技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置，該制作方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有隧穿介電層、浮柵和柵極介電層；在所述柵極介電層上形成多晶硅蓋層；在所述多晶硅蓋層和所述柵極介電層中形成溝槽；對(duì)所述多晶硅蓋層的表面和所述溝槽底部露出的浮柵的表面進(jìn)行處理，以使所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部露出的浮柵的表面的氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榉?；去除所述多晶硅蓋層和所述溝槽底部的浮柵的表面的氟化物；形成覆蓋所述多晶硅蓋層以及所述溝槽的控制柵。該方法可以避免在多晶硅蓋層和控制之間形成界面層，防止快速存儲(chǔ)器器件的高壓區(qū)域由于界面層而導(dǎo)致擦除狀態(tài)失敗。該半導(dǎo)體器件和電子裝置具有較高的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：林靜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.11
技術(shù)公布日：2017.07.21