本發(fā)明涉及晶片的加工方法，在該晶片的正面上呈格子狀形成有多條分割預定線并且在通過該多條分割預定線劃分出的多個區(qū)域中形成有器件，將該晶片沿分割預定線分割為一個個器件，并且利用樹脂包覆一個個器件。

背景技術(shù)：

在半導體器件制造工序中，在作為大致圓板形狀的半導體晶片的正面上通過排列成格子狀的分割預定線而劃分出多個區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域中形成IC、LSI等器件。通過沿著分割預定線將這樣形成的半導體晶片切斷而對形成有器件的區(qū)域進行分割從而制造出各個器件。

近年來，開發(fā)出將晶片分割成一個個的器件并且利用樹脂包覆各個器件的封裝技術(shù)。在下述專利文獻1中公開了作為該封裝技術(shù)之一的被稱為晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的封裝技術(shù)。

下述專利文獻1所公開的封裝技術(shù)中，在晶片的背面上包覆樹脂，并從晶片的正面沿著分割預定線形成到達樹脂的切削槽，在晶片的正面上敷設模制樹脂而包覆各器件并且在切削槽中埋設模制樹脂，然后，通過厚度比切削槽的寬度薄的切削刀具將填充在切削槽中的模制樹脂切斷，而分割成各個晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。

并且，作為制造晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的晶片的加工方法開發(fā)出了如下的技術(shù)。

(1)從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A定線形成相當于器件的完工厚度的深度的切削槽。

(2)在晶片的正面上敷設模制樹脂并且在切削槽中埋設模制樹脂。

(3)在晶片的正面所敷設的模制樹脂的表面上粘貼保護部件并對晶片的背面進行磨削而使切削槽露出。

(4)將晶片的背面粘貼于劃片帶，通過厚度比切削槽的寬度薄的切削刀具將埋設于切削槽的模制樹脂切斷，而分割成各個晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。

專利文獻1：日本特開2006-100535號公報

但是，在上述的任一加工方法中都存在如下的問題：當通過切削刀具將埋設在切削槽中的模制樹脂切斷時，因模制樹脂的阻力而使切削刀具的切削刃發(fā)生撓曲，給構(gòu)成晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的器件的側(cè)面帶來損傷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種晶片的加工方法，能夠得到品質(zhì)良好的晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預定線，并且在由該多條分割預定線劃分的多個區(qū)域中形成有在正面上具有凸塊的器件，該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：第1切削槽形成工序，利用具有第1厚度的切削刀具而從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A定線形成相當于器件的完工厚度的深度的第1切削槽；模制工序，在實施了該第1切削槽形成工序的晶片的正面上敷設模制樹脂并且在該第1切削槽中埋設模制樹脂；第2切削槽形成工序，利用具有比該第1厚度薄的第2厚度的切削刀具而形成比敷設于晶片的正面上的模制樹脂以及埋設于該第1切削槽中的模制樹脂的厚度深而到達晶片的第2切削槽；保護部件粘貼工序，在實施了該第2切削槽形成工序的晶片的正面所敷設的模制樹脂的表面上粘貼保護部件；以及背面磨削工序，對實施了該保護部件粘貼工序的晶片的背面進行磨削而使該第2切削槽露出，將晶片分割成一個個的器件。

由于本發(fā)明的晶片的加工方法包含如下的工序：第1切削槽形成工序，利用具有第1厚度的切削刀具而從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A定線形成相當于器件的完工厚度的深度的第1切削槽；模制工序，在實施了該第1切削槽形成工序的晶片的正面上敷設模制樹脂并且在該第1切削槽中埋設模制樹脂；第2切削槽形成工序，利用具有比該第1厚度薄的第2厚度的切削刀具而形成比敷設于晶片的正面上的模制樹脂和埋設于該第1切削槽中的模制樹脂的厚度深而到達晶片的第2切削槽；保護部件粘貼工序，在實施了該第2切削槽形成工序的晶片的正面所敷設的模制樹脂的表面上粘貼保護部件；以及背面磨削工序，對實施了該保護部件粘貼工序的晶片的背面進行磨削而使該第2切削槽露出，將晶片分割成一個個的器件，因此，在對在正面上敷設了模制樹 脂的晶片的背面進行磨削之后，不沿著分割預定線進行切削，因此消除對器件的側(cè)面帶來損傷這樣的問題。并且，在上述第2切削槽形成工序中，由于形成比敷設于晶片的正面的模制樹脂和埋設于第1切削槽的模制樹脂的厚度深而到達晶片的第2切削槽，因此通過對構(gòu)成晶片的硅等進行切削而使切削刀具的外周部的旋轉(zhuǎn)達到穩(wěn)定。因此，不會像僅對模制樹脂進行切削的情況那樣使切削刀具產(chǎn)生撓曲，能夠消除因切削刀具撓曲而導致對器件的側(cè)面帶來損傷的問題。此外，在上述第2切削槽形成工序中，由于切削刀具的外周部稍稍對構(gòu)成晶片的硅等進行切削，因此產(chǎn)生自動磨銳作用而使切削良好，器件的品質(zhì)得到提高。

附圖說明

圖1是作為通過本發(fā)明的晶片的加工方法而分割的晶片的半導體晶片的立體圖。

圖2是用于實施本發(fā)明的晶片的加工方法中的第1切削槽形成工序的切削裝置的主要部位立體圖。

圖3的(a)～(d)是本發(fā)明的晶片的加工方法的第1切削槽形成工序的說明圖。

圖4的(a)～(c)是本發(fā)明的晶片的加工方法的模制工序的說明圖。

圖5的(a)～(c)是示出本發(fā)明的晶片的加工方法的凸塊露出工序的說明圖。

圖6是用于實施本發(fā)明的晶片的加工方法的第2切削槽形成工序的切削裝置的主要部位立體圖。

圖7的(a)～(d)是本發(fā)明的晶片的加工方法的第2切削槽形成工序的說明圖。

圖8的(a)、(b)是本發(fā)明的晶片的加工方法的保護部件粘貼工序的說明圖。

圖9的(a)～(c)是本發(fā)明的晶片的加工方法的背面磨削工序的說明圖。

圖10是本發(fā)明的晶片的加工方法的晶片支承工序的說明圖。

圖11是通過本發(fā)明的晶片的加工方法而一個個分割得到的器件的立體圖。

標號說明

2：半導體晶片；21：分割預定線；22：器件；3、30：切削裝置；31：切削裝置的卡盤工作臺；32：切削構(gòu)件；323：切削刀具；4：樹脂包覆裝置；40：模制樹脂；5：研磨裝置；51：研磨裝置的卡盤工作臺；52：研磨構(gòu)件；524：研磨工具；6：保護帶；7：磨削裝置；71：磨削裝置的卡盤工作臺；72：磨削構(gòu)件；724：磨輪；F：環(huán)狀的框架；T：劃片帶。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的晶片的加工方法的優(yōu)選的實施方式詳細地進行說明。

圖1中示出作為根據(jù)本發(fā)明而加工的晶片的半導體晶片的立體圖。圖1所示的半導體晶片2由厚度為例如600μm的硅晶片構(gòu)成，在正面2a上呈格子狀形成有多條分割預定線21，并且在通過該多條分割預定線21劃分出的多個區(qū)域中形成IC、LSI等器件22。該各器件22全部呈相同的結(jié)構(gòu)。在器件22的正面上分別形成有多個作為突起電極的凸塊(bump)23。以下，對沿著分割預定線21將該半導體晶片2分割成一個個的器件22并且利用樹脂包覆各個器件的晶片的加工方法進行說明。

首先，實施第1切削槽形成工序，通過具有第1厚度的切削刀具從半導體晶片2的正面?zhèn)妊刂指铑A定線21形成相當于器件的完工厚度的深度的第1切削槽。在圖示的實施方式中使用圖2所示的切削裝置3來實施該第1切削槽形成工序。圖2所示的切削裝置3具有：卡盤工作臺31，其保持被加工物；切削構(gòu)件32，其對保持在該卡盤工作臺31上的被加工物進行切削；以及拍攝構(gòu)件33，其對保持在該卡盤工作臺31上的被加工物進行拍攝?？ūP工作臺31構(gòu)成為吸引保持被加工物，通過未圖示的切削進給構(gòu)件而在圖2中箭頭X所示的切削進給方向上移動，并且通過未圖示的分度進給構(gòu)件而在箭頭Y所示的分度進給方向上移動。

上述切削構(gòu)件32包含：實質(zhì)上水平配置的主軸殼體321；旋轉(zhuǎn)主軸322，其旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸殼體321；切削刀具323，其具有裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸322的前端部的環(huán)狀的切削刃323a，旋轉(zhuǎn)主軸322借助配設在主軸殼體321內(nèi)的未圖示的伺服電動機而在箭頭322a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。另外，在圖示的實施方式中將切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323a設定為作為第1厚度的50μm。上述拍攝構(gòu)件33由顯微鏡或CCD照相機等光學構(gòu)件構(gòu)成，將拍攝到的圖像信號發(fā)送給未圖示的控制構(gòu)件。

為了使用上述的切削裝置3來實施第1切削槽形成工序，而如圖2所示那樣將半導體晶片2的背面2b側(cè)載置在卡盤工作臺31上，并通過使未圖示的吸引構(gòu)件進行動作而將半導體晶片2吸引保持在卡盤工作臺31上。因此，保持在卡盤工作臺31上的半導體晶片2的正面2a成為上側(cè)。這樣，吸引保持著半導體晶片2的卡盤工作臺31被未圖示的切削進給構(gòu)件定位在拍攝構(gòu)件33的正下方。

當卡盤工作臺31被定位在拍攝構(gòu)件33的正下方時，執(zhí)行對準作業(yè)，通過拍攝構(gòu) 件33和未圖示的控制構(gòu)件檢測應該沿著半導體晶片2的分割預定線21形成第1分割槽的切削區(qū)域。即，拍攝構(gòu)件33和未圖示的控制構(gòu)件執(zhí)行用于進行在半導體晶片2的規(guī)定的方向上形成的分割預定線21與切削刀具323的對位的圖案匹配等圖像處理，執(zhí)行切削區(qū)域的對準(對準工序)。并且，針對形成于半導體晶片2的在與上述規(guī)定的方向垂直的方向上延伸的分割預定線21也同樣地執(zhí)行切削區(qū)域的對準。

在像上述那樣完成了對保持在卡盤工作臺31上的半導體晶片2的切削區(qū)域進行檢測的對準之后，使保持著半導體晶片2的卡盤工作臺31移動至切削加工區(qū)域的切削開始位置。此時，如圖3的(a)所示那樣，對半導體晶片2進行定位以使得分割預定線21的一端(在圖3的(a)中為左端)位于比切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323a的正下方靠右側(cè)規(guī)定的量的位置。接著，使切削刀具323從圖3的(a)中雙點劃線所示的待機位置像箭頭Z1所示那樣向下方切入進給，在圖3的(a)中像實線所示那樣定位在規(guī)定的切入進給位置。關(guān)于該切入進給位置，像圖3的(a)和圖3的(c)所示那樣，將切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323a的下端設定在距半導體晶片2的正面相當于器件的完工厚度的深度位置(例如，200μm)。

接著，使切削刀具323在圖3的(a)中箭頭322a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并使卡盤工作臺31在圖3的(a)中箭頭X1所示的方向上以規(guī)定的切削進給速度移動。并且，在分割預定線21的另一端(圖3的(b)中為右端)到達位于比切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323a的正下方靠左側(cè)規(guī)定的量的位置之后，停止卡盤工作臺31的移動。通過這樣對卡盤工作臺31進行切削進給而如圖3的(d)所示那樣在半導體晶片2上沿著分割預定線21形成距正面相當于器件的完工厚度的深度(例如，200μm)且寬度為50μm的第1切削槽210(第1切削槽形成工序)。

接著，使切削刀具323像圖3的(b)中箭頭Z2所示那樣上升而定位在由雙點劃線所示的待機位置，使卡盤工作臺31在圖3的(b)中箭頭X2所示的方向上移動，而返回圖3的(a)所示的位置。并且，使卡盤工作臺31在與紙面垂直的方向(分度進給方向)上分度進給相當于分割預定線21的間隔的量，將下一要切削的分割預定線21定位在與切削刀具323對應的位置。這樣，在下一要切削的分割預定線21定位在與切削刀具323對應的位置之后，實施上述的第1切削槽形成工序。并且，針對形成于半導體晶片2的所有的分割預定線21實施上述的第1切削槽形成工序。

在實施了上述的第1切削槽形成工序之后，實施模制工序，在半導體晶片2的正 面上敷設模制樹脂并且在第1切削槽210中埋設模制樹脂。在該模制工序中，如圖4的(a)所示，將實施了上述第1切削槽形成工序的半導體晶片2的背面2b側(cè)載置在樹脂包覆裝置4的保持工作臺41的作為上表面的保持面上。并且，通過使未圖示的吸引構(gòu)件進行動作而在保持工作臺41的保持面上吸引保持半導體晶片2。因此，保持在保持工作臺41上的半導體晶片2的正面2a成為上側(cè)。這樣，在保持工作臺41上保持半導體晶片2之后，如圖4的(a)所示，將樹脂供給噴嘴42的噴出口421定位在保持工作臺41上所保持的半導體晶片2的中心部，并使未圖示的樹脂供給構(gòu)件進行動作，而從樹脂供給噴嘴42的噴出口421向保持在保持工作臺41上的半導體晶片2的中央?yún)^(qū)域滴下規(guī)定的量的模制樹脂40。在向半導體晶片2的正面2a的中央?yún)^(qū)域滴下了規(guī)定的量的模制樹脂40之后，通過像圖4的(b)所示那樣使保持工作臺41在箭頭41a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)規(guī)定的時間，而如圖4的(b)和(c)所示那樣在半導體晶片2的正面2a上敷設模制樹脂40并且在第1切削槽210中埋設模制樹脂40。另外，模制樹脂40在圖示的實施方式中使用熱固化性的液狀樹脂(環(huán)氧系的樹脂)，在敷設于半導體晶片2的正面2a且埋設在切削槽210中之后，通過以150℃左右進行加熱而使其固化。

接著，實施凸塊露出工序，對敷設在半導體晶片2的正面2a上的模制樹脂40進行研磨，使形成在器件22的正面上的凸塊23露出。使用圖5的(a)所示的研磨裝置5來實施該凸塊露出工序。圖5的(a)所示的研磨裝置5具有保持被加工物的卡盤工作臺51和對保持在該卡盤工作臺51上的被加工物進行研磨的研磨構(gòu)件52?？ūP工作臺51構(gòu)成為在上表面上吸引保持被加工物，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)而在圖5的(a)中箭頭51a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。研磨構(gòu)件52具有：主軸殼體521；旋轉(zhuǎn)主軸522，其旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸殼體521，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)而進行旋轉(zhuǎn)；安裝座523，其裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸522的下端；以及研磨工具524，其安裝于該安裝座523的下表面。該研磨工具524由圓形的基臺525和裝配于該基臺525的下表面的研磨墊526構(gòu)成，基臺525通過緊固螺栓527安裝于安裝座523的下表面。另外，在圖示的實施方式中，研磨墊526在毛氈中作為研磨材料混入有由二氧化硅構(gòu)成的磨粒。

要想使用上述的研磨裝置5實施上述凸塊露出工序，如圖5的(a)所示，在卡盤工作臺51的上表面(保持面)上載置實施了上述模制工序的半導體晶片2的背面 2b側(cè)。并且，通過使未圖示的吸引構(gòu)件進行動作而在卡盤工作臺51上吸附保持半導體晶片2(晶片保持工序)。因此，對于保持在卡盤工作臺51上的半導體晶片2而言，敷設在正面2a上的模制樹脂40成為上側(cè)。這樣在卡盤工作臺51上吸引保持了半導體晶片2之后，使卡盤工作臺51在圖5的(a)中箭頭51a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并且使研磨構(gòu)件52的研磨工具524在圖5的(a)中箭頭524a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，而像圖5的(b)所示那樣使研磨墊526與敷設在作為被加工面的正面2a上的模制樹脂40的上表面接觸，并使研磨工具524像圖5的(a)和圖5的(b)中箭頭524b所示那樣以規(guī)定的研磨進給速度向下方(相對于卡盤工作臺51的保持面垂直的方向)研磨進給規(guī)定的量。其結(jié)果為，如圖5的(c)所示那樣將敷設在正面2a上的模制樹脂40研磨規(guī)定的量，使形成在器件22的正面上的凸塊23露出(凸塊露出工序)。

另外，當在上述模制工序中以不包覆凸塊23的上端部的方式在半導體晶片2的正面2a上敷設模制樹脂40的情況下，上述的凸塊露出工序不一定是必須的。

在實施了上述的凸塊露出工序之后，實施第2切削槽形成工序，通過具有比上述第1厚度薄的第2厚度的切削刀具來形成比敷設在半導體晶片2的正面上的模制樹脂和埋設在第1切削槽中的模制樹脂的厚度深而到達半導體晶片2的第2切削槽。在圖示的實施方式中使用圖6所示的切削裝置30來實施該第2切削槽形成工序。另外，由于圖6所示的切削裝置30與上述圖2所示的切削裝置3除了切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323a之外是相同的結(jié)構(gòu)，因此對同一部件標注同一標號而省略說明。圖6所示的切削裝置30中的切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b被設定為作為比上述環(huán)狀的切削刃323a的第1厚度(50μm)薄的第2厚度的20μm。

要想使用圖6所示的切削裝置30來實施第2切削槽形成工序，將實施了上述凸塊露出工序的半導體晶片2的背面2b側(cè)載置在卡盤工作臺31上。并且，通過使未圖示的吸引構(gòu)件進行動作而在卡盤工作臺31上吸引保持半導體晶片2。因此，保持在卡盤工作臺31上的半導體晶片2的敷設在正面2a上的模制樹脂40成為上側(cè)。這樣，吸引保持著半導體晶片2的卡盤工作臺31被未圖示的切削進給構(gòu)件定位在拍攝構(gòu)件33的正下方。

當將卡盤工作臺31定位在拍攝構(gòu)件33的正下方時，執(zhí)行對準作業(yè)，通過拍攝構(gòu)件33和未圖示的控制構(gòu)件來檢測要對敷設在半導體晶片2的正面上的模制樹脂和埋 設在第1切削槽210中的模制樹脂進行切削的切削區(qū)域。即，拍攝構(gòu)件33和未圖示的控制構(gòu)件執(zhí)行用于進行埋設有形成在半導體晶片2的規(guī)定的方向上的模制樹脂40的切削槽210與切削刀具323的對位的圖像處理，執(zhí)行切削區(qū)域的對準(對準工序)。另外，由于在圖示的實施方式中在形成有切削槽210的半導體晶片2的正面上敷設有模制樹脂40，因此拍攝構(gòu)件33對形成于隔著分割預定線21而相鄰的器件22且從模制樹脂40的表面露出的凸塊23進行拍攝而發(fā)送給未圖示的控制構(gòu)件。并且，未圖示的控制構(gòu)件將形成于相鄰的器件22的凸塊23與凸塊23的中間位置決定為形成于分割預定線21的切削槽210的寬度方向中間位置。這樣，在執(zhí)行了針對形成于半導體晶片2的規(guī)定的方向的埋設有模制樹脂40的切削槽210的對準之后，針對形成于半導體晶片2的在相對于上述規(guī)定的方向垂直的方向上形成的切削槽210也同樣地執(zhí)行切削區(qū)域的對準。

在像上述那樣完成了對保持在卡盤工作臺31上的半導體晶片2的切削區(qū)域進行檢測的對準之后，將保持著半導體晶片2的卡盤工作臺31移動到切削加工區(qū)域的切削開始位置。此時，如圖7的(a)所示，半導體晶片2的要切削的埋設有模制樹脂40的切削槽210的一端(在圖7的(a)中為左端)被定位為位于比切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b的正下方靠右側(cè)規(guī)定的量的位置。

在這樣將保持在切削裝置30的卡盤工作臺31上的半導體晶片2定位于切削加工區(qū)域的切削開始位置之后，使切削刀具323從圖7的(a)中雙點劃線所示的待機位置像箭頭Z1所示那樣向下方切入進給，像圖7的(a)中實線所示那樣定位于規(guī)定的切入進給位置。該切入進給位置像圖7的(a)和圖7的(c)所示那樣被設定為切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b的下端到達由硅晶片構(gòu)成的半導體晶片2的位置。

接著，使切削刀具323在圖7的(a)中箭頭322a所示的方向上以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，使卡盤工作臺31在圖7的(a)中箭頭X1所示的方向上以規(guī)定的切削進給速度移動。并且，在埋設有模制樹脂40的第1切削槽210的另一端(在圖7的(b)中為右端)到達位于比切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b的正下方靠左側(cè)規(guī)定的量的位置之后，停止卡盤工作臺31的移動。通過這樣對卡盤工作臺31進行切削進給，而如圖7的(d)所示，形成比敷設在半導體晶片2的正面上的模制樹脂40和埋設在第1切削槽210中的模制樹脂40的厚度深而到達半導體晶片2的第2切削槽410，該第2切削槽410的寬度為20μm(第2切削槽形成工序)。在該第2切削槽形成工序 中，由于切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b的下端像圖7的(c)所示那樣被設定為到達由硅晶片構(gòu)成的半導體晶片2的位置，因此環(huán)狀的切削刃323b對構(gòu)成半導體晶片2的硅進行切削而環(huán)狀的切削刃323b的外周部的旋轉(zhuǎn)達到穩(wěn)定。因此，不會像僅對模制樹脂進行切削的情況那樣使切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b產(chǎn)生撓曲，能夠消除因環(huán)狀的切削刃323b撓曲而對器件的側(cè)面帶來損傷這樣的問題。并且，在上述第2切削槽形成工序中，由于切削刀具323的環(huán)狀的切削刃323b的外周部稍稍對構(gòu)成半導體晶片2的硅進行切削，因此產(chǎn)生自動磨銳作用而使切削良好，器件的品質(zhì)得到提高。

接著，使切削刀具323像圖7的(b)中箭頭Z2所示那樣上升而定位在雙點劃線所示的待機位置，使卡盤工作臺31在圖7的(b)中箭頭X2所示的方向上移動，而返回圖7的(a)所示的位置。并且，使卡盤工作臺31在與紙面垂直的方向(分度進給方向)上分度進給相當于埋設有模制樹脂40的切削槽210的間隔(分割預定線21的間隔)的量，將下一要切削的埋設在切削槽210中的模制樹脂40定位于與切削刀具323對應的位置。這樣，在將下一要切削的埋設在切削槽210中的模制樹脂40定位于與切削刀具323對應的位置之后，實施上述的第2切削槽形成工序。并且，在埋設在形成于半導體晶片2的所有的第1切削槽210中的模制樹脂40所對應的區(qū)域中實施上述的第2切削槽形成工序。

在實施了上述的第2切削槽形成工序之后，實施保護部件粘貼工序，在半導體晶片2的正面所敷設的模制樹脂40的表面上粘貼保護部件。即，如圖8所示，在半導體晶片2的正面2a所敷設的模制樹脂40的表面上粘貼作為保護部件的保護帶6。另外，保護帶6在圖示的實施方式中，在厚度為100μm的由聚氯乙烯(PVC)構(gòu)成的片狀基材的正面上涂布有厚度為5μm左右的丙烯酸樹脂系的糊。

接著，實施背面磨削工序，對實施了保護部件粘貼工序的半導體晶片2的背面進行磨削而使第2切削槽410露出并將半導體晶片2分割成一個個的器件。使用圖9的(a)所示的磨削裝置7來實施該背面磨削工序。圖9的(a)所示的磨削裝置7具有保持被加工物的卡盤工作臺71以及對保持在該卡盤工作臺71上的被加工物進行磨削的磨削構(gòu)件72?？ūP工作臺71構(gòu)成為在作為保持面的上表面上吸引保持被加工物，通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)而在圖9的(a)中箭頭71a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。磨削構(gòu)件72具有：主軸殼體721；旋轉(zhuǎn)主軸722，其旋轉(zhuǎn)自如地支承于該主軸殼體721，借 助未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)而旋轉(zhuǎn)；安裝座723，其裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸722的下端；以及磨輪724，其安裝于該安裝座723的下表面。該磨輪724由圓環(huán)狀的基臺725和在該基臺725的下表面上裝配為環(huán)狀的磨削磨石726構(gòu)成，基臺725被緊固螺栓727安裝于安裝座723的下表面。

要想使用上述的磨削裝置7來實施上述背面磨削工序，像圖9的(a)所示那樣將實施了上述保護部件粘貼工序的半導體晶片2的保護帶6側(cè)載置在卡盤工作臺71的上表面(保持面)上。并且，通過使未圖示的吸引構(gòu)件進行動作而在卡盤工作臺71上隔著保護帶6吸引保持半導體晶片2。因此，保持在卡盤工作臺71上的半導體晶片2的背面2b成為上側(cè)。在這樣在卡盤工作臺71上隔著保護帶6吸引保持半導體晶片2之后，使卡盤工作臺71在圖9的(a)中箭頭71a所示的方向上以例如300rpm旋轉(zhuǎn)，并且使磨削構(gòu)件72的磨輪724在圖9的(a)中箭頭724a所示的方向上以例如6000rpm旋轉(zhuǎn)，而像圖9的(b)所示那樣使磨削磨石726與作為被加工面的半導體晶片2的背面2b接觸，使磨輪724像圖9的(a)和圖9的(b)中箭頭724b所示那樣以例如1μm/秒的磨削進給速度向下方(相對于卡盤工作臺71的保持面垂直的方向)磨削進給規(guī)定的量。其結(jié)果為，對半導體晶片2的背面2b進行磨削，像圖9的(c)所示那樣使上述切削槽410在半導體晶片2的背面2b上露出，半導體晶片2被分割成一個個的器件22。另外，分割成一個個的器件22由于保護帶6的作用而不會變得散亂，而是維持晶片的形態(tài)。

接著，實施晶片支承工序，在實施了背面磨削工序的半導體晶片2的背面上粘貼劃片帶并且將該劃片帶的外周部裝配于環(huán)狀的框架F，將粘貼在敷設于半導體晶片2的正面的模制樹脂40的表面上的保護帶6剝離。即，如圖10所示，將實施了上述的背面磨削工序的半導體晶片2的背面2b粘貼在劃片帶T的正面上，該劃片帶T的外周部以覆蓋環(huán)狀的框架F的內(nèi)側(cè)開口部的方式被裝配。并且，將粘貼在敷設于半導體晶片2的正面的模制樹脂40的表面上的保護帶6剝離。因此，粘貼于劃片帶T的正面的半導體晶片2的敷設在正面上的模制樹脂40成為上側(cè)。這樣，將實施了晶片支承工序的半導體晶片2搬送到作為下一工序的拾取工序，針對一個個的器件進行拾取。這樣被拾取的器件22如圖11所示那樣構(gòu)成正面和側(cè)面被模制樹脂40包覆的晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。