本發(fā)明涉及晶片的加工方法，從晶片的背面對(duì)分割預(yù)定線進(jìn)行檢測(cè)而將晶片分割成各個(gè)器件芯片。

背景技術(shù)：

通過(guò)切割裝置將在基板的正面上由分割預(yù)定線劃分并形成有有ic、lsi等多個(gè)器件的晶片分割成各個(gè)器件芯片，分割得到的器件芯片被應(yīng)用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備。

并且，例如在由鈮酸鋰(linbo3)、鉭酸鋰(litao3)構(gòu)成的基板的正面上通過(guò)互相交叉的多條分割預(yù)定線劃分而形成有多個(gè)表面彈性波(saw：surfaceacousuticwave)器件。由于利用切割裝置進(jìn)行的加工很困難，所以通過(guò)激光加工裝置來(lái)生成分割起點(diǎn)從而將晶片分割成各個(gè)saw器件芯片。

作為形成該分割起點(diǎn)的激光加工方法的類型，公知有以下幾種：照射對(duì)于被加工物具有吸收性的波長(zhǎng)的激光光線而實(shí)施燒蝕加工的類型(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)的方法；將對(duì)于被加工物具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位在被加工物的內(nèi)部而進(jìn)行照射從而形成改質(zhì)層的類型(例如，參照專利文獻(xiàn)2。)的方法；以及將對(duì)于被加工物具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位在被加工物的與照射面相反的一側(cè)的附近而進(jìn)行照射，形成由從分割預(yù)定線的正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)鹊募?xì)孔和圍繞該細(xì)孔的非晶質(zhì)構(gòu)成的所謂的盾構(gòu)隧道的類型(例如，參照專利文獻(xiàn)3。)的方法。然而，由于實(shí)施燒蝕加工會(huì)使碎屑飛散到晶片的正面而導(dǎo)致器件的品質(zhì)降低，所以實(shí)際上較多地采用形成不會(huì)使碎屑飛散的改質(zhì)層的類型的方法和形成盾構(gòu)隧道的類型的方法。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-305420號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特許第3408805號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2014-221483號(hào)公報(bào)

在上述的形成改質(zhì)層的類型和形成盾構(gòu)隧道的類型的加工方法中，在想要從晶片的正面照射激光光線的情況下，存在如下的擔(dān)心：激光光線被形成于正面?zhèn)鹊钠骷恋K而不能實(shí)施希望的加工，或者因激光光線的一部分照射到器件而使器件損傷，由于上述等理由，所以從未形成器件的晶片的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€。并且，在以這種方式從晶片的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€而進(jìn)行加工的情況下，需要從背面?zhèn)葘?duì)形成于正面?zhèn)鹊姆指铑A(yù)定線進(jìn)行檢測(cè)而準(zhǔn)確地進(jìn)行該分割預(yù)定線與激光光線的照射位置的對(duì)位(對(duì)準(zhǔn))。

然而，當(dāng)利用拍攝構(gòu)件從晶片的背面?zhèn)韧高^(guò)基板對(duì)形成于正面?zhèn)鹊姆指铑A(yù)定線進(jìn)行拍攝時(shí)，根據(jù)所檢測(cè)的材料，有時(shí)會(huì)因形成基板的材料的晶體構(gòu)造所產(chǎn)生的雙折射而拍攝出作為正常光出現(xiàn)的實(shí)像和作為異常光出現(xiàn)的虛像，存在很難準(zhǔn)確地對(duì)分割預(yù)定線進(jìn)行檢測(cè)的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供晶片的加工方法，能夠從晶片的背面?zhèn)葘?duì)分割預(yù)定線進(jìn)行準(zhǔn)確地檢測(cè)而將晶片分割成各個(gè)器件芯片。

根據(jù)本發(fā)明，提供晶片的加工方法，將在基板的正面上在由互相交叉的多條分割預(yù)定線劃分的區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)器件的晶片分割成各個(gè)器件芯片，該基板由具有雙折射性的晶體構(gòu)造構(gòu)成，其中，該晶片的加工方法包含如下的工序：檢測(cè)工序，從該晶片的背面利用拍攝構(gòu)件對(duì)形成于正面的分割預(yù)定線進(jìn)行檢測(cè)；分割起點(diǎn)形成工序，從與檢測(cè)到的該分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的背面照射激光光線而形成分割的起點(diǎn)；以及分割工序，對(duì)該晶片施加外力而分割成各個(gè)器件芯片，在該檢測(cè)工序中，該拍攝構(gòu)件所具有的配設(shè)在將拍攝元件和成像透鏡連結(jié)起來(lái)的光軸上的偏光件對(duì)在該基板內(nèi)發(fā)生雙折射而出現(xiàn)的異常光進(jìn)行遮蔽，并且將正常光引導(dǎo)至該拍攝元件。

優(yōu)選該偏光件包含偏光板或偏光分束器，該基板是鈮酸鋰，該器件是表面彈性波器件。另外，優(yōu)選偏光面與形成于該晶片的表示晶體取向的定向平面垂直的直線偏光是正常光。

根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法，由于在從晶片的背面利用拍攝構(gòu)件對(duì)形成于正面的分割預(yù)定線進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)工序中構(gòu)成為：該拍攝構(gòu)件所具有的配設(shè)在將拍攝元件和成像透鏡連結(jié)起來(lái)的光軸上的偏光件對(duì)在該基板內(nèi)發(fā)生雙折射而出現(xiàn)的異常光進(jìn)行遮蔽，并且將正常光引導(dǎo)至該拍攝元件，因此在檢測(cè)工序中僅將正常光引導(dǎo)至拍攝元件，能夠根據(jù)由此得到的實(shí)像對(duì)形成于正面?zhèn)鹊姆指铑A(yù)定線進(jìn)行準(zhǔn)確地檢測(cè)。

附圖說(shuō)明

圖1是用于對(duì)通過(guò)本發(fā)明的加工方法加工的晶片進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖2是所構(gòu)成的激光加工裝置的整體立體圖。

圖3的(a)和(b)是用于對(duì)配設(shè)在圖2所示的激光加工裝置中的拍攝構(gòu)件進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4是對(duì)圖3所示的拍攝構(gòu)件所執(zhí)行的檢測(cè)工序的原理進(jìn)行說(shuō)明的概略立體圖。

圖5是對(duì)圖2所記載的激光加工裝置所執(zhí)行的激光加工進(jìn)行說(shuō)明的立體圖。

圖6是對(duì)根據(jù)本發(fā)明而執(zhí)行的分割工序進(jìn)行說(shuō)明的剖視圖。

圖7是用于對(duì)圖3所示的拍攝構(gòu)件的其他實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的概略立體圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

10：晶片；12：saw器件；14：分割預(yù)定線；40：激光加工裝置；41：基臺(tái)；42：保持機(jī)構(gòu)；43：移動(dòng)構(gòu)件；44：激光光線照射構(gòu)件；44a：聚光器；45：殼體；50：拍攝構(gòu)件；52：顯示裝置；54：拍攝元件；56：成像透鏡；58：偏光板；58′：偏光束分束器；70：分割裝置。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的晶片的加工方法進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

在圖1中示出了由鈮酸鋰(linbo3)基板構(gòu)成的作為被加工物的晶片10，該晶片10的正面10a側(cè)被呈格子狀排列的多條分割預(yù)定線14劃分成多個(gè)區(qū)域，在該劃分出的各區(qū)域內(nèi)形成有saw器件12。并且，在晶片10的側(cè)面形成有定向平面10c，該定向平面10c用于表示構(gòu)成該基板的鈮酸鋰的沿著光學(xué)軸的傾斜方向的方向即晶體取向。

在本實(shí)施方式中，在作為被加工物的晶片10的正面10a側(cè)在由寬度為30～50μm左右的分割預(yù)定線14劃分出的區(qū)域內(nèi)形成有saw器件12，為了從背面10b側(cè)照射用于在晶片10的內(nèi)部形成分割起點(diǎn)的激光光線，如圖1所示，使晶片10的背面10b側(cè)朝向上方而定位在環(huán)狀的框架f的該開口部，將該晶片的正面10a側(cè)粘貼在粘合帶t上并且在環(huán)狀的框架f上安裝粘合帶t的外周部從而使它們一體化。

在圖2中示出了用于根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法來(lái)實(shí)施激光加工的激光加工裝置40的整體立體圖。圖中所示的激光加工裝置40具有：基臺(tái)41；保持機(jī)構(gòu)42，其對(duì)晶片進(jìn)行保持；移動(dòng)構(gòu)件43，其使保持機(jī)構(gòu)42移動(dòng)；激光光線照射構(gòu)件44，其對(duì)保持在保持機(jī)構(gòu)42上的晶片10照射激光光線；拍攝構(gòu)件(拍攝單元)50；顯示構(gòu)件52；以及未圖示的控制構(gòu)件，其由計(jì)算機(jī)構(gòu)成，該激光加工裝置40構(gòu)成為通過(guò)該控制構(gòu)件對(duì)各構(gòu)件進(jìn)行控制。

保持機(jī)構(gòu)42包含：矩形的x方向可動(dòng)板60，其以在x方向上自由移動(dòng)的方式搭載在基臺(tái)41上；矩形的y方向可動(dòng)板61，其以在y方向上自由移動(dòng)的方式搭載在x方向可動(dòng)板60上；圓筒狀的支柱62，其固定在y方向可動(dòng)板61的上表面上；以及矩形的蓋板63，其固定在支柱62的上端。在蓋板63上形成有在y方向上延伸的長(zhǎng)孔63a。在圓形的作為對(duì)被加工物進(jìn)行保持的保持構(gòu)件的卡盤工作臺(tái)64的上表面上配置有圓形的吸附卡盤65，其中，該卡盤工作臺(tái)64通過(guò)長(zhǎng)孔63a而向上方延伸，該吸附卡盤65由多孔質(zhì)材料形成且實(shí)際上水平延伸。吸附卡盤65借助通過(guò)支柱62的流路而與未圖示的吸引構(gòu)件連接。在卡盤工作臺(tái)64的周緣，在周向上隔開間隔地配置有多個(gè)夾具66。另外，x方向?yàn)閳D2中箭頭x所示的方向，y方向?yàn)閳D2中箭頭y所示的方向、是與x方向垂直的方向。由x方向和y方向所規(guī)定的平面實(shí)際上是水平的。

移動(dòng)構(gòu)件43包含x方向移動(dòng)構(gòu)件80、y方向移動(dòng)構(gòu)件82以及未圖示的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件。x方向移動(dòng)構(gòu)件80具有：滾珠絲杠802，其在基臺(tái)41上沿x方向延伸；以及電動(dòng)機(jī)801，其與滾珠絲杠802的一端部連結(jié)。滾珠絲杠802的未圖示的螺母部固定在x方向可動(dòng)板60的下表面上。并且x方向移動(dòng)構(gòu)件80通過(guò)滾珠絲杠802將電動(dòng)機(jī)801的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換成直線運(yùn)動(dòng)而傳遞到x方向可動(dòng)板60，使x方向可動(dòng)板60沿著基臺(tái)41上的導(dǎo)軌43a在x方向上進(jìn)退。y方向移動(dòng)構(gòu)件82具有：滾珠絲杠821，其在x方向可動(dòng)板60上沿y方向延伸；以及電動(dòng)機(jī)822，其與滾珠絲杠821的一端部連結(jié)。滾珠絲杠821的未圖示的螺母部固定在y方向可動(dòng)板61的下表面上。并且，y方向移動(dòng)構(gòu)件82通過(guò)滾珠絲杠821將電動(dòng)機(jī)822的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換成直線運(yùn)動(dòng)而傳遞到y(tǒng)方向可動(dòng)板61，使y方向可動(dòng)板61沿著x方向可動(dòng)板60上的導(dǎo)軌60a在y方向上進(jìn)退。旋轉(zhuǎn)構(gòu)件內(nèi)設(shè)在支柱62中并使吸附卡盤65相對(duì)于支柱62旋轉(zhuǎn)。

激光光線照射構(gòu)件44具有：脈沖激光光線振蕩器，其內(nèi)設(shè)在殼體45內(nèi)，振蕩出對(duì)于作為加工對(duì)象的晶片10具有透過(guò)性的波長(zhǎng)例如為1030nm的激光光線，該殼體45從基臺(tái)41的上表面朝向上方延伸隨后實(shí)際上水平延伸；輸出調(diào)整構(gòu)件，其用于對(duì)從該脈沖激光光線振蕩器照射的激光光線的輸出進(jìn)行調(diào)整；以及反射鏡，其將被該輸出調(diào)整構(gòu)件調(diào)整了輸出的激光光線朝向聚光器44a轉(zhuǎn)換光路，該聚光器44a與后述的拍攝構(gòu)件50在x方向上并排設(shè)置在殼體45的前端下表面上。

拍攝構(gòu)件50附設(shè)在殼體45的前端下表面上并位于導(dǎo)軌43a的上方，能夠通過(guò)使卡盤工作臺(tái)64沿著導(dǎo)軌43a移動(dòng)而對(duì)載置在卡盤工作臺(tái)64上的晶片10進(jìn)行拍攝。并且，在殼體45的前端上表面上搭載有顯示構(gòu)件52，拍攝構(gòu)件50所拍攝得到的圖像經(jīng)由未圖示的控制構(gòu)件而輸出給該顯示構(gòu)件52。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的用于實(shí)施晶片的加工方法的激光加工裝置40大概由以上方式構(gòu)成，以下對(duì)其作用進(jìn)行說(shuō)明。

在通過(guò)激光加工裝置40對(duì)晶片10實(shí)施激光加工時(shí)，首先將晶片10的粘合帶t側(cè)載置在圖2所示的激光加工裝置40的吸附卡盤65上，并通過(guò)配設(shè)在卡盤工作臺(tái)64上的夾具66對(duì)環(huán)狀的框架f進(jìn)行固定。然后，通過(guò)使未圖示的吸引構(gòu)件進(jìn)行動(dòng)作而將晶片10吸引固定在吸附卡盤65上。

在將晶片10吸引固定在吸附卡盤65上之后，執(zhí)行檢測(cè)工序，使x方向移動(dòng)構(gòu)件80進(jìn)行動(dòng)作而將吸引保持著晶片10的吸附卡盤65定位在拍攝構(gòu)件50的正下方，通過(guò)拍攝構(gòu)件50和控制構(gòu)件對(duì)晶片10的應(yīng)進(jìn)行激光加工的加工區(qū)域、即與分割預(yù)定線14對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)并進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。使用圖3、4對(duì)該檢測(cè)工序進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

如在圖3的(a)中示出了拍攝構(gòu)件50的主要部分的剖視圖那樣，拍攝構(gòu)件50包含：上部鏡筒50a，在其上部配設(shè)有拍攝元件(ccd)54；下部鏡筒50b，在其下方配設(shè)有成像透鏡56；以及光源50c，其配設(shè)在下部鏡筒50b的下端部，對(duì)被加工物照射可見光線。下部鏡筒50b相對(duì)于上部鏡筒50a借助接合部50d被支承為能夠以鏡筒軸o為中心旋轉(zhuǎn)。并且，在拍攝元件54與成像透鏡56之間配設(shè)有作為偏光件的偏光板58，由于在下部鏡筒50b側(cè)具有偏光板58，因此當(dāng)使下部鏡筒50b相對(duì)于上部鏡筒50a旋轉(zhuǎn)時(shí)，偏光板58與下部鏡筒50b一起旋轉(zhuǎn)，僅使偏光面與由該偏光板58確定的規(guī)定的方向一致的直線偏光透過(guò)。另外，在圖3的(a)中，僅示出了上部鏡筒50a、下部鏡筒50b、拍攝元件54、成像透鏡56以及偏光板58，作為拍攝構(gòu)件50的結(jié)構(gòu)，并不僅限于此，也可以另外添加準(zhǔn)直透鏡等其他的結(jié)構(gòu)。

如圖3的(b)所示，拍攝構(gòu)件50和該控制構(gòu)件執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，對(duì)保持在吸附卡盤65上的晶片10的分割預(yù)定線14進(jìn)行拍攝并將拍攝信號(hào)發(fā)送給該控制構(gòu)件，并且輸出給顯示構(gòu)件52，其中，該圖案匹配等圖像處理用于進(jìn)行晶片10的分割預(yù)定線14與沿著分割預(yù)定線14照射激光光線的激光光線照射構(gòu)件44的聚光器44a的對(duì)位。這里，在本實(shí)施方式中，由于在成像透鏡56與拍攝元件54之間配設(shè)有偏光板58，所以能夠通過(guò)偏光板58的作用排除虛像而僅使實(shí)像透過(guò)，能夠通過(guò)該控制構(gòu)件檢測(cè)分割預(yù)定線14的準(zhǔn)確的位置，并且在顯示構(gòu)件52中僅顯示分割預(yù)定線14的實(shí)像。另外，在不像本實(shí)施方式那樣在拍攝元件54與成像透鏡56之間配設(shè)偏光板58而對(duì)晶片10進(jìn)行拍攝的情況下，如在圖3的(b)的顯示構(gòu)件52′中所顯示的那樣，出現(xiàn)實(shí)線所示的分割預(yù)定線14和顯示為虛像的分割預(yù)定線14′，很難對(duì)分割預(yù)定線14進(jìn)行準(zhǔn)確地檢測(cè)。

這里，對(duì)在本發(fā)明的檢測(cè)工序中能夠僅檢測(cè)出分割預(yù)定線14的實(shí)像的檢測(cè)原理進(jìn)行說(shuō)明。鈮酸鋰構(gòu)成作為本實(shí)施方式的被加工物而選擇的晶片10的基板，該鈮酸鋰具有三方晶系的晶體構(gòu)造而具有雙折射性。透過(guò)該基板的光線根據(jù)兩種折射率而分成兩條光線。此時(shí)，將折射率不取決于入射光相對(duì)于光學(xué)軸的角度地進(jìn)行反射的光線稱為正常光，將反射時(shí)的折射率取決于相對(duì)于光學(xué)軸的角度而變化的光線稱為異常光。如果構(gòu)成晶片10的材料(鈮酸鋰)的光學(xué)軸相對(duì)于晶片10的平面是垂直的，則該正常光、異常光的折射率一致，在從垂直方向進(jìn)行拍攝時(shí)不會(huì)出現(xiàn)實(shí)像和虛像。然而，通常在將晶片10作為形成saw器件的基板而構(gòu)成的情況下，由于基板的光學(xué)軸相對(duì)于與晶片10的平面垂直的法線具有傾斜角，所以在想要從垂直方向進(jìn)行拍攝的情況下，會(huì)出現(xiàn)作為折射率不取決于光學(xué)軸的正常光而拍攝的實(shí)像和作為折射率根據(jù)與該光學(xué)軸的角度而變化的異常光而拍攝的虛像。

形成于晶片10的定向平面10c沿著形成基板的材料的光學(xué)軸的傾斜方向形成。并且，成為虛像而出現(xiàn)的該異常光作為在光學(xué)軸的傾斜方向即定向平面10c的方向上具有偏光面的直線偏光而出現(xiàn)。因此，如圖示那樣，本實(shí)施方式的偏光板58的朝向被設(shè)定為與定向平面10c垂直的朝向。如上述那樣，由于異常光的偏光面與定向平面10c平行地形成，所以在晶片10的正面反射而出現(xiàn)的異常光即虛像無(wú)法透過(guò)該偏光板58而是被吸收，能夠僅使具有與定向平面10c垂直的偏光面的正常光透過(guò)，利用上方的拍攝元件54僅拍攝到分割預(yù)定線14的實(shí)像。另外，在圖4中，為了方便說(shuō)明，省略了拍攝元件54、上部鏡筒50a、下部鏡筒50b和成像透鏡56等。

如圖1所明示的那樣，分割預(yù)定線14設(shè)置在相對(duì)于定向平面10c平行的方向和垂直的方向上。因此，對(duì)晶片10的形成在與設(shè)置該定向平面10c的方向垂直的方向上的分割預(yù)定線14也實(shí)施上述的檢測(cè)工序并完成對(duì)準(zhǔn)，其中，該對(duì)準(zhǔn)進(jìn)行分割預(yù)定線與激光光線照射位置的對(duì)位。此時(shí)，對(duì)激光加工裝置40上配設(shè)的保持機(jī)構(gòu)42的支柱60中內(nèi)置的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)而使晶片10旋轉(zhuǎn)90°。與此相伴地，由于異常光的偏光面也旋轉(zhuǎn)90°，所以當(dāng)在使晶片10旋轉(zhuǎn)90°之后實(shí)施該檢測(cè)工序的情況下，使下部鏡筒50b旋轉(zhuǎn)90°而將偏光板58的方向切換90°來(lái)吸收異常光。另外，在上部鏡筒50a與下部鏡筒50b的接合部標(biāo)注有角度調(diào)整用的標(biāo)記a、b1、b2，在實(shí)施對(duì)平行于定向平面10c的分割預(yù)定線14進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)工序時(shí)使設(shè)置在下部鏡筒50b側(cè)的標(biāo)記b1與設(shè)置在上部鏡筒50a側(cè)的標(biāo)記a對(duì)齊，在實(shí)施對(duì)垂直于定向平面10c的方向的分割預(yù)定線14進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)工序時(shí)使設(shè)置在下部鏡筒50b側(cè)的標(biāo)記b2與上部鏡筒50a側(cè)的標(biāo)記a對(duì)齊，由此能夠使偏光板58準(zhǔn)確地旋轉(zhuǎn)90°。該旋轉(zhuǎn)既可以通過(guò)手動(dòng)進(jìn)行，也可以通過(guò)設(shè)置驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)等驅(qū)動(dòng)構(gòu)件而進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。至此，通過(guò)實(shí)施檢測(cè)工序，完成針對(duì)全部的分割預(yù)定線14的對(duì)準(zhǔn)。

在執(zhí)行了上述的檢測(cè)工序之后，使保持著晶片10的卡盤工作臺(tái)64移動(dòng)至聚光器44a所在的激光光線照射區(qū)域，將形成于規(guī)定的方向的分割預(yù)定線14的一端定位在聚光器44a的正下方。然后，使未圖示的聚光點(diǎn)位置調(diào)整構(gòu)件進(jìn)行動(dòng)作而使聚光器44a在光軸方向上移動(dòng)，將聚光點(diǎn)定位在構(gòu)成晶片10的基板的內(nèi)部的規(guī)定的位置。在進(jìn)行了該聚光點(diǎn)的定位之后，使激光光線照射構(gòu)件44進(jìn)行動(dòng)作而通過(guò)該激光振蕩器振蕩出在晶片10內(nèi)形成盾構(gòu)隧道的脈沖激光光線。當(dāng)激光光線的照射開始時(shí)，使x方向移動(dòng)構(gòu)件80進(jìn)行動(dòng)作而使卡盤工作臺(tái)64在圖5的箭頭x所示的方向上移動(dòng)，由此，沿著分割預(yù)定線14照射該激光光線。由此，沿著分割預(yù)定線14連續(xù)地形成盾構(gòu)隧道，其中，該盾構(gòu)隧道形成有在上下方向上延伸的細(xì)孔和對(duì)該細(xì)孔進(jìn)行盾構(gòu)的非晶質(zhì)。使該激光光線照射構(gòu)件44、卡盤工作臺(tái)64、x方向移動(dòng)構(gòu)件80、y方向移動(dòng)構(gòu)件82和未圖示的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件進(jìn)行動(dòng)作而對(duì)呈格子狀形成在晶片10的正面上的全部的分割預(yù)定線14形成該盾構(gòu)隧道(參照?qǐng)D5)。至此，分割起點(diǎn)形成工序完成。

形成上述盾構(gòu)隧道的分割起點(diǎn)形成工序中的加工條件例如按照如下方式進(jìn)行設(shè)定。

波長(zhǎng)：1030nm

平均輸出：3w

重復(fù)頻率：50khz

脈沖寬度：10ps

光斑直徑：φ1μm

聚光透鏡的數(shù)值孔徑/晶片的折射率：0.05～0.20

x方向加工進(jìn)給速度：500mm/秒

盾構(gòu)隧道尺寸：φ1μm的細(xì)孔、φ10μm的非晶質(zhì)

在實(shí)施了該分割起點(diǎn)形成工序之后，執(zhí)行分割工序，將晶片10分割成各個(gè)器件12。該分割工序是通過(guò)在圖6中示出了其一部分的分割裝置70來(lái)實(shí)施的，該分割裝置70具有：框架保持部件71；夾具72，其在上表面部載置環(huán)狀框架f而對(duì)上述環(huán)狀的框架f進(jìn)行保持；以及擴(kuò)展?jié)L筒73，其由至少上方開口的圓筒形狀構(gòu)成，用于對(duì)利用該夾具72而保持的環(huán)狀的框架f上所安裝的晶片10進(jìn)行擴(kuò)展。框架保持部件71被支承構(gòu)件723支承為能夠升降，其中，該支承構(gòu)件723由以圍繞擴(kuò)展?jié)L筒73的方式設(shè)置的多個(gè)氣缸723a和從氣缸723a延伸的活塞桿723b構(gòu)成。

該擴(kuò)展?jié)L筒73被設(shè)定為比環(huán)狀的框架f的內(nèi)徑小而且比晶片10的外徑大，其中，該晶片10粘貼在粘合帶t上，該粘合帶t安裝在框架f上。這里，如圖6所示，分割裝置70能夠成為框架保持部件71與擴(kuò)展?jié)L筒73的上表面部為大致相同高度的位置(由虛線示出)和通過(guò)支承構(gòu)件723的作用使框架保持部件71下降而使擴(kuò)展?jié)L筒73的上端部比框架保持部件71的上端部高的位置(由實(shí)線示出)。

當(dāng)使上述框架保持部件71下降而使擴(kuò)展?jié)L筒73的上端從虛線所示的位置相對(duì)變化為實(shí)線所示的比框架保持部件71高的位置時(shí)，安裝在環(huán)狀的框架f上的粘合帶t被按壓于擴(kuò)展?jié)L筒73的上端緣而擴(kuò)展。其結(jié)果是，由于對(duì)粘貼在粘合帶t上的晶片10放射狀地作用有拉伸力，所以在上述的分割起點(diǎn)形成工序中沿著分割預(yù)定線14形成有盾構(gòu)隧道的晶片10的各個(gè)saw器件12彼此的間隔被擴(kuò)大。然后，在各個(gè)saw器件12彼此的間隔被擴(kuò)大的狀態(tài)下，使拾取夾頭74進(jìn)行動(dòng)作而對(duì)擴(kuò)大了間隔的狀態(tài)下的saw器件12進(jìn)行吸附，將saw器件12從粘合帶t剝離而進(jìn)行拾取，搬送到未圖示的托盤或下一個(gè)工序的加工裝置上。至此，分割工序結(jié)束，本發(fā)明的晶片的加工方法完成。另外，施加外力的分割工序并不僅限于上述構(gòu)件，也可以變更成其他的構(gòu)件或進(jìn)一步添加其他構(gòu)件。例如，在上述的分割工序中，也可以將與分割預(yù)定線14平行地定位的樹脂制的輥從上方推抵于保持在粘合帶t上的晶片10的上表面并使輥在晶片10的正面上滾動(dòng)從而作用朝向晶片10的下方向的力，由此，沿著分割預(yù)定線14進(jìn)行分割。

本發(fā)明并不僅限于本實(shí)施方式，能夠采用各種變形例。在本實(shí)施方式中，采用偏光板58來(lái)作為偏光件，但也可以如圖7所示，采用偏光分束器58′來(lái)代替偏光板58。作為該偏光分束器58′，能夠采用將兩個(gè)直角棱鏡粘貼在一起的結(jié)構(gòu)。在該情況下，對(duì)直角棱鏡的界面(對(duì)合面)的任意一側(cè)的面實(shí)施電介質(zhì)多層膜涂布，分離出在與界面垂直的入射面內(nèi)振動(dòng)的正常光(p偏光)和在與該入射面垂直的方向上振動(dòng)的異常光(s偏光)，與上述的偏光板58同樣，僅使正常光向位于上方的拍攝元件54側(cè)透過(guò)，將該異常光分離并使其照射在未圖示的吸收激光光線的阻尼器上。另外，作為偏光分束器，雖然也可以選擇平板玻璃的板型，但當(dāng)透過(guò)板時(shí)所透過(guò)的正常光的光路會(huì)因板的厚度而稍微偏移所以需要進(jìn)行圖像校正，因此優(yōu)先選擇圖7所示的將直角棱鏡粘貼在一起的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，偏光分束器58′也與偏光板58同樣地構(gòu)成為在檢測(cè)工序中按照晶片10的旋轉(zhuǎn)而適當(dāng)旋轉(zhuǎn)，從而能夠僅拍攝出全部的分割預(yù)定線14的實(shí)像。

并且，在上述的實(shí)施方式的分割起點(diǎn)形成工序中，說(shuō)明了進(jìn)行激光加工以便作為沿著分割預(yù)定線14形成的分割起點(diǎn)形成盾構(gòu)隧道的方式，但本發(fā)明并不僅限于此，只要是需要從以具有雙折射性的物質(zhì)作為基板的晶片的背面?zhèn)葘?duì)分割預(yù)定線進(jìn)行檢測(cè)的激光加工，則無(wú)論怎樣的加工都適用，也可以采用上述專利文獻(xiàn)2所記載的、在晶片10的內(nèi)部形成改質(zhì)層的技術(shù)。該情況下的激光加工條件例如按照如下方式進(jìn)行設(shè)定。

波長(zhǎng)：1340nm

平均輸出：1w

重復(fù)頻率：50khz

脈沖寬度：1ns

光斑直徑：φ1μm

數(shù)值孔徑：0.8

x方向加工進(jìn)給速度：100mm/秒

在本實(shí)施方式中，對(duì)作為構(gòu)成被加工物即晶片10的基板的材料使用了鈮酸鋰的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不僅限于此，也能夠適用于將其他的具有雙折射性的材料作為基板的情況。