本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領域，尤其涉及一種增大過孔層的過孔坡度角的方法。

背景技術(shù)：

在顯示面板行業(yè)中，電路設計一般為4～12層圖案的疊加，在半導體行業(yè)中，層數(shù)更是多達幾十道。在這些多層的電路設計中，過孔層是必不可少的一層，它起到連接電路、承上啟下的作用。對過孔層來說，過孔坡度角尤為重要，坡度角小則過孔層的關(guān)鍵尺寸損失大，當過孔坡度角為90°的時候，過孔層的關(guān)鍵尺寸損失最小。但目前采用傳統(tǒng)工藝制作出來的坡度角最大約為60°，還存在很大程度上的關(guān)鍵尺寸損失。而過孔坡度角除了和成膜與刻蝕工藝相關(guān)之外，還和光刻崗位中所成的光刻膠的坡度角有很大的關(guān)系，而光刻膠的坡度角的形成取決于真空干燥和軟烘步驟中光刻膠的軟硬程度。傳統(tǒng)工藝中一般要求真空干燥和軟烘步驟后光刻膠的軟硬程度一致，但其形成的光刻膠過孔由于溶解速率一致，會形成上寬下窄的正角，從而導致刻蝕步驟后形成的過孔坡度角偏小，影響電路的搭接質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種增大過孔層的過孔坡度角的方法，解決了增大光刻步驟中的真空干燥時長來生成上層硬度大于下層的光刻膠，并經(jīng)過曝光顯影后形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔，再經(jīng)過刻蝕步驟形成坡度角為60°至90°的過孔層過孔的技術(shù)問題。

為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種增大過孔層的過孔坡度角的方法，包括光刻步驟和刻蝕步驟，光刻步驟包括光刻膠涂膠步驟、真空干燥步驟、軟烘步驟、曝光顯影步驟；在光刻膠涂膠步驟中，將光刻膠涂覆在膜層上：在真空干燥步驟中，延長抽真空時間20％至50％，光刻膠上部硬度大于下部硬度；在曝光顯影步驟中，光刻膠經(jīng)曝光顯影形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔，光刻膠形成凸出的中部；

在刻蝕步驟中，光刻膠凸出的中部先被灰化，光刻膠過孔下方的整個膜層表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角為60°至90°的過孔層過孔。

具體地，在所述真空干燥步驟中，逐漸抽出工藝腔室的空氣直至真空，所述光刻膠上部的溶劑從表面開始蒸發(fā)。

具體地，在所述軟烘步驟中，用熱板將工藝腔室升溫，所述光刻膠下部的溶劑從底面開始蒸發(fā)。

具體地，在所述刻蝕步驟中，所述光刻膠與膜層形成過孔層過孔后的弧形邊緣與膜層底面的相交處的切面與所述膜層底面所成的夾角為所述過孔坡度角。

優(yōu)選地，在所述真空干燥步驟中，延長抽真空時間最佳為35％。

本發(fā)明提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法，在傳統(tǒng)工藝的基礎上，通過增大光刻步驟中的真空干燥時長20％至50％來使光刻膠上層的硬度大于下層，并經(jīng)過曝光顯影后形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔，再經(jīng)過刻蝕步驟形成坡度角為60°至90°的過孔層過孔，同時降低光刻后與刻蝕后的過孔層的關(guān)鍵尺寸失真，使過孔層電路能有更好的搭接效果，進一步改善電路質(zhì)量，并且當過孔層坡度角接近直角時，過孔的分辨率也能得到進一步提升。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的制作流程圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的過孔層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的真空干燥步驟中過孔層的溶劑蒸發(fā)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的軟烘步驟中過孔層的溶劑蒸發(fā)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的光刻膠過孔的形成示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的過孔層過孔的形成示意圖及其坡度角的展示圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的傳統(tǒng)方法中的過孔層的溶劑蒸發(fā)示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的傳統(tǒng)方法中的光刻膠過孔的形成示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的傳統(tǒng)方法中的過孔層過孔的形成示意圖及其坡度角的展示圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。以下元器件的取值大小僅為較佳實施例，不構(gòu)成對本發(fā)明保護范圍的限制。

參見圖1，是本發(fā)明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的制作流程圖。在本實施例中，所述的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法，包括光刻步驟和刻蝕步驟，光刻步驟包括光刻膠涂膠步驟、真空干燥(VCD)步驟、軟烘(SHP)步驟、曝光顯影步驟；在光刻膠涂膠步驟中，將光刻膠10涂覆在膜層20上，如圖2，是所述過孔層的結(jié)構(gòu)示意圖(省略位于所述膜層20地下的襯底層)；

在真空干燥(VCD)步驟中，延長抽真空時間20％至50％，光刻膠上部11硬度大于光刻膠下部12硬度；

在本實施例中，在所述真空干燥也即減壓干燥(VCD)步驟中，逐漸抽出工藝腔室的空氣直至真空來降低內(nèi)部氣壓，加快溶劑蒸發(fā)速度，作用面為光刻膠10表面，所述光刻膠上部11的溶劑從表面開始蒸發(fā)，參考圖3；在所述軟烘(VHP)步驟中，用熱板將工藝腔室升溫，加快溶劑蒸發(fā)速度，作用面為光刻膠10底面，所述光刻膠下部12的溶劑從底面開始蒸發(fā)，參考圖4。

所述軟烘(VHP)步驟中，由于光刻膠上部11與光刻膠下部12的溶劑蒸發(fā)較快，留下的溶劑較少，而光刻膠中部13的溶劑蒸發(fā)較慢，留下的溶劑較多，因為光刻膠溶劑殘留越多的話，在軟烘(VHP)完成后，光刻膠就越硬，相反殘留越少光刻膠就越軟，如是所述光刻膠10經(jīng)過曝光顯影步驟后，在曝光顯影步驟中，曝光顯影形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔G1，光刻膠10形成凸出的中部13，參考圖5；接著對經(jīng)過曝光顯影步驟處理后的光刻膠10進行刻蝕，在刻蝕步驟中，光刻膠凸出的中部13先被灰化，光刻膠過孔G1下方的整個膜層表面21以接近一致的速度灰化，形成坡度角α1為60°至90°的過孔層過孔K1，所述光刻膠10與膜層20形成過孔層過孔K1后的弧形邊緣與膜層底面22的相交處的切面與所述膜層底面22所成的夾角為所述過孔坡度角α1。真空干燥(VCD)步驟中，若采用35％的最佳延長時間，其過孔層過孔K1的坡度角α1將接近90°，參考圖6，其中的均勻虛線代表過孔層過孔K1的形成過程。

但是傳統(tǒng)工藝中一般要求減壓干燥(VCD)和軟烘(VHP)后的光刻膠軟硬程度一致，其形成的光刻膠過孔G1由于溶劑的溶解速率一致，參考圖7；如是所述光刻膠10經(jīng)過曝光顯影步驟后，形成如圖8所示的上寬下窄的光刻膠過孔G2，接著對光刻膠10及膜層20進行刻蝕，形成如圖9所示的過孔層過孔K2與過孔坡度角α2，其中的均勻虛線代表過孔層過孔K2的形成過程。

對比圖6與圖9，在刻蝕過程中，采用本發(fā)明的方法形成的光刻膠過孔G1因其上寬中窄下寬的結(jié)構(gòu)特點，使得刻蝕氣體能以接近一致的速度對整個所述光刻膠過孔G1下的整個膜層表面21進行刻蝕，再逐漸拓寬深度與寬度，形成過孔坡度角α1；而采用傳統(tǒng)方法形成的光刻膠過孔G2因其上寬下窄的結(jié)構(gòu)特點，使得刻蝕氣體到達膜層表面21的速度不一致，所述光刻膠過孔G2下的整個膜層表面21從中間部分開始進行刻蝕，再逐漸拓寬深度與寬度，最后形成過孔坡度角α2?？梢悦黠@看到，α2(約60°)小于α1(約90°)，且存在較大的關(guān)鍵尺寸失真CD loss(Critical Dimension loss)，即為圖中非均勻虛線與所述光刻膠10與膜層20形成過孔層過孔K1或K2后的弧形邊緣圍成的部分。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。