本申請(qǐng)要求于2015年11月27日提交的第10-2015-0167733號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各個(gè)實(shí)施例涉及圖案化技術(shù)，更具體地，涉及形成包括焊盤部分和線部分的精細(xì)圖案的方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速增長，很多努力都集中在將半導(dǎo)體器件集成在半導(dǎo)體襯底的有限區(qū)域中。典型地，增加半導(dǎo)體器件的密度的嘗試導(dǎo)致了精細(xì)圖案的形成。已經(jīng)提出了各種技術(shù)，用于形成具有納米級(jí)關(guān)鍵尺寸(CD)的精細(xì)圖案，例如，尺寸從大約幾納米到大約幾十納米。

由于現(xiàn)有光刻設(shè)備的圖像分辨率的限制，用于形成精細(xì)圖案的光刻工藝工藝可能受到限制。光刻設(shè)備的圖像分辨率的限制與從所使用的光學(xué)系統(tǒng)的光源產(chǎn)生的光的波長和所述光學(xué)系統(tǒng)的分辨率限制有關(guān)。最近，已經(jīng)提出了雙重圖案化(DPT)或間隔圖案化(SPT)技術(shù)，用于克服光刻設(shè)備的分辨率限制。

在形成一陣列具有基本相同寬度的重復(fù)的線/間隔圖案中，可以使用間隔圖案化技術(shù)(SPT)。但是，使用間隔圖案化技術(shù)(SPT)可能難以形成線/間隔圖案連同具有與線/間隔圖案的線圖案不同的寬度的焊盤(Pad)圖案。因此，為了解決以上問題，可以在使用間隔圖案化技術(shù)(SPT)形成線/間隔圖案之后，使用額外的光刻工藝來形成焊盤圖案。但是，在此情況下，可能在線/間隔圖案與焊盤圖案之間發(fā)生疊加誤差。當(dāng)在形成焊盤圖案的同時(shí)在線/間隔圖案與焊盤圖案之間發(fā)生疊加誤差時(shí)，焊盤圖案和線/間隔圖案可能彼此不重疊，導(dǎo)致焊盤圖案和線/間隔圖案彼此分離的故障。另外，當(dāng)在形成焊盤圖案的同時(shí)在線/間隔圖案與焊盤圖案之間發(fā)生疊加誤差時(shí)，焊盤圖案可能與鄰接于所期望的線圖案的非所期望的線圖案重疊，導(dǎo)致焊盤圖案不電連接到所期望的線圖案的故障。此外，使用形成焊盤圖案的光刻工藝可能難以精確地控制焊盤圖案的關(guān)鍵尺寸。在此情況下，焊盤圖案可能與線/間隔圖案的所期望的線圖案分離，導(dǎo)致焊盤圖案不電連接到所期望的線圖案的故障。這些故障是使用間隔圖案化技術(shù)(SPT)來形成精細(xì)圖案的限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種形成精細(xì)圖案的改進(jìn)的方法。所述方法包括在基層上形成間隔物。間隔物形成為包括間隔物塊部分、設(shè)置為面向間隔物塊部分的第一開口區(qū)域以及多個(gè)第一線部分，第一線部分從間隔物塊部分的側(cè)壁向第一開口區(qū)域延伸，以便第一線部分的端部與第一開口區(qū)域接觸。間隔件形成在間隔物的側(cè)壁上。間隔件形成為包括包圍與第一開口區(qū)域重疊的第二開口區(qū)域的間隔件環(huán)路部分、設(shè)置在第一線部分中的每一個(gè)的兩個(gè)側(cè)壁上的多個(gè)第二線部分、設(shè)置在第一線部分的端部的側(cè)壁上的第一連接部分以及設(shè)置在間隔物塊部分的側(cè)壁在第一線部分之間的部分上的第二連接部分。去除間隔物，以暴露與由間隔物塊部分占用的區(qū)域?qū)?yīng)的第三開口區(qū)域，并且暴露第二線部分之間的所有間隔。形成目標(biāo)圖案，以填充被間隔件暴露的區(qū)域。目標(biāo)圖案形成為包括填充第二線部分之間的間隔的第三線部分、填充第二開口區(qū)域的第一焊盤塊部分以及填充第三開口區(qū)域的第二焊盤塊部分。將第一和第二焊盤塊部分中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種形成精細(xì)圖案的方法。所述方法包括在基層上形成硬掩模層。間隔物形成在硬掩模層上。間隔物形成為包括間隔物塊部分、設(shè)置為面向間隔物塊部分的第一開口區(qū)域以及多個(gè)第一線部分，第一線部分從間隔物塊部分的側(cè)壁向第一開口區(qū)域延伸，以便第一線部分的端部與第一開口區(qū)域接觸。間隔件形成在間隔物的側(cè)壁上。間隔件形成為包括包圍與第一開口區(qū)域重疊的第二開口區(qū)域的間隔件環(huán)路部分、設(shè)置在第一線部分中的每一個(gè)的兩個(gè)側(cè)壁上的多個(gè)第二線部分、設(shè)置在第一線部分的端部的側(cè)壁上的第一連接部分以及設(shè)置在間隔物塊部分的側(cè)壁在第一線部分之間的部分上的第二連接部分。去除間隔物，以暴露與由間隔物塊部分占用的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口區(qū)域，并且暴露第二線部分之間的所有間隔。將間隔件的圖案特征轉(zhuǎn)移到硬掩模層，以形成硬掩模。硬掩模形成為暴露與第二開口區(qū)域重疊的第四開口區(qū)域和與第三開口區(qū)域重疊的第五開口區(qū)域，以設(shè)置具有與第二線部分相同的平面特征的第三線部分。目標(biāo)圖案形成為填充被硬掩模暴露的區(qū)域。硬掩模形成為包括填充第三線部分之間的間隔的第四線部分、填充第四開口區(qū)域的第一焊盤塊部分以及填充第五開口區(qū)域的第二焊盤塊部分。將第一和第二焊盤塊部分中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種形成精細(xì)圖案的方法。所述方法包括在基層上形成間隔物。間隔物形成為包括間隔物塊部分、設(shè)置為面向間隔物塊部分的第一開口區(qū)域以及多個(gè)第一線部分，第一線部分從間隔物塊部分的側(cè)壁向第一開口區(qū)域延伸，以便第一線部分的端部與第一開口區(qū)域接觸。間隔件形成在間隔物的側(cè)壁上。間隔件形成為包括與第一開口區(qū)域重疊的第二開口區(qū)域、設(shè)置在第一線部分中的每一個(gè)的兩個(gè)側(cè)壁上的多個(gè)第二線部分、設(shè)置在第一線部分的端部的側(cè)壁上的第一連接部分以及設(shè)置在間隔物塊部 分的側(cè)壁在第一線部分之間的部分上的第二連接部分。去除間隔物，以暴露與由間隔物塊部分占用的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口區(qū)域，并且暴露第二線部分之間的所有間隔。形成導(dǎo)電圖案，以填充被間隔件暴露的區(qū)域。導(dǎo)電圖案形成為包括填充第二線部分之間的間隔的第三線部分、填充第二開口區(qū)域的第一焊盤塊部分以及填充第三開口區(qū)域的第二焊盤塊部分。將第一和第二焊盤塊部分中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種形成精細(xì)圖案的方法。所述方法包括在基層上形成間隔物。間隔物形成為包括間隔物塊部分、設(shè)置為面向間隔物塊部分的第一開口區(qū)域以及多個(gè)第一線部分，第一線部分從間隔物塊部分的側(cè)壁向第一開口區(qū)域延伸，以便第一線部分的端部與第一開口區(qū)域接觸。間隔件形成在間隔物的側(cè)壁上。間隔件形成為設(shè)置有與第一開口區(qū)域重疊的第二開口區(qū)域，并且包括在第一線部分中的每一個(gè)的兩個(gè)側(cè)壁上的第二線部分。去除間隔物，以暴露與由間隔物塊部分占用的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口區(qū)域，并且暴露第二線部分之間的所有間隔。形成目標(biāo)圖案，以填充被間隔件暴露的區(qū)域。目標(biāo)圖案形成為包括填充第二線部分之間的間隔的第三線部分、填充第二開口區(qū)域的第一焊盤塊部分以及填充第三開口區(qū)域的第二焊盤塊部分。將第一和第二焊盤塊部分中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分。

附圖說明

鑒于附圖和所附的詳細(xì)描述，本公開的各個(gè)實(shí)施例將變得更清楚。

圖1至圖24示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成一陣列精細(xì)圖案的方法；以及

圖25至圖38示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的形成一陣列精細(xì)圖案的方法。

具體實(shí)施方式

本文所使用的術(shù)語可以對(duì)應(yīng)于考慮到它們?cè)趯?shí)施例中的功能而選擇的詞語，并且這些術(shù)語的意義可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員有不同的解釋。如果詳細(xì)定義，可以根據(jù)定義解釋這些術(shù)語。除非另外定義，本文所使用的術(shù)語具有本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的意義。應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可以在本文用來描述各個(gè)元件，但這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來區(qū)分一個(gè)元件和另一個(gè)元件。因此，在某些實(shí)施例中的第一元件可以在其他實(shí)施例中被叫做第二元件，而不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。還應(yīng)理解的是，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q為在另一個(gè)元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸稀?、“下”、“之下”或“外部”時(shí)，所述元件或?qū)涌梢耘c另一個(gè)元件或?qū)又苯咏佑|，或可以存在中間元件或?qū)?。用來描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其他詞語也應(yīng)該以同樣的方式來解釋(例如，“之間”與“直接之間”或“鄰接”與“直接鄰接”)。在說明書全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。因此，即使根據(jù)一個(gè)附圖未提及或描述一個(gè)附圖標(biāo)記，也可能根據(jù)另一附圖提及或描述了該附圖標(biāo)記。此外，即使在一個(gè)附圖中未示出一個(gè)附圖標(biāo)記，也可能根據(jù)另一附圖提 及或描述了該附圖標(biāo)記。

本文所使用的術(shù)語“圖案”可以表示一種圖案，所述圖案形成為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的電子電路或集成電路的元件。半導(dǎo)體器件可以是或包括存儲(chǔ)器件。半導(dǎo)體器件可以是或包括邏輯器件。存儲(chǔ)器件可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)器件、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)器件、快閃存儲(chǔ)器件、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM)器件、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)(ReRAM)器件、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)(FeRAM)器件、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PcRAM)器件等。半導(dǎo)體器件可以用于通信系統(tǒng)(例如，移動(dòng)電話)、與生物技術(shù)或醫(yī)療保健相關(guān)的電子系統(tǒng)、可穿戴電子系統(tǒng)等。

圖1至圖24示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成一陣列精細(xì)圖案的方法。

圖1和圖2示出了形成間隔物(partition)100的步驟。圖2是沿圖1的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖1和圖2，可以使用間隔圖案化技術(shù)(SPT)使間隔物100形成在基層200上?；鶎?00可以是半導(dǎo)體層，例如，硅層、半導(dǎo)體襯底或半導(dǎo)體晶片。組成存儲(chǔ)單元的晶體管或外圍電路可以集成在基層200中和/或在基層上。絕緣襯底或金屬襯底也可以用作基層200。替代地，基層200可以是電介質(zhì)層，例如，氧化硅層或氮化硅層，其形成在半導(dǎo)體襯底(未示出)上。

導(dǎo)電層310可以形成在基層200上。導(dǎo)電層310可以被圖案化，用于在隨后的工藝中形成諸如位線的互連線。導(dǎo)電層310可以由金屬層形成，例如，鎢(W)層、銅(Cu)層、鋁(Al)層或氮化鈦(TiN)層。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電層310可以形成為包括硅材料，例如，摻雜多晶硅材料。導(dǎo)電層310可以與在隨后的工藝中最終被圖案化的最終目標(biāo)層相對(duì)應(yīng)。但是，在某些實(shí)施例中，電介質(zhì)層或絕緣層可以代導(dǎo)電層310而形成在基層200上，以用作最終目標(biāo)層。

阻擋層320可以形成在導(dǎo)電層310上。阻擋層320可以形成為保護(hù)和隔離導(dǎo)電層310。阻擋層320可以形成為包括電介質(zhì)層，例如氮化硅(SiN)層。阻擋層320可以用作覆蓋位線上表面的覆蓋層。

硬掩模層330可以形成在阻擋層320上。可以使硬掩模層330在隨后的工藝中圖案化，并且被圖案化的硬掩模層在用于使阻擋層320或?qū)щ妼?10圖案化的刻蝕工藝過程中可以用作刻蝕掩模。硬掩模層330可以由相對(duì)于阻擋層320和/或?qū)щ妼?10具有刻蝕選擇性的材料形成。硬掩模層330可以由電介質(zhì)層形成，所述電介質(zhì)層包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層?？梢愿鶕?jù)阻擋層320或?qū)щ妼?10的材料來確定硬掩模層330的材料。

間隔物層可以形成在硬掩模層330上?？梢允褂糜糜谛纬砷g隔物100的光刻工藝和 刻蝕工藝使間隔物層圖案化。如圖1和圖2所示，間隔物100可以形成為暴露硬掩模層330的多個(gè)部分。

當(dāng)使用傳統(tǒng)的間隔圖案化技術(shù)(SPT)形成圖案時(shí)，圖案可以形成為僅具有寬度基本相同的一陣列重復(fù)的線/間隔圖案。但是，圖1的間隔物100可以形成為除了線/間隔圖案之外具有間隔物塊部分130。

與間隔物100的一部分相對(duì)應(yīng)的間隔物塊部分130可以形成為占用具有矩形平面形狀的區(qū)域。即，間隔物塊部分130可以形成為具有沿與行方向平行的水平方向延伸的帶的形狀。因此，間隔物塊部分130沿水平方向的尺寸可以大于間隔物塊部分130沿與列方向平行的垂直方向的尺寸。

第一開口區(qū)域121可以限定在沿垂直方向與間隔物塊部分130間隔開的位置處。第一開口區(qū)域121的尺寸可以設(shè)為暴露其下面的層(即，硬掩模層330)的一部分。第一開口區(qū)域121可以對(duì)應(yīng)于未被間隔物100占用的空的區(qū)域。第一開口區(qū)域121可以被對(duì)應(yīng)于間隔物100的一部分的間隔物框架部120包圍。

第一開口區(qū)域121可以限定具有矩形平面形狀的間隔物100的空的區(qū)域。即，第一開口區(qū)域121可以具有沿與行平行的水平方向延伸的帶的形狀。因此，第一開口區(qū)域121沿水平方向的尺寸可以大于第一開口區(qū)域121沿垂直方向的尺寸。

第一開口區(qū)域121和間隔物塊部分130中的每一個(gè)可以限定一個(gè)區(qū)域，在隨后的工藝中多個(gè)焊盤(Pad)部分形成在所述區(qū)域中。多個(gè)焊盤部分可以形成為從設(shè)置在第一開口區(qū)域121與間隔物塊部分130之間的區(qū)域的線部分延伸，并且可以形成為具有大于線部分尺寸的尺寸。至少兩個(gè)焊盤部分可以連續(xù)地設(shè)置在第一開口區(qū)域121和間隔物塊部分130之中的每一個(gè)內(nèi)。第一開口區(qū)域121和間隔物塊部分130可以具有基本相同的布局，并且可以彼此面對(duì)地設(shè)置。間隔物100的間隔物框架部分120可以形成為具有包圍第一開口區(qū)域121的環(huán)路形狀。第一開口區(qū)域121可以具有為間隔物100的間隔物塊部分130的倒像的布局。

第一開口區(qū)域121可以一定距離與間隔物塊部分130間隔開，并且可以設(shè)置為在與圖1的線X-X’以直角相交的垂直方向上與間隔物塊部分130面對(duì)面。間隔物100可以包括設(shè)置在間隔物塊部分130與第一開口區(qū)域121之間的多個(gè)第一線部分110。多個(gè)第一線部分110可以從間隔物塊部分130的側(cè)壁130S向第一開口區(qū)域121延伸，并且與間隔物塊部分130相對(duì)的第一線部分110的端部110E可以接觸第一開口區(qū)域121。多個(gè)第一線部分110可以沿水平方向每隔一定的距離間隔開，并且可以在垂直方向上彼此平行地延伸。間隔區(qū)域111可以設(shè)置在第一線部分110之間的間隔中。間隔區(qū)域111的寬度，即，水平方向的尺寸可以設(shè)定為基本是第一線部分110的寬度的三倍。間隔物100的間 隔物框架部分120可以從間隔物塊部分130延伸，以包圍設(shè)置有第一線部分110的區(qū)域。即，間隔物框架部分120可以具有包圍第一開口區(qū)域121和第一線部分110的環(huán)路結(jié)構(gòu)。間隔物塊部分130和第一線部分110可以設(shè)置為具有梳形結(jié)構(gòu)。

間隔物100可以具有相對(duì)復(fù)雜的布局，所述布局除了第一線部分110和在第一線部分110之間的間隔區(qū)域111之外，還包括具有與第一線部分110不同寬度和形狀的間隔物塊部分130。

可以使用顯示出高圖像分辨率的先進(jìn)的光刻工藝，例如，具有氬氟(ArF)光源的浸沒式光刻工藝，來形成間隔物100，以實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于復(fù)雜布局的精細(xì)圖案。此外，因?yàn)殚g隔區(qū)域111的寬度大于第一線部分110的寬度，所以可以使用暗色調(diào)的光掩模(未示出)來形成間隔物100，以獲得第一線部分110的精確圖案。

間隔物100可以由相對(duì)于其下面的層(即，硬掩模層330)具有刻蝕選擇性的各種材料之中的一種形成。間隔物100可以形成為包括與其下面的層(即，硬掩模層330)不同的電介質(zhì)材料。例如，間隔物100可以由電介質(zhì)層形成，所述電介質(zhì)層包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層。替代地，間隔物100可以由包括硅材料(例如，多晶硅材料)的材料形成。

圖3至圖5示出了形成間隔件400的步驟。圖4和圖5是沿圖3所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖3至圖5，間隔件400可以形成在間隔物100的側(cè)壁上。具體地，間隔件層401可以形成為覆蓋間隔物100以及硬掩模層330的被間隔物100所暴露的部分。間隔件層401可以形成為具有基本符合間隔物100的表面形態(tài)的表面輪廓。間隔件層401可以由相對(duì)于間隔物100及其下面的硬掩模層330具有刻蝕選擇性的材料形成。間隔件層401可以由與間隔物100及其下面的硬掩模層330不同的材料形成。當(dāng)間隔件層401由與間隔物100及其下面的硬掩模層330不同的材料形成時(shí)，間隔件層401可以由電介質(zhì)材料形成，所述電介質(zhì)材料包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層。替代地，間隔件層401可以由包括硅材料(例如，多晶硅材料)的材料形成。在某些實(shí)施例中，間隔件層401可以形成為包括超低溫氧化物(ULTO)層。

圖4中所示的間隔件層401可以被非均質(zhì)地刻蝕，用于形成間隔件400，如圖5中所示，所述的間隔件400保留在間隔物100的側(cè)壁上，并且暴露間隔物100的上表面和硬掩模層330的部分。

再次參見圖3，因?yàn)殚g隔件400形成在間隔物100的側(cè)壁上，所以間隔件400可以具有符合間隔物100的側(cè)壁的布局。因此，間隔件400可以包括形成在限定第一開口區(qū) 域121的間隔物框架部分120的內(nèi)側(cè)壁上的間隔件環(huán)路部分420。間隔件環(huán)路部分420可以限定與第一開口區(qū)域121重疊的第二開口區(qū)域421。間隔件400還可以包括形成在第一線部分110的側(cè)壁上的第二線部分410。此外，間隔件400還可以包括形成在第一線部分110的端部110E的側(cè)壁上的第一連接部分410A以及形成在側(cè)壁130S位于第一線部分110之間的部分上的第二連接部分410B。比間隔區(qū)域111窄的間隔區(qū)域411可以設(shè)置在第二線部分410之間。

間隔件400可以包括折疊式的線部分，其由第一連接部分410A、第二連接部分410B和第二線部分410組成，以具有齒形布局。第一連接部分410A可以沿與圖3的線X-X’平行的水平方向每隔一定距離彼此間隔開。第二連接部分410B也可以沿與圖3的線X-X’平行的水平方向每隔一定距離彼此間隔開。第一連接部分410A可以設(shè)置為在與圖3的線X-X’相交的垂直方向上不與第二連接部分410B對(duì)齊。即，第一連接部分410A相對(duì)于第二連接部分410B沿水平方向平移。因此，第一連接部分410A、第二連接部分410B和第二線部分410可以彼此串聯(lián)連接，以構(gòu)成具有齒形的折疊線。結(jié)果，間隔件400在平面圖中可以具有閉合的環(huán)路形狀。

圖6和圖7示出了暴露間隔件400的外側(cè)壁的步驟。圖7是沿圖中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖6和圖7，可以選擇性地去除間隔物100，以暴露間隔件400的外側(cè)壁。間隔物100可以通過選擇性地刻蝕相對(duì)于間隔件400和硬掩模層330具有刻蝕選擇性的間隔物100來去除。在去除間隔物100時(shí)，可以去除間隔物100的間隔物塊部分130，以提供第三開口區(qū)域430。第三開口區(qū)域430可以對(duì)應(yīng)于被間隔物塊部分130占用的區(qū)域。

圖8和圖9示出了形成硬掩模339的步驟。圖9是沿圖8中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖8和圖9，間隔件400的圖案布局可以轉(zhuǎn)移到硬掩模層330，用于形成硬掩模339。具體地，可以通過采用間隔件400作為刻蝕掩模的非均質(zhì)刻蝕工藝來刻蝕硬掩模層330，由此形成硬掩模339。結(jié)果，硬掩模339可以形成為具有與間隔件400基本相同的平面布局。硬掩模339可以形成為包括硬掩模環(huán)路部分332以及包括第三線部分331，硬掩模環(huán)路部分包圍與第二開口區(qū)域421的轉(zhuǎn)移區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第四開口區(qū)域338，第三線部分對(duì)應(yīng)于第二線部分410的轉(zhuǎn)移圖案。在形成硬掩模339之后，可以提供與第三開口區(qū)域430的轉(zhuǎn)移區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第五開口區(qū)域334。在形成硬掩模339之后，可以去除間隔件400。

當(dāng)在隨后的工藝中使下面的層圖案化的同時(shí)，硬掩模339可以用作刻蝕掩模，用以提高刻蝕選擇性。如果不提供硬掩模339，則在隨后的工藝中使下面的層圖案化時(shí)，間 隔件400可以用作刻蝕掩模。在此情況下，用于使下面的層圖案化的刻蝕工藝會(huì)呈現(xiàn)出差的刻蝕選擇性。硬掩模339可以形成為具有與間隔件400基本相同的平面布局。

圖10至圖12示出了形成填充由硬掩模339限定的開口區(qū)域的目標(biāo)圖案500的步驟。圖11和圖12是沿圖10中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖10和圖11，目標(biāo)圖案500可以形成為填充由硬掩模339限定的開口區(qū)域。因此，目標(biāo)圖案500可以具有為硬掩模339的倒像的布局。具體地，目標(biāo)層501可以形成為覆蓋硬掩模339的整個(gè)部分以及被硬掩模339暴露的下面的阻擋層320的部分。目標(biāo)層501可以由相對(duì)于硬掩模339和下面的阻擋層320具有刻蝕選擇性的材料層形成。目標(biāo)層501可以由與硬掩模339和下面的阻擋層320不同的材料層形成。當(dāng)目標(biāo)層501由與硬掩模339和下面的阻擋層320不同的材料層形成時(shí)，目標(biāo)層501可以由電介質(zhì)材料形成，所述電介質(zhì)材料包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層。替代地，目標(biāo)層501可以由包括硅材料(例如，多晶硅材料)的材料形成。在某些實(shí)施例中，目標(biāo)層501可以由導(dǎo)電材料形成。

如圖12所示，目標(biāo)層501可以是凹陷的，直到暴露硬掩模339的上表面為止。結(jié)果，可以在被硬掩模339包圍的多個(gè)內(nèi)部區(qū)域內(nèi)和包圍著硬掩模339的外部區(qū)域內(nèi)形成目標(biāo)圖案500?？梢允褂闷教够に嚕?，回蝕工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，使目標(biāo)層501凹陷。因?yàn)槟繕?biāo)圖案500形成為填充被硬掩模339包圍的間隔區(qū)域，所以目標(biāo)圖案500可以具有為硬掩模339的倒像的形狀。

目標(biāo)圖案500可以形成為包括第四線部分510、第一焊盤塊部分520和第二焊盤塊部分530，第四線部分填充硬掩模339的第三線部分331之間的間隔區(qū)域，第一焊盤塊部分520填充被硬掩模339的硬質(zhì)掩模環(huán)路部分332包圍的第四開口區(qū)域338，第二焊盤塊部分530填充第五開口區(qū)域334。第一和第二焊盤塊部分520和530中的每一個(gè)在隨后工藝中可以分成多個(gè)焊盤部分。第四線部分510中每一個(gè)沿水平方向的寬度可以小于第一和第二焊盤塊部分520和530中的每一個(gè)沿垂直方向的寬度。

因?yàn)橛惭谀?39形成為具有與間隔件400基本相同的平面布局，所以當(dāng)間隔件400具有足夠高的刻蝕選擇性以用作形成目標(biāo)圖案500的優(yōu)秀的刻蝕掩模或優(yōu)秀的模板時(shí)，可以省略形成硬掩模層330的工藝。在此情況下，可以在被間隔件400包圍的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)和間隔件400的外部區(qū)域內(nèi)形成目標(biāo)圖案500，因此可以使用間隔件400作為模板形成目標(biāo)圖案500。同時(shí)，硬掩模339可以由多層材料形成，以增加其刻蝕選擇性。

圖13和圖14示出了暴露目標(biāo)圖案500的側(cè)壁的步驟。圖14是沿圖13中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖13和圖14，可以選擇性地去除硬掩模339，以暴露目標(biāo)圖案500的側(cè)壁和 下面的阻擋層320的一部分?？梢匀コ惭谀?39，以設(shè)置溝槽505?？梢岳糜惭谀?39相對(duì)于目標(biāo)圖案500和下面的阻擋層320的刻蝕選擇性而選擇性地刻蝕和去除硬掩模339。

當(dāng)不形成硬掩模層330而使用間隔件400作為模板來形成目標(biāo)圖案500時(shí)，可以通過選擇性地去除間隔件400來暴露下面的阻擋層320。

圖15至圖19示出了形成切割掩模600的步驟。圖16至圖19是沿圖15中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖15至圖19，切割掩模600可以形成在目標(biāo)圖案500上，以暴露目標(biāo)圖案500的某些部分。切割掩模600可以形成為包括線/間隔區(qū)域630，線/間隔區(qū)域630覆蓋目標(biāo)圖案500的第四線部分510和在第四線部分510之間的間隔區(qū)域。此外，切割掩模600可以形成為包括暴露第一和第二焊盤塊部分520和530的某些部分的開口區(qū)域620，并且包括覆蓋第一和第二焊盤塊部分520和530的其他部分的某些部分610。切割掩模600的某些部分610可以限定焊盤部分。可以通過以下步驟來形成切割掩模600：在目標(biāo)圖案500上涂覆光刻膠層601以填充溝槽505(見圖16)；選擇性地暴露光刻膠層601的某些部分；使暴露的光刻膠層601顯影，用以形成對(duì)應(yīng)于切割掩模600的光刻膠圖案(見圖17)。如圖17和圖18所示，當(dāng)選擇性地去除目標(biāo)圖案500被切割掩模600暴露的部分550時(shí)，可以保留第四線部分510。因此，在使用切割掩模600進(jìn)行的隨后的焊盤分離工藝過程中，可以仍然保留第四線部分510。

圖20和圖21示出了焊盤分離目標(biāo)圖案509。圖21是沿圖20中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖20和圖21，可以使用切割掩模600作為刻蝕掩模來選擇性地刻蝕目標(biāo)圖案500的被切割掩模600暴露的部分，由此將第一和第二焊盤塊部分520和530之中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分500P。因?yàn)榍懈钛谀?00形成為覆蓋第四線部分510和在第四線部分510之間的間隔區(qū)域，所以可以不去除第四線部分510，以設(shè)置線部分500L，在用于將第一和第二焊盤塊部分520和530之中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分500P的刻蝕工藝過程中，這些線部分500L分別連接到焊盤部分500P。結(jié)果，可以通過使用切割掩模600作為刻蝕掩模以刻蝕目標(biāo)圖案500來形成焊盤分離目標(biāo)圖案509。同樣，焊盤分離目標(biāo)圖案509中的每一個(gè)可以包括焊盤部分500P中的一個(gè)和線部分500L中的一個(gè)，焊盤部分和線部分彼此連接。焊盤部分500P中的每一個(gè)可以僅連接到相應(yīng)的線部分500L的一端。由第一焊盤塊部分520形成的焊盤部分500P可以分別地連接到線部分500L之中的奇數(shù)編號(hào)的線部分。由第二焊盤塊部分530形成的焊盤部分500P可以分別地連接到線部分500L之中的偶數(shù)編號(hào)的線部分。線部分500L中的每一個(gè)沿與線部分500L相交的水平方向的寬度可以小于焊盤部分500P中的每一個(gè)沿水平方向的寬度。

因?yàn)榍懈钛谀?00的線/間隔區(qū)域630連接到切割掩模600的部分610，所以在使用切割掩模600作為刻蝕掩模進(jìn)行的焊盤分離工藝過程中，可以防止線部分500L與焊盤部分500P之間的開口故障的發(fā)生。如圖21中的例子所示，可以在形成焊盤分離目標(biāo)圖案509之后去除切割掩模600。

圖22和圖23示出了形成具有與焊盤分離目標(biāo)圖案509相同的平面布局的導(dǎo)電圖案319的步驟。圖23是沿圖22中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖22和圖23，焊盤分離目標(biāo)圖案509的圖案布局可以轉(zhuǎn)移到下面的阻擋層320和下面的導(dǎo)電層310。具體地，可以使用焊盤分離目標(biāo)圖案509作為刻蝕掩模來依次地刻蝕阻擋層320和導(dǎo)電層310，由此形成阻擋圖案329和導(dǎo)電圖案319。導(dǎo)電圖案319中的每一個(gè)可以形成為包括導(dǎo)電線部分310L和導(dǎo)電焊盤部分310P，導(dǎo)電線部分310L具有與焊盤分離目標(biāo)圖案509的線部分500L的相應(yīng)線部分相同的平面布局，導(dǎo)電焊盤部分310P具有與焊盤分離目標(biāo)圖案509的焊盤部分500P的相應(yīng)焊盤部分相同的平面布局。阻擋圖案329可以分別地與導(dǎo)電圖案319重疊。導(dǎo)電圖案319可以對(duì)應(yīng)于最終的目標(biāo)圖案。

圖24是詳細(xì)地示出了導(dǎo)電圖案319的局部平面圖。

參見圖24，可以通過使導(dǎo)電層310圖案化來形成導(dǎo)電焊盤部分310P和導(dǎo)電線部分310L。因?yàn)槟繕?biāo)圖案500的第一和第二焊盤塊部分520和530以及線部分510通過一個(gè)圖案化工藝而同時(shí)形成，所以可以防止導(dǎo)電焊盤部分310P與導(dǎo)電線部分310L之間的連接部分N的頸縮現(xiàn)象。此外，導(dǎo)電焊盤部分310P與相鄰的導(dǎo)電線部分310L之間的距離B可以對(duì)應(yīng)于第一焊盤塊部分520與連接到第二焊盤塊部分530的線部分510的端部之間的距離(或第二焊盤塊部分530與連接到第一焊盤塊部分520的線部分510的端部之間的距離)。第一焊盤塊部分520(或第二焊盤塊部分530)與線部分510的端部之間的距離B可以通過間隔物100來確定。因此，第一焊盤塊部分520(或第二焊盤塊部分530)與線部分510的端部之間的距離B可以不受切割掩模600與目標(biāo)圖案500之間的疊加的影響。因此，無論切割掩模600與目標(biāo)圖案500之間如何疊加，都可以防止在形成在第一焊盤塊部分520下方的第一導(dǎo)電焊盤部分310P(或形成在第二焊盤塊部分530下方的第二導(dǎo)電焊盤部分310P)與連接到第二導(dǎo)電焊盤部分310P的導(dǎo)電線部分310L(或連接到第一導(dǎo)電焊盤部分310P的導(dǎo)電線部分310L)之間的橋接的形成。

圖25至圖38示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的形成一陣列精細(xì)圖案的方法。

圖25和圖26示出了形成間隔物2100的步驟。圖26是沿圖25中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖25和圖26，間隔物2100可以使用間隔圖案化技術(shù)(SPT)而形成在基層2200 上。硬掩模層2300可以形成在基層2100上。硬掩模層2300可以由電介質(zhì)層形成，所述電介質(zhì)層包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層。替代地，硬掩模層2300可以由包括硅材料(例如，多晶硅材料)的材料形成。

間隔物層可以形成在硬掩模層2300上，并且可以使用用于形成間隔物2100的光刻工藝和刻蝕工藝而使間隔物層圖案化。如圖25和圖26所示，間隔物2100可以形成為暴露硬掩模層2300的多個(gè)部分。

當(dāng)使用傳統(tǒng)的間隔圖案化技術(shù)(SPT)形成圖案時(shí)，圖案可以形成為僅具有寬度基本相同的一陣列重復(fù)的線/間隔圖案。但是，圖25的間隔物2100可以形成為除了線/間隔圖案之外還具有間隔物塊部分2130。

與間隔物2100的一部分相對(duì)應(yīng)的間隔物塊部分2130可以形成為占用具有矩形平面形狀的區(qū)域。即，間隔物塊部分2130可以形成為具有沿與行平行的水平方向延伸的帶的形狀。因此，間隔物塊部分2130沿水平方向的尺寸可以大于間隔物塊部分2130沿與列平行的垂直方向的尺寸。

第一開口區(qū)域2121可以限定在沿垂直方向與間隔物塊部分2130間隔開的位置處。第一開口區(qū)域2121可以限定為暴露下面的層(即，硬掩模層2300)的一部分。第一開口區(qū)域2121可以對(duì)應(yīng)于未被間隔物2100占用的空的區(qū)域。第一開口區(qū)域2121可以被對(duì)應(yīng)于間隔物2100的一部分的間隔物框架部分(未示出)所包圍。

第一開口區(qū)域2121和間隔物塊部分2130中的每一個(gè)可以限定在隨后的工藝中多個(gè)焊盤部分形成于其中的區(qū)域。多個(gè)焊盤部分可以形成為從設(shè)置在第一開口區(qū)域2121與間隔物塊部分2130之間的區(qū)域中的線部分延伸，并且可以形成為具有大于線部分寬度的寬度。在第一開口區(qū)域2121和間隔物塊部分2130中的每一個(gè)內(nèi)可以連續(xù)地設(shè)置至少兩個(gè)焊盤部分。第一開口區(qū)域2121和間隔物塊部分2130可以具有基本相同的形狀，并且可以彼此面對(duì)地設(shè)置。第一開口區(qū)域2121可以具有為間隔物2100的間隔物塊部分2130布局的倒像的布局。

第一開口區(qū)域2121可以一定距離與間隔物塊部分2130間隔開，并且可以設(shè)置為在與圖25的線X-X’以直角相交的垂直方向上面對(duì)間隔物塊部分2130。間隔物2100可以包括設(shè)置在間隔物塊部分2130與第一開口區(qū)域2121之間的多個(gè)第一線部分2110。多個(gè)第一線部分2110可以從間隔物塊部分2130的側(cè)壁2130S向第一開口區(qū)域2121延伸，并且第一線部分2110的相對(duì)于間隔物塊部分2130的端部2110E可以接觸第一開口區(qū)域2121。多個(gè)第一線部分2110可以沿水平方向每隔一定距離彼此間隔開，并且可以沿垂直方向彼此平行地延伸。間隔區(qū)域2111可以設(shè)置在第一線部分2110之間。間隔區(qū)域2111的寬度 可以設(shè)定為基本是第一線部分2110的寬度的三倍。間隔物塊部分2130和第一線部分2110可以設(shè)置為具有梳形的形狀。

間隔物2100可以由相對(duì)于下面的層(即，硬掩模層2300)具有刻蝕選擇性的各種材料中的一種形成。間隔物2100可以形成為包括與下面的層(即，硬掩模層2300)不同的電介質(zhì)材料。例如，間隔物2100可以由電介質(zhì)層形成，所述電介質(zhì)層包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層。替代地，間隔物2100可以由包括硅材料(例如，多晶硅材料)的材料形成。

圖27和圖28示出了形成間隔件2400的步驟。圖28是沿圖27中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖27至圖28，間隔件2400可以形成在間隔物2100的側(cè)壁上。具體地，間隔件層可以形成為覆蓋間隔物2100和硬掩模層2300的被間隔物2100暴露的部分。間隔件層可以形成為具有基本符合間隔物2100的表面形態(tài)的表面輪廓。間隔件層可以被非均質(zhì)地刻蝕，用于形成間隔件2400，間隔件2400保留在間隔物2100的側(cè)壁上，并且暴露間隔物2100的上表面和硬掩模層330的部分。在某些實(shí)施例中，間隔件層可以形成為包括超低溫氧化物(ULTO)層。

因?yàn)殚g隔件形成在間隔物2100的側(cè)壁上，所以間隔件可以具有符合間隔物2100側(cè)壁的布局。間隔件2400可以包括包圍間隔物塊部分2130的間隔件環(huán)路部分2420。間隔件2400還可以包括形成在第一線部分2110的側(cè)壁上的第二線部分2410。此外，間隔件2400還可以包括形成在第一線部分2110的端部2110E的側(cè)壁上的第一連接部分2410A和形成在側(cè)壁2130S位于第一線部分110之間的部分上的第二連接部分2410B。可以將比間隔區(qū)域2111窄的間隔區(qū)域2411設(shè)置在第二線部分2410之間。間隔件2400可以形成為限定與第一開口區(qū)域2121重疊的第二開口區(qū)域2421。

間隔件2400可以包括折疊式線部分，其由第一連接部分2410A、第二連接部分2410B和第二線部分2410組成，以具有齒形形狀。第一連接部分2410A可以沿與圖27的線X-X’平行的水平方向彼此間隔開。第二連接部分2410B也可以設(shè)置為沿與圖27的線X-X’平行的水平方向彼此間隔開。第一連接部分2410A可以設(shè)置為在與圖27的線X-X’相交的垂直方向上不與第二連接部分2410B對(duì)齊。即，第一連接部分2410A相對(duì)于第二連接部分2410B沿水平方向平移。因此，第一連接部分2410A、第二連接部分2410B和第二線部分2410可以彼此串聯(lián)連接，以構(gòu)成具有齒形形狀的折疊線。結(jié)果，間隔件2400在平面圖中可以具有閉合的環(huán)路形狀。

圖29和圖30示出了暴露間隔件2400的內(nèi)側(cè)壁的步驟。圖30是沿圖29中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖29和圖30，可以選擇性地去除間隔物2100，以暴露間隔件2400的內(nèi)側(cè)壁。在去除間隔物2100時(shí)，可以去除間隔物2100的間隔物塊部分2130，以提供第三開口區(qū)域2430。第三開口區(qū)域2430可以對(duì)應(yīng)于被間隔物塊部分2130占用的區(qū)域。

圖31至圖32示出了形成填充了由間隔件2400限定的開口區(qū)域的目標(biāo)圖案2500的步驟。圖32是沿圖31中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖31和圖32，目標(biāo)圖案2500可以形成為填充由間隔件2400限定的開口區(qū)域。因此，目標(biāo)圖案2500可以具有間隔件2400的倒像。具體地，目標(biāo)層可以形成為覆蓋間隔件2400的整個(gè)部分和下面的阻擋層2300的被間隔件2400暴露的部分。目標(biāo)層可以由相對(duì)于間隔件2400和下面的阻擋層2300具有刻蝕選擇性的材料層形成。目標(biāo)層可以由與間隔件2400和下面的阻擋層2300不同的材料層形成。目標(biāo)層可以由電介質(zhì)材料形成，所述電介質(zhì)材料包括旋涂碳(SOC)層、二氧化硅(SiO2)層、氮化硅(Si3N4)層或氮氧化硅(SiON)層。替代地，目標(biāo)層可以由包括硅材料(例如，多晶硅材料)的材料形成。在某些實(shí)施例中，目標(biāo)層可以由導(dǎo)電材料形成。

目標(biāo)層可以是凹陷的，直到暴露間隔件2400的上表面為止。結(jié)果，可以在被間隔件2400包圍的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)和包圍間隔件2400的外部區(qū)域內(nèi)形成目標(biāo)圖案2500。可以使用平坦化工藝，例如，回蝕工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，使目標(biāo)層凹陷。因?yàn)槟繕?biāo)圖案2500形成為填充被間隔件2400包圍的間隔區(qū)域，所以目標(biāo)圖案2500可以具有間隔件2400的倒像。

目標(biāo)圖案2500可以形成為包括第三線部分2510、第一焊盤塊部分2520和第二焊盤塊部分2530，第三線部分2510填充間隔件2400的第二線部分2410之間的間隔區(qū)域，第一焊盤塊部分2520填充第二開口區(qū)域(圖29的2421)，第二焊盤塊部分2530填充被間隔件環(huán)路部分2420包圍的第三開口區(qū)域(圖29的2430)。第一和第二焊盤塊部分2520和2530中的每一個(gè)在隨后工藝中可以分成多個(gè)焊盤部分。第三線部分2510中的每一個(gè)沿水平方向的寬度可以小于第一和第二焊盤塊部分2520和2530中的每一個(gè)沿垂直方向的寬度。如上所述，在某些實(shí)施例中，目標(biāo)層可以由導(dǎo)電層形成。因此，可以通過沉積導(dǎo)電層并通過使導(dǎo)電層凹陷來形成目標(biāo)圖案2500。在此情況下，可以使目標(biāo)圖案2500圖案化，用于在隨后工藝中形成位線和位線焊盤。

圖33和圖34示出了暴露目標(biāo)圖案2500的側(cè)壁的步驟。圖34是沿圖33中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖33和圖34，可以選擇性地去除間隔件(圖31和圖32的2400)，以暴露目標(biāo)圖案2500的側(cè)壁和下面的阻擋層2300的一部分?？梢匀コg隔件2400，以設(shè)置溝槽2505。

圖35至圖36示出了形成切割掩模2600的步驟。圖36是沿圖35中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖35和圖36，切割掩模2600可以形成在目標(biāo)圖案2500上，以暴露目標(biāo)圖案2500的某些部分。切割掩模2600可以形成為包括線/間隔區(qū)域2630，線/間隔區(qū)域2630覆蓋目標(biāo)圖案2500的第三線部分2510和在第三線部分2510之間的間隔區(qū)域。此外，切割掩模2600可以形成為包括暴露第一和第二焊盤塊部分2520和2530的某些部分的開口區(qū)域2620，并且包括覆蓋第一和第二焊盤塊部分2520和2530的其他部分的某些部分2610。切割掩模2600的某些部分2610可以限定焊盤部分?？梢酝ㄟ^以下步驟來形成切割掩模2600：在目標(biāo)圖案2500上涂覆光刻膠層以填充溝槽2505；選擇性地暴露光刻膠層的某些部分；使暴露的光刻膠層顯影，用以形成對(duì)應(yīng)于切割掩模2600的光刻膠圖案。當(dāng)選擇性地去除目標(biāo)圖案2500的被切割掩模2600暴露的部分2550時(shí)，仍可以保留目標(biāo)圖案2500的第三線部分2510。

圖37和圖38示出了焊盤分離目標(biāo)圖案2509。圖38是沿圖37中所示的平面圖的線X-X’截取的截面圖。

參見圖37和圖38，可以使用切割掩模2600作為刻蝕掩模來選擇性地刻蝕目標(biāo)圖案2500的被切割掩模2600暴露的部分，由此將第一和第二焊盤塊部分2520和2530中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分2500P。因?yàn)榍懈钛谀?600形成為覆蓋第三線部分2510和在第三線部分2510之間的間隔區(qū)域，所以可以不去除第三線部分2510，以設(shè)置線部分2500L，在用于將第一和第二焊盤塊部分2520和2530中的每一個(gè)分離成多個(gè)焊盤部分2500P的刻蝕工藝過程中，這些線部分2500L分別連接到焊盤部分2500P。結(jié)果，可以通過使用切割掩模2600作為刻蝕掩模而刻蝕目標(biāo)圖案2500來形成焊盤分離目標(biāo)圖案2509，并且焊盤分離目標(biāo)圖案2509中的每一個(gè)可以包括焊盤部分2500P中的一個(gè)和線部分2500L中的一個(gè)，焊盤部分2500P和線部分2500L彼此連接。焊盤部分2500P中的每一個(gè)可以僅連接到線部分2500L中的相應(yīng)一個(gè)的一端。由第一焊盤塊部分2520形成的焊盤部分2500P可以分別地連接到線部分2500L之中的偶數(shù)編號(hào)的線部分。由第二焊盤塊部分2530形成的焊盤部分2500P可以分別地連接到線部分2500L之中的奇數(shù)編號(hào)的線部分。

因?yàn)榍懈钛谀?600的線/間隔區(qū)域2630連接到切割掩模2600的部分2610，所以在使用切割掩模2600作為刻蝕掩模進(jìn)行的焊盤分離工藝過程中，可以防止線部分2500L與焊盤部分2500P之間的開口故障的發(fā)生?？梢栽谛纬珊副P分離目標(biāo)圖案2509之后去除切割掩模2600。當(dāng)目標(biāo)圖案2500由導(dǎo)電層形成時(shí)，焊盤分離目標(biāo)圖案2509的線部分2500L可以用作位線，而焊盤分離目標(biāo)圖案2509的焊盤部分2500P可以用作位線焊盤。根據(jù)圖25至圖38所示的實(shí)施例，可以減少工藝步驟的數(shù)量。

根據(jù)上述實(shí)施例的方法以及由此形成的結(jié)構(gòu)可以用在集成電路(IC)芯片的制造中。可以未加工的晶片形式、以裸晶片形式或封裝形式將IC芯片提供給使用者。還可以單獨(dú)封裝形式或以多芯片封裝形式提供IC芯片。IC芯片可以集成在諸如主板的中間產(chǎn)品或最終產(chǎn)品中，以構(gòu)成信號(hào)處理設(shè)備。最終產(chǎn)品可以包括玩具、低端應(yīng)用產(chǎn)品或諸如計(jì)算機(jī)的高端應(yīng)用產(chǎn)品。例如，最終產(chǎn)品可以包括顯示裝置、鍵盤或中央處理單元(CPU)。

已經(jīng)為了說明的目的公開了本公開的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離本公開和所附權(quán)利要求的范圍和/或主旨的情況下，各種修改、增加和替換都是可以的。