本發(fā)明實施例涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)：

近年來，微機電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)市場與半導(dǎo)體工藝的其它領(lǐng)域已快速成長。MEMS的制造從半導(dǎo)體裝置制造中的工藝技術(shù)演進，包括沉積工藝、蝕刻工藝以及可制造小型裝置的其它技術(shù)。

所述技術(shù)其中之一，波希(Bosch)工藝，是廣泛用于達成MEMS產(chǎn)業(yè)中所使用的極高的深寬比(aspect ratio)以及蝕刻硅微結(jié)構(gòu)的高蝕刻速率。波希工藝是切換工藝(switched process)，其特征在于交替硅蝕刻、聚合物沉積以及聚合物突破(polymer break through)的步驟。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一些實施例為提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含(a)圖案化襯底；(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層；(c)圖案化所述聚合物層；(d)交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)；(e)檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物的反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度，其中所述強度的采樣速度的范圍大體上為1pt/20ms到1pt/100ms；以及(f)根據(jù)所述等離子與所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點。

本發(fā)明的一些實施例為提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含(a)圖案化襯底；(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層；(c)圖案化所述聚合物層；(d)交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)；(e)檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物的反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度；以及(f)根據(jù)所述等離子與步驟(a)、(b)與(c)其中的步驟產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點。

本發(fā)明的一些實施例為提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含(a)圖案化襯底；(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層；(c)圖案化所述聚合物層；(d)交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)；(e)檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物的反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度；(f)使用平滑函數(shù)，以處理所述等離子與所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度；以及(g)根據(jù)所述平滑函數(shù)處理所述等離子與所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點。

附圖說明

為協(xié)助讀者達到最佳理解效果，建議在閱讀本發(fā)明時同時參考附件圖示及其詳細文字敘述說明。請注意為遵循業(yè)界標準作法，本專利說明書中的圖式不一定按照正確的比例繪制。在某些圖式中，尺寸可能刻意放大或縮小，以協(xié)助讀者清楚了解其中的討論內(nèi)容。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的各個方面說明制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖2A到2E為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明制造溝槽結(jié)構(gòu)的各種操作之一的剖面圖。

圖3A到3E為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明制造溝槽結(jié)構(gòu)的各種操作之一的剖面圖。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明波希工藝中變化的CFx的OES信號的概示圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明隨時間變化的等離子的OES信號強度圖式。

圖6為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明隨時間變化的等離子的OES信號強度圖式。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明隨時間變化的等離子的OES信號強度圖式。

符號說明

200 載體襯底

201 中間層

202 掩模層

203 凹部

204 襯底

204A 第一表面

204B 第二表面

206 開口

208 溝槽

210 聚合物層

212 蝕刻停止層

212A 界面

具體實施方式

本發(fā)明提供了數(shù)個不同的實施方法或?qū)嵤├?，可用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。為簡化說明起見，本發(fā)明也同時描述了特定零組件與布置的范例。請注意提供這些特定范例的目的僅在于示范，而非予以任何限制。舉例來說，在以下說明第一構(gòu)件如何在第二構(gòu)件上或上方的敘述中，可能會包含某些實施例，其中第一構(gòu)件與第二構(gòu)件為直接接觸，而敘述中也可能包含其它不同實施例，其中第一構(gòu)件與第二構(gòu)件中間另有其它構(gòu)件，以致第一構(gòu)件與第二構(gòu)件并不直接接觸。此外，本發(fā)明中的各種范例可能使用重復(fù)的參考數(shù)字和/或文字注記，以使文件更加簡單化和明確，這些重復(fù)的參考數(shù)字與注記不代表不同的實施例與布置之間的關(guān)聯(lián)性。

另外，本發(fā)明在使用與空間相關(guān)的敘述詞匯，如“在……之下”、“低”、“下”、“上方”、“之上”、“下”、“頂”、“底”和類似詞匯時，為便于敘述，其用法均在于描述圖示中一個元件或構(gòu)件與另一個(或多個)元件或構(gòu)件的相對關(guān)系。除了圖示中所顯示的角度方向外，這些空間相對詞匯也用來描述所述裝置在使用中以及操作時的可能角度和方向。所述裝置的角度方向可能不同(旋轉(zhuǎn)90度或其它方位)，而在本發(fā)明所使用的這些空間相關(guān)敘述可以同樣方式加以解釋。

在本發(fā)明實施例中，“半導(dǎo)體裝置”一詞可關(guān)于形成于結(jié)構(gòu)層或襯底中的凹部(recess)、溝槽(trench)、空腔(cavity)、開口(opening)或孔洞(hole)。

在本發(fā)明實施例中，“溝槽”一詞當其通常用于定義時，不限于長的、窄的溝渠(ditch)?！皽喜邸币辉~廣義解讀為包括不那么狹長的矩形孔洞、正方形孔洞、圓孔或多角形孔洞，其都被認為“溝槽”用于本發(fā)明的目的。

在本發(fā)明實施例中，“終點”一詞可指當襯底或結(jié)構(gòu)層被蝕刻到所欲的深度的一個點。在一些實施例中，當蝕刻穿過襯底或結(jié)構(gòu)層時，確定所述終點。在一些其它的實施例中，當蝕刻兩個結(jié)構(gòu)層其中之一以暴露此兩個結(jié)構(gòu)層之間的界面時，確定所述終點。

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的各種方面說明制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。方法100可用于圖案化襯底或結(jié)構(gòu)層。在一些實施例中，襯底或結(jié)構(gòu)層受到掩模層覆蓋，所述掩模層例如為光阻層或硬掩模層，其具有暴露所述襯底或所述結(jié)構(gòu)層的一部分的開口。方法100始于操作170(即波希工藝)，其包括操作130、140與150。在操作130中，圖案化所述襯底。例如，使用掩模層作為硬掩模，蝕刻所述襯底，以形成溝槽。在操作140中，形成聚合物層。例如，在溝槽的側(cè)壁與底部表面上，沉積聚合物層。在操作150中，圖案化聚合物層。例如，圖案化沉積在溝槽的底部表面上的聚合物層，例如突破(broken through)聚合物層。方法100繼續(xù)進行操作155，檢測等離子與操作130、140與150中產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度。方法100繼續(xù)操作160，根據(jù)所述等離子與所述產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定是否達到圖案化襯底的終點。如果未確定所述終點，則方法100再次繼續(xù)進行操作170，直到達到所需要的蝕刻深度。

方法100僅為范例，并且非用于限制本發(fā)明超出權(quán)利要求書所明確主張的內(nèi)容。在方法100之前、期間以及之后，可提供其它操作，并且在所述方法的其它實施例中，可重復(fù)、排除或移動一些所述的操作。方法100是如下所述，結(jié)合圖2A到2E與3A到3E，其為制造工藝的各種階段中的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖2A到2E為根據(jù)本發(fā)明實施例的一些實施例說明制造溝槽結(jié)構(gòu)的各種操作之一的剖面圖。如圖2A所示，提供襯底204。本文所述的襯底204包括晶片，在其上方欲形成裝置，例如半導(dǎo)體裝置、MEMS裝置或其它裝置。在一些實施例中，襯底204可包括半導(dǎo)體襯底，例如塊狀半導(dǎo)體襯底。塊狀半導(dǎo)體襯底包括元素半導(dǎo)體，例如硅/及或鍺；合適的化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦及/或銻化銦；合適的合金半導(dǎo)體，例如硅鍺、碳化硅鍺、磷砷化鎵及/或磷化銦鎵；或其等的組合。在一些實施例中，襯底204可包括多層襯底，例如絕緣體上覆硅(SOI)襯底。

在一些實施例中，襯底204的第二表面204B附接至載體襯底200。載體襯底200可包括晶片或是襯底，用于作為載體或支撐物，以于運送或制造過程中攜載、支撐或承持襯底204。載體襯底200與襯底204的尺寸、材料或特性可相同或是不同。襯底204與載體襯底200可通過任何其它合適的直接或間接接合技術(shù)而接合。在一些實施例中，中間層201，例如粘著層，用于附接襯底204與載體襯底200。在一些實施例中，凹部203位于襯底204與載體襯底200之間，因而襯底204的一部分是從載體襯底200懸空(suspend)。在一些實施例中，凹部203可通過襯底204與載體襯底200而密封。在一些實施例中，載體襯底200用于當襯底204被蝕刻穿過時防止冷卻氣體進入所述凹部并且干擾終點的檢測，所述冷卻氣體為例如氦氣或氮氣。

如圖2A所示，在襯底204上方，形成具有開口206的掩模層202?？赏ㄟ^使用許多沉積操作的任何一種，例如涂覆操作、物理氣相沉積(PVD)操作、化學(xué)氣相沉積(CVD)操作、原子層沉積(ALD)操作或任何其它合適的操作，以形成掩模層202，接著進行圖案化工藝以形成開口206。襯底204的第一表面204A的一部分從掩模層202的開口206暴露。在一些實施例中，掩模層202可由圖案化的光阻層形成。在一些其它的實施例中，掩模層202可為圖案化的氧化物層、圖案化的氮化物層或適合后續(xù)波希工藝的任何其它形式的硬掩模。

如圖2B與圖1的操作130所示，方法100始于操作130，其中襯底204被圖案化。在一些實施例中，經(jīng)由掩模層202的開口206蝕刻襯底204，以于襯底204中形成溝槽208。通過使從掩模層202的開口206暴露的襯底204的第一表面204A凹陷而形成溝槽208。在一些實施例中，在操作130中，導(dǎo)入氟類(F-based)反應(yīng)氣體于腔室中，以實施蝕刻工藝。例如，提供六氟化硫(SF₆)氣體作為氟類反應(yīng)氣體，用于蝕刻硅所形成的襯底204。在一些實施例中，也可導(dǎo)入其它合適的氣體，例如氬氣、氧氣及/或氦氣。在操作130中，進行等離子處理以產(chǎn)生包含氟類自由基、離子與電子的SF₆等離子。氟類自由基經(jīng)由形成于掩模層202中的開口206達到襯底204，并且與襯底204的材料反應(yīng)。因此，在襯底204中形成溝槽208。

如圖2C與圖1中的操作140所示，方法100繼續(xù)進行操作140，其中在圖案化的襯底204上，形成聚合物層210。例如，在溝槽208的側(cè)壁與底部表面上，沉積聚合物層210。在一些實施例中，在操作130中，導(dǎo)入氟碳類氣體于所述腔室中，以形成聚合物層210。例如，提供八氟環(huán)丁烷(C₄F₈)氣體用于沉積。在一些實施例中，也可導(dǎo)入其它合適的氣體，例如氬氣、氧氣及/或氦氣。在操作140中，進行等離子處理，以分解C₄F₈氣體，而后從C₄F₈等離子產(chǎn)生氟碳類聚合物。沉積該些氟碳類聚合物，以于溝槽208的側(cè)壁與底部表面上形成聚合物層210。

如圖2D與圖1中的操作140所示，方法100繼續(xù)進行操作150，其中圖案化聚合物層210。例如，通過再次提供F系反應(yīng)性氣體，突破沉積于溝槽208的底部表面上的聚合物層210。例如，使用六氟化硫(SF₆)氣體作為F系反應(yīng)性氣體。在一些實施例中，可導(dǎo)入其它合適的氣體，例如氬氣、氧氣及/或氦氣。類似于操作130，進行等離子處理，以產(chǎn)生SF₆等離子，其包含F(xiàn)系自由基、離子與電子。在一些實施例中，施加自偏壓(self-bias)，以加速離子朝向溝槽208的底部，因而在以下操作130之前，選擇性移除形成于底部溝槽表面上的聚合物層210的一部分。在一些實施例中，位于溝槽208的側(cè)壁上的聚合物層210的至少一部分被保留，因而溝槽208的周圍受到保護而不被擴大。

在一些實施例中，操作130、140與150的例示工藝條件是如下所述，氣體流速：約10sccm與約1000sccm之間；等離子功率：從約100瓦到約5000瓦；工藝壓力：約5毫托與約500毫托之間。操作130、140與150中的各個工藝條件可彼此相同或不同。在一些實施例中，操作150中的自偏壓高于操作130的自偏壓，但并不以此為限。也可使用其它工藝條件。

如圖1所示，方法100繼續(xù)進行操作155，檢測等離子與操作170產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光強度。例如，通過使用如下所述的光學(xué)發(fā)射光譜儀(optical emission spectroscopy，OES)技術(shù)檢測發(fā)射光的強度。而后，方法100繼續(xù)進行操作160，其中根據(jù)等離子與產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度，確定圖案化襯底的終點。如果未確定到終點，則方法100繼續(xù)重復(fù)進行操作130到150(即波希工藝170)，直到達到所欲的溝槽深度。在一些實施例中，當蝕刻穿過襯底204以暴露凹部203時(圖2E)，達到終點。在一些其它的實施例中，當襯底204與蝕刻停止層212之間的界面212A暴露時(圖3E)，或是當達到所需要的溝槽深度時，達到終點。此連續(xù)循環(huán)廣泛用于達成整個MEMS產(chǎn)業(yè)所使用的高的深寬比(例如，高達20：1)、極高的深寬比(例如，高達100：1)或是蝕刻硅微結(jié)構(gòu)的高蝕刻速度(例如，高達每分鐘20微米)。例如，圖2E所示的在溝槽208下方具有凹部203的結(jié)構(gòu)可作為MEMS裝置的可移動的元件或是懸掛元件，例如彈簧、質(zhì)量塊(proof mass)或其它結(jié)構(gòu)。在波希工藝之后，在襯底204中，形成具有垂直側(cè)壁或是近似為垂直側(cè)壁的溝槽208。然而，在一些其它的實施例中，可形成具有v形或任何其它側(cè)壁表面幾何的溝槽，可依照所欲的深寬比與蝕刻速度，廣泛地變化形成溝槽的工藝條件。

在一些范例中，在進行固定數(shù)目的工藝循環(huán)之后，終止波希工藝。然而，由于無法正確確定終點，因而此方法可能造成過度蝕刻或是蝕刻不足。為了控制溝槽的尺寸與輪廓，重要的是在工藝過程中正確檢測終點。在一些實施例中，通過使用光學(xué)發(fā)射光譜儀(OES)技術(shù)，進行操作155，以監(jiān)視原位(in-situ)等離子工藝條件，因而可檢測等離子與操作170產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光強度。OES技術(shù)涉及測量在UV與可見光(約200nm到1000nm)范圍中等離子(例如，等離子中的電子)的光發(fā)射，不同波長對應(yīng)于波希工藝(操作170)的各個操作所產(chǎn)生的不同元素與自由基。等離子的光發(fā)射隨著操作170所產(chǎn)生的產(chǎn)物量而變化。如果產(chǎn)物量減少，則對應(yīng)于所述產(chǎn)物量的等離子的OES信號強度也降低。在如2E所示的一些實施例中，當蝕刻穿過襯底204且暴露凹部203時，等離子與襯底204的材料的反應(yīng)所發(fā)生的產(chǎn)物量停止增加。在圖3E所示的一些其它的實施例中，當襯底204與蝕刻停止層212之間的界面212A被蝕刻時，等離子與蝕刻停止層212的材料所反應(yīng)產(chǎn)生的產(chǎn)物量開始增加。如圖4所示，圖式為根據(jù)本發(fā)明實施例的一些實施例說明在波希工藝的連續(xù)循環(huán)中變化的CFx(由操作140產(chǎn)生)的OES信號的概示圖。

然而，在圖5所示的真實情況中，由于波希工藝中在操作130到150之間快速切換而可能造成復(fù)雜的信號變化，因而無法輕易找到終點?？烧{(diào)整各個操作的期間以符合特定需求。在一些實施例中，各個操作的期間范圍可為0.2秒到10秒。如圖5所示，表示所接收的OES信號強度的曲線具有顯著的變化并且難以解釋。

圖3A到3E為根據(jù)本發(fā)明實施例的一些實施例說明制造溝槽結(jié)構(gòu)的各種操作其中之一的剖面圖。圖3A到3E提供另一實施例，其中在襯底204的第二表面204B上，形成蝕刻停止層212，并從第一表面204A圖案化襯底204以形成溝槽208。在一些實施例中，當蝕刻停止層212暴露時，確定終點。

可理解，圖2A到2E與圖3A到3E僅為范例，并非用于限制使用波希工藝的結(jié)構(gòu)。

為了緩解此挑戰(zhàn)，本發(fā)明實施例提供三種方法，可監(jiān)視原位等離子條件并且找到波希工藝的終點：(1)在檢測等離子與產(chǎn)物反應(yīng)發(fā)生的發(fā)射光強度時，增加采樣速度；(2)根據(jù)所述操作之一中的信號，確定終點；或(3)施加平滑函數(shù)(smooth function)以處理信號。上述方法各自可使其更容易檢測終點。在一些實施例中，必要時，可結(jié)合此三種方法中的兩種或是結(jié)合此三種方法。

方法(1)增加采樣速度。由于操作之間快速切換，因而所接收的信號可能無法正確回應(yīng)所述工藝。增加采樣速度可在時間期間中接受更多的采樣點，因而可改良等離子的OES信號的正確性。在一些其它的實施例中，方法(1)中所使用的采樣速度范圍可從1pt/20ms到1pt/100ms，例如1pt/50ms。然而，也可使用其它合適的采樣速度。

方法(2)基于操作130、140與105其中一者的信號但非所有操作130、140、105中的信號，確定終點。僅于操作中獲取信號的目的是排除不需要的信號并且使得曲線較容易解釋。在一些實施例中，可使用操作130中找到的信號。然而，也可使用僅于操作140或150中找到的信號。使用單一操作中產(chǎn)生的OES信號以排除不需要的信號并且使得所接收的OES信號強度變得清楚且較易解釋。

方法(3)使用平滑函數(shù)以處理信號，因而信號較容易解釋?？赏ㄟ^任何合適的平滑函數(shù)實施方法(3)。平滑函數(shù)可減少信號之間的差異，并且產(chǎn)生相對平滑的曲線，因而可輕易找到終點。在一些實施例中，可使用簡單移動平均(simple moving average，SMA)。例如，使用每n(例如，n＝3)個連續(xù)信號采樣點的平均值作為代表值。當計算連續(xù)代表值時，新的連續(xù)獲得的信號采樣點進入總和，而舊的信號采樣點退出。更具體來說，如果找到100個采樣點，則可通過使用第一、第二與第三個采樣點的平均值作為第一代表值，第二、第三與第四個采樣點的平均值作為第二代表值等等，而獲得平滑函數(shù)。在一些其它的實施例中，可使用任何其它合適的平滑函數(shù)以處理信號。在一些其它的實施例中，可使用加權(quán)移動平均(weighted moving average，WMA)運算、指數(shù)移動平均(EMA)運算或任何其它合適的平滑運算。

圖5與6為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例說明隨時間變化的等離子的OES信號強度的圖式。如圖6所示，圖式說明當使用方法(1)、(2)與(3)于波希工藝中檢測的信號時的結(jié)果，而如圖5所示，圖式說明未使用方法(1)、(2)與(3)時的原始結(jié)果。在一些實施例中，操作130的期間為0.5秒，操作140的期間為0.4秒，以及操作150的期間為0.5秒。例如，各個操作的期間范圍可為0.2秒到10秒，并且可相同或不同。在一些實施例中，提供SF₆氣體作為操作130與150的蝕刻氣體，以及提供C₄F₈用于操作140，但并不以此為限。在一些實施例中，操作150中的自偏壓高于操作130的自偏壓。

圖5為說明OES信號的強度的曲線。通過使用OES技術(shù)，觀察對應(yīng)于其光學(xué)發(fā)射波長的特定離子物種與自由基。在一些實施例中，觀察波希工藝中產(chǎn)生的CFx(波長約271nm)、CN(波長約387nm)以及F(波長約487nm)，并且于操作155中監(jiān)視其光學(xué)發(fā)射強度。然而，在一些其它的實施例中，也可使用隨切換工藝而變化的任何合適的產(chǎn)物用于監(jiān)視。圖5中所使用的采樣速度為1pt/200ms(每200微秒收集1個采樣點)。操作130、140與150中產(chǎn)生的所有信號都繪示于圖式中，并且未使用平滑函數(shù)于所述信號。

相對地，圖6為說明使用方法(1)、(2)與(3)的曲線。為了實施方法(1)，使用采樣速度為1pt/50ms(每50微秒收集1個采樣點)。采樣速度增加到比圖5快4倍。因此，操作130、140與150之間的切換非常快速(分別為0.5秒、0.4秒與0.5秒)，以及增加的采樣速度使得在時間期間內(nèi)接收更多的采樣點，因而等離子的OES信號的正確性改良并且可正確回應(yīng)工藝。為了實施方法(2)，僅操作130產(chǎn)生的信號繪示于圖式中。使用單一操作產(chǎn)生的信號的理由是排除不需要的信號，因而曲線可變得清楚且較易解釋。為了實施方法(3)，使用簡單移動平均運算到CFx信號。在圖5中，每3個連續(xù)信號采樣點的平均值是作為計算信號的代表值，因而原始強度曲線是平滑的。

如圖5與6所示，圖5所示的曲線具有顯著差異，其難以被解釋。相對地，圖6所示的曲線為容易解釋的曲線。當強度到達到相對穩(wěn)定值時，其意味蝕刻穿過襯底204，以及CFx、CN與F的量的變化減緩或停止。據(jù)此，確定終點。

應(yīng)理解所述三種方法不需要被結(jié)合使用。所述三種方法各自可個別使用以使波希工藝中的終點更易確定。

在一些實施例中，僅方法(1)用于找到波希工藝中的終點。為了實施方法(1)，采樣速度增加到1pt/50ms，但不以此為限。在一些實施例中，方法(1)中所使用的采樣速度范圍可從1pt/20ms到1pt/100ms。通過在監(jiān)視過程中使用更快的采樣速度，接收更多的采樣點。借此，可減緩操作130、140與150之間快速切換造成的采樣錯誤。因此，所接收的信號的強度曲線變得較易解釋。

在一些實施例中，僅使用方法(2)，以找到波希工藝中的終點。為了實施方法(2)，僅使用操作130中產(chǎn)生的信號繪示曲線。隨著切換工藝變化的任何產(chǎn)物可被視為觀察標的。例如，可觀察CFx、CN、F或其它合適的產(chǎn)物的OES信號。選擇僅于一操作中產(chǎn)生的信號有助于闡述曲線的復(fù)雜圖案。

在一些實施例中，僅使用方法(3)，以找到波希工藝中的終點。為了實施方法(3)，使用簡單移動平均運算以減少信號之間的差異且立即畫出相對平滑的曲線；因此，可輕易觀察到終點。在一些實施例中，每4個連續(xù)信號采樣點的平均值是作為代表值，以計算信號，因而原始強度曲線是平滑的。在一些實施例中，也可使用其它合適的平滑函數(shù)。

僅使用上述方法之一可使曲線變得容易解釋。再者，在一些實施例中，這些方法中任兩個的結(jié)合可使波希工藝中的終點輕易被找到。

在圖7所示的一些實施例中，方法(1)與(2)是用于找到波希工藝中的終點。為了實施方法(1)，采樣速度范圍可為從1pt/20ms到1pt/100ms。在一些實施例中，采樣速度為約1pt/50ms。為了實施方法(2)，僅使用操作130中產(chǎn)生的信號。在一些其它的實施例中，也可使用操作140或150中產(chǎn)生的信號。如圖7所示，當CFx信號的強度到達穩(wěn)定值時，仍可找到波希工藝中的終點。

在一些實施例中，方法(1)與(3)可用以找到波希工藝中的終點。為了實施方法(1)，采樣速度范圍可為從1pt/20ms到1pt/100ms。在一些實施例中，采樣速度約為1pt/50ms。為了實施方法(3)，使用平滑函數(shù)，例如簡單移動平均運算以處理信號，計算每3個連續(xù)信號采樣點的代表值。在一些其它的實施例中，可從每4個連續(xù)信號采樣點、每5個連續(xù)信號采樣點或任何合適的連續(xù)信號采樣點計算代表值。

在一些實施例中，方法(2)與(3)用于找到波希工藝中的終點。為了實施方法(2)，僅使用操作130產(chǎn)生的信號。在一些其它的實施例中，也可使用操作140或150產(chǎn)生的信號。為了實施方法(3)，使用簡單移動平均運算以處理信號，計算每3個連續(xù)信號采樣點的代表值。或者，可從每4個連續(xù)信號采樣點、每5個連續(xù)信號采樣點或任何合適的連續(xù)信號采樣點計算代表值。

在本發(fā)明實施例的例示方面，提供制造半導(dǎo)體裝置的方法。所述方法包含以下操作。(a)將襯底圖案化。(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層。(c)將所述聚合物層圖案化。交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)。檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度。所述強度的采樣速度范圍大體上為1pt/20ms到1pt/100ms。根據(jù)所述等離子與所述產(chǎn)物的反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點。

在本發(fā)明實施例的另一例示方面，提供制造半導(dǎo)體裝置的方法。所述方法包含以下操作。(a)圖案化襯底。(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層。(c)將所述聚合物層圖案化。交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)。檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度。根據(jù)所述等離子與僅步驟(a)、(b)與(c)其中的步驟產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點。

在本發(fā)明實施例的另一例示方面，提供制造半導(dǎo)體裝置的方法。所述方法包含以下操作。(a)圖案化襯底。(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層。(c)圖案化所述聚合物層。交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)。檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度。使用平滑函數(shù)處理所述等離子與所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度。根據(jù)經(jīng)所述平滑函數(shù)處理的所述等離子與之所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點。

前述內(nèi)容概述一些實施方式的特征，因而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可更加理解本發(fā)明的各方面。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解可輕易使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)，用于設(shè)計或修飾其它工藝與結(jié)構(gòu)而實現(xiàn)與本申請案所述的實施例具有相同目的及/或達到相同優(yōu)點。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員也應(yīng)理解此均等架構(gòu)并不脫離本發(fā)明揭示內(nèi)容的精神與范圍，并且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本發(fā)明的精神與范圍。