(fā)生刻蝕不完全，發(fā)生刻蝕不完全的部分氧化銦錫會使得相鄰的兩個像素之間發(fā)生短路，引起不應發(fā)光的相鄰像素發(fā)光，從而造成顯示面板畫面顯示不良。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術存在的上述問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及包含其的顯示面板，以解決背景技術中所述的至少部分技術問題。

第一方面，本申請實施例提供了一種陣列基板，上述陣列基板包括襯底基板、設置在所述襯底基板之上的平坦化層以及設置在所述平坦化層之上的多個像素電極，

所述平坦化層中位于任意相鄰的兩個像素電極之間的位置處形成有凹槽，所述凹槽的深度小于所述平坦化層的厚度。

第二方面，本申請實施例提供了一種顯示面板，包括上述陣列基板；其中，所述像素電極為有機發(fā)光器件的陽極，所述陣列基板還包括設置于所述像素電極遠離所述襯底基板一側(cè)的陰極，以及位于所述陽極和陰極之間的有機發(fā)光層。

第三方面，本申請實施例提供了另一種顯示面板，包括上述陣列基板、對置基板以及設置在所述陣列基板與所述對置基板之間的液晶層。

本申請?zhí)峁┑年嚵谢寮鞍涞娘@示面板，通過在平坦化層中位于任意相鄰的兩個像素電極之間的位置處設置深度小于平坦化層厚度的凹槽，使得在凹槽側(cè)面形成的用于制作像素電極的膜層較在其他位置處形成的用于制作像素電極的膜層的厚度??；同時刻蝕藥液在凹槽中流動性較差，這樣，凹槽中的刻蝕藥液可以與和其接觸的用于制作像素電極的膜層充分反應，從而改善相鄰像素電極之間的用于制作像素電極的膜層由于與刻蝕液反應不完全導致的短路現(xiàn)象。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1為本申請實施例提供的一種陣列基板的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示陣列基板中沿虛線aa’截取到的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請實施例提供的一種陣列基板的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖2所示陣列基板中平坦化層的放大示意圖；

圖5為圖1所示陣列基板中沿虛線bb’截取到的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請實施例提供的另一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本申請實施例提供的另一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅用于解釋相關發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關發(fā)明相關的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本申請。

請結(jié)合圖1和圖2，圖1為本申請實施例提供的一陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1所示陣列基板中沿虛線aa’截取到的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實施例中，陣列基板100包括襯底基板101、設置在襯底基板101之上的平坦化層102，以及設置在平坦化層102之上的多個像素電極103。各個像素電極103包括過孔區(qū)。像素電極103可以通過設置在過孔區(qū)的過孔106與設置在陣列基板上的薄膜晶體管的源/漏電極105連接。

平坦化層102中位于任意相鄰的兩個像素電極103之間的位置處設置凹槽104(或104’)。凹槽104(或104’)的深度小于平坦化層102的厚度。

由于在平坦化層102中位于任意相鄰的兩個像素電極103之間的位置處設置凹槽104(或104’)，當在平坦化層102上使用物理氣相沉積法(physicalvapordeposition，pvd)形成用于制作像素電極103的膜層時，在凹槽104側(cè)面的位置處所形成的用于制作像素電極103的膜層的厚度比在其他位置處所形成的用于制作像素電極103的膜層的厚度薄。同時刻蝕藥液在凹槽中流動性較差，有利于與和其接觸的用于制作像素電極103的膜層充分反應，使得相鄰的像素電極103之間位置處的用于制作像素電極103的膜層材料在凹槽位置處更容易被完全刻蝕，進而使得相鄰的像素電極103可以完全斷開。

上述用于制作像素電極103的膜層的材料可以包括氧化銦錫。當包括上述陣列基板100的顯示面板為有機發(fā)光顯示面板時，上述用于制作像素電極103的膜層的材料還可以包括金屬，例如銀(ag)。

本實施例提供的陣列基板，通過在平坦化層中位于任意相鄰的兩個像素電極之間的位置處設置深度小于平坦化層厚度的凹槽，使得在凹槽側(cè)面形成的用于制作像素電極的膜層較在其他位置處形成的用于制作像素電極的膜層的厚度薄；同時刻蝕藥液在凹槽中流動性較差，這樣，凹槽中的刻蝕藥液可以與和其接觸的用于制作像素電極的膜層充分反應，從而改善相鄰像素電極之間的用于制作像素電極的膜層與刻蝕液反應不完全導致的短路現(xiàn)象。

在本實施例的一些可選實現(xiàn)方式中，如圖1所示，上述多個像素電極103沿第一方向x和第二方向y排布。其中，第一方向x和第二方向y互相垂直。

平坦化層102中位于沿第一方向x任意相鄰的兩個像素電極103之間的位置處設置凹槽104。凹槽104沿第二方向y延伸。

在一些應用場景中，各個像素電極103沿第二方向y的長度可以相等。在另外一些應用場景中，各個像素電極103沿第二方向y的長度可以不相等。

凹槽104沿第二方向y的長度h1可以大于等于與其相鄰的像素電極103沿第二方向y的長度h2。也即凹槽104沿第二方向y的長度h1可以大于等于與凹槽104相鄰的任意一個像素電極103沿第二方向y的長度h2。

在圖1所示應用場景中，相鄰兩列像素電極交錯排列，凹槽104沿第二方向y的長度h1大于與其相鄰的任意一個像素電極103沿第二方向y的長度h2。

在另外一些應用場景中，相鄰兩行像素電極可以交錯排列，凹槽104沿第二方向y的長度也可以等于上述像素電極103沿第二方向y的長度。

可選地，請參考圖3，圖3為本申請實施例提供的一種陣列基板的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，陣列基板100上的多個像素電極103沿第一方向x和第二方向y排布。平坦化層中位于沿第一方向x任意相鄰的兩個像素電極103之間的位置處設置凹槽104。凹槽104沿第二方向y延伸。平坦化層中位于沿第二方向y任意相鄰的兩個像素電極103之間的位置處設置凹槽104’。凹槽104’沿第一方向x延伸。

凹槽104沿第二方向y的長度h1’可以大于與其相鄰的像素電極數(shù)量較少的一列像素電極的長度h2’。

這樣，由于在第一方向x上相鄰的兩個像素電極之間的凹槽沿第二方向y的長度大于等于與其相鄰的任意一個像素電極沿第二方向y的長度，可以使用刻蝕工藝將位于在第一方向x上任意相鄰的兩個像素電極之間的用于制作像素電極的膜層完全斷開，從而使得在第一方向x上相鄰的任意兩個像素電極之間無短路現(xiàn)象發(fā)生。

在本實施例的一些可選實現(xiàn)方式中，如圖1所示，上述多個像素電極103沿第一方向x和第二方向y排布。其中，第一方向x和第二方向y互相垂直。

在一些應用場景中，各個像素電極103沿第一方向x的長度可以相等。在另外一些應用場景中，各個像素電極103沿第一方向x的長度可以不相等。

平坦化層102中位于沿第二方向y任意相鄰的兩個像素電極103之間的位置處設置凹槽104’。凹槽104’沿第一方向x延伸。

凹槽104’沿第一方向x的長度w1可以大于等于上述像素電極103沿第一方向x的長度w2。也即凹槽104’沿第一方向x的長度w1大于等于與凹槽104相鄰的任意一個凹槽沿第二方向y的長度。

在圖1所示應用場景中，相鄰兩列像素電極交錯排列，凹槽104’沿第一方向x的長度可以大于與其相鄰的任意一個像素電極103沿第一方向x的長度。

在另外一些應用場景中，相鄰兩行像素電極可以交錯排列，凹槽104’沿第一方向x的長度也可以等于與其相鄰的任意一個像素電極103沿第一方向x的長度。

這樣，由于在第二方向y上相鄰的兩個像素電極之間的凹槽104’沿第一方向x的長度大于等于與其相鄰的任意一個像素電極沿第一方向x的長度，可以使用刻蝕工藝將在第二方向y上任意相鄰的兩個像素電極之間的用于制作像素電極的膜層完全斷開，從而使得在第二方向y上相鄰的任意兩個像素電極之間無短路現(xiàn)象發(fā)生。

在本實施例的一些可選實現(xiàn)方式中，如圖2所示，凹槽104’的兩個側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板101的表面之間的夾角可以相等，例如均為θ。凹槽104’的側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板101的表面之間的夾角滿足θ：50°≤θ≤90°。凹槽104的兩個側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板101的表面之間的夾角也可以為θ。

夾角θ的值越大，在平坦化層102的凹槽104和凹槽104’的側(cè)面上形成的用于制作像素電極的膜層的厚度越小，且覆蓋性越差，越容易與刻蝕液充分反應從而斷開。

當凹槽104和凹槽104’的側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板101的表面之間的夾角θ設置在50°～90°時，在凹槽104和凹槽104’的側(cè)面上形成的用于制作像素電極的膜層的厚度遠小于在平坦化層其他位置處形成的用于制作像素電極的膜層的厚度，這樣比較容易使用刻蝕液將凹槽104和凹槽104’側(cè)面上形成的用于制作像素電極的膜層完全刻斷，從而可以進一步降低任意相鄰的兩個像素電極之間短路的發(fā)生概率。

在本實施例的一些可選實現(xiàn)方式中，請參考圖4，其示出了圖2所示平坦化層的放大示意圖。在本實施例中，在平坦化層102中形成的凹槽104’和凹槽104的深度可以相等。如圖4所示，凹槽104’的深度h3可以大于0.5微米，同時凹槽104’的深度h3可以小于平坦化層102的厚度h3’。

在形成凹槽104’和凹槽104時，可以配合凹槽104和凹槽104’的側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板的表面之間的夾角θ的大小來設置凹槽104和凹槽104’的深度h3。

當凹槽104和凹槽104’的側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板的表面之間的夾角θ較小時，凹槽104和凹槽104’的深度h3可以加深，以使凹槽104和凹槽104’中可以容納一定量刻蝕液來刻蝕形成在凹槽104和凹槽104’側(cè)面的用于制作像素電極的膜層，從而使得相鄰的像素電極之間無短路。

當凹槽104和凹槽104’的側(cè)面與平坦化層102靠近襯底基板的表面之間的夾角θ較大時，凹槽104和凹槽104’的深度可以減小，由于凹槽104和凹槽104’的側(cè)面與平坦化層靠近襯底基板的表面之間的夾角θ較大，較小深度的凹槽104和凹槽104’即可容納可以與形成在凹槽104和凹槽104’側(cè)面的用于制作像素電極的膜層充分反應的刻蝕液，從而使相鄰像素電極之間的用于制作像素電極的膜層完全斷開。

在本實施例的一些可選實現(xiàn)方式中，凹槽104和凹槽104’的寬度可以相等。如圖4所示，凹槽104’向襯底基板101的正投影的寬度w3小于1.5微米。

在陣列基板的制作工藝中，可以使用半色調(diào)掩膜版同時在平坦化層102中形成過孔106以及凹槽104或凹槽104’。此時凹槽104或凹槽104’的寬度可以小于相鄰兩個像素之間的間距。

此外，還可以使用灰階掩膜版同時在平坦化層中形成過孔106以及凹槽104和104’。

在灰階掩膜版上對應形成過孔106的位置處形成3μm×3μm的開孔；對應形成凹槽104和104’的位置處形成小于1.5μm寬的開孔。當掩膜版上開孔的寬度小于1.5μm時，部分光線無法穿過開孔，從而實現(xiàn)部分曝光。

可以在現(xiàn)有的制作過孔106的掩膜版上制作寬度小于1.5微米的微孔實現(xiàn)在平坦化層102中同時形成過孔106以及凹槽104和凹槽104’。相比使用半色調(diào)掩膜版來制作過孔及凹槽104和凹槽104’，使用灰階掩膜版可以節(jié)省制作成本。

請參考圖5，圖5為圖1所示陣列基板中沿虛線bb’截取到的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

陣列基板100還包括薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極(圖中未示出)、源/漏電極105。薄膜晶體管的源/漏電極105位于襯底基板101與平坦化層102之間。像素電極103通過過孔106與源/漏電極電連接。當包括圖1所示陣列基板100的顯示面板加電工作時，圖像顯示信號傳輸至薄膜晶體管的源電極，然后再由源電極傳輸?shù)铰╇姌O。再由漏電極將圖像顯示信號傳輸至像素電極從而使得顯示面板顯示圖像。

本領域技術人員可以明白，本申請的陣列基板中除了包括襯底基板、設置在襯底基板之上的平坦化以及設置在平坦化層之上的多個像素電極之外，還可以包括其它的一些公知的結(jié)構(gòu)，例如當包括陣列基板的顯示面板為液晶顯示面板時，陣列基板還可以包括公共電極以及公共電極與像素電極之間的絕緣層等等。為了不模糊本申請的重點，將不再對這些公知的結(jié)構(gòu)進行進一步的描述。

請繼續(xù)參考圖6，圖6為本申請實施例提供的另一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

與圖1和圖2所示陣列基板相同，本實施例提供的陣列基板200同樣包括襯底基板、設置在襯底基板之上的平坦化層以及設置在平坦化層之上的多個像素電極203。上述平坦化層中位于任意相鄰的兩個像素電極203之間的位置處設置凹槽。與圖1所示陣列基板100不同的是，上述多個像素電極203沿第一方向x和第二方向y呈陣列排布。

在本實施例中，上述凹槽包括第一凹槽204’和第二凹槽204。其中，第一凹槽204’沿多個像素電極203形成的陣列的行方向延伸，第二凹槽204沿多個像素電極203形成的陣列的列方向延伸。在一些應用場景中，第一方向x與多個像素電極203形成的陣列的行方向平行，第二方向y與多個像素電極203形成的陣列的列方向平行。

平坦化層中位于任意相鄰兩行像素電極203之間的位置處設置第一凹槽204’。

任意一個第一凹槽204’沿行方向(行方向平行于第一方向x)的長度w4大于或者等于與該第一凹槽204’相鄰的兩行像素電極203中包含較少像素電極的一行像素電極203沿行方向(行方向平行于第一方向x)的長度w5。其中，一行像素電極203沿上述行方向的長度為該行像素電極203中的第一個像素電極203與最后一個像素電極203之間的最大距離。

此外，平坦化層中位于任意相鄰兩列像素電極203之間的位置處設置第二凹槽204。

任意一個第二凹槽204沿列方向(列方向平行于第二方向y)的長度h4大于或者等于與該第二凹槽204相鄰的兩列像素電極203中包含較少像素電極203的一列像素電極203沿列方向(列方向平行于第二方向y)的長度h5。其中，一列像素電極203沿列方向的長度為該列像素電極203中第一個像素電極203與最后一個像素電極203之間的最大距離。

本實施例提供的陣列基板中，多個像素電極呈陣列排布，在任意相鄰兩行像素電極之間設置第一凹槽，在任意相鄰兩列之間設置第二凹槽，這樣不但可以利用第一凹槽使得在第二方向y上相鄰的任意兩個像素電極之間無短路現(xiàn)象，以及利用第二凹槽使得在第一方向x上相鄰的任意兩個像素電極之間無短路現(xiàn)象，同時還可以簡化用于制作凹槽的掩膜版的制作工藝，從而降低掩膜版的制作成本。

請繼續(xù)參考圖7，圖7為本申請實施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖7所示，本實施例提供的陣列基板300，與圖6所示陣列基板200相同，同樣包括襯底基板、設置在襯底基板之上的平坦化層以及設置在平坦化層之上的多個像素電極303。上述平坦化層中位于任意相鄰的兩行像素電極303之間的位置處設置第一凹槽304’。上述平坦化層中位于任意相鄰的兩列像素電極303之間的位置處設置第二凹槽304。與圖6所示陣列基板200不同的是，上述多個像素電極303沿第一方向x和第二方向y呈矩陣排布。

如圖7所示，任意一個第一凹槽304’沿行方向的長度大于任意一行像素電極的長度。在本實施例中，行方向與第一方向x平行。

任意一個第二凹槽304沿列方向的長度大于任意一列像素電極303的長度。在本實施例中，列方向與第二方向y平行。

本申請實施例提供的陣列基板，多個像素電極呈矩陣排布，在任意相鄰兩行像素電極之間設置第一凹槽，在任意相鄰兩列之間設置第二凹槽，在使用第一凹槽和第二凹槽使得任意相鄰的兩個像素電極之間無短路現(xiàn)象之外，凹槽圖形形成規(guī)則的網(wǎng)格狀，可以進一步簡化用于制作凹槽的掩膜版的制作工藝，從而降低掩膜版的制作成本。

請繼續(xù)參考圖8，圖8為本申請實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，顯示面板400為有機發(fā)光顯示面板。顯示面板400包括陣列基板401以及封裝基板408。陣列基板可以為圖1、圖3、圖6或圖7所示的陣列基板。

在本實施例中，有機發(fā)光顯示面板400可以包括顯示區(qū)aa，以及圍繞顯示區(qū)aa的非顯示區(qū)na。

在本實施例中，陣列基板401與封裝基板408以及設置在陣列基板401的非顯示區(qū)na和封裝基板408之間的封裝材料，該封裝材料將陣列基板形成密閉腔室。有機發(fā)光顯示面板400的顯示區(qū)aa位于上述密閉腔室中。

在顯示區(qū)aa，陣列基板401可以包括設置在襯底基板402之上的陣列層41、以及設置陣列層41遠離襯底基板402一側(cè)的有機發(fā)光器件42。

其中，陣列層41包括設置在襯底基板402一側(cè)的薄膜晶體管的源/漏電極403、設置在上述薄膜晶體管的源/漏電極403遠離襯底基板402一側(cè)的平坦化層404。此外，設置在陣列基板401中的薄膜晶體管還可以包括柵極(圖中未示出)，柵極可以設置于襯底基板402與薄膜晶體管的源/漏電極403之間；也可以設置在薄膜晶體管的源/漏電極403與平坦化層404之間，此處不做限定。

有機發(fā)光器件42包括設置在上述平坦化層404遠離襯底基板402一側(cè)的像素電極405，設置在上述像素電極405遠離襯底基板402一側(cè)的有機發(fā)光層406以及設置在有機發(fā)光層406遠離襯底基板402一側(cè)的陰極407。在圖8所示的顯示面板中，上述像素電極405可以為有機發(fā)光器件42的陽極。

當有機發(fā)光顯示面板400加電工作時，，圖像顯示信號可以在薄膜晶體管的柵極的控制下傳輸至薄膜晶體管的源電極，然后再由薄膜晶體管的源電極傳輸?shù)奖∧ぞw管的漏電極。再由薄膜晶體管的漏電極將圖像顯示信號傳輸至有機發(fā)光器件42的像素電極405。傳輸至像素電極405的圖像顯示信號驅(qū)動像素電極405產(chǎn)生空穴，同時，施加在陰極407上的信號驅(qū)動陰極407產(chǎn)生電子。由像素電極405產(chǎn)生的空穴和由陰極407產(chǎn)生的電子注入到有機發(fā)光層406中。注入到有機發(fā)光層406中的電子和空穴可以彼此結(jié)合以形成激子。有機發(fā)光器件42通過激子從激發(fā)態(tài)跌落至基態(tài)時所生成的能量來發(fā)光。

此外，有機發(fā)光器件42可以進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的一層或多層。

有機發(fā)光層406可以是紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層或藍色發(fā)光層。

有機發(fā)光層406還可以是單個白色發(fā)光層。有機發(fā)光層406可具有紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和/或藍色發(fā)光層的層疊結(jié)構(gòu)。當有機發(fā)光層406具有層疊結(jié)構(gòu)時，可包括濾色器(未示出)。

空穴注入層和/或空穴傳輸層可被設置在像素電極405與有機發(fā)光層406之間。電子注入層和/或電子傳輸層可被設置在陰極層63與有機發(fā)光層406之間。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中以頂發(fā)射為例進行說明，本發(fā)明實施例中的有機發(fā)光顯示面板還可以為底發(fā)射，對此本發(fā)明不做限定。

值得指出的是，顯示面板400不限于圖8所示的蓋板式封裝形式，還可以是其他封裝形式，例如薄膜封裝，即在有機發(fā)光器件42遠離襯底基板402的一側(cè)設置有薄膜封裝層，該薄膜封裝層覆蓋有機發(fā)光器件42，防止水氧對有機發(fā)光器件的侵蝕。

請繼續(xù)參考圖9，圖9為本申請實施例提供的另一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，顯示面板500為液晶顯示面板。顯示面板500包括陣列基板501、對置基板503以及設置在陣列基板501與對置基板503之間的液晶層502。其中陣列基板可以為圖1、圖3、圖6或圖7所示的陣列基板。

本領域技術人員可以明白，本實施例提供的液晶顯示面板500除了包括陣列基板、對置基板以及設置在陣列基板與對置基板之間的液晶層之外，還可以包括其它的一些公知的結(jié)構(gòu)，例如設置在陣列基板遠離對置基板一側(cè)的背光源等等。為了不模糊本申請的重點，將不再對這些公知的結(jié)構(gòu)進行進一步的描述。

圖8和圖9所示的顯示面板均可以應用于各種電子設備中，例如智能手機、平板電腦、電子書閱讀器、mp3播放器(movingpictureexpertsgroupaudiolayeriii，動態(tài)影像專家壓縮標準音頻層面3)、mp4(movingpictureexpertsgroupaudiolayeriv，動態(tài)影像專家壓縮標準音頻層面4)播放器、膝上型便攜計算機和臺式計算機等等。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明。本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案。