技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。所述方法包括以下步驟。(a)將襯底圖案化。(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層。(c)將所述聚合物層圖案化。交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)。檢測(cè)等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強(qiáng)度。所述強(qiáng)度的采樣速度范圍大體上為1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函數(shù)處理所述等離子與所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強(qiáng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：曾李全;吳常明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610830422
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.13
技術(shù)公布日：2017.06.09