技術(shù)總結(jié)
提供晶片的加工方法，得到品質(zhì)良好的晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。包含：第1切削槽形成工序，以具有第1厚度的切削刀具從晶片正面?zhèn)妊胤指铑A(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件完工厚度的第1切削槽；模制工序，在實施了切削槽形成工序的晶片正面敷設(shè)模制樹脂并在第1切削槽中埋設(shè)模制樹脂；第2切削槽形成工序，以具有比第1厚度薄的第2厚度的切削刀具形成比晶片正面敷設(shè)的模制樹脂和第1切削槽中埋設(shè)的模制樹脂的厚度深而到達(dá)晶片的第2切削槽；保護(hù)部件粘貼工序，對實施了第2切削槽形成工序的晶片正面所敷設(shè)的模制樹脂的表面粘貼保護(hù)部件；背面磨削工序，對實施了保護(hù)部件粘貼工序的晶片背面進(jìn)行磨削使第2切削槽露出將晶片分割成一個個器件。

技術(shù)研發(fā)人員：久保敦嗣;陸昕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社迪思科
文檔號碼：201610398657
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.07
技術(shù)公布日：2016.12.21