所描述的技術(shù)涉及一種液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

被最廣泛使用的平板顯示器中的一種是液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包括具有場產(chǎn)生電極(諸如像素電極和公共電極)的兩個(gè)基板以及插設(shè)在這兩個(gè)基板之間的液晶層。液晶層包括液晶分子。透射的光的量通過確定液晶層的液晶分子的配向(alignment)來控制。液晶分子的配向通過施加電壓到場產(chǎn)生電極來確定以顯示圖像。

液晶顯示裝置包括兩片顯示面板。顯示面板包括薄膜晶體管陣列面板和相對顯示面板。顯示面板還包括傳輸柵信號的柵線和傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線。柵線和數(shù)據(jù)線形成為彼此交叉。顯示面板還包括形成在薄膜晶體管陣列面板上的與柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極等。光阻擋構(gòu)件、濾色器、公共電極等可以形成在相對顯示面板上?？蛇x地，光阻擋構(gòu)件、濾色器和公共電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板上。

由于液晶顯示裝置不是自發(fā)光的，所以需要光源。光源可以是單獨(dú)安裝的人造光源或自然光。人造光源需要光導(dǎo)板(lgp)以便使發(fā)射的光以均勻的亮度到達(dá)整個(gè)顯示面板。

通常，液晶顯示裝置包括背光組件。背光組件包括光源、光導(dǎo)和兩片顯示面板。因此，背光組件相對厚。背光組件由剛性材料形成。因此，會難以制造柔性的顯示裝置或彎曲的顯示裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種液晶顯示裝置。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種液晶顯示裝置，其可以具有減小的厚度以及柔性顯示裝置的簡化的制造工藝。

本發(fā)明的示范性實(shí)施方式提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括第一基板、第一偏振層、光源、第二基板、薄膜晶體管、像素電極和液晶層。第一基板包括上表面、下表面和至少一個(gè)側(cè)表面。第一偏振層提供在第一基板的上表面上。光源提供在第一基板的所述至少一個(gè)側(cè)表面上。第二基板包括上表面和下表面。薄膜晶體管提供在第二基板的下表面上。像素電極電連接到薄膜晶體管。液晶層提供在第一基板和第二基板之間。

第一偏振層可以包括線柵偏振圖案。

線柵偏振圖案可以包括金屬材料。

液晶顯示裝置還可以包括公共電極。公共電極可以提供在第一偏振層上。

液晶顯示裝置還可以包括第二偏振層。第二偏振層可以提供在第二基板的上表面上。

第二偏振層可以包括偏振膜。

本發(fā)明的示范性實(shí)施方式提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括第一基板、第一偏振層、光源、第二基板、薄膜晶體管和像素電極。第一偏振層提供在第一基板上。光源可以提供在第一基板上。薄膜晶體管提供在第二基板的下表面上。像素電極提供在第二基板的下表面上。像素電極電連接到薄膜晶體管。

液晶顯示裝置還可以包括濾色器。濾色器可以提供在薄膜晶體管和像素電極之間。

液晶顯示裝置還可以包括光阻擋構(gòu)件。光阻擋構(gòu)件可以提供在像素電極下面。光阻擋構(gòu)件可以交疊薄膜晶體管的至少一部分。

薄膜晶體管可以包括柵電極、半導(dǎo)體、源電極和漏電極。柵電極可以提供在第二基板的下表面上。半導(dǎo)體可以提供在柵電極下面。源電極和漏電極可以提供在半導(dǎo)體下面。柵電極可以包括低反射金屬材料。

柵電極可以包括鉻、鉬和鈦中的至少一種。

第一基板的厚度可以對應(yīng)于第二基板的厚度。

第一基板的厚度可以與第二基板的厚度不同。

本發(fā)明的示范性實(shí)施方式提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括第一基板、第一偏振層、光源、第二基板、薄膜晶體管和低折射層。第一基板包括上表面、下表面和至少一個(gè)側(cè)表面。第一偏振層提供在第一基板的上表面上。光源可以提供在第一基板的至少一個(gè)側(cè)表面上。第二基板包括上表面和下表面。薄膜晶體管提供在第二基板的下表面上。像素電極電連接到薄膜晶體管。低折射層提供在第一基板和第一偏振層之間。

低折射層的折射率可以低于第一基板的折射率。

液晶顯示裝置還可以包括突出圖案。突出圖案可以提供在低折射層和第一偏振層之間。

突出圖案的截面形狀可以為三角形或半圓形。

液晶顯示裝置還可以包括鈍化層。鈍化層可以提供在突出圖案上。

液晶顯示裝置還可以包括第二偏振層。第二偏振層可以提供在第二基板的下表面上。

第二偏振層可以包括線柵偏振圖案。

附圖說明

從以下結(jié)合附圖對示范性實(shí)施方式的描述，這些和/或其它的方面將變得明顯并更易于理解，附圖中：

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖5示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖；以及

圖6示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的示范性實(shí)施方式將在下面參照附圖更充分地描述，附圖中示出本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。所描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式可以以各種不同的方式實(shí)施，而都沒有脫離本發(fā)明的精神或范圍。

為了清楚地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，與描述無關(guān)的部分被省略，并且相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。

此外，附圖中示出的每個(gè)部件的尺寸和厚度被任意地示出以更好地理解和容易描述，然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，為了清楚起見，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被夸大。層、膜、面板、區(qū)域等的厚度在附圖中被放大以更好地理解和容易描述。

將理解，當(dāng)一元件諸如層、膜、區(qū)域或基板被稱為在另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可以直接在該另一個(gè)元件上或者也可以存在插入的元件。在整個(gè)本說明書中，詞語“在…上”表示位于目標(biāo)部分之上或之下，而在實(shí)質(zhì)上并不表示基于重力方向位于目標(biāo)部分的上側(cè)上。

此外，除非明確地描述為相反，否則詞語“包括”以及諸如“包含”或“含有”的變化將被理解為表示包括所述元件而不排除任何其它的元件。

此外，短語“在平面圖中(或平面內(nèi))”表示當(dāng)從上方觀看目標(biāo)部分時(shí)，并且短語“在截面圖中”表示當(dāng)垂直切割目標(biāo)部分獲得的截面從側(cè)面觀看時(shí)。

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

參照圖1，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100可以包括第一基板110。第一顯示面板100還可以包括第一偏振層12。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。

第一基板110可以包括透明的玻璃或塑料材料。第一基板110可以包括可彎曲或可折疊的材料。液晶顯示裝置可以配置為柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。

第一基板110可以包括上表面、下表面和側(cè)表面。第一基板110的上表面可以面對第二顯示面板200。

第一偏振層12可以提供在第一基板110的上表面上。第一偏振層12可以包括第一線柵偏振圖案115。第一線柵偏振圖案115可以表示使具有一波長的可見光線偏振的圖案。該波長可以為約400nm至800nm。第一線柵偏振圖案115可以為平面形狀，其中線性圖案以規(guī)則的間隔周期性地設(shè)置。線性圖案可以具有約100nm至約200nm的寬度。第一線柵偏振圖案115可以包括金屬材料。例如，第一線柵偏振圖案115可以包括鋁(al)、鈦(ti)、鉻(cr)、銀(ag)、金(au)、鎳(ni)或其合金。金屬材料可以被沉積以產(chǎn)生薄膜。該薄膜可以根據(jù)光刻和蝕刻工藝圖案化以產(chǎn)生第一線柵偏振圖案115。

第一顯示面板100還可以包括光源500。光源500可以提供在第一基板110的側(cè)表面上。光源500可以配置有發(fā)光二極管(led)和冷陰極熒光燈。光源500可以提供在第一基板110的任一個(gè)側(cè)表面或兩個(gè)側(cè)表面上。

光源500的發(fā)光方向可以設(shè)置為朝向第一基板110的側(cè)表面。由光源500提供的光可以輸入到第一基板110中并可以穿過第一基板110的上表面離開。提供到第一基板110的一個(gè)側(cè)表面的光可以通過全反射(totalreflection)到達(dá)相反的側(cè)表面、然后可以離開。第一基板110可以用作光導(dǎo)板用于由光源500提供的光。用作光導(dǎo)板的第一基板110可以允許由光源500提供的光均勻地穿過第一基板110的上表面。

公共電極270可以提供在第一基板110的上表面上。公共電極270可以提供在第一偏振層12上。公共電極270可以提供在第一基板110的全部上。預(yù)定的公共電壓可以施加到公共電極270。兩個(gè)電壓可以施加到公共電極270。

公共電極270可以包括透明的金屬氧化物，諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)。

絕緣層可以進(jìn)一步提供在第一偏振層12和公共電極270之間。絕緣層可以填充第一線柵偏振圖案115內(nèi)的區(qū)域。絕緣層還可以覆蓋第一線柵偏振圖案115。絕緣層還可以使第一偏振層12的上表面平坦。第一線柵偏振圖案115可以包括金屬材料。當(dāng)?shù)谝痪€柵偏振圖案115包括金屬材料并且絕緣層被省略時(shí)，第一線柵偏振圖案115可以與公共電極270導(dǎo)通。因此，可以減小公共電極270的電阻。

第二顯示面板200可以包括第二基板210、薄膜晶體管q和像素電極191。薄膜晶體管q可以提供在第二基板210和液晶層3之間。像素電極191可以連接到薄膜晶體管q。

第二基板210可以包括透明的玻璃或塑料材料。第二基板210可以包括可彎曲或可折疊的材料。當(dāng)?shù)诙?10包括可彎曲或可折疊的材料時(shí)，液晶顯示裝置可以配置為柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。第二基板210的厚度可以基本上等于第一基板110的厚度。

第二基板210可以包括上表面、下表面和側(cè)表面。第二基板210的下表面可以面對第一顯示面板100。具體地，第一基板110的上表面可以面對第二基板210的下表面。

薄膜晶體管q可以提供在第二基板210的下表面上。

薄膜晶體管q可以包括柵電極124、半導(dǎo)體154、源電極173和漏電極175。柵電極124可以提供在第二基板210的下表面上。半導(dǎo)體154可以提供在柵電極124下面。源電極173和漏電極175可以提供在半導(dǎo)體154下面。

柵電極124可以包括金屬材料，具體地，低反射金屬材料。例如，柵電極124可以包括鉻(cr)、鉬(mo)和鈦(ti)中的至少一種。因此，可以防止外部光被柵電極124反射并變得可見。

柵線可以進(jìn)一步提供在第二基板210的下表面上。柵電極124可以連接到柵線。柵電極124可以通過柵線接收柵信號。

柵絕緣層140可以提供在柵電極124下面。柵絕緣層140可以包括無機(jī)絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。柵絕緣層140可以配置為單層或多層。

半導(dǎo)體154可以提供在柵絕緣層140下面。半導(dǎo)體154可以交疊柵電極124。半導(dǎo)體154可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(poly-si)或金屬氧化物。

歐姆接觸163和165可以提供在半導(dǎo)體154下面。歐姆接觸163和165可以包括諸如硅化物或以高濃度用n型雜質(zhì)摻雜的n+氫化非晶硅的材料。當(dāng)半導(dǎo)體154包括金屬氧化物時(shí)，歐姆接觸163和165可以省略。

源電極173和漏電極175可以分別提供在歐姆接觸163和165下面。源電極173和漏電極175可以彼此分開。源電極173和漏電極175可以部分地交疊柵電極124。

數(shù)據(jù)線可以進(jìn)一步提供在歐姆接觸163和165下面。源電極173可以連接到數(shù)據(jù)線。源電極173可以通過數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)電壓。

柵電極124、源電極173和漏電極175可以與半導(dǎo)體154一起來配置薄膜晶體管q。薄膜晶體管q的溝道可以提供在半導(dǎo)體154中。薄膜晶體管q的溝道可以提供在源電極173和漏電極175之間。

第一鈍化層180a可以提供在源電極173、漏電極175和半導(dǎo)體154下面。第一鈍化層180a可以包括無機(jī)絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。

濾色器230可以提供在第一鈍化層180a下面。濾色器230可以透射原色(諸如紅色、綠色和藍(lán)色)的基本上所有的光。濾色器230還可以專門透射青色、品紅色、黃色或基于白色的顏色(而不限于三原色)的基本上所有的光。然而，濾色器230的實(shí)施方式不限于此。液晶顯示裝置可以包括多個(gè)像素。該多個(gè)像素可以設(shè)置成矩陣形式，包括像素列。對于各像素列可以設(shè)置不同的濾色器。

第二鈍化層180b可以提供在濾色器230下面。第二鈍化層180b可以包括有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料。第二鈍化層180b可以配置為單層或多層。

第一鈍化層180a、濾色器230和第二鈍化層180b可以包括接觸孔185。接觸孔185可以交疊漏電極175的至少一部分。

像素電極191可以提供在第二鈍化層180b下面。像素電極191還可以提供在接觸孔185中。像素電極191可以通過接觸孔185連接到漏電極175。因此，當(dāng)薄膜晶體管q導(dǎo)通時(shí)，漏電極175可以從源電極173接收數(shù)據(jù)電壓。像素電極191可以進(jìn)而從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓。電場可以在像素電極191和公共電極270之間產(chǎn)生。液晶層3的液晶分子310的排列方向可以被確定。穿過液晶層3的光的亮度可以根據(jù)液晶分子310的排列方向而變得不同。

像素電極191可以包括透明金屬氧化物，諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)。

光阻擋構(gòu)件220可以提供在像素電極191和第二鈍化層180b下面。光阻擋構(gòu)件220可以交疊薄膜晶體管q。光阻擋構(gòu)件220可以包括光阻擋材料。光阻擋材料可以防止光的泄漏。

光阻擋構(gòu)件220可以包括第一光阻擋構(gòu)件220a和第二光阻擋構(gòu)件220b。第二光阻擋構(gòu)件220b可以比第一光阻擋構(gòu)件220a厚。第二光阻擋構(gòu)件220b可以對應(yīng)于液晶層3的厚度。第二光阻擋構(gòu)件220b還可以用作用于保持單元間隙的間隔物。

第二偏振層22可以提供在第二基板210的上表面上。第二偏振層22可以由偏振膜形成。包括偏振膜的第二偏振層22可以附接到第二基板210。第二偏振層22的上表面可以用低反射表面處理來處理。因此，可以防止外部光被第二偏振層22反射并變得可見。

根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，由光源500提供的光可以穿過第一顯示面板100、液晶層3和第二顯示面板200。屏幕可以顯示在第二顯示面板200的上表面上。包括第一線柵偏振圖案115的第一偏振層12可以提供在第一顯示面板100中。薄膜晶體管q和像素電極191可以提供在第二顯示面板200中。

當(dāng)薄膜晶體管和像素電極提供在第一顯示面板上時(shí)，這可以看作比較示例。線柵偏振圖案、薄膜晶體管和像素電極提供在一個(gè)基板上。因此，當(dāng)缺陷在制造工藝期間在線柵偏振圖案中產(chǎn)生時(shí)，第一顯示面板被認(rèn)為是有缺陷的。這即使在薄膜晶體管或像素電極沒有缺陷時(shí)也發(fā)生。此外，當(dāng)缺陷產(chǎn)生到薄膜晶體管或像素電極時(shí)，第一顯示面板被認(rèn)為是有缺陷的。這即使在線柵偏振圖案沒有缺陷時(shí)也發(fā)生。因此，用于制造液晶顯示裝置的工藝的產(chǎn)率降低。

在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，通過將其上提供第一線柵偏振圖案115的第一顯示面板100和其上提供薄膜晶體管q和像素電極191的第二顯示面板200分開，可以提高產(chǎn)率。因此，當(dāng)?shù)谝痪€柵偏振圖案115產(chǎn)生缺陷而薄膜晶體管q和像素電極191沒有缺陷時(shí)，其上提供第一線柵偏振圖案115的第一顯示面板100會產(chǎn)生缺陷。因此，其上提供薄膜晶體管q和像素電極191的第二顯示面板200可以在制造工藝中被進(jìn)一步使用。

在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，薄膜晶體管q可以提供在第二基板210的下表面上。柵電極124可以提供在第二基板210下面。當(dāng)屏幕顯示在第二顯示面板200的上表面上時(shí)，輸入到柵電極124的外部光可以被反射并可以變得可見。因此，黑色像素可以由于反射光而可見為白色。在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，柵電極124可以包括低反射金屬材料。當(dāng)柵電極124包括低反射金屬材料時(shí)，柵電極124可以防止反射光變得可見。

在通常的液晶顯示裝置中，液晶層提供在第一顯示面板和第二顯示面板之間。額外的光導(dǎo)板被設(shè)置，并且光源設(shè)置在光導(dǎo)板的側(cè)面上。在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，通過將光源500設(shè)置在第一基板110的側(cè)表面上，光導(dǎo)板可以被省略。因此，可以簡化液晶顯示裝置的構(gòu)造，并可以減小液晶顯示裝置的重量和厚度。制造液晶顯示裝置的工藝也可以被簡化，并且制造柔性顯示裝置可以是可更容易獲得的。

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖2所示的根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的幾個(gè)方面類似于如參照圖1描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。因此，可以省略重復(fù)的說明。

參照圖2，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100可以包括第一基板110。第一顯示面板100還可以包括第一偏振層12。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。第一偏振層12可以包括第一線柵偏振圖案115。第二顯示面板200可以包括第二基板210、薄膜晶體管q和像素電極191。薄膜晶體管q可以提供在第二基板210下面。像素電極191可以連接到薄膜晶體管q。

根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，第二基板210的厚度可以與第一基板110的厚度不同。如圖1所示，第二基板210可以比第一基板110厚。如圖2所示，第一基板110可以比第二基板210厚。

第一基板110可以用作光導(dǎo)板用于由光源500提供的光。用作光導(dǎo)板的第一基板110可以允許由光源500提供的光均勻地穿過第一基板110的上表面。當(dāng)?shù)谝换?10相對薄時(shí)，會存在較少的光。因此，會期望第一基板110相對厚。例如，第一基板110可以為從約0.7mm至約1.0mm。

第二基板210可以相對薄。由于第二基板210形成得較薄，這可以有利于制造柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。例如，第二基板210可以為約0.5mm。

當(dāng)?shù)谝换?10和第二基板210相對薄時(shí)，由光源500提供的光的損失會增加。當(dāng)?shù)谝换?10和第二基板210相對厚時(shí)，會難以制造柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，用作光導(dǎo)板的第一基板110可以相對厚。第二基板210可以相對薄。因此，可以減少光的損失，并且制造柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置可以是可更容易獲得的。

圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖3所示的根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的幾個(gè)方面類似于如參照圖1描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。因此，可以省略重復(fù)的說明。

根據(jù)圖3，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100包括第一基板110、第一偏振層12和低折射層250。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。低折射層250可以提供在第一基板110和第一偏振層12之間。低折射層250可以提供在第一基板110上。第一偏振層12可以提供在低折射層250上。

低折射層250可以包括具有一折射率的材料。包括在低折射層250中的材料的折射率可以低于第一基板110的折射率。第一基板110的折射率可以大于約1.5且小于約2.0。在此情況下，低折射層250可以包括具有小于約1.0的折射率的材料。具有比第一基板110的折射率低的折射率的材料可以涂覆在第一基板110上?？梢赃M(jìn)行烘焙工藝以產(chǎn)生低折射層250。

由光源500提供的光可以輸入到第一基板110的側(cè)表面。由光源500提供的光可以被基本上完全反射到第一基板110中，并可以在其中運(yùn)動(dòng)。當(dāng)光從具有大折射率的介質(zhì)行進(jìn)到具有小折射率的介質(zhì)時(shí)，會發(fā)生全反射。在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，具有比第一基板110的折射率低的折射率的低折射層250可以提供在第一基板110上。因此，可以引起由光源500提供的光的基本上完全的反射。當(dāng)輸入到第一基板110的光的入射角小于全反射的閾值角度時(shí)，光可以穿過第一基板110。

當(dāng)在第一基板110中不發(fā)生基本上完全的反射時(shí)，由光源500提供的光的大部分會穿過第一基板110的部分區(qū)域。第一基板100的部分區(qū)域可以包括最靠近光源500的邊緣。因此，光不能被足夠地提供到遠(yuǎn)離光源500的部分。在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，低折射層250可以提供在第一基板110上，這可以在第一基板110中引起基本上完全的反射。因此，光可以被足夠地提供到遠(yuǎn)離光源500的部分。因此，可以提高離開第一基板110的上表面的光的均勻性。

圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的幾個(gè)方面類似于如參照圖3描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。因此，可以省略重復(fù)的說明。參照圖4，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100可以包括第一基板110、第一偏振層12、低折射層250和突出圖案260。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。低折射層250可以提供在第一基板110和第一偏振層12之間。突出圖案260可以提供在低折射層250和第一偏振層12之間。低折射層250可以提供在第一基板110上。突出圖案260可以提供在低折射層250上。第一偏振層12可以提供在突出圖案260上。

突出圖案260可以具有棱鏡形狀。突出圖案260的橫截面形狀可以為三角形。突出圖案260可以具有從低折射層250的上表面突出的形狀。穿過第一基板110和低折射層250的光可以穿過突出圖案260，這可以改變其行進(jìn)方向。光可以通過突出圖案260而在垂直于第一基板110的方向上行進(jìn)。因此，可以防止在相對于第一基板110傾斜的方向上行進(jìn)的光被損失或影響相鄰的像素而導(dǎo)致色移。因此，突出圖案260可以用作棱鏡片。

突出圖案260可以通過采用模子或光刻工藝產(chǎn)生。例如，材料層可以通過采用薄片(sheet)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和聚酰亞胺(pi)中的一種而形成在低折射層250上。模子可以提供在該材料層上。模子可以被擠壓以產(chǎn)生突出圖案260。可選地，材料層可以用丙烯酸、光致抗蝕劑或有機(jī)層形成在低折射層250上。該材料層可以通過光刻工藝被圖案化以產(chǎn)生突出圖案260。

第三鈍化層265可以提供在突出圖案260上。第三鈍化層265可以包括無機(jī)絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。第一偏振層12可以提供在第三鈍化層265上。

圖5示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖5所示的根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的幾個(gè)方面類似于如參照圖4描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。因此，可以省略重復(fù)的說明。參照圖5，突出圖案260可以提供在低折射層250和第一偏振層12之間。

突出圖案260可以具有半球形形狀。突出圖案260的橫截面形狀可以為半圓形。突出圖案260可以具有從低折射層250的上表面突出的形狀。

圖6示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖6所示的根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的幾個(gè)方面類似于如參照圖1描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式。因此，可以省略重復(fù)的說明。參照圖6，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第二顯示面板200可以包括第二基板210、薄膜晶體管q、像素電極191和第二偏振層22。薄膜晶體管q可以提供在第二基板210下面。像素電極191可以連接到薄膜晶體管q。第二偏振層22可以提供在第二基板210和薄膜晶體管q之間。第二偏振層22可以提供在第二基板210下面。薄膜晶體管q可以提供在第二偏振層22下面。

第二偏振層22可以包括第二線柵偏振圖案215。第二偏振層22的第二線柵偏振圖案215可以被產(chǎn)生以類似于第一偏振層12的第一線柵偏振圖案115。第二偏振層22的第二線柵偏振圖案215可以具有平面形狀，其中線性圖案以規(guī)則的間隔周期性地設(shè)置。線性圖案可以具有約100nm至約200nm的寬度。第二偏振層22的第二線柵偏振圖案215的形成可以與第一偏振層12的第一線柵偏振圖案115的形成不同。第二線柵偏振圖案215可以包括金屬材料。例如，第二線柵偏振圖案215可以包括鋁(al)、鈦(ti)、鉻(cr)、銀(ag)、金(au)、鎳(ni)或其合金。金屬材料可以被沉積以產(chǎn)生薄膜。該薄膜可以通過光刻和蝕刻工藝圖案化以產(chǎn)生第二線柵偏振圖案215。

絕緣層120可以提供在第二偏振層22和薄膜晶體管q之間。絕緣層120可以包括無機(jī)絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。絕緣層120可以防止包括金屬材料的第二偏振層22和薄膜晶體管q的柵電極124短路。柵電極124可以提供在絕緣層120下面。

盡管已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的示范性實(shí)施方式描述了本公開，但是將理解，本發(fā)明的示范性實(shí)施方式不限于此。如這里描述的本發(fā)明的示范性實(shí)施方式旨在覆蓋被包括在權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。

本申請要求于2016年3月24日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2016-0035378號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。