存儲器的存取方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器的存取方法，且特別是有關(guān)于一種存儲器的降低字線沖擊效應(yīng)(Row hammer effect)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]動態(tài)存儲器在特定的應(yīng)用狀況下，會發(fā)生其中特定的字線(word line)需要被重復(fù)開啟很多次的情況。在這樣的情況下，鄰近被重復(fù)開啟很多次的字線的字線上的記憶胞就可能因為串音(cross talk)或稱合(coupling)效應(yīng)而使所儲存的數(shù)據(jù)產(chǎn)生變異。上述的狀態(tài)被稱為字線沖擊效應(yīng)(Row hammer effect)。
[0003]具體來說明，請參照圖1繪示的動態(tài)存儲器產(chǎn)生字線沖擊效應(yīng)的示意圖。在當(dāng)字線WLA在被兩次鄰近的刷新動作間被重復(fù)的多次的被開啟，與字線WLA相鄰的字線WLB以及WLC會因為字線WLA的重復(fù)開啟動作而產(chǎn)生記憶胞中的數(shù)據(jù)發(fā)生變異的現(xiàn)象。其中，字線WLB以及WLC可以被稱為受侵害(victim)的字線，而字線WLA則可以被稱為侵害(aggressor)字線。
[0004]在習(xí)知的技術(shù)領(lǐng)域中，常通過額外的重刷新(refresh)動作來解決上述的字線沖擊效應(yīng)。這樣的作法在叢發(fā)式的重刷新動作是無法被實現(xiàn)的。另外，為配合所要進(jìn)行的額外的重刷新動作，通常需要針對動態(tài)存儲器的使用規(guī)格進(jìn)行變更，容易造成使用上的困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種存儲器裝置及存儲器的存取方法，用以有效減低動態(tài)隨機(jī)存取存儲器中發(fā)生字線沖擊所可能造成的影響。
[0006]本發(fā)明的存儲器的存取方法，包括:計算各字線地址的被存取次數(shù)；依據(jù)比較被存取次數(shù)與一臨界存取數(shù)以設(shè)定對應(yīng)的各字線地址為侵害字線地址；以及設(shè)定備用字線地址，并利用備用字線地址的記憶胞來取代侵害字線地址的記憶胞。
[0007]基于上述，本發(fā)明利用計算常用的字線的地址的被存取次數(shù)來判定字線的地址是否為侵害字線地址。并且，在當(dāng)字線的地址被判定為侵害字線地址時，利用備用字線地址的記憶胞來取代侵害字線地址的記憶胞。如此一來，因字線沖擊效應(yīng)所可能產(chǎn)生的數(shù)據(jù)錯誤的現(xiàn)象可以有效的被避免，提升存儲器儲存數(shù)據(jù)的可靠度。
[0008]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0009]圖1繪示的動態(tài)存儲器產(chǎn)生字線沖擊效應(yīng)的示意圖。
[0010]圖2繪示本發(fā)明一實施例的存儲器的存取方法的流程圖。
[0011]圖3繪示的備用字線地址與侵害字線地址的取代動作的示意圖。
[0012]圖4A繪示的本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)復(fù)制動作示意圖。
[0013]圖4B繪示的本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)復(fù)制動作波形圖。
[0014]圖4C繪示的本發(fā)明實施例的侵害字線地址的還原動作的示意圖。
[0015]圖5A以及圖5B繪示本發(fā)明另一實施例的存儲器的存取方法的流程圖。
[0016]圖6繪示本發(fā)明一實施例的存儲器裝置的示意圖。
[0017]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0018]S210 ?S230、S510 ?S590、S5100 ?S5120:存儲器存取步驟
[0019]WLA、WLB、WLC、WLBA、WLBB、WLBC:字線
[0020]410、420:感測放大器
[0021]T1?T4:時間點
[0022]BL、BLB:位元線
[0023]Td:延遲時間
[0024]600:存儲器裝置
[0025]610:存儲器控制器
[0026]620:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
[0027]622:字線解碼器
[0028]401,621:記憶胞陣列
【具體實施方式】
[0029]請參照圖2，圖2繪示本發(fā)明一實施例的存儲器的存取方法的流程圖。其中，本實施例為針對動態(tài)隨機(jī)存取存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)存取的方法流程，特別是關(guān)于DDR4(double-data-rate 4)規(guī)格的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的存取方法流程。在步驟S210中，在存儲器的運(yùn)作過程中，針對各字線地址被存取的次數(shù)進(jìn)行計算的動作。上述的存取的次數(shù)的計算動作可以在各字線地址的重刷新(re-fresh)動作被執(zhí)行后啟動，并且在當(dāng)各字線地址被啟動以進(jìn)行存取動作時，對應(yīng)各字線地址的被存取的次數(shù)的值可被遞增(例如增加1)。另外，當(dāng)對應(yīng)各字線地址的下一次的重刷新動作被執(zhí)行時，對應(yīng)各字線地址的被存取的次數(shù)的值則可以被重置(reset)為0。
[0030]在步驟S220中，則使各字線地址的被存取的次數(shù)來與臨界存取數(shù)進(jìn)行比較的動作，并依據(jù)比較的結(jié)果，來決定是否設(shè)定各字線地址為侵害字線地址。仔細(xì)來說明，當(dāng)各字線地址的被存取的次數(shù)大于臨界存取數(shù)時，表示這個字線地址的被存取次數(shù)已經(jīng)過高，并可能產(chǎn)生字線沖擊效應(yīng)來使鄰近的字線地址的記憶胞中的數(shù)據(jù)產(chǎn)生變異。因此，可將被存取次數(shù)大于臨界存取數(shù)的字線地址設(shè)定為侵害字線地址。
[0031]附帶一提的，上述的臨界存取數(shù)是預(yù)先設(shè)定的數(shù)值。其中，存儲器的設(shè)計者可以依據(jù)存儲器實際的工作狀態(tài)來設(shè)定臨界存取數(shù)的數(shù)值。
[0032]在步驟S230中，則設(shè)定備用字線地址，并利用備用字線地址與侵害字線地址進(jìn)行置換的動作，以使備用字線地址的記憶胞取代侵害字線地址的記憶胞以進(jìn)行數(shù)據(jù)存取的動作。在此，存儲器中可以預(yù)先設(shè)定部份的字線地址為一般的字線地址，并設(shè)定另一部分的字線地址以作為備用字線地址。并且，鄰近于被設(shè)定為備用字線地址的字線，都可被設(shè)定為閑置的字線。
[0033]在進(jìn)行備用字線地址與侵害字線地址的取代動作時，須先將侵害字線地址上的記憶胞所儲存的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存至備用字線地址的記憶胞中，再進(jìn)行備用字線地址取代侵害字線地址的取代動作。
[0034]在另一方面，若當(dāng)侵害字線地址發(fā)生重刷新動作后，表示侵害字線地址可以再被正常使用，因此，除了重置侵害字線地址對應(yīng)的被存取的次數(shù)的值外，還可進(jìn)行侵害字線地址的記憶胞取代備用字線地址的記憶胞以使侵害字線地址的記憶胞可以繼續(xù)被使用。
[0035]換句話說，當(dāng)侵害字線地址發(fā)生重刷新動作后，可先將備用字線地址的記憶胞中的數(shù)據(jù)復(fù)制至侵害字線地址，并將映射至備用字線地址的邏輯地址轉(zhuǎn)映射至侵害字線地址，由此還原侵害字線地址為正常的字線地址。
[0036]以下請參見圖3繪示的備用字線地址與侵害字線地址的取代動作的示意圖。在圖3中，字線WLA、WLB以及WLC均為一般的字線，而字線WLBA、WLBB以及WLBC則被設(shè)定為備用字線。在當(dāng)字線WLA的字線地址被重復(fù)的開啟次數(shù)大于臨界存取數(shù)時，字線WLA的字線地址被設(shè)定為侵害字線地址，而字線WLB以及WLC的字線地址則為被侵害字線地址。為了防止字線WLB以及WLC的記憶胞上的數(shù)據(jù)受到字線WLA的重復(fù)開啟的影響，備用字線WLBA的字線地址可以被設(shè)定為備用字線地址，并使備用字線WLBA的字線地址取代字線WLA的字線地址。值得注意的，與備用字線WLBA相鄰的備用字線WLBB以及WLBC都是被閑置的。也就是說，備用字線WLBB以及WLBC的字線地址的記憶胞是不用以儲存數(shù)據(jù)的。
[0037]在進(jìn)行備用字線WLBA的字線地址取代字線WLA的字線地址的部份，首先，須先將字線WLA的記憶胞所儲存的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存至備用字線WLBA的記憶胞。接著，將原先映射至字線WLA的字線地址的邏輯地址LA，轉(zhuǎn)映射至備用字線WLBA的字線地址。換言之，當(dāng)有需要對邏輯地址LA進(jìn)行存取動作時，實際提供以進(jìn)行存取的字線地址為備用字線WLBA的字線地址。
[0038]附帶一提的，在完成上述的字線WLA與備用字線WLBA的置換動作后，被設(shè)定為侵害字線地址的字線WLA可被設(shè)定為閑置的狀態(tài)。
[0039]關(guān)于將侵害字線地址記憶胞的數(shù)據(jù)復(fù)制至備用字線地址的記憶胞的部份，請參照圖4A繪示的本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)復(fù)制動作示意圖，以及圖4B繪示的本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)復(fù)制動作波形圖。其中，多數(shù)個記憶胞形成的記憶胞陣列401通過位元線BL以及BLB所構(gòu)成的位元線組以耦接至感測放大器410以及420。當(dāng)進(jìn)