本發(fā)明的實施方式總地涉及顯示裝置。更具體地，本發(fā)明的實施方式涉及觸摸感應(yīng)顯示裝置及其制造。

背景技術(shù)：

觸摸屏是用戶在觀看顯示裝置的同時通過按壓或觸摸觸摸屏中的觸摸傳感器將預(yù)定的信息輸入至其的輸入裝置。通常，觸摸屏被附著到顯示面板上。

近來，為了諸如智能電話或平板pc的便攜式終端的纖薄，觸摸屏已經(jīng)被集成到顯示面板中。具體地，集成內(nèi)嵌式觸摸屏的顯示裝置正在被開發(fā)，在該顯示裝置中形成觸摸屏的元件被布置在顯示面板的單元內(nèi)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供具有集成到顯示裝置內(nèi)的觸摸屏的顯示裝置。此外，本發(fā)明的實施方式提供用于該顯示裝置的制造方法。

根據(jù)一示例實施方式的顯示裝置可以包括：包括多個像素區(qū)域的基板；在基板的像素區(qū)域的每個中布置的第一電極；布置在第一電極上的有機層；第二電極，包括每個至少部分地重疊像素區(qū)域中各自的像素區(qū)域的多個第二電極圖案，并且布置在有機層上；以及在與第一電極相同的平面或?qū)由吓c第一電極間隔開的多個感測線，感測線被連接到第二電極圖案中各自的第二電極圖案。

顯示裝置可以進一步包括布置在相鄰第二電極圖案之間并且包括絕緣材料的電極分隔圖案。第二電極圖案和電極分隔圖案之間的粘附力可以小于第二電極圖案和有機層之間的粘附力的1/10。

顯示裝置可以進一步包括包含暴露像素區(qū)域中的第一電極的開口、以及暴露感測線的接觸孔的像素限定層，其中第二電極圖案通過接觸孔被連接到各自的感測線。

第一電極和感測線可以包括相同材料。感測線可以布置在相鄰像素區(qū)域之間，并且在一個方向延伸。

第二電極圖案可以包括：通過感測線電連接并且包括沿第一方向相繼布置的多個感測單元的第一感測電極；以及每個沿交叉第一方向的第二方向延伸的第二感測電極，其中感測單元和第二感測電極彼此間隔開。顯示裝置可以進一步包括布置在感測單元和第二感測電極之間的接地圖案。

第二電極圖案可以包括每個具有島形狀的多個感測單元，并且感測單元可以被連接到感測線中各自的感測線。

一種制造顯示裝置的方法可以包括：接收包括多個像素區(qū)域的基板；形成布置在基板的像素區(qū)域中的第一電極、以及與第一電極間隔開的感測線；形成暴露第一電極的像素限定層；在第一電極上形成有機層；以及形成布置在有機層上的第二電極。第二電極包括每個至少部分地重疊像素區(qū)域中的相應(yīng)像素區(qū)域的第二電極圖案，第二電極圖案被連接到感測線。

形成第二電極可以進一步包括：形成暴露多個區(qū)域的電極分隔圖案，所述多個區(qū)域重疊相應(yīng)的像素區(qū)域；在有機層和像素限定層中形成接觸孔，接觸孔暴露感測線；以及通過在由電極分隔圖案暴露的區(qū)域中沉積導(dǎo)電材料形成第二電極圖案。

附圖說明

現(xiàn)在將在以下參考附圖更充分地描述示例實施方式；然而，它們可以以不同的形式被實施，并且不應(yīng)被解釋為限于此處闡釋的實施方式。更確切地，這些實施方式被提供使得本公開將徹底和完整，且將把示例實施方式的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在圖中，為了圖示的清晰，尺寸可以被夸大。因此各種圖可以不按比例。將理解，當一元件被稱為“在”兩元件“之間”時，它能是所述兩元件之間的唯一元件，或者一個或更多個居間元件也可以存在。相同附圖標記始終指代相同元件。

圖1是根據(jù)一實施方式的顯示裝置的俯視圖。

圖2是根據(jù)另一實施方式的顯示裝置的俯視圖。

圖3是圖1的區(qū)域ea1的放大圖。

圖4是沿圖3的線i-i'截取的剖視圖。

圖5是沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖。

圖6是沿圖3的線iii-iii'截取的剖視圖。

圖7到9是沿圖3的線i-i'截取的工藝剖視圖。

圖10到12是沿圖3的線ii-ii'截取的工藝剖視圖。

圖13到15是沿圖3的線iii-iii'截取的工藝剖視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文中參考附圖更充分地描述示例實施方式。所有數(shù)值是近似的，并且可以改變。特定材料和成分的所有示例將被視為僅是非限制性的和示例性的。取而代之，其它合適的材料和成分可以被使用。

圖1是根據(jù)一實施方式的顯示裝置的俯視圖，圖2是根據(jù)另一實施方式的顯示裝置的俯視圖。

參考圖1和2，觸摸屏(未示出)被安裝在顯示裝置中，并且觸摸屏可以感測用戶的觸摸位置。

所述顯示裝置可以包括第一基板(未示出)、第二基板(未示出)以及布置在第一和第二基板之間的顯示元件(未示出)。第一和第二基板中的一個可以包括柵線(未示出)、與柵線交叉的數(shù)據(jù)線(未示出)、以及至少一個被連接到柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管。這樣的配置是已知的。

顯示元件可以被連接到薄膜晶體管。顯示元件可以是任意類型的顯示元件，例如液晶顯示裝置(lcd裝置)、電泳顯示裝置(epd裝置)、電濕潤顯示裝置(ewd裝置)和有機發(fā)光顯示裝置(oled裝置)中的一種。為了解釋的方便，作為顯示元件的一示例的有機發(fā)光顯示元件將根據(jù)實施方式被詳細描述。

此外，顯示裝置可以包括感測用戶的觸摸輸入的多個感測電極，以及將觸摸掃描信號輸入到感測電極或傳輸感測電極中產(chǎn)生的觸摸感測信號的多個感測線sl。

感測電極可以起顯示元件的電極中的一個的作用。感測電極還可以起感測用戶的觸摸位置的觸摸檢測電極的作用。

感測電極可以根據(jù)所需的觸摸感測類型被布置和配置成不同類型。例如，如圖1所示，感測電極可以被布置為互電容觸摸屏型電極。換言之，感測電極可以包括沿第一方向d1擺放的多個第一感測電極rx，以及多個沿交叉第一方向d1的第二方向d2延伸的第二感測電極tx。第一感測電極rx和第二感測電極tx可以被連接到感測線sl。

第一感測電極rx可以包括沿第一方向d1擺放的多個感測單元tsc。連接到第一感測電極rx的感測線sl可以在感測單元tsc沿其排列的第一方向d1上延伸，并且可以電連接感測單元tsc。

此外，感測單元tsc和第二感測電極tx可以彼此間隔開。

接地圖案gnd可以被布置在感測單元tsc和第二感測電極tx之間。接地圖案gnd可以被連接到接地線gl。接地圖案gnd可以減小觸摸感測的噪聲。

焊盤部分pr可以被布置在顯示裝置的一側(cè)上，并且焊盤部分pr可以包括多個焊盤tp和gp。例如，焊盤部分pr可以包括連接到感測線sl的多個感測焊盤tp，以及連接到接地線gl的接地焊盤gp。

如圖2所示，感測電極可以被布置為形成自電容型觸摸屏。換言之，感測電極可以包括多個感測單元tsc，每個感測單元tsc具有島形狀。感測單元tsc可以被連接到各自的感測線sl。

此外，在自電容型觸摸屏中，感測線sl可以被連接到焊盤部分pr的各自的感測焊盤tp。

在下文中，將參考圖1的示例結(jié)構(gòu)更充分地描述顯示裝置。

圖3是圖1的區(qū)域ea1的放大圖，圖4是沿圖3的線i-i'截取的剖視圖，圖5是沿圖3的線ii-ii'截取的剖視圖，圖6是沿圖3的線iii-iii'截取的剖視圖。

參考圖1以及3到6，顯示裝置可以包括具有多個像素區(qū)域pa的第一基板110、與第一基板110對立的第二基板120、以及分別布置在像素區(qū)域pa中于第一基板110和第二基板120之間的顯示元件。

第一基板110可以包括基底基板sub、以及布置在基底基板sub上于像素區(qū)域pa中的每個內(nèi)的至少一個薄膜晶體管tft。在像素區(qū)域pa中，薄膜晶體管tft可以被連接到顯示元件中的一個。

基底基板sub可以包括透明絕緣材料，并且因此可以透過光。此外，基底基板sub可以是剛性基板或柔性基板。剛性基板可以包括玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和晶態(tài)玻璃基板。柔性基板可以包括膜基板和塑料基板，所述膜基板包含高分子量有機材料。例如，基底基板sub可以包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纖維素(tac)和醋酸丙酸纖維素(cap)中的一種。此外，基底基板sub可以包括玻璃纖維增強塑料(frp)。

基底基板sub的材料可以是耐顯示裝置的制造工藝的高工藝溫度的。也就是，基底基板sub可以由具有高耐熱性的材料制成。

緩沖層bul可以被布置在基底基板sub和薄膜晶體管tft之間。緩沖層bul可以包括硅氧化物(siox)和硅氮化物(sinx)中的至少一種。緩沖層bul可以防止雜質(zhì)從基底基板sub傳播到半導(dǎo)體層scl。此外，緩沖層bul可以平坦化基底基板sub的表面。

薄膜晶體管tft可以被連接到柵線和數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管tft可以包括半導(dǎo)體層scl、柵電極ge、源電極se和漏電極de。

半導(dǎo)體層scl可以被布置在緩沖層bul上。半導(dǎo)體層scl可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(polysi)、氧化物半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體中的一種。在半導(dǎo)體層scl上，連接到源電極se和漏電極de的區(qū)域可以分別是源區(qū)和漏區(qū)，并且可以以雜質(zhì)摻雜或注入。源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域可以是溝道區(qū)。氧化物半導(dǎo)體可以包括鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)和它們的混合物中的至少一種。例如，氧化物半導(dǎo)體可以包括銦鎵鋅氧化物(igzo)。

當半導(dǎo)體層scl包括氧化物半導(dǎo)體時，遮光層(未示出)可以被包括且被布置來阻擋到半導(dǎo)體層scl的頂部和底部的半導(dǎo)體層scl的光輸入。

柵絕緣層gi可以被布置在半導(dǎo)體層scl上。柵絕緣層gi可以覆蓋半導(dǎo)體層scl，并且使半導(dǎo)體層scl與柵電極ge彼此絕緣。柵絕緣層gi可以包括siox和sinx中的至少一種。

柵電極ge可以被布置在柵絕緣層gi上。柵電極ge可以被連接到柵線。例如，柵電極ge可以是它的柵線的突出部分。柵電極ge可以被布置為重疊半導(dǎo)體層scl。柵電極ge可以包括低電阻導(dǎo)電材料。

層間絕緣層ild可以被布置在柵電極ge上。層間絕緣層ild可以包括與柵絕緣層gi相同的材料。例如，層間絕緣層ild可以包括siox和sinx中的一種。層間絕緣層ild可以暴露源區(qū)和漏區(qū)。

源電極se和漏電極de可以在層間絕緣層ild上彼此間隔開。源電極se和漏電極de可以包括低電阻導(dǎo)電材料。源電極se和漏電極de可以通過層間絕緣層ild與柵電極ge絕緣。此外，源電極se和漏電極de可以分別被連接到源區(qū)和漏區(qū)。源電極se可以被連接到數(shù)據(jù)線。例如，源電極se可以是它的數(shù)據(jù)線的突出部件。

本實施方式公開了被配置成頂柵結(jié)構(gòu)tft的薄膜晶體管tft，但是薄膜晶體管tft不限于這種配置。作為另一示例，薄膜晶體管tft可以是底柵結(jié)構(gòu)tft。

鈍化層psv可以被布置在其上布置了薄膜晶體管tft的基底基板sub上。換言之，鈍化層psv可以覆蓋薄膜晶體管tft。此外，部分鈍化層psv可以被去除，使得部分漏電極de可以被暴露。

鈍化層psv可以包括至少一層。例如，鈍化層psv可以包括無機鈍化層，或無機鈍化層和布置在無機鈍化層上的有機鈍化層。鈍化層psv可以包括siox和sinx中的至少一種。有機鈍化層可以包括丙烯酸樹脂、聚酰亞胺(pi)、聚酰胺(pa)和苯并環(huán)丁烯(bcb)中的一種。此外，由于有機鈍化層是透明的并且具有流動性，所以有機鈍化層可以是平坦化層，該平坦化層使底部結(jié)構(gòu)的彎曲部分變平以平坦化。

顯示元件可以被布置在鈍化層psv上。顯示元件可以是有機發(fā)光顯示元件。

顯示元件中的每個可以包括連接到漏電極de的第一電極ae、布置在第一電極ae上的有機層ol和布置在有機層ol上的第二電極ce。

第一電極ae和第二電極ce中的一個可以是陽極電極，另一個可以是陰極電極。例如，第一電極ae可以是陽極電極，第二電極ce可以是陰極電極。

此外，第一電極ae和第二電極ce中的一個可以是透射型電極。例如，當顯示元件是底發(fā)射型有機發(fā)光顯示元件時，第一電極ae可以是透射型電極，并且第二電極ce可以是反射型電極。當顯示元件是頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示元件時，第一電極可以是反射型電極，并且第二電極ce可以是透射型電極。當顯示元件是雙面有機發(fā)光顯示元件時，第一電極ae和第二電極ce兩者都可以是透射型電極。在示例實施方式中，顯示元件是頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示元件。

在像素區(qū)域pa中的每個中，第一電極ae可以被布置在鈍化層psv上。第一電極ae可以包括能夠反射光的反射層(未示出)，以及布置在反射層的頂側(cè)或底側(cè)的透明導(dǎo)電層(未示出)。透明導(dǎo)電層和反射層中的至少一個可以被連接到漏電極de。

反射層可以包括能夠反射光的材料。例如，反射層可以包括鋁(al)、銀(ag)、鉻(cr)、鉬(mo)、鉑(pt)、鎳(ni)和/或它們的合金。

透明導(dǎo)電層可以包括透明導(dǎo)電氧化物。例如，透明導(dǎo)電層可以包括銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、鋁鋅氧化物(azo)、鎵摻雜鋅氧化物(gzo)、鋅錫氧化物(zto)、鎵錫氧化物(gto)和氟摻雜錫氧化物(fto)中的至少一種。

像素限定層pdl可以被布置在第一電極ae上。像素限定層pdl可以被布置在像素區(qū)域pa之間，并且可以包括暴露第一電極ae的開口。此外，像素限定層pdl可以重疊第一電極ae的邊緣部分。因此，像素限定層pdl的每個開口可以暴露第一電極ae的表面。

像素限定層pdl可以包括有機絕緣材料。例如，像素限定層pdl可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚丙烯腈(pan)、聚酰胺(pa)、聚酰亞胺(pi)、聚芳醚(pae)、雜環(huán)聚合物、聚對二甲苯、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)、硅氧烷基樹脂和硅烷基樹脂中的至少一種。

有機層ol可以包括至少包含發(fā)光層eml的多層薄膜結(jié)構(gòu)。例如，有機層可以包括：注入空穴的空穴注入層hil；空穴傳輸層htl，其對于空穴具有優(yōu)秀傳輸能力，并且通過抑制未在發(fā)光層eml上結(jié)合的電子的運動增加空穴和電子的復(fù)合的機會；通過空穴和電子的復(fù)合發(fā)射光的發(fā)光層eml；抑制未在發(fā)光層eml上結(jié)合的空穴的運動的空穴阻擋層hbl；將電子順利傳輸?shù)桨l(fā)光層eml的電子傳輸層etl；以及注入電子的電子注入層eil。

空穴注入層hil、空穴傳輸層htl、空穴阻擋層hbl、電子傳輸層etl和電子注入層eil可以是跨越多個像素區(qū)域pa連接的公共層。

發(fā)光層eml產(chǎn)生的光的顏色可以是紅色、綠色、藍色和白色中的一種，但是顏色不限于所列顏色，并且可以是任意顏色。例如，有機層ol的發(fā)光層產(chǎn)生的光的顏色可以是品紅色、青色和黃色中的一種。

第二電極ce可以被布置在有機層ol上。第二電極ce可以包括多個第二電極圖案，每個第二電極圖案重疊部分像素區(qū)域pa。第二電極圖案可以彼此間隔開。第二電極圖案可以包括含圖1所示的多個感測單元tsc的第一感測電極rx、第二感測電極tx和接地圖案gnd。

第二電極ce可以是半透射反射層。換言之，第二電極ce可以透過從發(fā)光層eml產(chǎn)生的光的一部分，并且反射其余的從發(fā)光層eml產(chǎn)生的光。例如，第二電極ce可以是薄金屬層，所述薄金屬層具有足夠大以透過所述光的一些而非全部的厚度。

第二電極ce可以包括具有比透明導(dǎo)電層的功函數(shù)更低的功函數(shù)的材料。例如，第二電極ce可以包括鉬(mo)、鎢(w)、銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)和它們的任意混合物中的至少一種。

由于第二電極ce和第一電極ae的反射層兩者是反射的，所以來自有機層ol的光可以在反射層和第二電極ce之間共振。顯示元件的光提取效果可以通過此重復(fù)反射的光的共振提高。

反射層和第二電極ce之間的距離可以根據(jù)光的顏色改變。換言之，根據(jù)從有機層ol發(fā)射的光的顏色，反射層和第二電極ce之間的距離可以被控制從而與共振距離相應(yīng)。

電極分隔圖案wal可以被布置在相鄰的第二電極圖案之間。電極分隔圖案wal可以包括絕緣材料。此外，電極分隔圖案wal對第二電極圖案可以具有低粘附力。例如，第二電極圖案和電極分隔圖案wal之間的粘附力可以比第二電極圖案和有機層ol之間的粘附力的1/10小。

感測線sl和接地線gl可以具有與第一電極ae相同的材料，并且可以被布置在鈍化層psv上。例如，感測線sl和接地線gl可以包括反射層和布置在反射層上的透明導(dǎo)電層。感測線sl和接地線gl可以被像素限定層pdl覆蓋。

感測線sl和接地線gl可以通過像素限定層pdl中的接觸孔ch被連接到第二電極圖案。例如，感測線sl可以通過接觸孔ch連接第一感測電極rx的感測單元tsc或第二感測電極tx。感測線sl可以被布置在像素區(qū)域pa之間，并且沿顯示器的一條邊的方向延伸。例如，感測線sl可以沿第一感測電極rx的感測單元tsc排列的方向延伸。

接地線gl可以通過接觸孔ch連接接地圖案gnd。

第二基板120可以將顯示元件與外部環(huán)境隔離。此外，第二基板120可以是面對第一基板110的對立基板。第二基板120可以具有與基底基板sub相同的材料。利用密封劑，第二基板120可以被結(jié)合到第一基板110。

此外，填充物(未示出)可以被布置在第一基板110和第二基板120之間。填充物可以使顯示元件不受外部震動影響。此外，當填充物具有吸附能力時，填充物可以吸附水氣，否則水氣將滲入并損壞顯示元件。

第二基板120可以被應(yīng)用從而將顯示元件與外部環(huán)境隔離，但是本發(fā)明不限于此。例如，顯示裝置可以包括覆蓋顯示元件的無機層(未示出)以及包括多個有機層的密封層(未示出)。密封層可以被布置在第二電極ce上，并且可以阻擋水氣和氧氣至顯示元件的滲入。無機層可以包括硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、鋁氧化物(al2o3)、鈦氧化物(tio2)、鋯氧化物(zrox)和錫氧化物(sno)中的至少一種。

在顯示裝置中，第二電極ce的電極圖案可以是顯示元件的電極，例如可以是為了顯示目的連接到公共線的公共電極，并且同時可以起觸摸屏的感測電極的作用。此外，由于第二電極圖案被連接到感測線sl，所以第二電極圖案的電阻壓降(ir-drop)現(xiàn)象可以被阻止。

圖7到9是沿圖3的線i-i'截取的工藝剖視圖，圖10到12是沿圖3的線ii-ii'截取的工藝剖視圖，圖13到15是沿圖3的線iii-iii'截取的工藝剖視圖。

參考圖7、10和13，第一基板110可以被制造為包括形成在基底基板sub上的薄膜晶體管tft。

更具體地，第一基板110可以被如下制造。

首先，緩沖層bul可以被形成在基底基板sub上。

基底基板sub可以包括像素區(qū)域pa。此外，基底基板sub可以是剛性基板或柔性基板。

緩沖層bul可以通過諸如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的沉積工藝形成。此外，緩沖層bul可以包括siox和sinx中的至少一種。

形成緩沖層bul之后，包括半導(dǎo)體層scl、柵電極ge、源電極se和漏電極de的每個薄膜晶體管tft可以形成在緩沖層上于像素區(qū)域pa中。

薄膜晶體管tft可以如下形成。

首先，半導(dǎo)體層scl可以形成在緩沖層bul上。半導(dǎo)體層scl可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(polysi)、氧化物半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體中的至少一種。

形成半導(dǎo)體層scl之后，覆蓋半導(dǎo)體層scl的柵絕緣層gi可以被形成。柵絕緣層gi可以通過諸如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的沉積工藝形成。此外，柵絕緣層gi可以包括siox和sinx中的至少一種。

形成柵絕緣層gi之后，在柵絕緣層gi上，柵電極ge可以被形成為從柵線伸出。柵電極ge可以由諸如鋁(al)、鋁合金(al合金)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)、鈧(sc)及其混合物的導(dǎo)電材料形成，并且可以通過圖案化導(dǎo)電層形成。

形成柵電極ge之后，層間絕緣層ild可以被形成。層間絕緣層ild可以覆蓋柵電極ge。層間絕緣層ild可以具有與柵絕緣層gi相同的材料或可以由與柵絕緣層gi相同的材料制成。換言之，層間絕緣層ild可以包括siox和sinx中的至少一種。

形成層間絕緣層ild之后，部分半導(dǎo)體層scl可以通過圖案化層間絕緣層ild被暴露。半導(dǎo)體層scl的暴露的區(qū)域可以成為源區(qū)和漏區(qū)，源電極se和漏電極de稍后形成在源區(qū)和漏區(qū)上。源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域可以是溝道區(qū)。

圖案化層間絕緣層ild之后，源電極se和漏電極de被形成。在層間絕緣層ild上，源電極se被形成為連接到數(shù)據(jù)線，并且漏電極de被形成為與源電極se間隔開。源電極se和漏電極de可以被連接到源區(qū)和漏區(qū)中的每個。此外，源電極se和漏電極de可以由包括低電阻金屬的導(dǎo)電層形成，并且可以通過圖案化該導(dǎo)電層形成。

形成薄膜晶體管tft之后，鈍化層psv可以被形成。鈍化層psv可以覆蓋薄膜晶體管tft。鈍化層psv可以包括至少一層。例如，鈍化層psv可以包括無機層和布置在無機層上的有機層。

形成鈍化層psv之后，部分漏電極de可以通過圖案化鈍化層psv被暴露。

第一電極ae、感測線sl和接地線gl可以形成在鈍化層psv上，第一電極ae連接到漏電極de。例如，第一電極ae、感測線sl和接地線gl可以由包括反射光的金屬材料的反射層(未示出)和由反射層上的包括透明導(dǎo)電氧化物材料的透明導(dǎo)電層形成。然后，可以通過圖案化反射層和透明導(dǎo)電層形成這些元件。此外，第一電極ae的透明導(dǎo)電層和反射層中的至少一個可以被連接到漏電極de。

形成第一電極ae、感測線sl和接地線gl之后，暴露部分第一電極ae的像素限定層pdl可以被形成。像素限定層pdl可以由沉積在第一電極ae和鈍化層psv上的有機絕緣層形成，并且可以通過圖案化該絕緣層形成。第一電極ae可以通過所述圖案化被暴露。

形成像素限定層pdl之后，有機層ol可以形成在第一電極ae上。有機層ol可以具有至少包括發(fā)光層eml的多層薄膜結(jié)構(gòu)。例如，如前所述，有機層可以包括空穴注入層hil、空穴傳輸層htl、發(fā)光層eml、空穴阻擋層hbl、電子傳輸層etl和電子注入層eil。

由發(fā)光層eml產(chǎn)生的光的顏色可以是紅色、綠色、藍色和白色中的一種，但是不限于這些顏色。例如，由有機層ol的發(fā)光層產(chǎn)生的光的顏色可以是品紅色、青色和黃色中的一種。

形成有機層ol之后，電極分隔圖案wal可以形成在有機層ol上。電極分隔圖案wal可以包括絕緣材料。如上所述，所述絕緣材料對金屬材料可以具有相對低的粘附力。此外，電極分隔圖案wal可以被形成為位于相鄰電極之間且在像素區(qū)域外面。

形成電極分隔圖案wal之后，暴露感測線sl的接觸孔ch被形成。接觸孔ch可以通過激光形成。因此，感測線sl可以被接觸孔ch暴露。

參考圖8、11和14，形成接觸孔ch之后，第二電極ce可以被形成在有機層ol上。第二電極ce可以是半透射反射層。此外，第二電極ce可以通過沉積與透明導(dǎo)電層相比具有低功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。第二電極ce可以通過接觸孔ch被連接到感測線，并且還可以被連接到公共線。

第二電極ce可以被布置在被電極分隔圖案wal暴露的區(qū)域中。換言之，第二電極ce可以形成在有機層ol上。第二電極ce中包括的材料對于電極分隔圖案wal具有低粘附力。例如，當?shù)诙姌Oce和電極分隔圖案wal之間的粘附力小于第二電極ce和有機層ol之間的粘附力的1/10時，在沉積工藝期間，第二電極ce可以不被布置在電極分隔圖案wal上。

第二電極ce可以包括被電極分隔圖案wal隔開的多個第二電極圖案。第二電極圖案可以包括第一感測電極rx、第二感測電極tx和接地圖案gnd。此外，第二電極圖案可以通過接觸孔ch被連接到感測線sl。

參考圖9、12和15，形成第二電極ce之后，第二基板120可以被布置在第二電極ce上，并且第一基板110和第二基板120可以被用密封劑結(jié)合在一起。第二基板120可以包括與基底基板sub相同的材料。

與單獨制造觸摸屏并將觸摸屏貼至顯示裝置的方法或?qū)⒂|摸屏制造到顯示裝置的外部的方法相比，顯示裝置的制造可以被簡化。換言之，由于構(gòu)成觸摸屏的元件與顯示元件被同時形成，所以形成觸摸屏的顯示裝置的制造可以被簡化。

示例實施方式已在此處被公開，盡管特定術(shù)語被使用，但它們僅在一般的和描述性的意義上被使用和被解釋，并且不是為了限制。在一些情況下，正如在本申請?zhí)峤粫r對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯然的那樣，關(guān)于一特定實施方式描述的特征、特性和/或元件可以被單獨使用，或可以與關(guān)于其它實施方式描述的特征、特性和/或元件結(jié)合使用，除非另行明確說明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以進行形式和細節(jié)上的各種改變而不背離如所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍。上述和其它實施方式的各種特征能以任何方式混合和搭配，以產(chǎn)生與本發(fā)明一致的另外的實施方式。

如所述那樣，顯示裝置可以包括形成觸摸屏的元件。由于顯示裝置的電極中的一個可以起感測電極的作用，所以這對顯示裝置的纖薄化是有利的。此外，由于構(gòu)成觸摸屏的元件可以與顯示元件同時形成，所以制造工藝可以簡化。

本申請要求享有2015年9月16日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0130717號的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，其全部內(nèi)容通過全文引用合并于此。