本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)：

在一些采用多晶硅柵極的半導(dǎo)體器件中，為了提高器件性能，通常希望柵極電阻能比較小。降低多晶硅柵極電阻的方法一般有如下幾種：增加多晶硅厚度；對多晶硅進(jìn)行摻雜；在多晶硅上沉積金屬硅化物等。其中，硅化鎢沉積工藝在半導(dǎo)體0.35μm以上制程中是一道至關(guān)重要的工序，它直接影響了多晶硅電阻，在現(xiàn)有工藝中，在硅化鎢上還往往會沉積形成一層摻雜的多晶硅層，在線產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)硅化鎢沉積工藝之后的高溫退火工藝(例如，離子注入后的高溫1035度快速熱退火RTA)之后，晶圓(wafer)邊緣應(yīng)力變化，使得硅化鎢由退火前的正應(yīng)力轉(zhuǎn)變?yōu)橥嘶鸷蟮呢?fù)應(yīng)力，而其上的摻雜的多晶硅層則由原理的負(fù)應(yīng)力轉(zhuǎn)變?yōu)橥嘶鸷蟮恼龖?yīng)力，如圖1所示，導(dǎo)致硅化鎢與其上層多晶硅之間發(fā)生剝離(peeling)，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率和性能，甚至最終使得晶圓報(bào)廢。

因此，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法，以解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有第一多晶硅層；

步驟S2：在所述第一多晶硅層上沉積形成金屬硅化物，其中，采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述金屬硅化物，且使其沉積溫度大于440℃；

步驟S3：在所述金屬硅化物上沉積形成摻雜的第二多晶硅層。

可選地，所述摻雜的第二多晶硅層包括自下而上的未摻雜的多晶硅和摻雜的多晶硅。

本發(fā)明實(shí)施例二提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有第一多晶硅層；

步驟S2：在所述第一多晶硅層上沉積形成金屬硅化物，其中，采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述金屬硅化物，且使其沉積溫度400℃以上；

步驟S3：在所述金屬硅化物上沉積形成摻雜的第二多晶硅層，其中，采用化學(xué)氣相沉積法沉積形成摻雜的所述第二多晶硅層，沉積所述第二多晶硅層包括：首先沉積4～6分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積4～6分鐘的摻雜的多晶硅。

可選地，所述金屬硅化物包括硅化鎢。

可選地，沉積所述第二多晶硅層包括：首先沉積5分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積5分鐘的摻雜的多晶硅。

可選地，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上所述第一多晶硅層的下方形成有柵極介電層。

可選地，在所述步驟S3之后，還包括在所述第二多晶硅層上沉積形成隔離材料層，以及在所述隔離材料層上沉積形成控制柵極材料層的步驟。

可選地，所述隔離材料層為氧化物-氮化物-氧化物的結(jié)構(gòu)絕緣隔離層，所述控制柵極材料層為未摻雜的多晶硅。

可選地，所述第一多晶硅層為摻雜的多晶硅。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，通過增加金屬硅化物的沉積溫度，以及延長金屬硅化物上的多晶硅層中的未摻雜的多晶硅的沉積 時(shí)間來降低相應(yīng)材料層的應(yīng)力，進(jìn)而防止其在之后退火步驟中發(fā)生應(yīng)力的變化而導(dǎo)致金屬硅化物和其上層的多晶硅層發(fā)生剝離問題，因此，提高了器件的良率和性能。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有的退火后硅化鎢和其上層摻雜的多晶硅之間應(yīng)力發(fā)生變化的示意圖；

圖2示出了本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法實(shí)施所獲得結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、 區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

這里參考作為本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖來描述發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，顯示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣通常具有圓的或彎曲特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元改變。同樣，通過注入形成的埋藏區(qū)可導(dǎo)致該埋藏區(qū)和注入進(jìn)行時(shí)所經(jīng)過的表面之間的區(qū)中的一些注入。因此，圖中顯示的區(qū)實(shí)質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖顯示器件的區(qū)的實(shí)際形狀且并不意圖限定本發(fā)明的范圍。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

下面，參考圖2以及圖3對本發(fā)明一具體實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法做詳細(xì)描述。其中，圖2示出了本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法實(shí)施所獲得結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。

實(shí)施例一

作為示例，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟：

首先，執(zhí)行步驟S301，提供半導(dǎo)體襯底200，在所述半導(dǎo)體襯底200的表面上形成有第一多晶硅層202。

如圖2所示，其中，所述半導(dǎo)體襯底200可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。

此外，半導(dǎo)體襯底200上可以被定義有源區(qū)。在該有源區(qū)上還可以包含有其他的有源器件，為了方便，在所示圖形中并沒有標(biāo)示。

在所述半導(dǎo)體襯底200上形成柵極介電層201，其中，所述柵極介電層201可以選用本領(lǐng)域常用的介電材料，例如可以選用氧化物。

當(dāng)選用氧化物作為所述柵極介電層201時(shí)，所述柵極介電層201的形成方法可以為高溫氧化或者沉積方法，并不局限于某一種方法，可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。

在本發(fā)明中選用SiO₂層作為柵極介電層201，所述柵極介電層201的厚度可以為1-20nm，但不僅僅局限于該厚度，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，以獲得更好效果。

在該步驟中作為一種具體實(shí)施方式，沉積所述SiO₂層時(shí)可以選用熱氧化、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)或磁控濺射方法。

如圖2所示，第一多晶硅層202形成于柵極介電層201的表面 上。所述第一多晶硅層202的沉積方法可以選擇分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(SEG)中的一種。示例性地，第一多晶硅層202還可以為摻雜的多晶硅，其摻雜類型根據(jù)器件類型可具體選擇為N型或者P型，其中，P型摻雜劑包括但不限于硼，N型摻雜劑包括但不限于磷或者砷等。

在該實(shí)施例中，形成第一多晶硅層202的方法可以選用外延方法形成，在具體實(shí)施例中以硅為例作進(jìn)一步說明，反應(yīng)氣體可以包括氫氣(H₂)攜帶的四氯化硅(SiCl₄)或三氯氫硅(SiHCl₃)、硅烷(SiH₄)和二氯氫硅(SiH₂Cl₂)等中的至少一種進(jìn)入放置有硅襯底的反應(yīng)室，在反應(yīng)室進(jìn)行高溫化學(xué)反應(yīng)，使含硅反應(yīng)氣體還原或熱分解，所產(chǎn)生的硅原子在柵極介電層表面上外延生長。

進(jìn)一步地，可采用原位摻雜沉積工藝形成摻雜的第一多晶硅層202，也即在沉積多晶硅的同時(shí)，將摻雜劑引入反應(yīng)室。

示例性地，第一多晶硅層202的厚度范圍可以為500～2000埃，較佳地為1500埃。

接著，進(jìn)行步驟S302，在所述第一多晶硅層202上沉積形成金屬硅化物203，其中，采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述金屬硅化物203，且使其沉積溫度大于440℃。

如圖2所示，一金屬硅化物層203沉積于第一多晶硅層202上。示例性地，金屬硅化物層203的厚度可以為500～1500埃，較佳地為1200埃。該金屬硅化物203包括，例如，硅化鎢(WSi_x)、硅化鉬(MoSi_x)、硅化鉭(TaSi_x)、硅化鈦(TiSi_x)、硅化鈷(CoSi_x)或其它金屬硅化物。本實(shí)施例中，金屬硅化物較佳地為硅化鎢(WSi_x)?？刹捎帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何方法形成該金屬硅化物203，例如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、磁控濺射等工藝。

在一個示例中，采用化學(xué)氣相沉積工藝沉積(WSi_x)膜。其源氣體包括硅先驅(qū)物和鎢先驅(qū)物。硅先驅(qū)物包括，例如，硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)或者二氯甲硅烷(SiH₂Cl₂)等。W先驅(qū)物包括六氟化鎢(WF₆)、六氯化鎢(WCl₆)或者六羰基化鎢(W[CO]₆)等。將先驅(qū)物引入到CVD的反應(yīng)腔室中。本實(shí)施例中，CVD的沉積溫度大 于440℃，例如，450℃、500℃、550℃、600℃、650℃、700℃等。該沉積溫度相對于現(xiàn)有工藝的沉積溫度高，因此可以降低沉積形成的硅化鎢的應(yīng)力，進(jìn)而降低其之后應(yīng)力變化導(dǎo)致的與上層材料之間的剝離的問題出現(xiàn)。

接著，進(jìn)行步驟S303，在所述金屬硅化物203上沉積形成摻雜的第二多晶硅層204。

具體地，所述摻雜的第二多晶硅層204包括自下而上的未摻雜的多晶硅和摻雜的多晶硅。

可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何方法形成該第二多晶硅層204，例如可以選擇分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(SEG)中的一種。本實(shí)施例中，摻雜的第二多晶硅層204的形成方法可選用化學(xué)氣相淀積(CVD)工藝。形成所述第二多晶硅層204的工藝條件包括：反應(yīng)氣體為四氯化硅(SiCl₄)或三氯氫硅(SiHCl₃)、硅烷(SiH₄)和二氯氫硅(SiH₂Cl₂)等中的至少一種，較佳地選用硅烷，所述硅烷的流量范圍可為100～200立方厘米/分鐘(sccm)，如150sccm；反應(yīng)腔內(nèi)溫度范圍可為700～750攝氏度；反應(yīng)腔內(nèi)壓力可為250～350mTorr(毫毫米汞柱)，如300mTorr；所述反應(yīng)氣體中還可包括緩沖氣體，所述緩沖氣體可為氦氣(He)或氮?dú)?，所述氦氣和氮?dú)獾牧髁糠秶蔀?～20slm(升/分鐘)，如8slm、10slm或15slm。其中，根據(jù)預(yù)定形成的第二多晶硅層的厚度等，來控制調(diào)整沉積總時(shí)間，例如，第二多晶硅層的厚度范圍可以為200～500埃，較佳地為300埃。通過延長第二多晶硅層沉積時(shí)的未摻雜的多晶硅層的厚度來降低第二多晶硅層204的應(yīng)力。

在一個示例中，沉積所述第二多晶硅層所用的總的沉積時(shí)間范圍為9～11分鐘，所述沉積包括：首先沉積10～120s的未摻雜的多晶硅，再沉積8～10分鐘的摻雜的多晶硅。也即首先沉積的未摻雜的多晶硅的時(shí)間較短，與之后沉積的摻雜的多晶硅的時(shí)間較長。

其中，對于摻雜的多晶硅的工藝可直接通過在CVD工藝中伴隨通入包括摻雜劑的前驅(qū)物，進(jìn)行原位摻雜工藝，其摻雜類型根據(jù)器件類型可具體選擇為N型或者P型，其中，P型摻雜劑包括但不限 于硼，N型摻雜劑包括但不限于磷或者砷等。包括P型摻雜劑的前驅(qū)物包括，例如，BH₃、B₂H₆等，包括N型摻雜劑的前驅(qū)物包括，例如，PH₃等。

其中，第一多晶硅層202、金屬硅化物203和第二多晶硅層204共同構(gòu)成柵極材料層，例如可作為浮柵，其具有較小的電阻，較佳的導(dǎo)電性能。

之后，還包括在所述第二多晶硅層204上沉積形成隔離材料層205，以及在所述隔離材料層205上沉積形成控制柵極材料層206的步驟。

所述隔離材料層205可以選用本領(lǐng)域常用的絕緣材料，例如ONO(氧化物-氮化物-氧化物的結(jié)構(gòu)絕緣隔離層)，但是并不局限于所述材料。

然后在所述隔離材料層的上方形成控制柵極材料層206，其中控制柵極材料層206可以選用未摻雜的多晶硅，也可以為金屬柵極等?？刂茤艠O材料層206的厚度范圍可以為1000～3000埃，較佳地為2200埃。

值得一提的是，本發(fā)明的制造方法尤其適用于0.35μm以上的半導(dǎo)體器件的制造工藝，對于其它節(jié)點(diǎn)的器件的制造也可適用。

至此完成了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的關(guān)鍵步驟的介紹，對于完整的器件的制備還需其他中間或者后續(xù)制程，在此均不再贅述。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例二提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具體包括以下步驟：

繼續(xù)參考圖2，首先，提供半導(dǎo)體襯底200，在所述半導(dǎo)體襯底200的表面上形成有第一多晶硅層202。

示例性地，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成柵極介電層201，

其中，所述柵極介電層201可以選用本領(lǐng)域常用的介電材料，例如可以選用氧化物。第一多晶硅層202形成于柵極介電層201的 表面上。

其中，本步驟與前述實(shí)施例一中的步驟基本上相同，在此不再贅述。

接著，在所述第一多晶硅層202上沉積形成金屬硅化物203，其中，采用化學(xué)氣相沉積法沉積所述金屬硅化物203，且使其沉積溫度400℃以上。

如圖2所示，一金屬硅化物層203沉積于第一多晶硅層202上。示例性地，金屬硅化物層203的厚度可以為500～1500埃，較佳地為1200埃。該金屬硅化物203包括，例如，硅化鎢(WSi_x)、硅化鉬(MoSi_x)、硅化鉭(TaSi_x)、硅化鈦(TiSi_x)、硅化鈷(CoSi_x)或其它金屬硅化物。本實(shí)施例中，金屬硅化物較佳地為硅化鎢(WSi_x)?？刹捎帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何方法形成該金屬硅化物203，例如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、磁控濺射等工藝。

在一個示例中，采用化學(xué)氣相沉積工藝沉積(WSi_x)膜。其源氣體包括硅先驅(qū)物和鎢先驅(qū)物。硅先驅(qū)物包括，例如，硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)或者二氯甲硅烷(SiH₂Cl₂)等。W先驅(qū)物包括六氟化鎢(WF₆)、六氯化鎢(WCl₆)或者六羰基化鎢(W[CO]₆)等。將先驅(qū)物引入到CVD的反應(yīng)腔室中。本實(shí)施例中，CVD的沉積溫度在400℃以上，例如，400℃、410℃、415℃、425℃、430℃、450℃、500℃、550℃、600℃、650℃、700℃等。其中，與之后預(yù)定形成的摻雜的第二多晶硅層204配合，可使得本步驟中的沉積工藝采用相對比較低的沉積溫度，例如400℃～440℃之間的沉積溫度。

接著，在所述金屬硅化物203上沉積形成摻雜的第二多晶硅層204，其中，采用化學(xué)氣相沉積法沉積形成摻雜的所述第二多晶硅層204，沉積所述第二多晶硅層204包括：首先沉積4～6分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積4～6分鐘的摻雜的多晶硅。

具體地，所述摻雜的第二多晶硅層204包括自下而上的未摻雜的多晶硅和摻雜的多晶硅。

摻雜的第二多晶硅層204的形成方法可選用化學(xué)氣相淀積(CVD)工藝。形成所述第二多晶硅層204的工藝條件包括：反應(yīng)氣體為四氯 化硅(SiCl₄)或三氯氫硅(SiHCl₃)、硅烷(SiH₄)和二氯氫硅(SiH₂Cl₂)等中的至少一種，較佳地選用硅烷，所述硅烷的流量范圍可為100～200立方厘米/分鐘(sccm)，如150sccm；反應(yīng)腔內(nèi)溫度范圍可為700～750攝氏度；反應(yīng)腔內(nèi)壓力可為250～350mTorr(毫毫米汞柱)，如300mTorr；所述反應(yīng)氣體中還可包括緩沖氣體，所述緩沖氣體可為氦氣(He)或氮?dú)?，所述氦氣和氮?dú)獾牧髁糠秶蔀?～20slm(升/分鐘)，如8slm、10slm或15slm。其中，根據(jù)預(yù)定形成的第二多晶硅層的厚度等，來控制調(diào)整沉積總時(shí)間，例如，第二多晶硅層的厚度范圍可以為200～500埃，較佳地為300埃。通過延長第二多晶硅層沉積時(shí)的未摻雜的多晶硅層的厚度來降低第二多晶硅層204的應(yīng)力。

在一個示例中，沉積所述第二多晶硅層所用的總的沉積時(shí)間范圍為9～11分鐘，所述沉積包括：首先沉積4～6分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積4～6分鐘的摻雜的多晶硅。進(jìn)一步地，可使得首先沉積的未摻雜的多晶硅的時(shí)間與之后沉積的摻雜的多晶硅的時(shí)間相等。其中，較佳的是，首先沉積5分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積5分鐘的摻雜的多晶硅。

對于摻雜的多晶硅的工藝可直接通過在CVD工藝中伴隨通入包括摻雜劑的前驅(qū)物，進(jìn)行原位摻雜工藝，其摻雜類型根據(jù)器件類型可具體選擇為N型或者P型，其中，P型摻雜劑包括但不限于硼，N型摻雜劑包括但不限于磷或者砷等。包括P型摻雜劑的前驅(qū)物包括，例如，BH₃、B₂H₆等，包括N型摻雜劑的前驅(qū)物包括，例如，PH₃等。

其中，第一多晶硅層202、金屬硅化物203和第二多晶硅層204共同構(gòu)成柵極材料層，例如可作為浮柵，其具有較小的電阻，較佳的導(dǎo)電性能。

通過延長第二多晶硅層204中未摻雜的多晶硅層的沉積時(shí)間可以減小其應(yīng)力。同時(shí)，由于本步驟對于第二多晶硅層204沉積方式的改進(jìn)，可使得前述步驟中金屬硅化物的沉積工藝也可采用相對比較低的沉積溫度，例如400℃～440℃之間的沉積溫度，也可以避免之后金屬硅化物與第二多晶硅層204之間剝離問題的出現(xiàn)，還擴(kuò)大了金屬硅化物的沉積溫度的窗口。

之后，還包括在所述第二多晶硅層204上沉積形成隔離材料層205，以及在所述隔離材料層205上沉積形成控制柵極材料層206的步驟。

所述隔離材料層205可以選用本領(lǐng)域常用的絕緣材料，例如ONO(氧化物-氮化物-氧化物的結(jié)構(gòu)絕緣隔離層)，但是并不局限于所述材料。

然后在所述隔離材料層的上方形成控制柵極材料層206，其中控制柵極材料層206可以選用未摻雜的多晶硅，也可以為金屬柵極等。控制柵極材料層206的厚度范圍可以為1000～3000埃，較佳地為2200埃。

值得一提的是，本發(fā)明的制造方法尤其適用于0.35μm以上的半導(dǎo)體器件的制造工藝，對于其它節(jié)點(diǎn)的器件的制造也可適用。

至此完成了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的關(guān)鍵步驟的介紹，對于完整的器件的制備還需其他中間或者后續(xù)制程，在此均不再贅述。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，通過增加金屬硅化物的沉積溫度，以及延長金屬硅化物上的多晶硅層中的未摻雜的多晶硅的沉積時(shí)間來降低相應(yīng)材料層的應(yīng)力，進(jìn)而防止其在之后退火步驟中發(fā)生應(yīng)力的變化而導(dǎo)致金屬硅化物和其上層的多晶硅層發(fā)生剝離問題，因此，提高了器件的良率和性能。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。