本發(fā)明涉及導(dǎo)電圖形制作領(lǐng)域，特別是一種導(dǎo)電圖形的制作方法、導(dǎo)電圖形及顯示基板。

背景技術(shù)：

在目前常規(guī)的顯示面板中，顯示基板上設(shè)置有各類(lèi)導(dǎo)電圖形(例如信號(hào)線、柵極、源極、漏極等)，而導(dǎo)電圖形的工藝好壞，可決定信號(hào)傳輸?shù)男?，從而影響顯示面板顯示畫(huà)面。

目前，在顯示基板制作導(dǎo)電圖形的方法是先沉積導(dǎo)電材料層，之后在導(dǎo)電材料層上涂覆光刻膠，通過(guò)曝光、顯影工藝，使光刻膠形成保護(hù)圖形，并以保護(hù)圖形為掩膜，對(duì)導(dǎo)電材料層進(jìn)行濕法刻蝕，使得導(dǎo)電材料層圖案化后形成導(dǎo)電圖形。

然而，經(jīng)不斷實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有濕法刻蝕需要較長(zhǎng)的刻蝕時(shí)間，刻蝕液容易過(guò)刻蝕一部分保護(hù)圖形，使得保護(hù)圖形難以起到掩膜作用，從而形成如圖1所示的導(dǎo)電圖形結(jié)構(gòu)。在圖1中，被過(guò)刻蝕的保護(hù)圖形100無(wú)法提供刻蝕保護(hù)，因此最終形成的導(dǎo)電圖形200側(cè)向腐蝕嚴(yán)重，從而影響了信號(hào)傳輸，最終導(dǎo)致畫(huà)面無(wú)法得到正常顯示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有的導(dǎo)電圖形制作工藝容易對(duì)導(dǎo)電圖形造成過(guò)刻蝕而影響信號(hào)傳輸?shù)膯?wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種導(dǎo)電圖形的制作方法，包括：

在襯底上形成導(dǎo)電層；

在所述導(dǎo)電層上形成保護(hù)層的圖形；

以所述保護(hù)層的圖形為掩膜，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體轟擊刻蝕，形成導(dǎo)電過(guò)渡圖形；

以所述保護(hù)層的圖形為掩膜，對(duì)所述導(dǎo)電過(guò)渡圖形進(jìn)行濕法刻蝕以形成導(dǎo)電圖形，所述導(dǎo)電圖形的刻蝕側(cè)面具有坡度；

去除所述保護(hù)層的圖形。

其中，以所述保護(hù)層的圖形為掩膜，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體轟擊刻蝕包括：

以所述保護(hù)層的圖形為掩膜，使用ar⁺離子對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行轟擊刻蝕。

其中，以所述保護(hù)層的圖形為掩膜，對(duì)所述導(dǎo)電過(guò)渡圖形進(jìn)行濕法刻蝕形成導(dǎo)電圖形包括：

以所述保護(hù)層的圖形為掩膜，使用刻蝕液浸泡或噴淋導(dǎo)電過(guò)渡圖形，從而使得所述導(dǎo)電圖形的刻蝕側(cè)面的坡度角在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

其中，所述預(yù)設(shè)范圍為30°～60°。

其中，所述導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜，所述第二導(dǎo)電薄膜位于所述第一導(dǎo)電薄膜遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，在對(duì)所述導(dǎo)電過(guò)渡圖形進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，所述第二導(dǎo)電薄膜被刻蝕的速率大于所述第一導(dǎo)電薄膜被刻蝕的速率。

其中，所述第一導(dǎo)電薄膜和所述第二導(dǎo)電薄膜的同一刻蝕側(cè)面呈升階的階梯結(jié)構(gòu)。

其中，所述導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電薄膜、位于所述第二導(dǎo)電薄膜遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第一導(dǎo)電薄膜和位于所述第一導(dǎo)電薄膜遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第二導(dǎo)電薄膜，在對(duì)所述導(dǎo)電過(guò)渡圖形進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，所述第二導(dǎo)電薄膜被刻蝕的速度大于所述第一導(dǎo)電薄膜被刻蝕的速度。

其中，所述第一導(dǎo)電薄膜的形成材料包括cu，所述第二導(dǎo)電薄膜的形成材料包括mo。

另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種導(dǎo)電圖形，該導(dǎo)電圖形采用上述制作方法制作得到，所述導(dǎo)電圖形的刻蝕側(cè)面的坡度角在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

此外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括有襯底基板以及形成在襯底基板上的上述導(dǎo)電圖形。

本發(fā)明的上述方案具有如下有益效果：

在本發(fā)明的方案中，先對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體轟擊刻蝕，從而形成導(dǎo)電圖形的雛形結(jié)構(gòu)，之后再對(duì)雛形結(jié)構(gòu)進(jìn)行短暫的濕法刻蝕，最終形成具有坡度的導(dǎo)電圖形，由于整個(gè)過(guò)程中濕法刻蝕耗時(shí)較短，因此不易發(fā)生過(guò)刻蝕現(xiàn)象，從而能夠得到完整的導(dǎo)電圖形結(jié)構(gòu)，保證導(dǎo)電圖形正常加載信號(hào)；此外，在實(shí)際應(yīng)用中，導(dǎo)電層的大部分會(huì)被等離子體轟擊刻蝕掉，只有一小部分需要濕法刻蝕，而等離子體轟擊刻蝕速率要遠(yuǎn)大于濕法刻蝕，因此相比于傳統(tǒng)的導(dǎo)電圖形制作工藝，本發(fā)明具有更高的制作效率。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有制作工藝所制作出的被過(guò)刻蝕的導(dǎo)電圖形的示意圖；

圖2a-圖2e為本發(fā)明的顯示基板的制作方法的步驟示意圖；

圖3為本發(fā)明的制作方法所制作出的兩圖層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖形的示意圖；

圖4a-圖4f為本發(fā)明的制作方法在實(shí)際應(yīng)用中的詳細(xì)步驟示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

針對(duì)目前顯示基板上的導(dǎo)電圖形側(cè)向腐蝕嚴(yán)重的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種解決方案。

一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種導(dǎo)電圖形的制作方法，包括：

步驟11，參考圖2a所示，在襯底21上形成導(dǎo)電層22；

步驟12，參考圖2b所示，在導(dǎo)電層22上形成保護(hù)層23的圖形；

步驟13，參考圖2c所示，以保護(hù)層23的圖形為掩膜，對(duì)導(dǎo)電層22進(jìn)行等離子體轟擊刻蝕，形成導(dǎo)電過(guò)渡圖形24；

在本步驟中，等離子體轟擊方式能夠快速將未被保護(hù)層23的圖形掩膜的導(dǎo)電層22刻蝕掉，從而形成導(dǎo)電過(guò)渡圖形24；

步驟14，參考圖2d所示，以保護(hù)層23的圖形為掩膜，對(duì)導(dǎo)電過(guò)渡圖形4進(jìn)行濕法刻蝕以形成導(dǎo)電圖形25，該導(dǎo)電圖形25的刻蝕側(cè)面(即未被保護(hù)層保護(hù)的側(cè)面)具有坡度；

在本步驟中，濕法刻蝕可以很好的使導(dǎo)電圖形25的刻蝕側(cè)面形成坡度，該刻蝕側(cè)面的坡度角α以30°～60°為宜，從而能夠有效避免后續(xù)其他圖層在導(dǎo)電圖形25處沉積時(shí)發(fā)生斷裂；

步驟15，參考圖2e所示，去除保護(hù)層的圖形23。

在本實(shí)施例的制作方法中，先對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行等離子體轟擊刻蝕，從而形成導(dǎo)電圖形的雛形結(jié)構(gòu)，之后再對(duì)雛形結(jié)構(gòu)進(jìn)行短暫的濕法刻蝕，最終形成具有坡度的導(dǎo)電圖形，由于整個(gè)過(guò)程中濕法刻蝕耗時(shí)較短，因此不易發(fā)生過(guò)刻蝕現(xiàn)象，從而能夠得到完整的導(dǎo)電圖形結(jié)構(gòu)，保證導(dǎo)電圖形正常加載信號(hào)；此外，在實(shí)際應(yīng)用中，導(dǎo)電層的大部分會(huì)被等離子體轟擊刻蝕掉，只有一小部分需要濕法刻蝕，而等離子體轟擊刻蝕速率要遠(yuǎn)大于濕法刻蝕，因此相比于傳統(tǒng)的導(dǎo)電圖形制作工藝，本發(fā)明具有更高的制作效率。

具體地，在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例的上述導(dǎo)電層并不限于一圖層結(jié)構(gòu)，也可以是兩圖層結(jié)構(gòu)或者是多圖層結(jié)構(gòu)。

作為示例性介紹，參考圖3所示，針對(duì)兩圖層結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層可以包括第一導(dǎo)電薄膜32和第二導(dǎo)電薄膜33，第二導(dǎo)電薄膜33位于第一導(dǎo)電薄膜31遠(yuǎn)離襯底31的一側(cè)，在進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，第二導(dǎo)電薄膜33被刻蝕的速率大于第一導(dǎo)電薄膜32被刻蝕的速率，從而最終形成的階梯結(jié)構(gòu)，該階梯結(jié)構(gòu)可以幫助后續(xù)沉積的圖形進(jìn)行爬坡，防止段差過(guò)大而發(fā)生斷裂。

在實(shí)際應(yīng)用中，一般顯示基板上的柵電極為兩圖層結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)地上述第一導(dǎo)電薄膜的形成材料為cu，上述第二導(dǎo)電薄膜的形成材料為mo。

同理，針對(duì)三圖層結(jié)構(gòu)，則導(dǎo)電層可以包括第二導(dǎo)電薄膜、位于第二導(dǎo)電薄膜遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第一導(dǎo)電薄膜和位于第一導(dǎo)電薄膜遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的第二導(dǎo)電薄膜，在對(duì)導(dǎo)電過(guò)渡圖形進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，第二導(dǎo)電薄膜被刻蝕的速度大于第一導(dǎo)電薄膜被刻蝕的速度。

在實(shí)際應(yīng)用中，顯示基板上的源漏電極及其引線一般采用mo/cu/mo三層金屬圖層結(jié)構(gòu)。

下面結(jié)合具體實(shí)現(xiàn)方式，對(duì)本實(shí)施例的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。

示例性地，假設(shè)本實(shí)施例的制作方法用于制作顯示基板的柵電極，通過(guò)上文介紹可知，該柵電極為cu/mo雙層金屬結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)的制作方法包括：

步驟21，如圖4a所示，在襯底41上依次沉積cu金屬層42和mo金屬層43，該cu金屬層42和mo金屬層43即為本文上述的導(dǎo)電層；

步驟22，如圖4b所示，通過(guò)涂膠、曝光、顯影等工藝在mo金屬層43上制作出柵電極的光刻膠掩膜44，該光刻膠掩膜44即為本文上述的保護(hù)層的圖形；

步驟23，如圖4c所示，以光刻膠掩膜44為抗刻蝕層，利用ibe(ionbeametch)等離子體轟擊刻蝕的方法刻蝕cu金屬層42和mo金屬層43；

其中，ibe(ionbeametch)等離子體轟擊刻蝕是在刻蝕腔室中通過(guò)弧光放電的方式電離工作氣體ar，然后利用電場(chǎng)加速ar+，高速運(yùn)動(dòng)的ar+對(duì)顯示基板的上表面持續(xù)地進(jìn)行轟擊。由于金屬原子特殊的排列方式，在高速運(yùn)動(dòng)的ar+的轟擊下，金屬原子不斷地被轟擊離開(kāi)金屬表面，從而可以持續(xù)地往下刻蝕；由此可見(jiàn)，ibe刻蝕是一種純物理轟擊刻蝕方式，具有極高的選擇比，幾乎可以得到垂直的金屬刻蝕側(cè)面，適合用來(lái)刻蝕一些反應(yīng)離子體轟擊刻蝕法所不易刻蝕的材料，例如部分金屬和陶瓷材料等；此外，ibe刻蝕法具有很高的刻蝕速率，每秒鐘可以達(dá)到10nm左右；在高能量的ar+的轟擊下，光刻膠掩膜44同樣會(huì)被刻蝕損傷，因此本實(shí)現(xiàn)方式中，光刻膠掩膜44厚度一般設(shè)置在2～3um左右為宜；

如圖4d所示，在刻蝕完成后，即可得到cu金屬層421和mo金屬層431，其中cu金屬層421和mo金屬層431的刻蝕側(cè)面的陡直度接近90°，該陡直度所帶來(lái)的段差容易讓后續(xù)沉積的圖形發(fā)生斷裂，因此并不符合顯示基板上的電極制作要求，需要執(zhí)行步驟24以進(jìn)行再次刻蝕；

步驟24，如圖4e所示，通過(guò)利用濕法刻蝕液以噴淋或者浸泡的方式來(lái)快速地刻蝕cu金屬層421和mo金屬層431，以便修飾cu金屬層421和mo金屬層431的刻蝕側(cè)面的坡度；

其中，由于mo的被刻蝕速率大于cu的被刻蝕速率，因此mo金屬層431相對(duì)cu金屬層421會(huì)產(chǎn)生少量的縮進(jìn)，進(jìn)而得到具有階梯結(jié)構(gòu)的cu電極層422和mo電極層432；其中，cu電極層422和mo電極層432的taper角(刻蝕側(cè)面的坡度角)α約在30°～60°左右；且由于濕法刻蝕液的處理時(shí)間較短，cu電極層422和mo電極層432被過(guò)刻蝕程度相較于傳統(tǒng)刻蝕工藝更小。

步驟25，如圖4f所示，通過(guò)pecvd(等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法)方式在柵電極上表面沉積一層?xùn)艠O絕緣層45。

需要給予說(shuō)明的是，本發(fā)明提案中的方法同樣適用于源漏電極及其引線的制作，但是不同處在于，為了防止cu向底部的有源層進(jìn)行擴(kuò)散，源漏電極及其引線一般采用mo/cu/mo三層金屬結(jié)構(gòu)。由于后續(xù)的顯示基板的工藝制程可以與同傳統(tǒng)工藝一致，且也不是本發(fā)明的創(chuàng)新點(diǎn)，因此本文不再進(jìn)行舉例說(shuō)明。

基于上述實(shí)現(xiàn)方式可以知道，本實(shí)施例以光刻膠為掩蔽層，利用ibe等離子體轟擊刻蝕制作出cu/mo結(jié)構(gòu)的電極圖案后，使用濕法刻蝕液快速地處理電極圖案，以修飾出坡度合適的刻蝕側(cè)面。此外，由于濕法刻蝕液的處理時(shí)間短，cu/mo電極的被過(guò)刻蝕的程度相較于傳統(tǒng)刻蝕工藝更小，可避免光刻膠掩膜44發(fā)生脫落，從而能夠得到結(jié)構(gòu)較為完整的柵電極結(jié)構(gòu)，若應(yīng)用于制作顯示器件的導(dǎo)電圖形，可提高顯示器件的良品率。

另一方面，本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供一種導(dǎo)電圖形，該導(dǎo)電圖形由本發(fā)明提供的上述制作方法制作得到；

其中，參考圖2e所示，導(dǎo)電圖形25的刻蝕側(cè)面的坡度角α可以控制在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，該預(yù)設(shè)范圍優(yōu)選為30°～60°，可有效避免后續(xù)其他圖層在導(dǎo)電圖形25上沉積時(shí)發(fā)生斷裂現(xiàn)象。

顯然，本實(shí)施例的導(dǎo)電圖形是基于本發(fā)明的制作方法所制作得到的，因此能夠?qū)崿F(xiàn)相同的技術(shù)效果。

此外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括襯底基板以及形成在該襯底基板上的本發(fā)明提供的上述導(dǎo)電圖形。

基于該本發(fā)明的導(dǎo)電圖形，本實(shí)施例的顯示基板能夠保證信號(hào)正常傳輸，從而穩(wěn)定顯示畫(huà)面，因此具有很高的實(shí)用價(jià)值。

在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例的顯示基板可以應(yīng)用在液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品上。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。