技術(shù)編號：11692167
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及半導體領(lǐng)域，更具體地涉及集成電路及形成電阻式隨機存取存儲器單元的方法。背景技術(shù)許多現(xiàn)代電子器件包含被配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性或非易失性的。易失性存儲器在掉電時失去其存儲的數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器在掉電時保持其存儲的數(shù)據(jù)。電阻式隨機存取存儲器(RRAM)由于其簡單的結(jié)構(gòu)以及CMOS邏輯兼容工藝技術(shù)而成為下一代非易失性存儲器的頗具前景的候選對象。RRAM單元包括具有可變電阻的電子數(shù)據(jù)存儲層，該電子數(shù)據(jù)存儲層放置在兩個電極之間。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了一種...
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