本發(fā)明涉及微電子、半導(dǎo)體制造方法領(lǐng)域，具體而言，涉及半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體晶圓及制造方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體晶圓正面上制作完成功能器件后，為了實(shí)現(xiàn)或達(dá)到更好的器件性能，可能還會(huì)在半導(dǎo)體晶圓的背面上進(jìn)行減薄、通孔刻蝕、背面金屬化等工藝，之后通過劃片和裂片等工藝，把半導(dǎo)體晶圓上的功能器件分隔成多顆獨(dú)立的半導(dǎo)體芯片。

為了將單顆半導(dǎo)體芯片應(yīng)用于電路板上，一般還會(huì)將單顆半導(dǎo)體芯片固定于封裝管殼的裝配板上對(duì)其進(jìn)行封裝，然后使用在電路中。芯片中的應(yīng)力變化會(huì)伴隨在半導(dǎo)體晶圓和芯片的制造、使用過程中，芯片中的應(yīng)力如果處理不當(dāng)，就會(huì)導(dǎo)致諸多問題，比如：半導(dǎo)體晶圓的翹曲，半導(dǎo)體晶圓的裂紋或破碎，導(dǎo)致器件良率的下降，使半導(dǎo)體器件受到損傷甚至失效，還會(huì)在芯片中產(chǎn)生裂紋或其他缺陷，產(chǎn)生影響器件性能的正常發(fā)揮或?qū)е滦酒瑩p毀等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體芯片，能夠解決芯片制造過程中中產(chǎn)生的應(yīng)力變化導(dǎo)致的缺陷問題。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

一種半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括基底、基于所述基底一側(cè)制作 的半導(dǎo)體層、以及從所述基底另一側(cè)開設(shè)的至少一應(yīng)力槽。

優(yōu)選地，所述基底包括襯底片以及設(shè)置于該襯底片上的外延層，所述半導(dǎo)體層制作于所述外延層上，所述應(yīng)力槽位于所述襯底片中且所述應(yīng)力槽的深度小于或等于該襯底片的厚度。

優(yōu)選地，所述基底包括襯底片以及設(shè)置于該襯底片上的外延層，所述半導(dǎo)體層制作于所述外延層上，所述應(yīng)力槽貫穿該襯底片并延伸到外延層，所述應(yīng)力槽的深度大于所述襯底片的厚度且小于或等于襯底片和外延層的厚度之和。

優(yōu)選地，所述基底包括襯底片以及設(shè)置于該襯底片上的外延層，所述半導(dǎo)體層制作于所述外延層上，所述應(yīng)力槽貫穿該襯底片并延伸到外延層，所述應(yīng)力槽的深度大于所述襯底片的厚度且小于或等于襯底片和外延層的厚度之和。

優(yōu)選地，所述應(yīng)力槽貫穿所述基底并延伸到所述半導(dǎo)體層或貫穿所述半導(dǎo)體層。

優(yōu)選地，所述應(yīng)力槽在所述半導(dǎo)體芯片上排成一行或多行。

優(yōu)選地，所述應(yīng)力槽為孔或溝道。

優(yōu)選地，所述應(yīng)力槽靠近所述半導(dǎo)體芯片的邊緣。

優(yōu)選地，所述應(yīng)力槽的側(cè)壁與所述襯底片平面的夾角小于、等于或大于90度。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層上開設(shè)有位于所述半導(dǎo)體芯片一側(cè)的通孔，所述應(yīng)力槽位于所述半導(dǎo)體芯片上與所述通孔相對(duì)的另一側(cè)。

優(yōu)選地，所述應(yīng)力槽的形狀為圓形、橢圓形、月牙形、圓弧形或其組合。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體晶圓，包括相互間隔設(shè)置的多個(gè)上述半導(dǎo)體芯片。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，該方法包括：

基于一基底制作半導(dǎo)體層；及

從所述基底遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的一側(cè)開設(shè)至少一應(yīng)力槽。

進(jìn)一步地，所述基底包括襯底片，該方法在開設(shè)所述應(yīng)力槽之前或之后還包括：

對(duì)所述襯底片減薄的步驟。

進(jìn)一步地，該方法還包括：

在所述應(yīng)力槽中填充導(dǎo)熱材料和彈性材料中的至少一種。

在本發(fā)明中，通過在基底的一側(cè)開設(shè)至少一應(yīng)力槽，在半導(dǎo)體芯片的制造過程中，半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的應(yīng)力可以通過應(yīng)力槽得到減小、緩沖或者釋放，避免由于應(yīng)力的變化導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生裂紋、崩邊、翹曲、變形或者其他缺陷，減少半導(dǎo)體芯片的碎片率，提高半導(dǎo)體芯片上器件或電路的良率，節(jié)約生產(chǎn)成本。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體芯片的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2a示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體晶圓的平面示意圖。

圖2b示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體晶圓的另一種平面示意圖。

圖3為圖1所示的半導(dǎo)體芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖1所示的半導(dǎo)體芯片的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5a至5k是本發(fā)明較佳實(shí)施例中所述半導(dǎo)體芯片上不同形狀的應(yīng)力槽的示意圖。

圖6至圖9示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例中所述半導(dǎo)體芯片上不同深度的應(yīng)力槽的示意圖。

圖10示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例中所述半導(dǎo)體芯片上的應(yīng)力槽與基底一表面的角度關(guān)系示意圖。

圖11示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例中所述半導(dǎo)體芯片上的應(yīng)力槽與開設(shè)通孔的位置示意圖。

圖12是本發(fā)明較佳實(shí)施例中半導(dǎo)體芯片的制造方法的工藝流程示意圖。

其中，附圖標(biāo)記匯總?cè)缦拢?/p>

半導(dǎo)體芯片100；半導(dǎo)體晶圓200；基底101；半導(dǎo)體層102；應(yīng)力槽103；通孔104；襯底片1011；外延層1012。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例。基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

如圖1所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體芯片100包括基底101、基于基底101一側(cè)制作的半導(dǎo)體層102以及從基底另一側(cè)開設(shè)的至少一應(yīng)力槽103。如圖2a所示，本發(fā)明實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體芯片100位于半導(dǎo)體晶圓200中，該半導(dǎo)體晶圓200包括多個(gè)間隔設(shè)置的所述半導(dǎo) 體芯片100。圖2a中的半導(dǎo)體晶圓200在相鄰的半導(dǎo)體芯片100之間設(shè)置了劃片道。如圖2b所示，半導(dǎo)體晶圓200上的半導(dǎo)體芯片100還可以不設(shè)置劃片道，可以充分利用半導(dǎo)體晶圓200的面積。

本實(shí)施例中，所述基底101可以包括襯底片1011和設(shè)置于襯底片1011上的外延層1012，半導(dǎo)體層102制作于外延層1012上。半導(dǎo)體層102位于外延層1012遠(yuǎn)離襯底片1011的一側(cè)，應(yīng)力槽103從襯底片1011遠(yuǎn)離外延側(cè)的一側(cè)開設(shè)。在本申請(qǐng)的一種實(shí)施方式中，應(yīng)力槽103開設(shè)在襯底片1011中，并且，應(yīng)力槽103的深度小于或等于襯底片1011的厚度，即應(yīng)力槽103全部位于襯底片1011中。例如圖3所示，應(yīng)力槽103的深度小于襯底片1011的厚度。又如圖4所示，應(yīng)力槽103的深度也可以等于襯底片1011的厚度。

如圖5a至圖5g所示，本申請(qǐng)實(shí)施例中的應(yīng)力槽103可以是孔，也可以是溝道。在一個(gè)半導(dǎo)體芯片100中的應(yīng)力槽103的數(shù)量可以設(shè)置多個(gè)，并且應(yīng)力槽103的形狀可以相同，也可以不同。應(yīng)力槽103的形狀可以是圓形、橢圓形、月牙形或者圓弧形，也可以是矩形等。如圖5h所示，應(yīng)力槽在半導(dǎo)體芯片上的分布可以對(duì)稱分布，也可以呈不對(duì)稱分布。如圖5i和圖5j所示，一個(gè)半導(dǎo)體芯片上的應(yīng)力槽的形狀可以是多樣的。如圖5k所示，半導(dǎo)體芯片上的應(yīng)力槽可以排列成多行。應(yīng)力槽103在基底101中的分布可以根據(jù)實(shí)際情況確定。例如，采用具有圓弧邊的應(yīng)力槽可以分散應(yīng)力，更利于應(yīng)力的釋放。應(yīng)力槽103可以分布在靠近半導(dǎo)體芯片100邊緣的地方，可以提高半導(dǎo)體芯片100的性能，使半導(dǎo)體芯片100以外的應(yīng)力在向半導(dǎo)體芯片100的中心傳遞時(shí)，可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片100邊緣的應(yīng)力槽103吸收、緩沖或釋放，而避免對(duì)半導(dǎo)體芯片100的損害。同時(shí)半導(dǎo)體芯片100內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力也可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片100邊緣的應(yīng)力槽103減小、緩沖或釋放，使半導(dǎo)體芯片100內(nèi)部的應(yīng)力不會(huì)對(duì)其他 相鄰的半導(dǎo)體芯片100產(chǎn)生影響。

進(jìn)一步地，參圖6和圖7，在本申請(qǐng)?zhí)峁┑牧硪环N具體實(shí)施方式中，所述應(yīng)力槽103貫穿所述襯底片1011并延伸到所述外延層1012，所述應(yīng)力槽103的深度大于所述襯底片1011的厚度且小于或等于襯底片1011和外延層1012的厚度之和。與前述實(shí)施方式不同的是，應(yīng)力槽103將襯底片1011貫穿，即應(yīng)力槽103的一部分位于襯底片1011中，另一部分位于外延層1012中。如圖6所示，應(yīng)力槽103貫穿襯底片1011并延伸到外延層1012但未貫穿外延層1012，使應(yīng)力槽103的深度大于襯底片1011的厚度并小于襯底片1011和外延層1012的厚度之和。又如圖7所示，應(yīng)力槽103也可同時(shí)貫穿襯底片1011和外延層1012，使應(yīng)力槽103的深度等于襯底片1011和外延層1012的厚度之和。

更進(jìn)一步的，如圖8和圖9所示，在本申請(qǐng)實(shí)施例的另一種實(shí)施方式中，所述應(yīng)力槽103貫穿所述基底101并延伸到所述半導(dǎo)體層102。此時(shí)，應(yīng)力槽103的一部分位于所述基底101(襯底片1011和外延層1012)中，另一部分位于半導(dǎo)體層102中。應(yīng)力槽103的深度大于基底101的厚度，小于或等于基底101和半導(dǎo)體層102的厚度之和。如圖8所示，應(yīng)力槽103可以貫穿所述基底101并延伸到所述半導(dǎo)體層102，使應(yīng)力槽103的深度大于基底101的厚度，小于基底101和半導(dǎo)體層102的厚度之和。又如圖9所示，應(yīng)力槽103可以同時(shí)貫穿所述基底101和所述半導(dǎo)體層102，使應(yīng)力槽103的深度等于基底101和半導(dǎo)體層102的厚度之和。

在制作半導(dǎo)體芯片100的過程中，由于溫度變化、外延生長、介質(zhì)沉積等原因使半導(dǎo)體芯片100中會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力的變化，應(yīng)力的變化會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片100發(fā)生變形或翹曲，進(jìn)而導(dǎo)致光刻聚焦困難，器件或MMIC的良率很低，甚至整片晶圓被報(bào)廢。本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置應(yīng)力槽103，可以在半導(dǎo)體芯片100的制造過程中，將半導(dǎo)體晶圓內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力通過應(yīng) 力槽103釋放，減小半導(dǎo)體芯片100內(nèi)部的應(yīng)力，防止半導(dǎo)體晶圓出現(xiàn)變形或翹曲，減少半導(dǎo)體芯片100中因應(yīng)力釋放不完全導(dǎo)致的缺陷。

另外，對(duì)于某些半導(dǎo)體分立器件或單片微波集成電路(Monolithic Microwave Integrated Circuit，MMIC)，如GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor高電子遷移率晶體管)、SiC MESFET(Metal-Semiconductor FET金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、GaAs HEMT、GaN MMIC、Si MMIC等。為了減小器件或電路的電阻，并為了減小器件或電路的接地電感，往往需要對(duì)襯底片1011的厚度進(jìn)行減薄，減薄時(shí)通常需要將整個(gè)半導(dǎo)體晶圓固定于載片上，然后進(jìn)行刻蝕、拋光或研磨。在減薄過程中或在去除載片時(shí)，可能會(huì)在襯底片1011或晶圓中引入不希望產(chǎn)生的應(yīng)力變化，可能在襯底片1011或晶圓中產(chǎn)生裂紋，裂紋在襯底或晶圓中傳播，從而導(dǎo)致襯底或晶圓易于碎裂。

本發(fā)明實(shí)施例通過在待分割的半導(dǎo)體芯片100的一側(cè)開設(shè)應(yīng)力槽103，可以緩沖、減小或釋放襯底減薄過程中或襯底減薄后去除載片時(shí)的應(yīng)力，從而阻止或減少半導(dǎo)體晶圓中的裂紋和其他缺陷，防止半導(dǎo)體晶圓碎裂，大大提高半導(dǎo)體芯片100上器件或MMIC的良率，節(jié)約生產(chǎn)成本。

為了形成單顆半導(dǎo)體芯片100，往往需要在半導(dǎo)體晶圓上劃片或裂片，此過程中由于應(yīng)力的變化常常在半導(dǎo)體芯片100的邊沿產(chǎn)生一定程度的崩邊、裂紋，操作不當(dāng)還會(huì)使部分半導(dǎo)體芯片100碎裂。本發(fā)明通過預(yù)先在每顆半導(dǎo)體芯片100中設(shè)置應(yīng)力槽103，緩沖、減小或釋放劃片和或裂片過程中產(chǎn)生的應(yīng)力變化，從而阻止或減少崩邊、裂紋和操作不當(dāng)?shù)葘?duì)芯片上器件或MMIC的影響，提高半導(dǎo)體芯片100上器件或電路的良率，節(jié)約生產(chǎn)成本。

將半導(dǎo)體芯片100固定于封裝管殼的裝配板后，在芯片溫度或外界溫度發(fā)生變化時(shí)，由于半導(dǎo)體芯片100和裝配板(如：金屬底座)的熱膨脹系數(shù)不同，裝配板會(huì)產(chǎn)生翹曲，在半導(dǎo)體芯片100中可能不僅會(huì)產(chǎn)生熱應(yīng) 力，還會(huì)形成機(jī)械應(yīng)力，這些應(yīng)力變化很容易使半導(dǎo)體芯片100產(chǎn)生裂紋或其他缺陷。本發(fā)明通過在半導(dǎo)體芯片100中開設(shè)應(yīng)力槽103，可以緩沖、減小或釋放這些應(yīng)力變化，減少或阻止或避免半導(dǎo)體芯片100上器件或MMIC中產(chǎn)生裂紋或其他缺陷，大大提高了半導(dǎo)體芯片100上器件或MMIC的可靠性。

進(jìn)一步地，如圖10所示，本申請(qǐng)實(shí)施例中的應(yīng)力槽103的側(cè)壁可以垂直于襯底片1011所在平面，或者與襯底片1011所在平面形成一定夾角。即應(yīng)力槽的側(cè)壁與所述襯底片平面的夾角小于、等于或大于90度。

更進(jìn)一步的，如圖11所示，當(dāng)半導(dǎo)體芯片100上的器件或MMIC有通孔時(shí)，一般是在需接地的電極(如：場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源級(jí)，雙極晶體管的發(fā)射極，二極管的陰極)下方刻蝕通孔104，需接地的電極往往集中分布在半導(dǎo)體芯片100的一側(cè)，在刻蝕通孔104時(shí)，半導(dǎo)體芯片100內(nèi)部的應(yīng)力變化是不均衡的，很容易在芯片上產(chǎn)生裂紋或其他應(yīng)力變化導(dǎo)致的缺陷。

基于上述通孔104的問題，在本申請(qǐng)一種具體實(shí)施方式中，所述應(yīng)力槽103位于所述半導(dǎo)體芯片100上與所述通孔104相對(duì)的另一側(cè)。通過在芯片的另一側(cè)分布應(yīng)力槽103，就可以減小或均衡芯片內(nèi)部的應(yīng)力變化，阻止或減少芯片上產(chǎn)生裂紋等應(yīng)力變化導(dǎo)致的缺陷。優(yōu)選的，通孔104和部分應(yīng)力槽103同時(shí)刻蝕，可以減少半導(dǎo)體晶圓的碎片率，提高芯片上器件或MMIC的良率，節(jié)約生產(chǎn)成本。

另外，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，為了增強(qiáng)應(yīng)力槽103對(duì)熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力的釋放能力，還可以在應(yīng)力槽103中填充導(dǎo)熱材料或者彈性材料。填充的導(dǎo)熱材料的可以選用導(dǎo)熱率大于襯底片1011導(dǎo)熱率的材料，通過填充導(dǎo)熱材料，使得在半導(dǎo)體芯片100的制造過程中，半導(dǎo)體芯片100中的熱量可以通過應(yīng)力槽103中的導(dǎo)熱材料快速的得到釋放，加速熱量的導(dǎo)出，減 少熱量的積聚，從而減小半導(dǎo)體芯片100內(nèi)部的熱應(yīng)力。

另外，應(yīng)力槽103中也可以填充彈性材料，將應(yīng)力通過彈性材料得到釋放。彈性材料的彈性模量一般要小于襯底片1011的彈性模量。在半導(dǎo)體芯片100中，應(yīng)力槽103的數(shù)量可以是多個(gè)，并且應(yīng)力槽103的形狀可以是多種。同樣的，半導(dǎo)體芯片100中的多個(gè)應(yīng)力槽103中一部分可以填充導(dǎo)熱材料，另一部分可以填充彈性材料，或者同一個(gè)應(yīng)力槽103也可以同時(shí)填充導(dǎo)熱材料和彈性材料兩種材料，使得半導(dǎo)體芯片100在制造過程中，對(duì)于熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力都可以得到減小或快速釋放。

本實(shí)施例中所述襯底片1011可以采用氮化鎵、碳化硅、藍(lán)寶石、硅、氮化鋁或金剛石等可以外延生長半導(dǎo)體的材料。所述半導(dǎo)體層102可以采用氮化鎵和/或其合金、碳化硅、砷化鎵和/或其合金或硅等半導(dǎo)體材料。

圖12示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例中所述半導(dǎo)體芯片100的制造方法的工藝流程圖。所應(yīng)說明的是，本發(fā)明所述的方法并不以圖12以及以下所述的具體順序?yàn)橄拗?。?yīng)當(dāng)理解，在其它實(shí)施例中，本發(fā)明所述的方法其中部分步驟的順序可以根據(jù)實(shí)際需要相互交換，或者其中的部分步驟也可以省略或刪除。該方法包括：

步驟S100，基于基底101制作半導(dǎo)體層102。

本實(shí)施例中，可通過在所述基底101的一個(gè)表面通過光刻(photolithography)、沉積(Depositing)、刻蝕(etching)等工藝形成半導(dǎo)體層102。

步驟S200，從所述基底101遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層102的一側(cè)開設(shè)至少一應(yīng)力槽103。所開設(shè)的應(yīng)力槽103的結(jié)構(gòu)、位置及深度等參上述對(duì)圖1-圖11的描述，此處不再贅述。

步驟S300，向所述應(yīng)力槽103中填充導(dǎo)熱材料和彈性材料的其中至少一種。

在本實(shí)施例中，所述基底101可以包括襯底片1011和從該襯底片1011上生長形成的外延層1012，相應(yīng)地所述方法在開設(shè)所述應(yīng)力槽103之后還可以包括對(duì)所述襯底片1011進(jìn)行減薄的步驟。其它實(shí)施例中，進(jìn)行減薄的操作可以在制造應(yīng)力槽103之前。優(yōu)選地，進(jìn)行減薄的操作在制造應(yīng)力槽103之后，使得應(yīng)力槽103可用于吸收、釋放或減小減薄操作產(chǎn)生的應(yīng)力。

還需要說明的是，在本發(fā)明的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第 二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。