技術(shù)編號：11692151
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子裝置。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展，在存儲裝置方面已開發(fā)出存取速度較快的快閃存儲器(flashmemory)?？扉W存儲器具有可多次進(jìn)行信息的存入、讀取和擦除等動作，且存入的信息在斷電后也不會消失的特性，因此，快閃存儲器已成為個人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非易失性存儲器。而NAND(與非門)快速存儲器由于具有大存儲容量和相對高的性能，廣泛用于讀/寫要求較高的領(lǐng)域。近來，NAND快速存儲器芯片的容量已經(jīng)達(dá)到2GB，并且尺寸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。