本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展，在存儲(chǔ)裝置方面已開(kāi)發(fā)出存取速度較快的快閃存儲(chǔ)器(flashmemory)?？扉W存儲(chǔ)器具有可多次進(jìn)行信息的存入、讀取和擦除等動(dòng)作，且存入的信息在斷電后也不會(huì)消失的特性，因此，快閃存儲(chǔ)器已成為個(gè)人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非易失性存儲(chǔ)器。而nand(與非門)快速存儲(chǔ)器由于具有大存儲(chǔ)容量和相對(duì)高的性能，廣泛用于讀/寫(xiě)要求較高的領(lǐng)域。近來(lái)，nand快速存儲(chǔ)器芯片的容量已經(jīng)達(dá)到2gb，并且尺寸迅速增加。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出基于nand快閃存儲(chǔ)器芯片的固態(tài)硬盤(pán)，并在便攜計(jì)算機(jī)中用作存儲(chǔ)設(shè)備。因此，近年來(lái)，nand快速存儲(chǔ)器廣泛用作嵌入式系統(tǒng)中的存儲(chǔ)設(shè)備，也用作個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)設(shè)備。

一般而言，nand快閃存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元區(qū)(cell)、高壓區(qū)域、低壓區(qū)域，而對(duì)于高壓區(qū)域，在柵極介電層和控制柵之間形成有多晶硅蓋層，以作為后續(xù)刻蝕柵極介電層時(shí)的，但是由于多晶硅蓋層和控制柵之間容易形成界面層，如圖1中100所示，比如二氧化硅，這對(duì)于nand快速存儲(chǔ)器的高壓區(qū)域而言容易導(dǎo)致擦除狀態(tài)失敗。

因此，有必要提出一種新的制作方法，以解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不 意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體器件的制造方法，可以避免在多晶硅蓋層和控制之間形成界面層，防止快速存儲(chǔ)器器件的高壓區(qū)域由于界面層而導(dǎo)致擦除狀態(tài)失敗。

為了克服目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括下述步驟：s1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有隧穿介電層、浮柵和柵極介電層；s2：在所述柵極介電層上形成多晶硅蓋層；s3：在所述多晶硅蓋層和所述柵極介電層中形成溝槽；s4：對(duì)所述多晶硅蓋層的表面和所述溝槽底部露出的浮柵的表面進(jìn)行處理，以使所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部露出的浮柵的表面的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榉?；s5：去除所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部的浮柵的表面的氟化物；s6：形成覆蓋所述多晶硅蓋層以及所述溝槽的控制柵。

進(jìn)一步地，在所述步驟s4中，使用氟化銨對(duì)所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部露出的浮柵表面進(jìn)行處理，以使所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部浮柵的表面的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榉铩?/p>

進(jìn)一步地在所述步驟s5中，通過(guò)執(zhí)行熱處理來(lái)去除所述氟化物，以使所述氟化物由固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)并被抽走。

進(jìn)一步地，所述步驟s4和s5通過(guò)執(zhí)行siconi清洗工藝完成。

進(jìn)一步地，在所述步驟s4之前還包括預(yù)清洗步驟，以去除所述多晶硅蓋層的表面和所述溝槽底部露出的浮柵的表面的殘余物。

本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法可以避免在多晶硅蓋層和控制之間形成界面層，防止快速存儲(chǔ)器器件的高壓區(qū)域由于界面層而導(dǎo)致擦除狀態(tài)失敗。

本發(fā)明另一方面提供一種采用上述方法制作的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有隧穿介電層、浮柵、柵極介電層、多晶硅蓋層和控制柵，以及位于所述柵極介電層中的溝槽，所述控制柵覆蓋所述多晶硅蓋層和所述溝槽。

本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件在多晶硅蓋層和控制之間不存在界面層，因而防止快速存儲(chǔ)器器件的高壓區(qū)域由于界面層而導(dǎo)致擦除狀態(tài)失敗的問(wèn)題。

本發(fā)明再一方面提供一種電子裝置，其包括一種半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件。

本發(fā)明提出的電子裝置，由于具有上述半導(dǎo)體器件，因而具有類似的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1示出了在多晶硅蓋層和控制柵之間存在界面層的現(xiàn)有器件的；

圖2a～圖2g示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制作方法依次實(shí)施各步驟所獲得半導(dǎo)體器件的剖面示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制作方法的步驟流程圖；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在…上”、“與…相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接到” 或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”和“在…下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了解決前述問(wèn)題，即，防止在nand器件的高壓區(qū)域中，在多晶硅蓋層和控制柵之間形成界面層，而導(dǎo)致擦除狀態(tài)失敗，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括下述步驟：s1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有隧穿介電層、浮柵和柵極介電層；s2：在所述柵極介電層上形成多晶硅蓋層；s3：在所述多晶硅蓋層和所述柵極介電層中形成溝槽；s4：對(duì)所述多晶硅蓋層的表面和所述溝槽底部露出的浮柵的表面進(jìn)行處理，以使所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部露出的浮柵的表面的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榉?；s5：去除所述多 晶硅蓋層和所述溝槽底部的浮柵的表面的氟化物；s6：形成覆蓋所述多晶硅蓋層以及所述溝槽的控制柵本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，在形成多晶硅蓋層之后，對(duì)所述多晶硅蓋層的表面和所述溝槽底部浮柵的表面進(jìn)行處理，使所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部的浮柵的表面的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榉铮㈦S后去除該氟化物，這樣由于多晶硅蓋層的表面和所述溝槽底部浮柵的表面的氧化物被去除，因而在后續(xù)形成所述多晶硅蓋層以及所述溝槽的控制柵后，在多晶硅蓋層和控制柵之間不會(huì)存在諸如氧化層的界面層，從而避免由于界面層存在導(dǎo)致的諸如擦除狀態(tài)失敗的問(wèn)題。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)及步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例一

下面將參照?qǐng)D2a～圖2g以及圖3對(duì)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制作方法做詳細(xì)描述。

首先，執(zhí)行步驟301：提供半導(dǎo)體襯底201，在所述半導(dǎo)體襯底上201形成有隧穿介電層202、浮柵203和柵極介電層204，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2a所示。

其中，半導(dǎo)體襯底201可以是以下所提到的材料中的至少一種：si、ge、sige、sic、sigec、inas、gaas、inp或者其它iii/v化合物半導(dǎo)體，還包括這些半導(dǎo)體構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)等或者為絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。半導(dǎo)體襯底上可以形成有器件，例如nmos和/或pmos等。同樣，半導(dǎo)體襯底中還可以形成有導(dǎo)電構(gòu)件，導(dǎo)電構(gòu)件可以是晶體管的柵極、源極或漏極，也可以是與晶體管電連接的金屬互連結(jié)構(gòu)，等等。此外，在半導(dǎo)體襯底中還可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(locos)隔離結(jié)構(gòu)作為示例，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底201的構(gòu)成材料選用單晶，其厚度為1000～2000nm。

隧穿介電層202用作絕緣層，比如用作柵極氧化層，隧穿介電層202可以采用各種合適的材料，示例性地，在本實(shí)施例中，隧穿介電層202用二氧化硅，其厚度為隧穿介電層202可以通過(guò)本領(lǐng)域常用的pvd、cvd、ald以及熱成型工藝等工藝形成，示例性，在本實(shí)施例中，通過(guò)熱氧化法形成二氧化硅作為所述隧穿介電層202。

浮柵203的材料采用比如多晶硅，其通過(guò)本領(lǐng)域常用的pvd、cvd、ald形成。示例性地，在本實(shí)施例中通過(guò)cvd方法形成浮柵203，其厚度為

柵極介電層204可以選用各種合適的介電材料，示例性在本實(shí)施例中，為了提高各層之間的界面性能，并具有高的介電常數(shù)，柵極介電層204采用ono結(jié)構(gòu)，即氧化層/氮化層/氧化層結(jié)構(gòu)，其中第一層氧化層即位于浮柵203之上的氧化層，可以通過(guò)熱氧化法形成，氧第一層氧化層之上的氮化層，比如氮化硅，可以通過(guò)諸如pvd、cvd、ald等工藝形成，而第二次氧化層可以通過(guò)諸如pvd、cvd、ald以及熱氧化工藝形成，這些工藝是本領(lǐng)域常用工藝，在此將不對(duì)其具體操作進(jìn)行詳細(xì)描述。

接著，執(zhí)行步驟302，在所述柵極介電層204上形成多晶硅蓋層205，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2b所示。

如圖2b所示，在柵極介電層204上，即在ono層204上形成多晶硅蓋層205，該多晶硅蓋層205可以作為后續(xù)ono刻蝕的阻擋層。示例性地。在本實(shí)施例中，通過(guò)cvd工藝形成所述多晶硅蓋層205，其厚度為

接著，執(zhí)行步驟303，在所述多晶硅蓋層205和所述柵極介電層204中形成溝槽206，所述溝槽206暴露所述浮柵203，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2c所示。

示例性，在本實(shí)施例中，通過(guò)合適的光刻以及刻蝕工藝在所述多晶硅蓋層205和所述柵極介電層204中形成溝槽206，所述溝槽206暴露所述浮柵203，以便在器件的高壓區(qū)域可以實(shí)現(xiàn)各種mos晶體管的功能。所述蝕刻工藝可以為濕法刻蝕工藝或干法蝕刻工藝，干法 蝕刻工藝包括但不限于：反應(yīng)離子蝕刻(rie)、離子束蝕刻、等離子體蝕刻或者激光切割。所述干法蝕刻的源氣體可以包括cf4、chf3或其他碳氟化合物氣體。

示例性，在本實(shí)施中，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述多晶硅蓋層205和所述柵極介電層204，且作為示例，在本實(shí)施例中，所述蝕刻為干法蝕刻，所述干法蝕刻的工藝參數(shù)包括：蝕刻氣體包含cf4、chf3等氣體，其流量分別為50sccm～500sccm、10sccm～100sccm，壓力為2mtorr～50mtorr，其中，sccm代表立方厘米/分鐘，mtorr代表毫毫米汞柱。

進(jìn)一步，由于在步驟302中形成多晶硅蓋層205之后，以及在步驟103中，由于環(huán)境存在氧，而使得多晶硅蓋層，甚至溝槽206底部的浮柵表面形成氧化層207，比如二氧化硅，這樣如果在步驟103之后直接控制柵，則會(huì)如圖2d所示，在多晶硅蓋層205和控制柵208之間存在介電層207，這樣會(huì)導(dǎo)致器件的高壓區(qū)域出現(xiàn)問(wèn)題，例如擦除狀態(tài)失敗。因此，在本實(shí)施例中，為了避免出現(xiàn)這種情況，在執(zhí)行完步驟303之后，并未直接形成控制柵，而是先對(duì)氧化層207進(jìn)行處理，這將在下文描述。

可以理解的是，溝槽206不必在器件的所有區(qū)域形成，例如對(duì)于nand器件而言，溝槽206僅在器件的高壓區(qū)域和低壓區(qū)域形成，而在器件的存儲(chǔ)單元區(qū)域是沒(méi)有形成的。當(dāng)然，在其他器件中，也可能根據(jù)具體情形做出改變。

接著，執(zhí)行步驟304，對(duì)所述多晶硅蓋層205的表面和所述溝槽206底部露出的浮柵203的表面進(jìn)行處理，以使所述多晶硅蓋層205和所述溝槽底部露出的浮柵203的表面的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榉?，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2e所示。

示例性，在本實(shí)施例中，使用氟化銨(nh4f)處理所述氧化層207，以是氧化層207轉(zhuǎn)變?yōu)榉飳?09。具體反映過(guò)程為：nh4f+sio2→(nh4)2sif6(solid)+h2o。示例性，在本實(shí)施例中，反映溫度為10℃至50℃。

接著，執(zhí)行步驟305，去除所述多晶硅蓋層205和所述溝槽206底部露出的浮柵203的表面的氟化物，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2f所示。

由于氟化物，比如(nh4)2sif6為易揮發(fā)固體，通過(guò)加熱即可使其由固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，從而被抽氣裝置抽取反應(yīng)腔室。示例性地，在本實(shí)施例中，通過(guò)退火工藝來(lái)去除氟化物層209，退火溫度為100℃～300℃，退火時(shí)間為1分鐘至30分鐘。

可以理解的是，步驟304和步驟305可以分別各自完成，也可以使用siconi清洗工藝在同一腔室中完成。siconi工藝主要包括兩個(gè)步驟：nf3/nh3遠(yuǎn)程電漿刻蝕和原位退火，這兩步都在同一腔室體內(nèi)完成。在刻蝕過(guò)程中，晶圓被放置在溫度被嚴(yán)格控制在35℃的底座上，低功率的電漿將nf3和nh3轉(zhuǎn)變成氟化氨(nh4f)和二氟化氨。氟化物在晶圓表面冷凝，并優(yōu)先與氧化物反應(yīng)，形成六氟硅氨((nh4)2sif6)。這種硅酸鹽可以在70℃以上的環(huán)境中升華。原位退火過(guò)程中，晶圓片被移動(dòng)到靠近加熱部件的位置，流動(dòng)的氫氣將熱量帶到晶圓片上，晶圓片在很短的時(shí)間內(nèi)被加熱到100℃以上，使六氟硅氨分解為氣態(tài)的sif4，nh3和hf，并被抽去。

還可以理解的是，在步驟104之前還包括預(yù)清洗工藝，以去除氧化層和浮柵表面的殘余物，以便更好地執(zhí)行后續(xù)工藝。

最后，執(zhí)行步驟306，形成覆蓋所述多晶硅蓋層205以及所述溝槽203的控制柵208，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2g所示。

示例性，在本實(shí)施中，通過(guò)諸如pvd、cvd、ald等工藝形成所述多晶硅蓋層205以及所述溝槽203的多晶硅層，以作為控制柵。

可以理解的是，在本實(shí)施例中，當(dāng)完成該步驟后，多晶硅蓋層205和該步驟所形成的多晶硅層會(huì)融合，在后續(xù)中共同作為控制柵的電極材料層，附圖中僅是為了便于示出本發(fā)明的各步驟，所以多晶硅蓋層和本步驟中形成的多晶硅采用不同的表示方式。

至此，完成了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法實(shí)施的工藝步驟，可以理解的是，本實(shí)施例半導(dǎo)體器件制作方法不僅包括上述步驟，在上述步驟之前、之中或之后還可包括其他需要的步驟，其都包括在本實(shí)施制作方法的范圍內(nèi)。

實(shí)施例二

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，如圖4所示，半導(dǎo)體器件400包括：半導(dǎo)體襯底401，在所述半導(dǎo)體襯底401上依次形成有隧穿介電層402、浮柵403、柵極介電層404、多晶硅蓋層405和控制柵407，以及位于所述柵極介電層405中的溝槽406，所述控制柵407覆蓋所述多晶硅蓋層405和所述溝槽406。

其中半導(dǎo)體襯底401可以是以下所提到的材料中的至少一種：si、ge、sige、sic、sigec、inas、gaas、inp或者其它iii/v化合物半導(dǎo)體，還包括這些半導(dǎo)體構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)等或者為絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。半導(dǎo)體襯底上可以形成有器件，例如nmos和/或pmos等。同樣，半導(dǎo)體襯底中還可以形成有導(dǎo)電構(gòu)件，導(dǎo)電構(gòu)件可以是晶體管的柵極、源極或漏極，也可以是與晶體管電連接的金屬互連結(jié)構(gòu)，等等。此外，在半導(dǎo)體襯底中還可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(locos)隔離結(jié)構(gòu)作為示例。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底401的構(gòu)成材料選用單晶硅。

隧穿介電層402用作絕緣層，比如用作柵極氧化層，隧穿介電層202可以采用各種合適的材料，示例性地，在本實(shí)施例中，隧穿介電層202用二氧化硅，其厚度為隧穿介電層402可以通過(guò)本領(lǐng)域常用的pvd、cvd、ald以及熱成型工藝等工藝形成，示例性，在本實(shí)施例中，通過(guò)熱氧化法形成二氧化硅作為所述隧穿介電層202。

浮柵403的材料采用比如多晶硅，其通過(guò)本領(lǐng)域常用的pvd、cvd、ald形成。示例性地，在本實(shí)施例中通過(guò)cvd方法形成浮柵203，其厚度為

柵極介電層404可以選用各種合適的介電材料，示例性在本實(shí)施例中，為了提高各層之間的界面性能，并具有高的介電常數(shù)，柵極介電層404采用ono結(jié)構(gòu)，即氧化層/氮化層/氧化層結(jié)構(gòu)，其中第一層氧化層即位于浮柵403之上的氧化層，可以通過(guò)熱氧化法形成，氧第一層氧化層之上的氮化層，比如氮化硅，可以通過(guò)諸如pvd、cvd、 ald等工藝形成，而第二次氧化層可以通過(guò)諸如pvd、cvd、ald以及熱氧化工藝形成，這些工藝是本領(lǐng)域常用工藝，在此將不對(duì)其具體操作進(jìn)行詳細(xì)描述。

多晶硅蓋層405、溝槽406以及控制柵407通過(guò)本領(lǐng)域常用方法形成，在此不再贅述。

可以理解的是，在本實(shí)施例中，多晶硅蓋層405和控制柵407會(huì)融合，在后續(xù)中共同作為控制柵的電極材料層，附圖中僅是為了便于示出各器件層，所以多晶硅蓋層405和控制柵407采用不同的表示方式。

實(shí)施例三

本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例提供一種電子裝置，包括上述半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連的電子組件。其中，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有隧穿介電層、浮柵、柵極介電層、多晶硅蓋層和控制柵，以及位于所述柵極介電層中的溝槽，所述控制柵覆蓋所述多晶硅蓋層和所述溝槽。

其中，該電子組件，可以為分立器件、集成電路等任何電子組件。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、vcd、dvd、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括該半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。

本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。